JP2006332645A - 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法、有機薄膜トランジスタを備えた平板表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の所定部分を表面処理する段階と、表面処理されていない基板上にソース/ドレイン電極を形成する段階と、基板の表面処理された部分とコンタクトするように半導体層を形成する段階と、基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階とを含む薄膜トランジスタの製造方法である。基板は、CF4ガスまたはC3F8ガスのようなフッ素系ガスを用いてプラズマ表面処理する。これにより、基板のチャンネル層に対応する部分をフッ素系ガスを用いて表面処理することによって、チャンネル層を安定化させて素子の特性を向上させうる。
【選択図】図2A
Description
300、400 有機発光表示装置
110、210、310、410 基板
115、235、315、435 半導体層のチャンネル層とコンタクトする部分
130、250、330、450 半導体層
135、255、335、455 チャンネル領域
121、125、241、245、321、325、441、445 ソース/ドレイン電極
140、230、340、430 ゲート絶縁膜
150、220、351、430 ゲート
360、460 保護膜
Claims (19)
- チャンネル領域とコンタクトする第1領域と前記チャンネル領域とコンタクトしない第2領域とを備え、第1領域と第2領域とが相異なる表面特性を有する基板と、
前記基板の第2領域上に形成されたソース/ドレイン電極と、
前記基板の第1領域とコンタクトするチャンネル領域を備える半導体層と、
前記基板上に形成されたゲートと、
前記ソース/ドレイン電極と前記ゲートとの間に形成されたゲート絶縁膜と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記半導体層は、有機半導体物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記基板の第1領域は、プラズマ表面処理されたことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記基板の第1領域は、CF4ガスまたはC3F8ガスのようなフッ素系ガスを用いてプラズマ表面処理されたことを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層は、前記基板の第1領域とコンタクトして、その表面が改質された前記チャンネル領域を備えることを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層のチャンネル領域は、前記基板の第1領域とコンタクトした表面から数十ないし数百Åまでその表面が改質されたことを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板上に形成されたゲートと、
前記基板上に形成され、チャンネル領域とコンタクトする第1領域と前記チャンネル領域とコンタクトしない第2領域とを備え、第1領域と第2領域とが相異なる表面特性を有するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の第2領域上に形成されたソース/ドレイン電極と、
前記ゲート絶縁膜の第1領域とコンタクトする前記チャンネル領域を備える半導体層と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記半導体層は、有機半導体物質を含むことを特徴とする請求項7に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁膜の第1領域は、プラズマ表面処理されたことを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁膜の第1領域は、CF4ガスまたはC3F8ガスのようなフッ素系ガスを用いてプラズマ表面処理されたことを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層は、前記ゲート絶縁膜の第1領域とコンタクトして、その表面が改質された前記チャンネル領域を備えることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層のチャンネル領域は、前記ゲート絶縁膜の第1領域とコンタクトした表面から数十ないし数百Åまでその表面が改質されたことを特徴とする請求項11に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板の所定部分を表面処理する段階と、
前記基板の表面処理されていない部分上にソース/ドレイン電極を形成する段階と、
前記基板の前記表面処理された部分とコンタクトするように半導体層を形成する段階と、
前記基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にゲートを形成する段階と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記基板は、CF4ガスまたはC3F8ガスのようなフッ素系ガスを用いてプラズマ表面処理されたことを特徴とする請求項13に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層は、前記基板のプラズマ表面処理された部分とコンタクトして、その表面が改質されたチャンネル領域を備え、前記チャンネル領域は、前記基板とコンタクトした表面から数十ないし数百Åまでその表面が改質されたことを特徴とする請求項13に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板上にゲートを形成する段階と、
前記基板上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の所定部分を表面処理する段階と、
前記ゲート絶縁膜の表面処理されていない部分上にソース/ドレイン電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜の表面処理された部分とコンタクトするように半導体層を形成する段階と、を含む薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記ゲート絶縁膜の第1領域は、CF4ガスまたはC3F8ガスのようなフッ素系ガスを用いてプラズマ表面処理されたことを特徴とする請求項16に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層は、前記ゲート絶縁膜とコンタクトして、その表面が改質されたチャンネル領域を備え、前記チャンネル領域は、前記ゲート絶縁膜とコンタクトした表面から数十ないし数百Åまでその表面が改質されたことを特徴とする請求項17に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項13または請求項16に記載の薄膜トランジスタの製造方法により製造された薄膜トランジスタを備えることを特徴とする平板表示装置。
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