JP2006351701A - 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 - Google Patents
高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006351701A JP2006351701A JP2005173726A JP2005173726A JP2006351701A JP 2006351701 A JP2006351701 A JP 2006351701A JP 2005173726 A JP2005173726 A JP 2005173726A JP 2005173726 A JP2005173726 A JP 2005173726A JP 2006351701 A JP2006351701 A JP 2006351701A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ppm
- bonding
- wire
- gold alloy
- alloy wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/24—Selection of soldering or welding materials proper
- B23K35/30—Selection of soldering or welding materials proper with the principal constituent melting at less than 1550 degrees C
- B23K35/3013—Au as the principal constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/02—Alloys based on gold
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01032—Germanium [Ge]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01038—Strontium [Sr]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01044—Ruthenium [Ru]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01056—Barium [Ba]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01063—Europium [Eu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01076—Osmium [Os]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01083—Bismuth [Bi]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/011—Groups of the periodic table
- H01L2924/01105—Rare earth metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/012—Semiconductor purity grades
- H01L2924/01205—5N purity grades, i.e. 99.999%
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20753—Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm未満、Ir:1〜100ppm、Ca:30越え〜100ppm、Eu:30越え〜100ppmを含有し、さらに必要に応じてBe:0.1〜20ppmを含有し、さらに必要に応じてLa,Ba,Sr,Biの内の1種または2種以上を合計で30〜100ppmを含有し、さらに必要に応じてAg:1〜10ppmを含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線。
【選択図】 なし
Description
(イ)純度:99.999質量%の高純度金に、PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm未満、Ir:1〜100ppmを含有させ、さらにCaおよびEuを従来のボンディングワイヤ用金合金線よりも多いCa:30越え〜100ppm、Eu:30越え〜100ppmを含有させた組成を有する金合金線は、高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有する、
(ロ)前記(イ)記載の組成を有する金合金線に、さらにBe:0.1〜20ppmを含有させた金合金線は、BeがAuの結晶格子に歪みを与えて、ボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度ならびにフリーエアボールの加工硬化性を高め、さらに再結晶温度を下げる効果を有することから、ループ高さを上げることができ、そのため適切なループ高さを実現できるので、必要に応じて添加することができる、
(ハ)前記(ロ)記載の組成を有する金合金線に、さらにLa,Ba,Sr,Biの内の1種または2種以上を合計で30〜100ppmを含有させた金合金線は、ボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度ならびにフリーエアボールの加工硬化性を高めるとともに、再結晶温度を上げ、金合金線のループ高さを低くすることができる、
(ニ)前記高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有する(イ)〜(ハ)記載の金合金線に、さらにAg:1〜10ppmを含有せしめても、その特性にほとんど影響を与えない、などの研究結果が得られたのである。
(1)PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm未満、
Ir:1〜100ppm、
Ca:30越え〜100ppm、
Eu:30越え〜100ppm、
を含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有する高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線、
(2)PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm未満、
Ir:1〜100ppm、
Ca:30越え〜100ppm、
Eu:30越え〜100ppmを含有し、さらに、
Be:0.1〜20ppmを含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有する高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線、
(3)PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm未満、
Ir:1〜100ppm、
Ca:30越え〜100ppm、
Eu:30越え〜100ppmを含有し、さらに、
Be:0.1〜20ppmを含有し、さらに、
La,Ba,Sr,Biの内の1種または2種以上を合計で30〜100ppmを含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有する高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線、
(4)前記(1)、(2)または(3)記載のボンディングワイヤ用金合金線に、さらにAg:1〜10ppmを含有させた成分組成を有する高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線、に特徴を有するものである。
前記(1)〜(4)記載の成分組成を有する金合金線素材を所定の径になるまで伸線加工し、得られた金合金線素材を焼鈍するボンディングワイヤ用金合金線の製造工程において、焼鈍温度を従来の焼鈍温度よりも低い温度の550℃以下で行うことにより0.2%耐力(Pa)をσ0.2、ヤング率(Pa)をE、破断伸び率をELとすると、E≧75GPa、(σ0.2/E)≧2.2×10−3、2%≦EL≦10%の条件を満たすボンディングワイヤ用金合金線を製造することができる。前記金合金線素材の伸線加工時の1ダイスによる減面率は従来の減面率よりも低い5%以下とすることが一層好ましい。金合金線の、かかる条件を満たすボンディングワイヤ用金合金線は、一層高い直進性および一層高い耐樹脂流れ性を有するようになる。
したがって、この発明は、
(5)ボンディングワイヤ用金合金線の0.2%耐力(Pa)をσ0.2、ヤング率(Pa)をE、破断伸び率をELとすると、
E≧75GPa、
(σ0.2/E)≧2.2×10−3、
2%≦EL≦10%、
の条件を満たす前記(1)、(2)、(3)または(4)記載の高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線、に特徴を有するものである。
[I]成分組成
(a)Pt、Pd:
PtおよびPdは、共にAuと全率固溶する元素であり、圧着ボールとAlパッドとの接合強度の劣化を抑えることができるという接合信頼性を向上させる効果を有する。接合界面近傍でPtやPdを含む相が層状に生成し、その相がAuの拡散速度を低下させる層(いわゆるAu拡散に対するバリア層)として作用するために、Auの拡散に伴い接合部に発生するボイドの生成速度を抑制し、その結果として、圧着ボールとAlパッドとの接合強度の劣化を抑えて接合信頼性を向上しているものと考えられる。この接合強度の劣化の抑制(接合信頼性を向上する)効果はPtやPdの量が多いほど高くなる。しかし、PtおよびPdの内の1種または2種の合計が500ppm未満では接合強度劣化の抑制効果が得られないので好ましくなく、一方、PtおよびPdの内の1種または2種の合計が1000ppm以上含まれると、金合金線の抵抗が上がるために好ましくない。したがって、PtおよびPdの内の1種または2種の合計を500〜1000ppm未満に定めた。
(b)Ir:
Irは、金合金の高温における粒成長(結晶粒の粗大化)を抑制する作用を有し、そのため、フリーエアボールを形成する際に、ボール部からの熱の影響により、ボール直上のワイヤ部(熱影響部)の結晶粒が粗大化することを防ぐと共に、凝固したフリーエアボール部は多数の微細な結晶粒から形成され、接合時に圧着ボールが放射状に均等に広がり、圧着ボールの真円性が向上する効果を有するが、Irの含有量が1ppm未満では所定の効果が得られず、一方、PtおよびPdのうちの1種または2種を合計で500〜1000ppm含有するボンディングワイヤ用金合金線においてIrが100ppmを超えても上記効果は飽和し、添加による効果の明確な向上が認められない上に、ICチップの破壊あるいは損傷が生じるようになるので好ましくない。したがって、Irの含有量を1〜100ppmに定めた。
(c)Ca:
アルカリ土類金属であるCaは、金属結合半径がAuの金属結合半径より大きく、Auの結晶格子に歪みを与えて、ボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度ならびにフリーエアボールの加工硬化性を高め、さらに再結晶温度を上げ、金合金線のループ高さを低くする効果があるが、Caの含有量が30ppm以下ではフリーエアボールの加工硬化性が低いため初期接合性が低く、また強度が低いため、E≧75GPa、(σ0.2/E)≧2.2×10−3、2%≦EL≦10%の条件を満たすことが困難になって直進性と耐樹脂流れ性が低くなるので好ましくなく、一方、Caの含有量が100ppmを越えるとボールボンディングの際に形成するフリーエアボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらにフリーエアボールの底部中央に接合に寄与できない大きな引け巣が形成されるため、ボールボンディングの初期接合性が低下するようになるので好ましくない。したがって、Caの含有量を30越え〜100ppmに定めた。
(d)Eu:
希土類元素であるEuは、金属結合半径がAuの金属結合半径より大きく、Auの結晶格子に歪みを与えて、ボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度ならびにフリーエアボールの加工硬化性を高めるとともに、再結晶温度を上げ、金合金線のループ高さを低くする効果があり、またEuの金属結合半径は他の希土類元素と比較して特に大きいため、細い線径(特に線径:20μm未満)のボンディングワイヤ用金合金線に対して上記効果が非常に高いが、Euの含有量が30ppm以下ではフリーエアボールの加工硬化性が低いため初期接合性が低く、また強度が低いためE≧75GPa、(σ0.2/E)≧2.2×10−3、2%≦EL≦10%の条件を満たすことが困難になって直進性と耐樹脂流れ性が低くなるので好ましくなく、一方、Euの含有量が100ppmを越えるとボールボンディングの際に形成するフリーエアボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらにフリーエアボールの底部中央に接合に寄与できない大きな引け巣が形成されるため、ボールボンディングの初期接合性が低下するので好ましくない。したがって、Euの含有量を30越え〜100ppmに定めた。
(e)Be:
Beは金属結合半径がAuの金属結合半径より小さく、やはりAuの結晶格子に歪みを与えて、ボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度ならびにフリーエアボールの加工硬化性を高め、上記のCaおよびEuとともに、Beを含有する場合、再結晶温度を下げる効果を有することから、ループ高さを上げることができ、そのため適切なループ高さを実現できるので、必要に応じて添加するが、Beを0.1ppm未満添加しても所定の効果が得られず、一方、Beを20ppmを越えて含有させると、フリーエアボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらにフリーエアボールの底部中央に接合に寄与できない大きな引け巣が形成されるため、ボールボンディングの初期接合性が低下し、さらに、ボール直上部及びボール部の結晶粒径の増大が生じて圧着ボール部の真円性が低下するので好ましくない。したがって、Beの含有量を0.1〜20ppmに定めた。
(f)La、Ba、Sr、Bi:
希土類元素であるLa、アルカリ土類金属であるBaおよびSr、周期律表5B族であるBiも、ボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度ならびにフリーエアボールの加工硬化性を高めるとともに、再結晶温度を上げ、金合金線のループ高さを低くする効果があるため、必要に応じ添加するが、La、Ba、Sr、Biの少なくとも1種を30ppm未満含有させても所定の効果が得られず、一方、La、Ba、Sr、Biの少なくとも1種を100ppmを越えて含有させるとボールボンディングの際に形成するフリーエアボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらにフリーエアボールの底部中央に接合に寄与できない大きな引け巣が形成されるため、ボールボンディングの初期接合性が低下するので好ましくない。したがって、La、Ba、Sr、Biの少なくとも1種の含有量を30〜100ppmに定めた。
(g)Ag:
Agが1〜10ppm含有されても上記特性にほとんど影響を与えないので必要に応じて添加するが、しかし10ppmを越えると初期接合性が低下する傾向が認められるので好ましくない。
[II]機械的特性
前述の成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線はいずれも高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するが、金合金線の0.2%耐力(Pa)をσ0.2、ヤング率(Pa)をE、破断伸び率をELとすると、E≧75GPa、(σ0.2/E)≧2.2×10−3、2%≦EL≦10%の条件を満たすようにボンディングワイヤ用金合金線を製造することにより、一層高い直進性および一層高い耐樹脂流れ性を有するようになる。
ひずみ=ボンディングワイヤ用金合金線の伸び(mm)/100mm、
引張り応力(Pa)=引張り荷重(N)/ボンディングワイヤ用金合金線の初期断面積(m2)
破断伸び率をEL(%)、0.2%耐力σ0.2(Pa)およびヤング率E(Pa)を以下のように定義する。
破断伸び率EL(%)=破断したときのひずみ×100=[破断したときの伸び(mm)/100(mm)]×100
0.2%耐力σ0.2(Pa):ボンディングワイヤ用金合金線に0.2%の永久ひずみを与えた際の引張り応力(Pa)
ヤング率E(Pa):引張り応力とひずみが正比例する範囲における、引張り応力とひずみの比、すなわち引張り応力(Pa)/ひずみ
これら表1〜3に示される成分組成および表4〜6に示される機械的特性を有する本発明ワイヤ1〜34、比較ワイヤ1〜20および従来ワイヤ1をKulicke&Soffa製のワイヤボンダー(マクサムプラス)にセットし、半導体ICチップが搭載された基板に、
加熱温度:150℃、
ループ長さ:5mm、
ループ高さ:220μm、
圧着ボール径:34μm、
圧着ボール高さ:8μm、
の条件でボンディングを行って、下記の測定を行うことにより直進性、初期接合性、圧着ボールの真円性についての評価を行った。
直進性評価:
パッドピッチ:45μm間隔で各サンプルにつき10000ループを作製し、隣のループ同士の接触する個所の数(接触数)を測定し、その結果を表4〜6に示すことにより直進性を評価した。
初期接合性評価:
各サンプルに付き10000ループを作製しボールボンディング時に圧着ボールがAlパッドに接合していなかった回数(ボールリフト数という)を測定し、その結果を表4〜6に示すことにより初期接合性を評価した。
圧着ボールの真円性評価:
各サンプルにつき100個の圧着ボールを観察し、すべて良好な場合は〇、1個でも不良が有る場合は×とし、その結果を表4〜6に示すことによりボールの真円性を評価した。
接合信頼性評価:
ボンディングしたサンプルを、150℃の空気中で1000時間保管した後に、圧着ボール直上のループの曲がり(キンク)にツールを引っかけてプル試験(各サンプルにつき100個)を行った。プル試験での破断は、ネック部で破断するか、圧着ボールとAlパッドの接合界面で破断(ボールリフト)する。圧着ボールを観察し、全てネック部での破断の場合は○、1個でもボールリフトがある場合は×として評価した。
さらに、表1〜3に示される成分組成および表4〜6に示される機械的特性を有する本発明ワイヤ1〜34、比較ワイヤ1〜20および従来ワイヤ1について、ループ高さ、耐樹脂流れ性についての評価を行った。
ループ高さ:
表1〜3に示される成分組成および表4〜6に示される機械的特性を有する本発明ワイヤ1〜34、比較ワイヤ1〜20および従来ワイヤ1をKulicke&Soffa製のワイヤボンダー(マクサムプラス)にセットし、リバースを行わずに、圧着ボール径:34μm、圧着ボール高さ:8μm、ループ長さ:1mmの条件でルーピングを行い、光学顕微鏡を用い、ループ最高部とAlパッド面の高さを測定し、その差をループ高さとして求め、その結果を表4〜6に示すことによりループ高さを評価した。
耐樹脂流れ性:
ループ長さ:3.5mmの条件でボンディングした半導体ICチップが搭載された基板を、モールディング装置を用いてエポキシ樹脂で封止した後、軟X線非破壊検査装置を用いて樹脂封止した半導体チップ内部をX線投影し、ワイヤ流れが最大の部分の流れ量を20本測定し、その平均値をループ長さで除算した値(%)を樹脂流れと定義し、この樹脂流れを測定し、その結果を表4〜6に示すことにより耐樹脂流れ性を評価した。
Claims (5)
- PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm未満、
Ir:1〜100ppm、
Ca:30越え〜100ppm、
Eu:30越え〜100ppm、
を含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線。 - PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm未満、
Ir:1〜100ppm、
Ca:30越え〜100ppm、
Eu:30越え〜100ppmを含有し、さらに、
Be:0.1〜20ppmを含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線。 - PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm未満、
Ir:1〜100ppm、
Ca:30越え〜100ppm、
Eu:30越え〜100ppmを含有し、さらに、
Be:0.1〜20ppmを含有し、さらに、
La,Ba,Sr,Biの内の1種または2種以上を合計で30〜100ppmを含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線。 - さらにAg:1〜10ppmを含有することを特徴とする請求項1、2または3記載の高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線。
- ボンディングワイヤ用金合金線の0.2%耐力(Pa)をσ0.2、ヤング率(Pa)をE、破断伸び率をELとすると、
E≧75GPa、
(σ0.2/E)≧2.2×10−3、
2%≦EL≦10%、
の条件を満たすことを特徴とする請求項1、2、3または4記載の高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005173726A JP4726206B2 (ja) | 2005-06-14 | 2005-06-14 | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
PCT/JP2006/311525 WO2006134825A1 (ja) | 2005-06-14 | 2006-06-08 | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
CNB2006800292041A CN100550332C (zh) | 2005-06-14 | 2006-06-08 | 接合引线用金合金线 |
US11/917,228 US20090232695A1 (en) | 2005-06-14 | 2006-06-08 | Gold alloy wire for bonding wire having high initial bondability, high bonding reliability, high roundness of compression ball, high straightness, high resin flowability resistance, and low specific resistance |
EP06766498A EP1909317A4 (en) | 2005-06-14 | 2006-06-08 | GOLD ALLOY CABLE USABLE AS A CONNECTION CABLE HAVING HIGH INITIAL CONNECTION CAPACITY, HIGH RELIABILITY OF CONNECTION, HIGH CIRCULARITY OF THE PRESS CONNECTED BALL, RECTILIG ADVANCED PROPERTY |
KR1020087000927A KR101087526B1 (ko) | 2005-06-14 | 2006-06-08 | 높은 초기 접합성, 높은 접합 신뢰성, 압착 볼의 높은진원성, 높은 직진성, 높은 내수지 흐름성 및 낮은비저항을 갖는 본딩 와이어용 금 합금선 |
TW095120690A TW200703532A (en) | 2005-06-14 | 2006-06-09 | Gold alloy wire for use as bonding wire exhibiting high initial bonding capability, high bonding reliability, high circularity of press bonded ball, high straight advancing property, high resin flow resistance and low specific resistance |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005173726A JP4726206B2 (ja) | 2005-06-14 | 2005-06-14 | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006351701A true JP2006351701A (ja) | 2006-12-28 |
JP4726206B2 JP4726206B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=37532188
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005173726A Expired - Fee Related JP4726206B2 (ja) | 2005-06-14 | 2005-06-14 | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20090232695A1 (ja) |
EP (1) | EP1909317A4 (ja) |
JP (1) | JP4726206B2 (ja) |
KR (1) | KR101087526B1 (ja) |
CN (1) | CN100550332C (ja) |
TW (1) | TW200703532A (ja) |
WO (1) | WO2006134825A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351699A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Materials Corp | 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
JP2008038201A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
JP2014150258A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Seagate Technology Llc | 周囲温度ボールボンディング |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4726205B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2011-07-20 | 田中電子工業株式会社 | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
CN109599381A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-09 | 合肥中晶新材料有限公司 | 一种固定比例金基/银基键合线及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08109425A (ja) * | 1994-08-18 | 1996-04-30 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | ボンディング用金線 |
JPH10275820A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子ボンディング用金合金線 |
JPH1145899A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ボンディングワイヤ |
JPH1145900A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ボンディングワイヤ |
JPH1145901A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ボンディングワイヤ |
JPH11214425A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | ワイヤボンディング用金合金線 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3367544B2 (ja) * | 1995-08-23 | 2003-01-14 | 田中電子工業株式会社 | ボンディング用金合金細線及びその製造方法 |
JP3654736B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2005-06-02 | 田中電子工業株式会社 | 半導体素子ボンディング用金合金線 |
DE19753055B4 (de) * | 1997-11-29 | 2005-09-15 | W.C. Heraeus Gmbh | Feinstdraht aus einer Gold-Legierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
-
2005
- 2005-06-14 JP JP2005173726A patent/JP4726206B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-06-08 CN CNB2006800292041A patent/CN100550332C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-08 EP EP06766498A patent/EP1909317A4/en not_active Withdrawn
- 2006-06-08 US US11/917,228 patent/US20090232695A1/en not_active Abandoned
- 2006-06-08 KR KR1020087000927A patent/KR101087526B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2006-06-08 WO PCT/JP2006/311525 patent/WO2006134825A1/ja active Application Filing
- 2006-06-09 TW TW095120690A patent/TW200703532A/zh unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08109425A (ja) * | 1994-08-18 | 1996-04-30 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | ボンディング用金線 |
JPH10275820A (ja) * | 1997-03-28 | 1998-10-13 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子ボンディング用金合金線 |
JPH1145899A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ボンディングワイヤ |
JPH1145900A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ボンディングワイヤ |
JPH1145901A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ボンディングワイヤ |
JPH11214425A (ja) * | 1998-01-23 | 1999-08-06 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | ワイヤボンディング用金合金線 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006351699A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Materials Corp | 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
JP4596467B2 (ja) * | 2005-06-14 | 2010-12-08 | 田中電子工業株式会社 | 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
JP2008038201A (ja) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
JP2014150258A (ja) * | 2013-01-31 | 2014-08-21 | Seagate Technology Llc | 周囲温度ボールボンディング |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1909317A4 (en) | 2012-06-20 |
CN100550332C (zh) | 2009-10-14 |
KR101087526B1 (ko) | 2011-11-28 |
WO2006134825A1 (ja) | 2006-12-21 |
EP1909317A1 (en) | 2008-04-09 |
CN101238564A (zh) | 2008-08-06 |
TW200703532A (en) | 2007-01-16 |
US20090232695A1 (en) | 2009-09-17 |
JP4726206B2 (ja) | 2011-07-20 |
KR20080041622A (ko) | 2008-05-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4596467B2 (ja) | 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP4771562B1 (ja) | Ag−Au−Pd三元合金系ボンディングワイヤ | |
WO2012169067A1 (ja) | 高強度、高伸び率金合金ボンディングワイヤ | |
TWI490996B (zh) | 接合用導線 | |
JP4726206B2 (ja) | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP2014096403A (ja) | ボンディング用ワイヤ | |
JP4726205B2 (ja) | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP4793989B2 (ja) | 高い初期接合性、高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP6103806B2 (ja) | ボールボンディング用ワイヤ | |
JP4641248B2 (ja) | 接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP2008251635A (ja) | 高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくくかつ一層高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP5240890B2 (ja) | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP4947670B2 (ja) | 半導体素子用ボンディングワイヤの熱処理方法 | |
JP5071925B2 (ja) | 高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくいボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP2008251634A (ja) | 高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくくかつ一層高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20071226 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080222 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110411 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110411 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |