JP2006319320A - 垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 - Google Patents
垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006319320A JP2006319320A JP2006105621A JP2006105621A JP2006319320A JP 2006319320 A JP2006319320 A JP 2006319320A JP 2006105621 A JP2006105621 A JP 2006105621A JP 2006105621 A JP2006105621 A JP 2006105621A JP 2006319320 A JP2006319320 A JP 2006319320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gallium nitride
- nitride layer
- emitting diode
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 171
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 170
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 39
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 31
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 10
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 claims abstract description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 171
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 10
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【課題】収率及び外部量子効率に優れた垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子を製造する。
【解決手段】基板上に窒化ガリウム層を形成し、その上にＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）工程のための化合物層を形成し、化合物層を所定の形状にパターニングし、パターニングされた化合物層上に、ＥＬＯＧ工程でｎ型窒化ガリウム層５２５を形成し、この上に活性層５３０、ｐ型窒化ガリウム層５３５を順次に形成し、その上にｐ型電極５４０を形成し、さらに構造支持層５４５を形成する。構造支持層を形成した後に、基板と、基板上に形成された窒化ガリウム層を順次に除去し、窒化ガリウム層が除去された後に、露出された前記パターニングされた化合物層を除去して、凹状にパターニングされたｎ型窒化ガリウム層５２５ｂを形成し、その上に透明導電性酸化物層５５０を形成し、さらにｎ型電極５５５を形成する。
【選択図】 図５−ｊ
【解決手段】基板上に窒化ガリウム層を形成し、その上にＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）工程のための化合物層を形成し、化合物層を所定の形状にパターニングし、パターニングされた化合物層上に、ＥＬＯＧ工程でｎ型窒化ガリウム層５２５を形成し、この上に活性層５３０、ｐ型窒化ガリウム層５３５を順次に形成し、その上にｐ型電極５４０を形成し、さらに構造支持層５４５を形成する。構造支持層を形成した後に、基板と、基板上に形成された窒化ガリウム層を順次に除去し、窒化ガリウム層が除去された後に、露出された前記パターニングされた化合物層を除去して、凹状にパターニングされたｎ型窒化ガリウム層５２５ｂを形成し、その上に透明導電性酸化物層５５０を形成し、さらにｎ型電極５５５を形成する。
【選択図】 図５−ｊ
Description
本発明は、垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法に関し、より詳細には、ＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）工程を用いてｎ型窒化ガリウム層の上面に一定のパターンを形成することによって、光子の外部放出効率を向上させることができる、垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法に関する。
一般に、窒化ガリウム系発光ダイオードは、サファイア基板上に成長するが、該サファイア基板は、堅く、電気的に不導体で、且つ、熱伝導特性がよくないため、窒化ガリウム系発光ダイオードの大きさを縮めて製造コストを節減したり、光出力及びチップの特性を改善させたりするのには限界があった。特に、発光ダイオードの高出力化のためには大電流の印加が必須であり、よって、発光ダイオードの熱放出問題を解決するのが重要である。そこで、従来は、レーザーリフトオフ（Laser Lift-Off：以下、‘ＬＬＯ'と称する。）技術を用いた垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオードが提案されてきた。
しかしながら、このような従来の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオードにおいて、活性層で生成された光子が、発光ダイオードの外部に放出される効率（以下、‘外部量子効率'と称する。）が低下するという問題点があった。
このような問題点を、光の屈折を示す図である図１に基づいて詳細に説明する。図１を参照すると、活性層で生成された光子が、空気の屈折率Ｎ2 よりも高い屈折率Ｎ1 を持つ窒化ガリウムＧａＮ層を通過した後に空気中に脱出するためには、この窒化ガリウム層から空気中に入射される光子の入射各θ1 が臨界角θc 未満にならなければならない。
ここで、前記光子が空気中に脱出する脱出角θ2 が９０゜である場合の臨界角θc は、θc ＝Ｓｉｎ-1 （Ｎ2 ／Ｎ1）と定義でき、前記窒化ガリウム層から屈折率１の空気中に光が進行する時の臨界角は、約２３．６゜となる。
もし、入射各θ1 が臨界角θc 以上になると、光子は、窒化ガリウム層と空気との界面で全反射されて再び発光ダイオード内部に戻り発光ダイオード内部に閉じ込められるため、外部量子効率は非常に減少してしまう。
このような外部量子効率の減少を解決するために、特許文献１では、ｎ型窒化ガリウム層の表面に半球形状の凸パターンを形成し、これによって、窒化ガリウム層から空気中に入射される光子の入射角θ1 を、臨界角θc 未満に下げることができた。
以下、特許文献１に開示された垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法について説明する。
図２−ａ乃至図２−ｃは、特許文献１に開示されている垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の工程断面図であり、図３−ａ乃至図３−ｃは、図２−ａ〜２−ｃに示す垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の工程拡大断面図であり、図４は、図２−ａ〜２−ｃに示す垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の断面図である。
まず、図２−ａに示すように、サファイア基板２４上に、窒化ガリウムを含む発光ダイオード（ＬＥＤ）構造物１６及びｐ型電極１８を形成した後、ｐ型電極１８上に第１Ｐｄ層２６及びＩｎ層２８を形成する。そして、Ｓｉ基板２０の下面には第２Ｐｄ層３０を形成する。
その後、図２−ｂに示すように、第２Ｐｄ層３０が形成されたＳｉ基板２０を第１Ｐｄ層２６及びＩｎ層２８が形成されたｐ型電極１８上に接合する。
続いて、図２−ｃに示すように、ＬＬＯ工程でサファイア基板２４を除去する。
その後、図３−ａに示すように、サファイア基板２４が除去された後に露出された発光ダイオード構造物１６の表面（具体的には、ｎ型窒化ガリウム層の表面）の所定箇所にフォトレジストパターン３２を形成する。
その後、図３−ｂに示すように、リフロー（re-flow）工程によってフォトレジストパターン３２を半球形状に形成する。
続いて、図３−ｃに示すように、異方性エッチング（anisotropic etching）方法によって発光ダイオード構造物１６の表面をエッチングすることによって、該発光ダイオード構造物１６の表面を半球形状にパターニングする。
最後に、この発光ダイオード構造物１６上に、ｎ型電極３４を形成することで、図４に示すように、発光ダイオード構造物１６の表面がパターニングされた発光ダイオード素子が完成する。
しかしながら、上記の特許文献１に開示された垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法によって製造された発光ダイオード素子において、サファイア基板２４上に発光ダイオード構造物１６を成長させる際に、サファイア基板２４と発光ダイオード構造物１６間の格子定数及び熱膨張係数の差によって発光ダイオード構造物１６に線欠陥（threading dislocation）が発生し、発光ダイオード素子の不良を招くという問題点があった。
また、１０μｍ以下の発光ダイオード構造物１６（Thin GaN）を取り扱う場合には、サブ（Sub） 支持台を用いるとしてもフォトレジストパターン３２形成作業及び後続工程に困難があり、収率が非常に低くなる。
また、発光ダイオード構造物１６の表面に形成されたパターンは半球形状の凸パターンであり、このため、活性層で生成された光子の外部放出経路が長くなるという問題点があった。
本発明は上記の問題点を解決するためのものであり、その目的は、新しい工程でｎ型窒化ガリウム層の表面をパターン化することによって、外部量子効率を増加させ、且つ、線欠陥が発生しない垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明に係る垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法は、基板上に窒化ガリウム層を形成する段階と、前記窒化ガリウム層上にＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）工程を行うための化合物層を形成する段階と、前記化合物層を所定の形状にパターニングする段階と、前記パターニングされた化合物層上に、前記ＥＬＯＧ工程によってｎ型窒化ガリウム層を形成し、この上に活性層、ｐ型窒化ガリウム層を順次に形成する段階と、前記ｐ型窒化ガリウム層上に構造支持層を形成する段階と、前記構造支持層を形成した後に、前記基板と該基板上に形成された窒化ガリウム層を順次に除去する段階と、前記窒化ガリウム層が除去された後に露出された前記パターニングされた化合物層を除去することによって、凹状にパターニングされたｎ型窒化ガリウム層を形成する段階と、前記凹状にパターニングされたｎ型窒化ガリウム層上にｎ型電極を形成する段階を備えることを特徴とする。
ここで、上記の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法は、前記ｐ型窒化ガリウム層を形成した後、前記ｐ型窒化ガリウム層上にｐ型電極を形成する段階、または、前記構造支持層を形成した後に、前記構造支持層上にｐ型電極を形成する段階をさらに備えることが好ましい。
そして、前記構造支持層は、基板及びメッキ層からなる群より選ばれたいずれか一つで形成された構造支持層であることが好ましい。
また、前記化合物層は、ＳｉＯ2 及びＳｉＮx （窒化シリコン系列）からなる化合物群より選ばれたいずれか一つの化合物で形成されることが好ましい。
また、前記化合物層をパターニングする方法は、前記化合物層上に所定の形状にパターニングされたパターン層を形成する段階と、前記パターン層をマスクとして前記化合物層をエッチングする段階とを備えることが好ましい。
ここで、前記パターン層を形成する方法は、前記化合物層上に所定の形状にフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをリフロー（re-flow）することによって、半球形状のフォトレジストパターンを形成する段階を備えることが好ましい。
また、前記化合物層をエッチングする方法は、前記リフローされたフォトレジストパターンと前記化合物層を共にエッチングすることによって、前記化合物層を半球形状にパターニングすることが好ましい。
また、前記半球形状は、高さ０．１〜５μｍ、直径０．５〜５μｍ、パターン周期０．５〜５μｍとなるように形成することが好ましい。
また、上記の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法は、前記化合物層をエッチングした後に、前記パターン層を除去する段階をさらに備えることが好ましい。
また、前記ｎ型窒化ガリウム層を形成する方法は、前記パターニングされた化合物層上にアンドープ窒化ガリウム層を形成する段階と、前記アンドープ窒化ガリウム層上に、ｎ型不純物のドープされた窒化ガリウム層を形成する段階を備えることが好ましい。
ここで、前記ｎ型不純物のドープされた窒化ガリウム層を形成する方法は、前記アンドープ窒化ガリウム層上に、ｎ型不純物のドーピング濃度を漸次高めつつ窒化ガリウム層を成長させることが好ましい。
前記アンドープ窒化ガリウム層の厚さは０．１〜１μｍであることが好ましい。
一方、上記目的を達成するために、本発明に係る垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子は、構造支持層と、前記構造支持層の上面または下面に形成されたｐ型電極と、前記ｐ型電極の形成された前記構造支持層上に形成されたｐ型窒化ガリウム層と、前記ｐ型窒化ガリウム層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成され、ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化ガリウム層と、前記ｎ型窒化ガリウム層上に形成され、上面に複数個の凹部が周期的に形成されたアンドープ窒化ガリウム層と、前記アンドープ窒化ガリウム層上に形成されたｎ型電極を含むことを特徴とする。
ここで、前記ｐ型電極が前記構造支持層の下面に形成された場合、前記構造支持層は、導電性基板及びメッキ層からなる群より選ばれたいずれか一つで形成された構造支持層であり、前記ｐ型電極が前記構造支持層の上面に形成された場合、前記構造支持層は、シリコン（Ｓｉ）基板及びメッキ層からなる群より選ばれたいずれか一つで形成された構造支持層であることが好ましい。
そして、前記凹部は、半球形状を有し、深さ０．１〜５μｍ、直径０．５〜５μｍ、パターン周期０．５〜５μｍであることが好ましい。
また、前記アンドープ窒化ガリウム層の厚さは、０．１〜１μｍであることが好ましい。
また、上記の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子は、前記アンドープ窒化ガリウム層上に形成された透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層をさらに含むことが好ましい。
本発明に係る垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法によれば、発光ダイオード素子構造物を形成する際に、線欠陥が発生しなく且つｎ型窒化ガリウム層の表面に凹状のパターンを形成し易い工程を施すので、収率及び外部量子効率に優れた発光ダイオード素子が得られる。
また、ｎ型窒化ガリウム層の表面に凹状のパターンを形成するので、活性層で生成された光子の外部放出経路を減らすことが可能になる。
以下、本発明の好適な実施形態について、添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図面中、同一の構成要素には可能な限り同一の参照符号を付し、その重複説明は省略するものとする。
図５−ａ乃至図５−ｊは、本発明の実施形態による垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を説明するための各段階別工程断面図及び斜視図である。
まず、図５−ａに示すように、基板５０５上に第１窒化ガリウム（ＧａＮ）層５１０を成長させる。この第１窒化ガリウム層５１０は、不純物がドープされていない、つまり、アンドープ（Undoped）窒化ガリウム層であって、１時間当り１μｍの成長速度で０．５〜１．５時間成長させる。
本実施形態では、基板５０５としてサファイア基板を使用する。
その後、第１窒化ガリウム層５１０上に、ＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）工程を行うための化合物層５１５ａを形成する。ＥＬＯＧ工程は、ＳｉＯ2 やＳｉＮx （窒化シリコン系列）化合物を基盤とする時にその収率が最も高いので、化合物層５１５ａはＳｉＯ2 やＳｉＮx （窒化シリコン系列）化合物からなることが好ましい。
本実施形態では、化合物層５１５ａとしてＳｉＯ2 層を化学気相蒸着（ＣＶＤ）法やスバッタ法（sputtering）によって形成する。
その後、図５−ｂに示すように、ＳｉＯ2 層５１５ａ上に、フォトリソグラフィ（photolithography）工程によって光反応ポリマーを１〜５μｍの厚さに塗布した後、光反応及びマスクを用いて光反応ポリマーを０．５〜５μｍ間隔を持つ所定の形状にパターニングすることによってフォトレジストパターン５２０ａを形成する。ただし、後述する工程のうちｎ型電極を形成する工程を考慮し、ＳｉＯ2 層５１５ａの所定箇所にはフォトレジストパターン５２０ａを形成しなくてもよい。
本実施形態では、格子形状のマスクを使用することによって、光反応ポリマーが０．５〜５μｍの間隔を持つ直方体形状となるようにパターニングする。
その後、図５−ｃに示すように、直方体形状のフォトレジストパターン５２０ａを１００〜１５０℃の温度で約１〜５分間リフロー（re-flow）することで、半球形状のフォトレジストパターン５２０ｂを形成する。
続いて、半球形状のフォトレジストパターン５２０ｂをマスクとしてＳｉＯ2 層５１５ａをエッチングする。このときに、ＩＣＰ−ＲＩＥ装備を用いてＢＣｌ3 とＨＢｒガスでエッチングすることによって、半球形状のフォトレジストパターン５２０ｂとＳｉＯ2 層５１５ａが共にエッチングされ、結果として図５−ｄに示すように、ＳｉＯ2 層５１５ａが半球形状のパターン５１５ｂにエッチングされる。図５−ｅは、ＳｉＯ2 層５１５ａが半球形状のパターン５１５ｂにエッチングされた様子を示す斜視図である。
ここで、半球形状のパターンにエッチングされたＳｉＯ2 層５１５ｂにおいて、その半球の高さは０．１〜５μｍで、その直径は０．５〜５μｍで、そのパターン周期は０．５〜５μｍであることが好ましい。これは、上記のように限定された数値範囲を外れて半球形状のパターンを形成すると、後述するように、この半球形状のパターンに相応してｎ型窒化ガリウム層の表面をパターニングするようになるが、このようなパターンに形成されたｎ型窒化ガリウム層の表面では外部量子効率の向上が期待し難いためである。
その後、図５−ｆに示すように、半球形状にパターニングされたＳｉＯ2 層５１５ｂ上に、ＥＬＯＧ工程でｎ型第２窒化ガリウム層５２５を形成する。
このＥＬＯＧ工程で形成されたｎ型第２窒化ガリウム層５２５では線欠陥が生じない。したがって、良質のｎ型第２窒化ガリウム層５２５が形成可能になる。
一方、ｎ型第２窒化ガリウム層５２５は、単一の層にしてもよいが、電流拡散（current spreading） 現象を向上させ、素子の中心部にのみ電流が流れる電流クラウディング（current crowding）現象を防止するためには、ｎ型第２窒化ガリウム層５２５を２つの層にすることが好ましい。
すなわち、半球形状にパターニングされたＳｉＯ2 層５１５ｂ上に、ＥＬＯＧ工程によって、ｎ型不純物がドープされていない、つまり、アンドープ（undoped） 窒化ガリウム層５２５ａを所定の厚さに形成した後、アンドープ窒化ガリウム層５２５ａ上にｎ型不純物のドープされたｎ型窒化ガリウム層５２５ｂを形成する。このアンドープ窒化ガリウム層５２５ａは、ｎ型不純物のドープされた窒化ガリウム層５２５ｂよりも抵抗が高いため、電流ブロッキング（current blocking）膜として働き、素子全体に電流が拡散されるようにする。
ここで、アンドープ窒化ガリウム層５２５ａの厚さが０．１μｍ未満であると、電流拡散現象を引き起こし難く、その厚さが１μｍ超過すると、素子に流れる電流の量が過少になる恐れがあるので、アンドープ窒化ガリウム層５２５ａの厚さは、０．１〜１μｍにすることが好ましい。
また、ｎ型不純物のドープ窒化ガリウム層５２５ｂを形成する際に、そのドーピング濃度を一定に維持するよりは、アンドープ窒化ガリウム層５２５ａに接する部分から漸次ｎ型不純物のドーピング濃度を高めつつ窒化ガリウム層を成長させることによって、電流拡散現象をより向上させることができる。
その後、ｎ型第２窒化ガリウム層５２５上に活性層５３０及びｐ型第３窒化ガリウム層５３５を順次に形成する。
続いて、ｐ型第３窒化ガリウム層５３５上にｐ型電極５４０を形成するが、このｐ型電極５４０は、後述するように、構造支持層５４５上に形成されてもよい。
その後、ｐ型電極５４０上に構造支持層５４５を形成する。特に、構造支持層５４５が基板（例えば、シリコン基板）である場合における形成方法について説明すると、まず、ｐ型電極５４０上に金属共融（eutectic）接合層（図示せず）を形成する。このときに、共融接合層は、シリコン基板を共融接合法で付着するために形成するものであり、第１金属膜と第２金属膜とから構成された金属合金層である。この金属合金層は、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）、金−錫（ＡｕＳｎ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）などの金属を用いて蒸着する。その後、前記共融接合層に所定の温度と圧力を加えた後に該共融接合層上に前記シリコン基板を接合する。
場合によって、構造支持層５４５は、電気メッキ法を使用して形成されたメッキ層であってもよく、メタル基板を共融接合法で接合して形成したものであってもよい。
ここで、構造支持層５４５は、発光ダイオード素子の製造工程及び発光ダイオード素子の最終パッケージング工程時に発生しうる外部の衝撃から素子が損傷を受けないように素子の形態を維持する役割を担う。
一方、上述の如く、ｐ型第３窒化ガリウム層５３５上にｐ型電極５４０を形成しない場合、本段階で構造支持層５４５上にｐ型電極５４０を形成する。この場合、構造支持層５４５は、導電性物質でなければ電流を導通させることができないので、必ず金属などの導電性物質（例えば、導電性基板またはメッキ層）で形成しなければならない。
その後、図５−ｇに示すように、サファイア基板５０５をＬＬＯ工程によって除去する。
続いて、図５−ｈに示すように、ＩＣＰ−ＲＩＥ装備を用いて第１窒化ガリウム層５１０を完全に除去することによって、半球形状にパターニングされたＳｉＯ2 層５１５ｂを露出させる。
その後、図５−ｉに示すように、ＢＨＦ（Buffered Hydrofluoric acid）溶液を使って、露出されたＳｉＯ2 層５１５ｂを除去することによって、凹入した半球形状のパターンを持つｎ型第２窒化ガリウム層５２５の表面を形成する。
続いて、図５−ｊに示すように、電流拡散現象を向上させるために、選択的に、パターニングされたｎ型第２窒化ガリウム層５２５上に透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層５５０を形成してもよい。
最後に、透明導電性酸化物層５５０が形成されたｎ型第２窒化ガリウム層５２５上に、ｎ型電極５５５を形成し、素子分離工程を行うことで、本実施形態による発光ダイオード素子の製造を完成する。
図５−ｊは、本実施形態によって製造された発光ダイオード素子の断面図であり、ｎ型第２窒化ガリウム層５２５上に凹入した半球形状のパターンを形成することによって、活性層５３０で生成された光子が、ｎ型第２窒化ガリウム層５２５に形成された凹入した半球に入射する場合、その入射角が臨界角未満となる確率が高まるので、発光ダイオード素子の全体外部量子効率を増加させることができる。
＜変形例＞
図６−ａ乃至図６−ｅは、上記の実施形態の変形例による垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を説明するために示す一部段階の工程断面図である。
図６−ａ乃至図６−ｅは、上記の実施形態の変形例による垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を説明するために示す一部段階の工程断面図である。
まず、図６−ａに示すように、上記の実施形態と同じ方法でＳｉＯ2 層６１５ａを形成する。
その後、図６−ｂに示すように、ＳｉＯ2 層６１５ａ上に、フォトリソグラフィ工程で光反応ポリマーを１〜５μｍの厚さに塗布した後、この光反応ポリマーを光反応及びマスクを用いて０．５〜５μｍの間隔を持つ所定の形状にパターニングすることによって、フォトレジストパターン６２０を形成する。
本変形例では、格子形状のマスクを使用し、図６−ｂに示すように、光反応ポリマーが０．５〜５μｍの間隔を持つ直方体形状となるようにパターニングする。
その後、図６−ｃに示すように、直方体形状のフォトレジストパターン６２０ａをマスクとしてＳｉＯ2 層６１５ａをエッチングすることによって、パターニングされたＳｉＯ2 層６１５ｂを形成する。このときに、上述の実施形態とは違い、直方体形状のフォトレジストパターン６２０をマスクとしてＳｉＯ2 層６１５ａのみをエッチングする。
その後、図６−ｄに示すように、アセトン溶液などを使用してフォトレジストパターン６２０を除去する。
最後に、パターニングされたＳｉＯ2 層６１５ｂ上にＥＬＯＧ工程を行うなど、上記の実施形態における工程を同一に進行することで、本変形例による発光ダイオード素子の製造を完成する。
図６−ｅは、本変形例によって製造された発光ダイオード素子の断面図であり、ｎ型第２窒化ガリウム層５２５ｂ上に凹入した直方体形状のパターンを形成することによって、素子全体の外部量子効率を増加させることができる。
以上の実施形態及び変形例では、説明の便宜上、半球形状または直方体形状のパターンを持つｎ型第２窒化ガリウム層５２５ｂの表面を形成したが、フォトレジストパターンをさまざまに変更することによって、さまざまな形状のパターンを持つｎ型第２窒化ガリウム層表面を形成することができる。
本発明は、以上説明してきた実施形態に限定されず、添付の特許請求の範囲によって定義される本発明の趣旨及び範囲を逸脱しない限度内で、種々の変形及び変更実施が可能であるということは、当業者にとって明らかである。
以上のように、本発明にかかる垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法は、一般の窒化ガリウム系発光ダイオードの用途に有用であり、特に、高出力化が要求される用途に適している。
５０５ 基板（サファイア基板）
５１０ 第１窒化ガリウム層
５１５ａ，６１５ａ 化合物層（ＳｉＯ2 層）
５１５ｂ，６１５ｂ パターニングされた化合物層
５２０ａ，５２０ｂ，６２０ フォトレジストパターン
５２５ ｎ型第２窒化ガリウム層
５３０ 活性層
５３５ ｐ型第３窒化ガリウム層
５４０ ｐ型電極
５４５ 構造支持層
５５０ 透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層
５５５ ｎ型電極
５１０ 第１窒化ガリウム層
５１５ａ，６１５ａ 化合物層（ＳｉＯ2 層）
５１５ｂ，６１５ｂ パターニングされた化合物層
５２０ａ，５２０ｂ，６２０ フォトレジストパターン
５２５ ｎ型第２窒化ガリウム層
５３０ 活性層
５３５ ｐ型第３窒化ガリウム層
５４０ ｐ型電極
５４５ 構造支持層
５５０ 透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層
５５５ ｎ型電極
Claims (18)
- 基板上に窒化ガリウム層を形成する段階と、
前記窒化ガリウム層上にＥＬＯＧ（Epitaxial Lateral Over Growth）工程を行うための化合物層を形成する段階と、
前記化合物層を所定の形状にパターニングする段階と、
前記パターニングされた化合物層上に、前記ＥＬＯＧ工程によってｎ型窒化ガリウム層を形成し、この上に活性層、ｐ型窒化ガリウム層を順次に形成する段階と、
前記ｐ型窒化ガリウム層上に構造支持層を形成する段階と、
前記構造支持層を形成した後に、前記基板と該基板上に形成された窒化ガリウム層を順次に除去する段階と、
前記窒化ガリウム層が除去された後に露出された前記パターニングされた化合物層を除去することによって、凹状にパターニングされたｎ型窒化ガリウム層を形成する段階と、
前記凹状にパターニングされたｎ型窒化ガリウム層上にｎ型電極を形成する段階
を備える、垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記ｐ型窒化ガリウム層を形成した後、前記ｐ型窒化ガリウム層上にｐ型電極を形成する段階をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
- 前記構造支持層を形成した後に、前記構造支持層上にｐ型電極を形成する段階をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
- 前記構造支持層は、
基板及びメッキ層からなる群より選ばれたいずれか一つで形成された構造支持層であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記化合物層は、
ＳｉＯ2 及びＳｉＮx （窒化シリコン系列）からなる化合物群より選ばれたいずれか一つの化合物で形成されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記化合物層をパターニングする方法は、
前記化合物層上に所定の形状にパターニングされたパターン層を形成する段階と、
前記パターン層をマスクとして前記化合物層をエッチングする段階
を備えることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記パターン層を形成する方法は、
前記化合物層上に所定の形状にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをリフロー（re-flow）することによって、半球形状のフォトレジストパターンを形成する段階
を備えることを特徴とする、請求項６に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記化合物層をエッチングする方法は、
前記リフローされたフォトレジストパターンと前記化合物層を共にエッチングすることによって、前記化合物層を半球形状にパターニングすることを特徴とする、請求項７に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記半球形状は、高さ０．１〜５μｍ、直径０．５〜５μｍ、パターン周期０．５〜５μｍとなるように形成することを特徴とする、請求項７または８に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
- 前記化合物層をエッチングした後に、前記パターン層を除去する段階をさらに備えることを特徴とする、請求項６に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
- 前記ｎ型窒化ガリウム層を形成する方法は、
前記パターニングされた化合物層上にアンドープ窒化ガリウム層を形成する段階と、
前記アンドープ窒化ガリウム層上に、ｎ型不純物のドープされた窒化ガリウム層を形成する段階
を備えることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記ｎ型不純物のドープされた窒化ガリウム層を形成する方法は、
前記アンドープ窒化ガリウム層上に、ｎ型不純物のドーピング濃度を漸次高めつつ窒化ガリウム層を成長させることを特徴とする、請求項１１に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。 - 前記アンドープ窒化ガリウム層の厚さは０．１〜１μｍとすることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法。
- 構造支持層と、
前記構造支持層の上面または下面に形成されたｐ型電極と、
前記ｐ型電極の形成された前記構造支持層上に形成されたｐ型窒化ガリウム層と、
前記ｐ型窒化ガリウム層上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成され、ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化ガリウム層と、
前記ｎ型窒化ガリウム層上に形成され、上面に複数個の凹部が周期的に形成されたアンドープ窒化ガリウム層と、
前記アンドープ窒化ガリウム層上に形成されたｎ型電極
を含む、垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。 - 前記ｐ型電極が前記構造支持層の下面に形成された場合、前記構造支持層は、導電性基板及びメッキ層からなる群より選ばれたいずれか一つで形成された構造支持層であり、前記ｐ型電極が前記構造支持層の上面に形成された場合、前記構造支持層は、シリコン（Ｓｉ）基板及びメッキ層からなる群より選ばれたいずれか一つで形成された構造支持層であることを特徴とする、請求項１４に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
- 前記凹部は、半球形状を有し、深さ０．１〜５μｍ、直径０．５〜５μｍ、パターン周期０．５〜５μｍであることを特徴とする、請求項１４または１５に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
- 前記アンドープ窒化ガリウム層の厚さは、０．１〜１μｍであることを特徴とする、請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
- 前記アンドープ窒化ガリウム層上に形成された透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層をさらに含むことを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050039076A KR100588377B1 (ko) | 2005-05-10 | 2005-05-10 | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
| KR10-2005-0039076 | 2005-05-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006319320A true JP2006319320A (ja) | 2006-11-24 |
| JP4786398B2 JP4786398B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=37182587
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006105621A Active JP4786398B2 (ja) | 2005-05-10 | 2006-04-06 | 垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7306964B2 (ja) |
| JP (1) | JP4786398B2 (ja) |
| KR (1) | KR100588377B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100926280B1 (ko) | 2007-12-14 | 2009-11-12 | 고려대학교 산학협력단 | 발광 효율 향상을 위한 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR101316121B1 (ko) * | 2007-03-06 | 2013-10-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 수직형 발광 다이오드의 제조방법 |
| JP2017504221A (ja) * | 2013-11-07 | 2017-02-02 | 上海芯元基半導体科技有限公司 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体エピタキシャルウエハ、当該エピタキシャルウエハを含むデバイス及びその製造方法 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4233268B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR20060131327A (ko) | 2005-06-16 | 2006-12-20 | 엘지전자 주식회사 | 발광 다이오드의 제조 방법 |
| KR20070012930A (ko) * | 2005-07-25 | 2007-01-30 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101272706B1 (ko) * | 2006-12-28 | 2013-06-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 양극 알루미늄산화층을 이용하여 패턴된 반도체층을 갖는수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| TWI370560B (en) * | 2007-12-14 | 2012-08-11 | Delta Electronics Inc | Light-emitting diode device and manufacturing method thereof |
| US7598105B2 (en) * | 2007-12-21 | 2009-10-06 | Tekcore Co., Ltd. | Light emitting diode structure and method for fabricating the same |
| DE102008056175A1 (de) * | 2008-11-06 | 2010-05-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Strahlung emittierenden Dünnschichtbauelements und Strahlung emittierendes Dünnschichtbauelement |
| FR2939241B1 (fr) * | 2008-11-28 | 2011-03-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un substrat nanostructure pour oled et procede de fabrication d'une oled |
| CN102231413A (zh) * | 2009-10-13 | 2011-11-02 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管芯片及其制作方法 |
| KR20110043282A (ko) | 2009-10-21 | 2011-04-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| TWI469386B (zh) * | 2009-12-01 | 2015-01-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 發光二極體及其製作方法 |
| CN102263173A (zh) * | 2010-05-28 | 2011-11-30 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| KR101179606B1 (ko) * | 2011-03-03 | 2012-09-05 | 주식회사 세미콘라이트 | 반도체 발광소자 |
| GB201202222D0 (en) | 2012-02-09 | 2012-03-28 | Mled Ltd | Enhanced light extraction |
| US9991463B2 (en) * | 2012-06-14 | 2018-06-05 | Universal Display Corporation | Electronic devices with improved shelf lives |
| TWI540768B (zh) * | 2012-12-21 | 2016-07-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 發光晶片組合及其製造方法 |
| DE102014108301A1 (de) * | 2014-06-12 | 2015-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips |
| CN105895761B (zh) * | 2016-06-07 | 2018-02-23 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管 |
| CN105895755B (zh) * | 2016-06-07 | 2018-01-26 | 厦门乾照光电股份有限公司 | 一种具有可剥离结构的GaN系发光二极管制作方法 |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832111A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Omron Corp | 半導体発光素子並びに当該半導体発光素子を利用した発光装置、光学検知装置、光学情報処理装置及び光結合装置 |
| JPH08228022A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH0992878A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPH11266034A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板および窒化物半導体素子 |
| JP2000101132A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-07 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| JP2000307149A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP2003188410A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Daido Steel Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
| US20030222263A1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-04 | Kopin Corporation | High-efficiency light-emitting diodes |
| JP2004055799A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
| JP2004511080A (ja) * | 1999-12-03 | 2004-04-08 | クリー インコーポレイテッド | 内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード |
| JP2004134772A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
| JP2004140300A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子 |
| JP2004297010A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5779924A (en) * | 1996-03-22 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Ordered interface texturing for a light emitting device |
| FR2817394B1 (fr) * | 2000-11-27 | 2003-10-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'electronique ou l'optoelectronique et substrat obtenu par ce procede |
| TW564584B (en) * | 2001-06-25 | 2003-12-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
| JP4233268B2 (ja) * | 2002-04-23 | 2009-03-04 | シャープ株式会社 | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 |
| US7485902B2 (en) * | 2002-09-18 | 2009-02-03 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor light-emitting device |
| US6831302B2 (en) * | 2003-04-15 | 2004-12-14 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting devices with improved extraction efficiency |
| KR100631981B1 (ko) * | 2005-04-07 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 ３족 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법 |
-
2005
- 2005-05-10 KR KR1020050039076A patent/KR100588377B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-04-06 JP JP2006105621A patent/JP4786398B2/ja active Active
- 2006-05-10 US US11/430,990 patent/US7306964B2/en active Active
-
2007
- 2007-08-23 US US11/892,445 patent/US8686450B2/en active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0832111A (ja) * | 1994-07-14 | 1996-02-02 | Omron Corp | 半導体発光素子並びに当該半導体発光素子を利用した発光装置、光学検知装置、光学情報処理装置及び光結合装置 |
| JPH08228022A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 半導体発光素子 |
| JPH0992878A (ja) * | 1995-09-25 | 1997-04-04 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPH11266034A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板および窒化物半導体素子 |
| JP2000101132A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-07 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| JP2000307149A (ja) * | 1999-04-21 | 2000-11-02 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| JP2004511080A (ja) * | 1999-12-03 | 2004-04-08 | クリー インコーポレイテッド | 内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード |
| JP2003188410A (ja) * | 2001-12-19 | 2003-07-04 | Daido Steel Co Ltd | 発光ダイオードチップ |
| US20030222263A1 (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-04 | Kopin Corporation | High-efficiency light-emitting diodes |
| JP2004055799A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体結晶の製造方法 |
| JP2004134772A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子 |
| JP2004140300A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ及び半導体発光素子 |
| JP2004297010A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-10-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101316121B1 (ko) * | 2007-03-06 | 2013-10-11 | 서울바이오시스 주식회사 | 수직형 발광 다이오드의 제조방법 |
| KR100926280B1 (ko) | 2007-12-14 | 2009-11-12 | 고려대학교 산학협력단 | 발광 효율 향상을 위한 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2017504221A (ja) * | 2013-11-07 | 2017-02-02 | 上海芯元基半導体科技有限公司 | Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体エピタキシャルウエハ、当該エピタキシャルウエハを含むデバイス及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7306964B2 (en) | 2007-12-11 |
| US8686450B2 (en) | 2014-04-01 |
| US20070290225A1 (en) | 2007-12-20 |
| US20060273341A1 (en) | 2006-12-07 |
| JP4786398B2 (ja) | 2011-10-05 |
| KR100588377B1 (ko) | 2006-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4786398B2 (ja) | 垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子及びその製造方法 | |
| JP6074005B2 (ja) | 窓層及び光指向構造を含む半導体発光装置の製造方法 | |
| JP4996706B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| KR100661602B1 (ko) | 수직 구조 질화갈륨계 ｌｅｄ 소자의 제조방법 | |
| JP4813282B2 (ja) | 垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子 | |
| KR100638730B1 (ko) | 수직구조 3족 질화물 발광 소자의 제조 방법 | |
| JP4886869B2 (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| TWI656662B (zh) | 半導體發光結構及發光器件 | |
| GB2547123A (en) | LED vertical chip structure with special coarsening morphology and preparation method therefor | |
| JP5592904B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| TWI811572B (zh) | 半導體發光元件及其製造方法 | |
| TW202217920A (zh) | 接合型半導體受光元件及接合型半導體受光元件之製造方法 | |
| JP2009043895A (ja) | 発光素子 | |
| CN115775859A (zh) | 改善光串扰的发光二极管及其制备方法 | |
| JPS60130873A (ja) | 発光半導体装置 | |
| JP5758518B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090519 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090819 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090824 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090917 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20091126 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100105 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20100107 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20100108 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100506 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100512 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20100714 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100827 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100924 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110126 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110202 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110523 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110713 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4786398 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| S633 | Written request for registration of reclamation of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313633 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140722 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |