JP2006303420A - 半導体装置の製造方法、半導体装置の実装方法及び実装構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】保護膜4上に、突起体5を形成する感光性樹脂としてのアクリル樹脂を塗布して樹脂層を形成する。該樹脂層上に、開口部を有するマスクを所定位置に位置決めして配置し、さらに、マスク上に紫外線を照射することで、開口部に露出されている樹脂層の部分を露光させる。樹脂が紫外線硬化されることにより、上面が平面である円柱形状の突起体5bが形成される。次に、突起体5bに赤外線11を照射し、突起体5bを加熱して、突起体5bを形成するアクリル樹脂を融解させる。融解したアクリル樹脂には表面張力が生じるため、平面であった突起体5bの上面は、滑らかな曲面に変形する。従って、突起体5bから、略半球形状の突起体5が形成される。
【選択図】図3
Description
uメッキバンプ(以下、単にバンプという)を駆動用ICに形成する。そして、異方性導電膜(ACF)や異方性導電ペースト(ACP)といった導電性のある接合材を使用して、駆動用ICに形成されたバンプを表示体装置の基板上に形成された端子電極に電気的に接続することにより、駆動用ICを基板上に実装する方法が採用されている。
また、本発明の目的は、半導体装置の電極と実装基板上の電極との間の接続信頼性の向上を図ることができる半導体装置の実装方法及び実装構造を提供することにある。
まず、本発明に係る半導体装置1について説明する。図1(a)は液晶表示装置の半導体装置1の要部平面図である。また、図1(b)は図1(a)におけるA−A線断面図であって、図1(c)は図1(a)におけるB−B線断面図である。
(1)本実施形態では、アクリル樹脂を融解させることにより、突起体5を形成した。即ち、アクリル樹脂を融解させることで、その融解したアクリル樹脂に表面張力を生じさせ、断面が半円状となるような略半球形状の突起体5を形成した。従って、紫外線10の露光条件によって突起体5の形状制御が左右されることがないため、半導体装置1の生産性の向上を図ることができる。
上記説明では、突起体5を、感光性絶縁樹脂としてのアクリル樹脂により形成した。感光性絶縁樹脂で突起体5を形成した場合は、導電樹脂で形成した場合に比べてコストを抑えて突起体5を形成することができる。
図6(a)に示すように、配線基板20上には、配線基板20に半導体装置1を実装するための接合材25が塗布される。本実施形態では、接合材25には、硬化温度が270℃付近であるエポキシ樹脂を使用している。図6(b)に示すように、半導体装置1の突起電極8を配線基板20の端子電極22に対して位置合わせを行い、フリップチップボンダによって半導体基板2と配線基板20とを加熱加圧する。これにより、半導体装置1は接合材25を間に挟んで、図5に示すように、配線基板20に実装される。
(11)本実施形態では、接合材25の硬化温度よりもガラス転移温度の高い樹脂を使用して突起体5を形成した。つまり、接合材25を構成する樹脂には硬化温度が250℃であるエポキシ樹脂を使用し、突起体5を形成する樹脂にはガラス転移温度が300℃付近であるフェノール樹脂を使用した。
○上記実施形態の図5〜図7では、突起体5を形成する樹脂には、ガラス転移温度が300℃であるフェノール樹脂を使用した。しかし、突起体5を形成する樹脂としては、ガラス転移温度が270℃以上である樹脂を使用するのであれば他の樹脂を使用してもよい。この場合でも、接合材25には、硬化温度が250℃以上である生産性のよい接合材25を使用することができる。従って、生産性を低下させることなく、半導体装置1の突起電極8と配線基板20上の端子電極22との間の接続信頼性の向上を図ることができる。
○上記実施形態では、保護膜4の膜厚を限定しなかったが、例えば1μm程度に形成すればよい。
Claims (16)
- 電極と、
前記電極よりも突出し、樹脂により形成される凸部と、
前記電極に電気的に接続され、前記凸部の上面に至る導電層とを有する半導体装置の製造方法において、
前記凸部は、前記樹脂を融解させて形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記凸部の断面は半円状の形状をなしていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂は、感光性樹脂であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂は、アクリル樹脂を用いたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂は、放射熱の加熱によって融解させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記電極を複数設け、互いに隣接する前記複数の電極を跨るように前記凸部を形成し、前記凸部の上面に前記電極の各々に対応して前記導電層を形成し、前記導電層の各々と、対応する前記電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に電極を形成することと、
該電極を覆う保護膜を形成することと、
該保護膜上に樹脂製の突起体を形成することと、
該突起体を融解させて滑らかな曲面を有する凸部を形成することと、
前記凸部を覆い且つ前記電極に電気的に接続される導電層を形成することと、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体装置を、加熱加圧処理を施すことにより接合材を介して実装基板に実装する半導体装置の実装方法であって、前記半導体装置は、電極と、前記電極よりも突出した第1の樹脂により形成される凸部と、前記電極に電気的に接続されるとともに前記凸部の上面を被覆する導電層とを備え、前記接合材は第2の樹脂により形成される半導体装置の実装方法において、
前記第1の樹脂のガラス転移温度は、前記第2の樹脂の硬化温度よりも高いことを特徴
とする半導体装置の実装方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の実装方法において、
前記凸部の断面は半円状の形状をなしていることを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 請求項8又は9に記載の半導体装置の実装方法において、
前記第1の樹脂はガラス転移温度が270℃以上であることを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 請求項8〜10のいずれか1つに記載の半導体装置の実装方法において、
前記第1の樹脂はフェノール樹脂又はポリイミド樹脂を用いたことを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 請求項8〜11のいずれか1つに記載の半導体装置の実装方法において、
前記第2の樹脂はエポキシ樹脂を用いたことを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 請求項8〜12のいずれか1つに記載の半導体装置の実装方法において、
前記電極を複数設け、互いに隣接する前記複数の電極を跨るように前記凸部を形成し、前記凸部の上面に前記電極の各々に対応して前記導電層を形成し、前記導電層の各々と、対応する前記電極とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 請求項8〜13のいずれか1つに記載の半導体装置の実装方法において、
前記接合材が非導電性接合材であることを特徴とする半導体装置の実装方法。 - 半導体装置を実装基板に実装する方法であって、該方法は、
電極を有する半導体装置に、前記電極よりも突出する凸部を第1の樹脂により形成することと、
前記電極に電気的に接続されると共に前記凸部を被覆する導電層を形成することと、
前記第1の樹脂のガラス転移温度よりも低い硬化温度を有する第2の樹脂で形成される接合材を準備することと、
前記接合材を前記半導体装置と前記実装基板との間に配置した状態で、前記接合材、前記半導体装置、及び前記実装基板に加熱加圧処理を施すことと
を備える半導体装置の実装方法。 - 半導体装置を、加熱加圧処理を施すことにより接合材を介して実装基板に実装した半導体装置の実装構造であって、前記半導体装置は、電極と、前記電極よりも突出した第1の樹脂により形成される凸部と、前記電極に電気的に接続されるとともに前記凸部の上面を被覆する導電層とを備え、前記接合材は第2の樹脂により形成される半導体装置の実装構造において、
前記第1の樹脂のガラス転移温度は、前記第2の樹脂の硬化温度よりも高いことを特徴
とする半導体装置の実装構造。
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