JP2008038201A - 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 - Google Patents
高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008038201A JP2008038201A JP2006214152A JP2006214152A JP2008038201A JP 2008038201 A JP2008038201 A JP 2008038201A JP 2006214152 A JP2006214152 A JP 2006214152A JP 2006214152 A JP2006214152 A JP 2006214152A JP 2008038201 A JP2008038201 A JP 2008038201A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- wire
- gold alloy
- ppm
- alloy wire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/485—Material
- H01L2224/48505—Material at the bonding interface
- H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
- H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
- H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/852—Applying energy for connecting
- H01L2224/85201—Compression bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/8536—Bonding interfaces of the semiconductor or solid state body
- H01L2224/85375—Bonding interfaces of the semiconductor or solid state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01044—Ruthenium [Ru]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01067—Holmium [Ho]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01076—Osmium [Os]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/012—Semiconductor purity grades
- H01L2924/01205—5N purity grades, i.e. 99.999%
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/20—Parameters
- H01L2924/207—Diameter ranges
- H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm、さらに、Ca:4〜60ppm、Be:2〜20ppm、Ir:1〜100ppmを含有し、さらに必要に応じてAg:1〜10ppmを含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有する。
【選択図】 なし
Description
ICチップ上の電極と外部リード部を接続するには、ボンディングワイヤ用金合金線を超音波併用熱圧着ボンディングすることにより行われており、この時使用するボンディングワイヤ用金合金線として、
Ca、Be、Ge、Ni、Fe、Co、Agのうちの少なくとも一種を3〜100ppmを含有し、さらに、
Pd、Pt、Rh、Ir、Os、Ruの中の少なくとも一種を3〜1000ppmを含有し、残部がAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有する金合金線(特許文献1参照)などが知られている。
さらに、近年、半導体デバイスのピン数(パッド数)が増加していることから、Alパッドは千鳥配列の多段化ならびに狭ピッチ化(パッドの小面積化)が進行しており、さらにルーピングに関しては、短ループはより低く短く、長ループはより高く長く、ループ同士の間隔は狭くなり、複雑化している。金線に関しては、Alパッドの小面積化に対応すべく、益々細くなる傾向にある。
ルーピングにおいて、目標のループ形状よりも、高さが低いループが形成されることがあり、これをループ垂れと言う。このループ垂れは、従来のボンディングワイヤ用金合金線の線径が25μmや30μmの時は問題となることが少なかった。
しかしながら、金線の線径縮小ならびにループ長尺化の進行により、ループ垂れが発生し、そのループ下方の物体(ループやキャパシタ等)と接触、ショートし、半導体チップの不良品が発生しやすくなり、線径が23μm以下になると、この不具合が特に発生しやすくなる。すなわち、従来よりも、高いループ制御性が要求されているのである。
(イ)純度:99.999質量%の高純度金に、PtおよびPdの内の1種または2種の合計が500ppm以上でなければ高い接合信頼性が得られないが、一方、PtおよびPdの内の1種または2種の合計が1000ppm以下でなければ金合金線の比抵抗が所望の値よりも上がること、
(ロ)Caは4ppm以上含まなければループ垂れが発生し、高いループ制御性を実現できないこと、
(ハ)CaおよびBeを、Ca:60ppm以下、Be:2〜20ppmの条件を満たすように含有しなければ高い初期接合性が得られないこと、
(ニ)Ir:1ppm以上含有しなければ、圧着ボールの高い真円性が得られないこと、
(ホ)したがって、高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を共に有するには、PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppmを含有し、さらに、Ca:4〜60ppm、Be:2〜20ppmの条件を満たすように含有し、さらに、Ir:1〜100ppmを含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有することが必要であること、などの知見が得られたのである。
(1)PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppmを含有し、さらに、
Ca:4〜60ppm、
Be:2〜20ppm、
Ir:1〜100ppm、
を含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有する高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線、に特徴を有するものである。
(2)前記(1)記載のボンディングワイヤ用金合金線に、さらにAg:1〜10ppmを含有させた成分組成を有する高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線、に特徴を有するものである。
(σ0.2/E)≧2.2×10−3、2%≦EL≦10%(ただし、σ0.2:0.2%耐力(Pa)、E:ヤング率(Pa)、EL:破断伸び率を示す)
の条件を満たすボンディングワイヤ用金合金線を製造することができ、かかる条件を満たすボンディングワイヤ用金合金線は、一層高い直進性を有するようになるので一層好ましい。したがって、この発明は、
(3)ボンディングワイヤ用金合金線の0.2%耐力(Pa)をσ0.2、ヤング率(Pa)をE、破断伸び率をELとすると、
(σ0.2/E)≧2.2×10−3、
2%≦EL≦10%、
の条件を満たす前記(1)または(2)記載の高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線、に特徴を有するものである。
(a)Pt、Pd:
PtおよびPdは、共にAuと全率固溶する元素であり、圧着ボールとAlパッドとの接合強度の劣化を抑えることができるという接合信頼性を向上させる効果を有する。接合界面近傍でPtやPdを含む相が層状に生成し、その相がAuの拡散速度を低下させる層(いわゆるAu拡散に対するバリア層)として作用するために、Auの拡散に伴い接合部に発生するボイドの生成速度を抑制し、その結果として、圧着ボールとAlパッドとの接合強度の劣化を抑えて接合信頼性を向上しているものと考えられる。この接合強度の劣化の抑制(接合信頼性を向上する)効果はPtやPdの量が多いほど高くなる。しかし、PtおよびPdの内の1種または2種の合計が500ppm未満では接合強度劣化の抑制効果が得られないので好ましくなく、一方、PtおよびPdの内の1種または2種の合計が1000ppmを越えて含まれると、金合金線の抵抗が上がるために好ましくない。したがって、PtおよびPdの内の1種または2種の合計を500〜1000ppmに定めた。
アルカリ土類金属であるCaは、金属結合半径がAuの金属結合半径より大きく、Auの結晶格子に歪みを与えて、ボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度ならびにフリーエアボールの加工硬化性を高め、さらに再結晶温度を上げ、金合金線のループ高さを低くする効果があるが、Caの含有量が4ppm未満ではワイヤの強度が低いため、ループ垂れによるループ制御性が低下することから、好ましくなく、一方、Caを60ppmを越えて含有すると、ボールボンディングの際に形成するフリーエアボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらにフリーエアボールの底部中央に接合に寄与できない大きな引け巣が形成されるため、ボールボンディングの初期接合性が低下するので好ましくない。したがって、Caの含有量を4〜60ppmに定めた。
Beは金属結合半径がAuの金属結合半径より小さく、やはりAuの結晶格子に歪みを与えて、ボンディングワイヤ用金合金線の機械的強度ならびにフリーエアボールの加工硬化性を高め、上記のCaとともに、Beを含有する場合、再結晶温度を下げる効果を有することから、ループ高さを上げることができる。しかし、Beが2ppm未満では高い初期接合性が得られず、さらに高い接合信頼性が得られないので好ましくない。この場合、フリーエアボールの加工硬化性が低いことから、ボンディング時にAlパッドが十分に塑性変形できず、Alパッドの酸化被膜Al2O3が完全に破壊されず、Al新生面の生成面積が減少することから、AlパッドとAu圧着ボールの接合面積が減少し、接合信頼性が低下したものと考えられる。一方、Beの含有量が20ppmを越えて含有すると、フリーエアボールの表面に多量の酸化物が生成し、さらにフリーエアボールの底部中央に接合に寄与できない大きな引け巣が形成されるため、ボールボンディングの初期接合性が低下し、さらに、ボール直上部及びボール部の結晶粒径の増大が生じて圧着ボール部の真円性が低下するので好ましくない。したがって、Beの含有量を2〜20ppmとなるように定めた。
Irは、金合金の高温における粒成長(結晶粒の粗大化)を抑制する作用を有し、そのため、フリーエアボールを形成する際に、ボール部からの熱の影響により、ボール直上のワイヤ部(熱影響部)の結晶粒が粗大化することを防ぐと共に、凝固したフリーエアボール部は多数の微細な結晶粒から形成され、接合時に圧着ボールが放射状に均等に広がり、圧着ボールの真円性が向上する効果を有するが、Irの含有量が1ppm未満では所定の効果が得られず、一方、PtおよびPdのうちの1種または2種を合計で500〜1000ppm含有するボンディングワイヤ用金合金線においてIrが100ppmを超えても上記効果は飽和し、添加による効果の明確な向上が認められない上に、ICチップの破壊あるいは損傷が生じるようになるので好ましくない。したがって、Irの含有量を1〜100ppmに定めた。
Agが1〜10ppm含有されても上記特性にほとんど影響を与えないので必要に応じて添加するが、しかし10ppmを越えると初期接合性が低下する傾向が認められるので好ましくない。
前述の成分組成を有するボンディングワイヤ用金合金線はいずれも高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するが、金合金線を(σ0.2/E)≧2.2×10−3、2%≦EL≦10%(ただし、σ0.2:0.2%耐力(Pa)、E:ヤング率(Pa)、EL:破断伸び率を示す)の条件を満たすようにボンディングワイヤ用金合金線を製造することにより、一層高い直進性を有するようになるので一層好ましい。
その理由は、ヤング率Eに対し、σ0.2が高いほど金合金線の直進性は向上するが、特にσ0.2/Eが2.2×10−3以上となる場合に急激に直進性は向上するからである。さらに、破断伸び率ELが2%未満の場合、伸線後の金合金線が有する残留歪みが焼鈍後も残るため、直進性が低くなるので好ましくなく、一方、破断伸び率ELが10%より高い場合、(σ0.2/E)<2.2×10−3となることが多く、直進性が低下するので好ましくないからである。
ひずみ=ボンディングワイヤ用金合金線の伸び(mm)/100mm、
引張り応力(Pa)=引張り荷重(N)/ボンディングワイヤ用金合金線の初期断面積(m2)
破断伸び率をEL(%)、0.2%耐力σ0.2(Pa)およびヤング率E(Pa)を以下のように定義する。
破断伸び率EL(%)=破断したときのひずみ×100=[破断したときの伸び(mm)/100(mm)]×100
0.2%耐力σ0.2(Pa):ボンディングワイヤ用金合金線に0.2%の永久ひずみを与えた際の引張り応力(Pa)
ヤング率E(Pa):引張り応力とひずみが正比例する範囲における、引張り応力とひずみの比、すなわち引張り応力(Pa)/ひずみ
さらにこれらワイヤの比抵抗を測定し、その結果を表2〜3に示した。これの各測定に際してサンプル数は5本とし、その平均値を求めた。前記ワイヤの比抵抗は、室温、標点間距離:500mmの条件で抵抗(Ω)をデジタルマルチメータで測定し、比抵抗(μΩcm)=抵抗(Ω)×ボンディングワイヤ用金合金線の断面積(cm2)/50(cm)×106で求めた。
これら表1に示される成分組成および表2〜3に示される機械的特性を有する本発明ワイヤ1〜19、比較ワイヤ1〜15および従来ワイヤ1〜2をKulicke&Soffa製のワイヤボンダー(マクサムプラス)にセットし、組成:Al−0.5wt%Cu、厚さ:0.6μmのAlパッドを有する半導体ICチップが搭載された基板に、
加熱温度:160℃、
ループ長さ:5mm、
ループ高さ:300μm、
圧着ボール径:40μm、
圧着ボール高さ:9μm、
の条件でボンディングを行って、下記の測定を行うことにより初期接合性、圧着ボールの真円性、ループ垂れ、直進性、接合信頼性についての評価を行った。ループは台形ループと呼ばれる圧着ボール直上ならびにセカンドボンド側近傍に曲がり(キンク)を有する形状を採用した。
直進性評価とループ垂れ性評価:
本発明ワイヤ1〜19、比較ワイヤ1〜15および従来ワイヤ1〜2用い、パッドピッチ50μm間隔で各ワイヤにつき10000ループを作製し、隣接するループ同士が接触している数(接触数)を測定し、その結果を表2〜3に示すことにより直進性を評価した。
さらに、光学顕微鏡を用いて、台形ループのファーストボンド側近傍のループの曲がり(以下、ファーストボンド側キンクという)と、セカンドボンド側近傍のループの曲がり(以下、セカンドボンド側キンクという)の高さを測定した。サンプル数は各ワイヤにつき20ループである。全ループでファーストボンド側キンクよりセカンドボンド側キンクが高いあるいは等しい場合は○、1ループでも低いループがある場合はループ垂れがあると判定し×として評価し、その結果を表2〜3に示した。
初期接合性評価:
本発明ワイヤ1〜19、比較ワイヤ1〜15および従来ワイヤ1〜2を用いて各ワイヤにつき10000ループを作製し、ファーストボンド部で接合していない圧着ボールの有無を観察し、ファーストボンド部で接合していない圧着ボールが観察されなかった場合を○、ファーストボンド部で接合していない圧着ボールが1個でも観察された場合を×とし、その結果を表2〜3に示すことにより初期接合性を評価した。
圧着ボールの真円性評価:
本発明ワイヤ1〜19、比較ワイヤ1〜15および従来ワイヤ1〜2用いてボンディングを行い、各ワイヤにつき100個の圧着ボールを観察し、比較サンプル対比で評価した。すなわち、圧着ボールを上から光学顕微鏡で観察し、外周に凹凸が存在しない圧着ボールを真円性が高いと判定し、外周に明らかに凹凸が存在する圧着ボールを真円性が低いと判定し、外周に明らかに凹凸が存在する真円性が低い圧着ボール(不良ボール)が存在しない場合を○、一つでも外周に明らかに凹凸が存在する真円性が低い圧着ボール(不良ボール)が存在する場合を×として、その結果を表2〜3に示すことにより圧着ボールの真円性を評価した。
接合信頼性評価:
本発明ワイヤ1〜19、比較ワイヤ1〜15および従来ワイヤ1〜2用いてボンディングしたサンプルを、150℃の空気中で1000時間保管した後に、圧着ボール直上のループの曲がり(ファーストボンド側のキンク)にツールを引っかけてプル試験を行った。サンプリング数は各ワイヤにつき100ループである。プル試験での破断は、ネック部で破断するか、圧着ボールとパッドの接合界面で破断(ボールリフト)した。圧着ボールを観察し、全てネック部での破断の場合は○、1個でもボールリフトがある場合は×として評価し、その結果を表2〜3に示した。
Claims (3)
- PtおよびPdの内の1種または2種を合計で500〜1000ppm、さらに、
Ca:4〜60ppm、
Be:2〜20ppm、
Ir:1〜100ppm、
を含有し、残りがAuおよび不可避不純物からなる成分組成を有することを特徴とする高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線。 - さらにAg:1〜10ppmを含有することを特徴とする請求項1記載の高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線。
- ボンディングワイヤ用金合金線の0.2%耐力(Pa)をσ0.2、ヤング率(Pa)をE、破断伸び率をELとすると、
E≧75GPa、
(σ0.2/E)≧2.2×10−3、
2%≦EL≦10%、
の条件を満たすことを特徴とする請求項1または2記載の高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006214152A JP5240890B2 (ja) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006214152A JP5240890B2 (ja) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008038201A true JP2008038201A (ja) | 2008-02-21 |
JP5240890B2 JP5240890B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=39173575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006214152A Active JP5240890B2 (ja) | 2006-08-07 | 2006-08-07 | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5240890B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08293515A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Nippon Steel Corp | 半導体素子用金合金細線 |
JPH0964082A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | ボンディング用金合金細線及びその製造方法 |
JP2002319597A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-10-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ボンディングワイヤ及びその製造方法 |
JP2006203164A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-08-03 | Mitsubishi Materials Corp | 接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線 |
JP2006351701A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Materials Corp | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
-
2006
- 2006-08-07 JP JP2006214152A patent/JP5240890B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08293515A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Nippon Steel Corp | 半導体素子用金合金細線 |
JPH0964082A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | ボンディング用金合金細線及びその製造方法 |
JP2002319597A (ja) * | 2001-02-19 | 2002-10-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ボンディングワイヤ及びその製造方法 |
JP2006203164A (ja) * | 2004-12-21 | 2006-08-03 | Mitsubishi Materials Corp | 接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線 |
JP2006351701A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Mitsubishi Materials Corp | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5240890B2 (ja) | 2013-07-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4771562B1 (ja) | Ag−Au−Pd三元合金系ボンディングワイヤ | |
JP4596467B2 (ja) | 高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
WO2012169067A1 (ja) | 高強度、高伸び率金合金ボンディングワイヤ | |
JP5529992B1 (ja) | ボンディング用ワイヤ | |
JP4726206B2 (ja) | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性、高い耐樹脂流れ性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP4726205B2 (ja) | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高い直進性および高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP4793989B2 (ja) | 高い初期接合性、高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP6103806B2 (ja) | ボールボンディング用ワイヤ | |
JP3612179B2 (ja) | 半導体素子用金銀合金細線 | |
JP5240890B2 (ja) | 高い初期接合性、高い接合信頼性、圧着ボールの高い真円性、高いループ制御性および低い比抵抗を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP4641248B2 (ja) | 接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP2008251635A (ja) | 高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくくかつ一層高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP5071925B2 (ja) | 高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくいボンディングワイヤ用金合金線 | |
JP4947670B2 (ja) | 半導体素子用ボンディングワイヤの熱処理方法 | |
JP2008251634A (ja) | 高い接合信頼性および圧着ボールの高い真円性を有し、さらにAlパッドとその下部が損傷しにくくかつ一層高い耐樹脂流れ性を有するボンディングワイヤ用金合金線 | |
JPH09272930A (ja) | バンプ用金合金細線および金合金バンプ | |
JPH08264544A (ja) | 金合金細線および金合金バンプ | |
JP2012099802A (ja) | ボールボンディング用ワイヤ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20071226 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20080222 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080408 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090520 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120522 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120709 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130109 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130329 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160412 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |