JP2006513563A - 半導体部品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、発明の概念全体の範囲及び思想を限定する意図はなく、一例として図面を参照して好適な実施の形態を用いて以下に記述される。
2 トレンチ
3 トレンチの底部
4 絶縁層
5 電力部品
6 側方の能動部品
7 エッジ縁取り構造
8 メタライゼーション
9 IGBT
10 ダイオード
11 前面接触
12 ドーピング溝
13 誘電体
14 P+注入
15 n+注入
Claims (18)
- 第1の垂直方向の電力部品(5、9)及び少なくとも1つの側方の能動部品(6)及び/又は少なくとも1つの第2の垂直方向の電力部品(10)を有する半導体部品の製造方法であって、
前面と裏面とを有するシリコン基板(1)を準備する工程と、
前記前面の少なくとも一部を完全に取り囲む少なくとも1つのトレンチ(2)を前記シリコン基板(1)中にエッチングにより形成する工程と、
少なくとも1つの誘電体を含む絶縁体(4)又は誘電体である絶縁体(4)を用いて前記少なくとも1つのトレンチ(2)を埋め込む工程と、
前記シリコン基板(1)の前記前面の上で処理工程を実行し、前記基板(1)の上に前記第1の電力部品(5、9)、前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)及び/又は前記少なくとも1つの第2の垂直方向の電力部品(10)が共通の基準点の周りに同心円状に又は偏心して配置され、かつ、少なくとも1つの前記トレンチ(2)によって互いから分離されるように、前記第1の垂直方向の電力部品(5、9)、前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)及び/又は前記少なくとも1つの第2の垂直方向の電力部品(10)を形成する工程と、
前記裏面から前記絶縁体(4)まで前記シリコン基板(1)の表面全体を薄くする工程と、
前記電力部品(5、9、10)を前記裏面から接触させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体部品の製造方法。 - 前記第1の電力部品(5、9)、前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)及び/又は前記少なくとも1つの第2の垂直方向の電力部品(10)は、略リング状及び/又は略ディスク状に形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記側方の能動部品(6)は、ディスク状に形成され、かつ、前記トレンチ(2)及び前記第1の垂直方向の電力部品(5、9)によって完全に取り囲まれるように前記前面の上に配置されることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の方法。
- 前記薄くする工程の後で、かつ、前記少なくとも1つの電力部品(5、9)の前記接触させる工程の前に、前記基板(1)の前記裏面の上に誘電体が堆積されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記電力部品(5、9)の前記接触させる工程は、前記裏面から前記少なくとも1つの電力部品(5、9)を接触させるために前記誘電体に開口部を形成する工程と、前記裏面の上にメタライゼーション(8)を提供する工程とを含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記メタライゼーション(8)は、構造化されていることを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)は、ドーピングされた溝に配置されることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)は、pドープされた溝に配置されることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)は、バイポーラ、CMOS、NMOS及び/又はPMOS技術を用いて前記半導体部品内に集積されることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1つの第1の垂直方向の電力部品(5、6)及び前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)及び/又は少なくとも1つの第2の垂直方向の電力部品(10)を備え、これらの間に絶縁体(4)が埋め込まれた少なくとも1つのトレンチ(2)が配置される半導体部品であって、
前記絶縁体(4)は、少なくとも1つの誘電体を部分的に含み、前記少なくとも1つの垂直方向の電力部品(5、9)及び前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)は、略リング状及び/又は略ディスク状に形成され、かつ、シリコン基板(1)の上の共通の基準点の周りに同心円状に又は偏心して配置されることを特徴とする。 - 前記少なくとも1つの電力部品(5、9)は、IGBT、PMOS及び/又はダイオードであることを特徴とする請求項10に記載の半導体部品。
- 前記少なくとも1つの電力部品(5、9)は、1700Vまでの電圧に適合することを特徴とする請求項10又は請求項11に記載の半導体部品。
- 前記絶縁体(4)は、絶縁体材料、半導体材料及び/又は導電性材料の組合せで構成されることを特徴とする請求項10乃至請求項12のいずれか1項に記載の半導体部品。
- 前記絶縁体(4)は、誘電体及びポリシリコンの組合せで構成されることを特徴とする請求項10乃至請求項13のいずれか1項に記載の半導体部品。
- 前記第1の垂直方向の電力部品(5、9)及び/又は前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)は、少なくとも1つの埋め込まれたトレンチ(2)及び/又は前記少なくとも1つの第2の垂直方向の電力部品(10)によって完全に取り込まれることを特徴とする請求項10乃至請求項14のいずれか1項に記載の半導体部品。
- 前記少なくとも1つの側方の能動部品(6)は、ドーピングされた溝に配置されることを特徴とする請求項10乃至請求項15のいずれか1項に記載の半導体部品。
- 前記半導体部品の裏面の上に誘電体が適用されることを特徴とする請求項10乃至請求項16のいずれか1項に記載の半導体部品。
- 前記誘電体は開口部を備え、該開口部を通して前記電力部品(5、9、10)が接触可能であることを特徴とする請求項17に記載の半導体部品。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007317839A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009135414A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2009135427A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-06-18 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009147297A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-07-02 | Denso Corp | Soi基板を用いた半導体装置およびその製造方法 |
JP2010016150A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012521646A (ja) * | 2009-03-26 | 2012-09-13 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | スルーウェハ・ビアのラッチアップ・ガードリングを用いるラッチアップ改善のための構造体及び方法 |
JP2013110429A (ja) * | 2006-12-06 | 2013-06-06 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2017208735A1 (ja) * | 2016-06-03 | 2017-12-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009020432A1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Agency For Science, Technology And Research | An electro-optic device and a method for manufacturing the same |
EP2031653B1 (en) * | 2007-08-27 | 2014-03-05 | Denso Corporation | Manufacturing method for a semiconductor device having multiple element formation regions |
US7911023B2 (en) * | 2007-11-06 | 2011-03-22 | Denso Corporation | Semiconductor apparatus including a double-sided electrode element and method for manufacturing the same |
US8125002B2 (en) * | 2007-11-07 | 2012-02-28 | Denso Corporation | Semiconductor device and inverter circuit having the same |
US8278731B2 (en) | 2007-11-20 | 2012-10-02 | Denso Corporation | Semiconductor device having SOI substrate and method for manufacturing the same |
US20110260245A1 (en) * | 2010-04-23 | 2011-10-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cost Effective Global Isolation and Power Dissipation For Power Integrated Circuit Device |
US9396997B2 (en) * | 2010-12-10 | 2016-07-19 | Infineon Technologies Ag | Method for producing a semiconductor component with insulated semiconductor mesas |
US9142665B2 (en) | 2010-12-10 | 2015-09-22 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor component with a semiconductor via |
EP2887387A1 (en) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | Nxp B.V. | Semiconductor device and associated method |
US10546816B2 (en) * | 2015-12-10 | 2020-01-28 | Nexperia B.V. | Semiconductor substrate with electrically isolating dielectric partition |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001127149A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4860081A (en) * | 1984-06-28 | 1989-08-22 | Gte Laboratories Incorporated | Semiconductor integrated circuit structure with insulative partitions |
US5294825A (en) * | 1987-02-26 | 1994-03-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High breakdown voltage semiconductor device |
US5512774A (en) * | 1988-02-08 | 1996-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Dielectrically isolated substrate and semiconductor device using the same |
JP2788269B2 (ja) | 1988-02-08 | 1998-08-20 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
DE4201910C2 (de) * | 1991-11-29 | 1995-05-11 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur für eine integrierte Leistungsschaltung mit einem vertikalen Leistungsbauelement |
JP3014012B2 (ja) * | 1992-03-19 | 2000-02-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3299374B2 (ja) * | 1994-02-24 | 2002-07-08 | 三菱電機株式会社 | サイリスタ及びその製造方法 |
US5981983A (en) * | 1996-09-18 | 1999-11-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High voltage semiconductor device |
KR100218538B1 (ko) * | 1996-10-17 | 1999-09-01 | 김덕중 | 반도체 기판 및 그 제조 방법 |
US5909626A (en) * | 1997-03-28 | 1999-06-01 | Nec Corporation | SOI substrate and fabrication process therefor |
US6150697A (en) * | 1998-04-30 | 2000-11-21 | Denso Corporation | Semiconductor apparatus having high withstand voltage |
KR100281907B1 (ko) * | 1998-10-29 | 2001-02-15 | 김덕중 | 인텔리전트 전력 집적 회로 및 이를 제조하는 방법 |
EP1071133B1 (en) * | 1999-07-21 | 2010-04-21 | STMicroelectronics Srl | Process for CMOS devices of non volatile memories and vertical bipolar transistors with high gain. |
US6524890B2 (en) * | 1999-11-17 | 2003-02-25 | Denso Corporation | Method for manufacturing semiconductor device having element isolation structure |
-
2003
- 2003-01-10 DE DE10300577A patent/DE10300577B4/de not_active Expired - Fee Related
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- 2003-12-23 US US10/541,819 patent/US7719077B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-23 WO PCT/DE2003/004286 patent/WO2004064123A2/de active Application Filing
- 2003-12-23 JP JP2004565915A patent/JP4718187B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001127149A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007317839A (ja) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2013110429A (ja) * | 2006-12-06 | 2013-06-06 | Denso Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4678547B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2011-04-27 | 株式会社デンソー | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009135427A (ja) * | 2007-11-06 | 2009-06-18 | Denso Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4577425B2 (ja) * | 2007-11-07 | 2010-11-10 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
JP2009135414A (ja) * | 2007-11-07 | 2009-06-18 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2009147297A (ja) * | 2007-11-20 | 2009-07-02 | Denso Corp | Soi基板を用いた半導体装置およびその製造方法 |
JP4737255B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2011-07-27 | 株式会社デンソー | Soi基板を用いた半導体装置 |
JP2010016150A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2012521646A (ja) * | 2009-03-26 | 2012-09-13 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | スルーウェハ・ビアのラッチアップ・ガードリングを用いるラッチアップ改善のための構造体及び方法 |
WO2017208735A1 (ja) * | 2016-06-03 | 2017-12-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2017208735A1 (ja) * | 2016-06-03 | 2018-09-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US10497784B2 (en) | 2016-06-03 | 2019-12-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1581966A2 (de) | 2005-10-05 |
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