JP2002299363A

JP2002299363A - 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

Info

Publication number: JP2002299363A
Application number: JP2001097546A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Yoda; 剛依田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-03-29
Filing date: 2001-03-29
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】パッドの狭ピッチに対応し、かつ、無電解メッ
キの処理に耐性を有し、かつ、パッド間で均一な形状お
よび特性を持ち、かつ、歩留りを向上させるバンプの形
成方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに
電子機器を提供することにある。【解決手段】バンプの形成方法は、パッド１２の上方に
レジスト層２０を形成し、パッド１２を形成した基板の
裏面および側面にレジスト層２４を形成し、レジスト層
２４に架橋反応を生じさせるエネルギー３６を加えてレ
ジスト層２４を硬化し、レジスト層２０に貫通穴を有す
るようにレジスト層２０をパターニングし、レジスト層
２０に架橋反応を生じさせるエネルギーを加えてレジス
ト層２０の表面を硬化し、貫通穴２２内にパッド１２と
電気的に接続する金属層４０、４２を形成する工程と、
を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。

【０００２】

【発明の背景】半導体チップのパッドにバンプを形成す
るときに、無電解メッキを用いてバンプを形成する方法
が知られている。例えば、半導体チップの面に複数の貫
通穴を有するようにレジスト層を形成し、その貫通穴を
壁面としてストレート形状のバンプを形成する方法が知
られている。しかし、無電解メッキではアルカリ性の溶
液を使用する場合があり、それによってパターニングし
たレジスト層が溶解してしまう場合があった。レジスト
層が溶解すると、パッドの狭ピッチに対応した貫通穴が
形成できず、狭ピッチのバンプを形成することができな
かった。また、アルカリ性の溶液に対して溶解しにくい
ゴム系ネガ型レジストなどでは、露光後のレジスト層の
現像及び剥離の工程において、取り扱いにくい有機溶剤
を使用する必要があるので工程が煩雑であった。

【０００３】さらに無電解メッキではパッド間の電位が
異なるとバンプ間でめっきの析出速度、およびその他の
化学的な表面処理の速度が異なり、パッド間で均一な形
状および特性をもつバンプを形成することが難しかっ
た。

【０００４】また、基板にレジスト層を形成する工程で
は、基板表面のパッド形成部分にスピンコーターなどの
基板を支持する部分が直接当たり機械的なキズがつき歩
留りが低下する問題があった。

【０００５】本発明はこの問題点を解決するためのもの
であり、その目的は、パッドの狭ピッチに対応し、か
つ、無電解メッキの処理に耐性を有し、かつ、パッド間
で均一な形状および特性を持ち、かつ、パッド表面の傷
を防止し歩留りを向上させる半導体装置及びその製造方
法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る半導
体装置の製造方法は、半導体素子に形成されたパッド上
にバンプを形成するための半導体装置の製造方法におい
て、前記パッドの上方に第１のレジスト層を形成し、前
記パッドを形成した前記半導体素子の裏面および側面に
第２のレジスト層を形成し、前記第２のレジスト層に架
橋反応を生じさせるエネルギーを加えて前記第２のレジ
スト層を硬化し、前記第１のレジスト層をパターニング
し、前記パターニングした前記第１のレジスト層に架橋
反応を生じさせるエネルギーを加えて前記レジスト層の
表面を硬化し、パターニングにより前記第１のレジスト
層に形成した貫通穴内に前記パッドと電気的に接続する
金属層を形成する工程を含む。

【０００７】本発明によれば、レジスト層をパターニン
グした後にその表面を硬化させることで、その後のプロ
セスにおいて、レジスト層の形状が変形することを防止
できる。すなわち、例えば薬品や熱によって、貫通穴の
形状を変形させることなく、所望の形状でバンプを形成
することができる。

【０００８】また、パッドを形成した基板の裏面および
側面にレジスト層を形成することで、その後のプロセス
において、パッド間の電位を均一にすることができる。
さらに、パッドを形成した基板の裏面および側面にレジ
スト層を形成する工程の前に、パッド上方のレジスト層
を形成する工程を行うことにより、先にパッド上方にレ
ジスト層を形成するため、パッドを形成した基板の裏面
および側面にレジスト層を形成する際、パッド部分に例
えばスピンコーターなどの基板を支持する部分が直接当
たることなくパッド部分を機械的なキズなどから保護す
ることができる。すなわち、例えばパッド部に無電解メ
ッキでバンプを形成する際の歩留りを向上させることが
可能となる。

【０００９】（２）本発明に係る他の半導体装置の製造
方法は、前記パッドの上方に第１のレジスト層を形成
し、前記第１のレジスト層に貫通穴を有するようにレジ
スト層をパターニングし、前記パターニングした前記第
１のレジスト層に架橋反応を生じさせるエネルギーを加
えて前記第１のレジスト層の表面を硬化し、前記半導体
素子の裏面および側面に第２のレジスト層を形成し、前
記第２のレジスト層に架橋反応を生じさせるエネルギー
を加えて前記第２のレジスト層を硬化し、前記貫通穴内
に前記パッドと電気的に接続する金属層を形成する工程
を含む。

【００１０】これによれば、レジスト層をパターニング
した後にその表面を硬化させることで、その後のプロセ
スにおいて、レジスト層の形状が変形することを防止で
きる。すなわち、例えば薬品や熱によって、貫通穴の形
状を変形させることなく、所望の形状でバンプを形成す
ることができる。

【００１１】また、パッドを形成した基板の裏面および
側面にレジスト層を形成することで、その後のプロセス
において、パッド間の電位を均一にすることができる。
さらに、パッドを形成した基板の裏面および側面にレジ
スト層を形成する工程の前に、パッド上方のレジスト層
を形成し、前記レジスト層をパターニングし、さらに前
記レジストパターンに架橋反応を生じさせるエネルギー
を加えて前記レジスト層の表面を硬化することにより、
パッドを形成した基板の裏面および側面にレジスト層を
形成する際、パッド部分に例えばスピンコーターなどの
基板を支持する部分が直接当たることなくパッド部分を
機械的なキズなどから保護することができる。

【００１２】さらに、前記レジスト表面を硬化するた
め、レジスト自体も機械的なキズなどから保護すること
ができる。すなわち、例えばパッド部に無電解メッキで
バンプを形成する際の歩留りを向上させることが可能と
なる。

【００１３】（３）本発明に係る他の半導体装置の製造
方法は、前記パッドの上方に第１のレジスト層を形成
し、前記半導体素子の裏面および側面に第２のレジスト
層を形成し、前記パッド上方に貫通穴を有するように前
記第１のレジスト層をパターニングし、前記第１のレジ
スト層および前記第２のレジスト層に同時に架橋反応を
生じさせるエネルギーを加えて前記第１及び第２のレジ
スト層の表面を硬化し、前記貫通穴内に前記パッドと電
気的に接続する金属層を形成する工程を含む。

【００１４】これによれば、パッドの上方でパターンを
形成したレジスト層と基板の裏面および側面に形成した
レジスト層、を同時に硬化させることで、その後のプロ
セスにおいて、レジスト層の形状が変形することを防止
でき、また、レジスト層硬化の効率化が図れる。すなわ
ち、例えば薬品や熱によって、貫通穴の形状を変形させ
ることなく、所望の形状でバンプを効率良く形成するこ
とができる。

【００１５】また、パッドを形成した基板の裏面および
側面にレジスト層を形成することで、その後のプロセス
において、パッド間の電位を均一にすることができる。
さらに、パッドを形成した基板の裏面および側面にレジ
スト層を形成する工程の前に、パッド上方のレジスト層
を形成する工程を行うことにより、先にパッド上方にレ
ジスト層を形成するため、パッドを形成した基板の裏面
および側面にレジスト層を形成する際、パッド部分に例
えばスピンコーターなどの基板を支持する部分が直接当
たることなくパッド部分を機械的なキズなどから保護す
ることができる。すなわち、例えばパッド部に無電解メ
ッキでバンプを形成する際の歩留りを向上させることが
可能となる。

【００１６】（４）これらの半導体装置の製造方法にお
いて、前記第１のレジスト層を少なくとも硬度２０ＨＶ
以上に硬化させてもよい。これによれば、パッドを形成
した基板の裏面および側面にレジスト層を形成する際、
パッド上方のレジスト層上に、例えばスピンコーターな
どの基板を支持する部分が当たるため、パッド上方のレ
ジスト層を硬度２０ＨＶ以上に硬化させることで、レジ
スト層自体の機械的な変形やキズを防止することができ
る。

【００１７】（５）これらの半導体装置の製造方法にお
いて、前記第２のレジスト層、および、パターニングし
た前記第１のレジスト層をキュアし、かつ、光エネルギ
ーを照射してもよい。

【００１８】これによれば、レジスト層の耐性の許容範
囲内で、架橋反応を引き起こすことができる。またパッ
ドを形成した基板の裏面および側面に形成したレジスト
層の硬化にも適用することで、パッド上方のレジスト層
のパターニングへの影響を与えることがない。したがっ
て、工程中にレジスト層のパターンを変形させることな
くその表面を硬化させることができる。

【００１９】（６）これらの半導体装置の製造方法にお
いて、前記第１のレジスト層、および、第２のレジスト
層は、樹脂及び感光剤を主成分とし、前記光エネルギー
は、前記感光剤を反応させる光波と、前記樹脂を架橋さ
せる光波を有してもよい。

【００２０】これによれば、感光剤を反応させるための
光波と、樹脂を架橋させる光波があるため、効率良くレ
ジスト層を硬化することができる。

【００２１】（７）これらの半導体装置の製造方法にお
いて、前記樹脂は、ノボラック樹脂であってもよい。

【００２２】ノボラック系のレジストを用いることによ
り、微細なパターニングがしやすい。

【００２３】（８）これらの半導体装置の製造方法にお
いて、前記第１のレジスト層、および第２のレジスト層
を加熱することで前記感光剤が水と反応することを妨げ
て、前記感光剤と前記樹脂とで架橋反応を生じさせ前記
レジスト層をキュアしてもよい。

【００２４】これによって、レジスト層の表面を硬化さ
せることができる。

【００２５】（９）これらの半導体装置の製造方法にお
いて、前記金属層を無電解メッキによって形成してもよ
い。

【００２６】これによれば、レジスト層の表面を硬化さ
せた後に無電解メッキを行うので、例えば無電解メッキ
での加熱処理によってレジスト層を変形させることがな
い。したがって、無電解メッキの工程で、レジスト層の
耐性を考慮することなく金属層を形成することができ
る。また基板の裏面および側面にレジスト層で完全に絶
縁化を行っているので、パッド間でのメッキの析出速度
および化学的表面処理の速度が異なることがない。

【００２７】（１０）これらの半導体装置の製造方法に
おいて、アルカリ性の溶液を用いて無電界メッキを行っ
てもよい。

【００２８】これによれば、レジスト層の表面を硬化さ
せた後にアルカリ性の溶液を使用するので、アルカリ性
の溶液によってレジスト層を変形させることがない。

【００２９】（１１）これらの半導体装置の製造方法に
おいて、前記金属層を、ニッケル、ニッケルと金の混合
物、ニッケルと銅の混合物、銅、ニッケルと金と銅の混
合物、ニッケルと銅と錫の混合物、ニッケルと金と銅と
錫の混合物のいずれかにより形成してもよい。

【００３０】（１２）本発明に係る半導体装置の製造方
法は、上記バンプの形成方法によって、半導体素子の前
記パッドに、前記金属層を含むバンプを形成する工程を
含む。

【００３１】半導体素子は、半導体ウェーハ又は半導体
チップであってもよい。

【００３２】（１３）本発明に係る半導体装置は、上記
半導体装置の製造方法で製造されてなる。

【００３３】（１４）本発明に係る回路基板は、上記半
導体装置を搭載してなる。

【００３４】（１５）本発明に係る電子機器は、上記半
導体装置を有する。

【００３５】（１６）本発明におけるバンプの形成方法
は、半導体素子に形成されてなるパッド上にバンプを形
成するための半導体装置の製造方法において、前記パッ
ドの上方にレジスト層を塗布し、前記半導体素子の裏面
および側面に第２のレジスト層を塗布し、前記パッド上
方の前記第１のレジスト層に形成した貫通穴内に前記パ
ッドと電気的に接続する金属層を形成する工程を含む。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、
以下の実施の形態に限定されるものではない。

【００３７】（第１の実施の形態）図１〜図４（Ｄ）
は、本発明を適用した第１の実施の形態に係るバンプの
形成方法を示す図である。本実施の形態では、半導体ウ
ェーハ（半導体素子）にバンプを形成する例を説明する
が、本発明に係るバンプの形成方法はこれに限定される
ものではない。例えば、配線パターンにバンプを形成す
るときに適用してもよい。その場合、配線パターンのラ
ンドがパッドに相当する。

【００３８】また、本発明は、半導体チップ（半導体素
子）のパッドにバンプを形成するときに適用してもよ
い。半導体チップの形状は、直方体又は球状であっても
よい。

【００３９】図１及び図２に示すように、半導体ウェー
ハ１０を用意する。図１は、半導体ウェーハ１０の平面
図である。半導体ウェーハ１０は、後の工程で、切断ラ
インに沿って複数の半導体チップに切断される。半導体
チップは、矩形に切断されることが多いが、形状はこれ
に限定されず例えば円形であってもよい。

【００４０】半導体ウェーハ１０は、複数のパッド１２
を有する。パッド１２は、半導体ウェーハ１０の内部に
形成された集積回路の電極となる。パッド１２は、個片
化される半導体チップの領域ごとに形成される。パッド
１２は、半導体ウェーハ１０の一方の面で、半導体チッ
プの領域の周端部（２辺又は４辺）に形成されることが
多い。この場合に、パッド１２は、半導体ウェーハ１０
の面で集積回路の形成された領域（能動領域）の外側に
形成される。あるいは、パッド１２は、半導体ウェーハ
１０の面で能動領域の内側を含む領域に形成されてもよ
い。この場合に、パッド１２は、マトリクス状に複数行
複数列に配置されてもよい。

【００４１】各パッド１２は、半導体ウェーハ１０に薄
く平らに形成されていることが多いが、側面又は縦断面
の形状は限定されず、半導体ウェーハ１０の面と面一に
なっていてもよい。また、パッド１２の平面形状も特に
限定されず、円形であっても矩形であってもよい。

【００４２】パッド１２は、アルミニウム、アルミニウ
ム系合金、銅などで形成される。各パッド１２間のピッ
チは、設計に応じて自由に決めることができが、例えば
約５０μｍ以下の狭ピッチであってもよい。本実施の形
態で示す発明は、パッド１２が狭ピッチである場合に効
果的である。

【００４３】図２は、半導体ウェーハ１０の一部におけ
る断面を示す図である。半導体ウェーハ１０におけるパ
ッド１２が形成された面には、絶縁膜１４が形成されて
いる。絶縁膜１４は、各パッド１２を覆って形成されて
いる。すなわち、図２に示す例では、パッド１２は絶縁
膜１４によって絶縁されている。絶縁膜１４は、単一層
又は複数層からなる。絶縁膜１４は、一般的なパッシベ
ーション膜であってもよい。絶縁膜１４は、例えば、Ｓ
ｉＯ₂、ＳｉＮ又はポリイミド樹脂などで形成すること
ができる。なお、後述の実施の形態に示すように、半導
体ウェーハ１０は、既にパッド１２上において絶縁膜１
４が開口されてなるものを使用してもよい。

【００４４】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、
パッド上を覆うレジスト層２０及びパッドを形成する基
板の裏面および側面を覆うレジスト層２４を形成する。
まず図３（Ａ）に示すように、半導体ウェーハ１０にお
けるパッド１２が形成された面に、すなわち絶縁膜１４
上に、レジスト層２０を設ける。レジスト層２０は、パ
ッド１２の上方を含み、半導体ウェーハ１０の面全体を
覆って設ける。レジスト層２０は、バンプ高さに応じて
自由に決めることができるが、例えば１０〜３０μｍ程
度の厚さで形成してもよい。レジスト層２０を形成後、
レジスト層２０の形状が変形しない範囲で、さらにレジ
スト層２０のパターニング形成可能な範囲で硬化する。

【００４５】

【表１】本発明においては、上記表１に示すように、硬度２０Ｈ
Ｖ以上になるように加熱処理を行う。例えば１３０℃で
焼成し硬化する。これにより図３（Ｂ）で示すように、
レジスト層２４を形成する際、スピンコーターなどの基
板を支持する部分がパッドに直接当たることなく機械的
キズから保護され、さらに表１から明らかなように、レ
ジスト層２０も機械的に変形することがない。硬度が２
０ＨＶより小さいと機械的なキズがレジスト層２０に残
りやすい。

【００４６】次に図３（Ｂ）に示すように、レジスト層
２４をレジスト層２０が形成された以外の基板部分すべ
てを覆って設ける。すなわち半導体ウェーハ１０におけ
るパッドが形成されていない裏面、および側面にレジス
ト層２４を設ける。なおレジスト層２４の材料としてノ
ボラック樹脂を含む材料を使用してもよい。

【００４７】その後、図３（Ｃ）に示すように、レジス
ト層２０をパターニングする。まず、図３（Ｃ）に示す
ように、レジスト層２０として感光性の材料を使用して
もよい。レジスト層２０は、エネルギー３０（例えば紫
外線など）に感応して性質を変える樹脂であってもよ
い。すなわち、フォトリソグラフィ技術を適用してレジ
スト層２０をパターニングしてもよい。

【００４８】この場合に、レジスト層２０は、エネルギ
ー３０が照射されると、溶解性が増加するもの（ポジ
型）であってもよい。ポジ型のレジスト層２０は、一般
に、無電解メッキの処理においてアルカリ性の溶液に溶
解しやすいが、本実施の形態で示す発明によればそれを
改善できる。

【００４９】なお、レジスト層２０の材料として、ノボ
ラック樹脂を含む材料を使用してもよい。ノボラック系
の材料では、エネルギー３０を照射した部分のみの性質
を変えることができるので、レジスト層２０の微細なパ
ターニングに適している。

【００５０】例えば、開口３４が形成されたマスク３２
を、レジスト層２０の上方に配置して、エネルギー３０
を照射して露光する。レジスト層２０として、エネルギ
ー３０が照射されると溶解性が増加するもの（ポジ型）
であるときは、貫通穴２２の形成領域上に開口３４を配
置する。露光することで、レジスト層２０におけるパッ
ド１２の上方の部分の溶解性が増加する。

【００５１】その後現像することで、図３（Ｄ）に示す
ように、レジスト層２０におけるパッド１２の上方の部
分を除去して、貫通穴２２を形成する。レジスト層２０
の貫通穴２２は、パッド１２の上方であって絶縁膜１４
上に形成する。詳しくは、半導体ウェーハ１０の平面視
において、パッド１２の少なくとも一部と重なるように
貫通穴２２を形成する。貫通穴２２の内側には、絶縁膜
１４が露出する。貫通穴２２は、パッド１２の中央部を
含む領域に形成することが好ましい。これによって、パ
ッド１２とバンプとを確実に電気的に接続することがで
きる。貫通穴２２は、半導体ウェーハ１０の面に対し
て、垂直に立ち上がる壁面にて形成されることが好まし
い。こうすることで、垂直に立ち上がるバンプを形成す
ることができる。貫通穴２２は、パッド１２の外周を超
えない形状で形成してもよい。これによって、パッド１
２の狭ピッチに対応して、隣同士がショートすることな
く各パッド１２にバンプを形成できる。あるいは、貫通
穴２２は、パッド１２の外周と同じ又はそれを超える形
状で形成しても構わない。なお、貫通穴２２の平面形状
は、矩形、円形又はその他の形状であってもよい。

【００５２】図示する例とは別に、レジスト層２０をエ
ッチングすることで貫通穴２２を形成してもよい。この
場合には、レジスト層２０は、非感光性のレジストであ
ってもよい。あるいは、レジスト層２０は、スクリーン
印刷又はインクジェット方式によって、直接的にパター
ニングするように材料を塗布して形成してもよい。

【００５３】図４（Ａ）に示すように、貫通穴２２を使
用して絶縁膜１４に開口部１６を形成する。詳しくは、
パターニングしたレジスト層２０をマスクとして、貫通
穴２２内の絶縁膜１４の部分を除去して、パッド１２の
少なくとも一部を露出させる。これによれば、絶縁膜１
４に開口部１６を形成する工程と、パッド１２に金属層
（バンプ）を形成する工程と、を一度形成したレジスト
層２０の貫通穴２２を使用して行うことができる。その
ため、レジスト層２０の露光、現像又は剥離などを行う
ことによる手間やコストなどを省くことができる。

【００５４】絶縁膜１４の開口部１６は、エッチングで
形成する。エッチングの手段は、化学的、物理的又はこ
れらの性質を組み合わせて利用したもののいずれであっ
てもよい。エッチングの特性は、ドライエッチングなど
の異方性であってもよく、あるいはウェットエッチング
などの等方性であってもよい。ノボラック系の材料はド
ライエッチングしやすい。開口部１６は、貫通穴２２の
径と等しい径で形成してもよいが、それよりも小さい径
で形成してもよい。開口部１６の径を貫通穴２２の径よ
りも小さくすれば、貫通穴２２内に金属層（バンプ）を
形成することでパッド１２の表面を露出させないように
することができる。あるいは、開口部１６の径は、例え
ばウェットエッチングを使用することによって、貫通穴
２２の径を超えて形成されてもよい。

【００５５】次に、レジスト層２０の表面およびレジス
ト層２４を硬化させる。レジスト層２０およびレジスト
層２４の硬化は、レジスト層２０およびレジスト層２４
に架橋反応を生じさせるエネルギーを加えることで行
う。エネルギーは、熱エネルギー、光エネルギー（例え
ば可視光、紫外光）、それらの組み合わせのいずれかを
含んでもよい。これらのエネルギーは、レジスト層２０
およびレジスト層２４の材料の特性によって使い分ける
ことができる。

【００５６】レジスト層２０およびレジスト層２４は、
樹脂と感光剤（感光基）とを含む。以下に、レジスト層
２０およびレジスト層２４として、ノボラック系レジス
トを使用した例を示す。具体的には、ノボラック系レジ
ストは、レジスト層２０においてはノボラック樹脂と感
光剤とを含む。感光剤は、ナフトキノンジアジド感光剤
であってもよい。またレジスト層２４においてはノボラ
ック樹脂を含む。図４（Ａ）に示すように、レジスト層
２０およびレジスト層２４に熱及び光エネルギーを加え
る。すなわち、レジスト層２０およびレジスト層２４を
キュア（加熱）し、かつ、光エネルギー３６を照射す
る。レジスト層２０およびレジスト層２４のキュアによ
って、ノボラック樹脂自体に対して、架橋反応を引き起
こすことができる。そして、光エネルギー３６によっ
て、ノボラック樹脂の耐熱性の限度を超えない温度で架
橋反応を生じさせることが可能となる。一方、レジスト
層２０に含まれるナフトキノンジアジド感光剤は、光エ
ネルギー３６のを照射すると、ケテン中間体となって水
分を取り込みやすい状態となる。感光剤は、水分を取り
込むとインデンカルボン酸となってしまい、レジスト全
体のアルカリ性の溶液に対する溶解性が増加してしま
う。

【００５７】しかし、光エネルギー３６の照射に加えて
レジスト層２０およびレジスト層２４をキュアすれば、
レジスト層２０の水分をなくし、感光剤と水との反応を
妨げて、感光剤とノボラック樹脂との架橋反応を生じさ
せることができる。こうして、レジスト層２０およびレ
ジスト層２４は、架橋反応によりポリマー化することで
硬化する。詳しくは、レジスト層２０およびレジスト層
２４は、少なくとも表面が硬化する。表面が硬化すれ
ば、例えばアルカリ性の溶液によってレジスト層２０お
よびレジスト層２４が溶解することを防止できる。

【００５８】レジスト層２０およびレジスト層２４は、
最表面から約２〜３μｍの厚さの範囲内で硬化してもよ
い。レジスト層２０およびレジスト層２４をキュアする
温度は、感光剤と水との反応を妨げる温度以上であっ
て、レジスト層２０およびレジスト層２４の耐熱性の限
界の温度よりも小さい範囲であることが好ましい。

【００５９】レジスト層２０は、１００℃以上で加熱し
てもよい。光エネルギー３６は、樹脂又は感光剤の少な
くとも一方に対して、架橋反応を作用させる光波であ
る。すなわち、光エネルギー３６の波長は、樹脂及び感
光剤の材料に適した領域を選択することができる。

【００６０】光エネルギー３６は、紫外光（波長１ｎｍ
〜３６０ｎｍ程度）、可視光（波長３６０ｎｍ〜８３０
ｎｍ程度）であってもよく、あるいは電子ビームであっ
てもよい。光エネルギー３６は、感光剤を反応させる光
波の値よりも、樹脂自体を架橋させる光波の値が大きく
てもよい。これによって、感光剤が急激に反応すること
を抑えることができるので、レジスト層２０およびレジ
スト層２４の発泡によってパターンが変形することを防
止できる。

【００６１】感光剤を反応させる光波として、波長が約
３００ｎｍ〜６００ｎｍ（例えば３６５ｎｍと４３６ｎ
ｍ）の光波を使用してもよい。樹脂を架橋させる光波と
して、波長が２５０ｎｍ付近（例えば２５４ｎｍ）の光
波を使用してもよい。そして、約３００ｎｍ〜６００ｎ
ｍ（例えば３６５ｎｍと４３６ｎｍ）の光波のピークよ
りも、２５０ｎｍ付近（例えば２５４ｎｍ）の光波のピ
ークが大きくてもよい。なお、光エネルギー３６の照射
には、水銀ランプを使用することができる。また、その
照射量は、レジスト層２０およびレジスト層２４の厚さ
によって調整すればよい。

【００６２】レジスト層２０およびレジスト層２４を硬
化させる工程は、減圧下において行うことが好ましい。
すなわち、大気圧よりも小さい圧力で、レジスト層２０
およびレジスト層２４をキュアし、かつ、光エネルギー
３６を照射することが好ましい。こうすることで、レジ
スト層２０およびレジスト層２４の溶剤を飛ばして（揮
発させて）、レジスト層２０およびレジスト層２４の架
橋反応を促進することができる。レジスト層２０および
レジスト層２４を硬化させる工程は、例えば約１０〜３
０Ｐａに減圧させて行ってもよいが、これよりもさらに
減圧させて行ってもよい。

【００６３】なお、絶縁膜１４の開口部１６をドライエ
ッチングで形成した場合には、ドライエッチングによっ
てレジスト層２０がエッチングされても、その後にレジ
スト層２０を硬化させるので、その最表面を確実に硬化
させることができる。

【００６４】レジスト層２０を硬化させる工程は、絶縁
膜１４をエッチングする前に行ってもよい。この場合
に、絶縁膜１４をエッチングした後に、さらにレジスト
層２０を硬化させる工程を行ってもよく、あるいはその
工程を行わなくてもよい。これらによれば、エッチング
する前にレジスト層２０を硬化させるので、レジスト層
２０におけるドライエッチングなどに対する耐性を高め
ることができる。また、レジスト層２４はパターニング
する必要がないため、主成分はノボラック樹脂であり感
光剤が含有されていなくてもよい。

【００６５】さらに、レジスト層２４の硬化はレジスト
層形成直後であってもよい。その場合、硬化はレジスト
層２４に架橋反応を生じさせるエネルギーを加えること
で行う。エネルギーは、熱エネルギー、光エネルギー
（例えば可視光、紫外光）、それらの組み合わせのいず
れかを含んでもよい。これらのエネルギーは、レジスト
層２０のパターニング形成可能な範囲で、つまりレジス
ト層２０のパターニングに影響を与えない範囲で、さら
にレジスト層２４の材料の特性によって使い分けること
ができる。

【００６６】その後、次に図４（Ｂ）に示すように、貫
通穴２２を使用して金属層を形成する。金属層は、単一
層又は複数層からなる。以下に説明する例では金属層
は、第１及び第２の金属層４０、４４を含む。金属層
は、ニッケル、ニッケルと金の混合物、ニッケルと銅の
混合物、銅、ニッケルと金と銅の混合物、ニッケルと銅
と錫の混合物、ニッケルと金と銅と錫の混合物のいずれ
かにより形成してもよいが、材料はこれに限定されな
い。

【００６７】まず、貫通穴２２内に第１の金属層４０を
形成する。貫通穴２２は開口部１６に連通しているの
で、第１の金属層４０をパッド１２に電気的に接続させ
て設けることができる。第１の金属層４０は、貫通穴２
２の高さ（レジスト層２０の厚さ）と同じ又はその高さ
を超えないように形成する。第１の金属層４０は、図示
するように単一層であってもよく、あるいは複数層であ
ってもよい。第１の金属層４０は、ニッケル、金又は銅
のいずれか１つ又は複数から形成してもよい。第１の金
属層４０は、無電解メッキによって形成してもよい。無
電解メッキにおいて、アルカリ性の溶液を使用して行っ
てもよい。また、無電解メッキにおいて、加熱処理を行
ってもよい。

【００６８】本実施の形態では、レジスト層２０の表面
およびレジスト層２４を硬化させることで、アルカリ性
の溶液や熱によって、貫通穴２２の形状が変形しないよ
うに又は変形しにくくすることができる。またパッド部
以外の部分をレジストにより完全に絶縁化し硬化するこ
とで、その後の無電解メッキにおいてのパッド間の電位
の影響を無くすことができメッキの析出速度および化学
的表面処理の速度をパッド間で均一化することができ
る。

【００６９】以下に、第１の金属層４０としてニッケル
層を形成する例を示す。ニッケル層は、金層と比べてコ
ストが低く、かつ、短時間に形成できる。まず、パッド
１２がアルミニウムで形成されている場合には、アルカ
リ性の亜鉛溶液を使用して、パッド１２上にジンケート
処理を施す。すなわち、アルミニウム（パッド１２）上
の表面を亜鉛に置換する。パッド１２にアルカリ性の亜
鉛溶液を設けるときに、半導体ウェーハ１０を溶液に浸
してもよい。また、パッド１２の表面に亜鉛を析出させ
るときに、パッド１２をアルカリ性の亜鉛溶液に浸した
後に、置換した亜鉛を硝酸によって溶解させ、再びアル
カリ性の亜鉛溶液に浸してもよい。また、パッド１２に
ジンケート処理を施す前に、半導体チップ１０の絶縁膜
１４の残さを所定の溶液（例えば弱フッ酸溶液）で溶解
することが好ましい。さらに、絶縁膜１４の残さを溶解
した後に、パッド１２をアルカリ性の溶液に浸して、パ
ッド１２の露出部の酸化膜を除去することが好ましい。

【００７０】これらによって、アルミニウム（パッド１
２）の表面を良好に亜鉛に置換することができる。次
に、表面を亜鉛に置換したパッド１２に無電解ニッケル
メッキ液を設けて、亜鉛とニッケルの置換反応を経てニ
ッケル層をパッド１２上に形成する。この工程は、半導
体ウェーハ１０を無電解ニッケルメッキ液に浸して行
う。この場合に、溶液を９０℃程度に加熱してもよい。
ニッケル層の高さは、作業温度及び時間、メッキ液の量
及びｐＨ並びにメッキ回数（ターン数）などによって調
整することができる。

【００７１】なお、パッド１２とニッケル層との間で、
パッド１２の表面に置換した亜鉛が残っていてもよい。
これによれば、無電解メッキを行う前にレジスト層２０
およびレジスト層２４の表面を硬化させるので、アルカ
リ性の溶液を使用することによってレジスト層２０およ
びレジスト層２４を溶解させずに、あるいは溶解の進行
を遅らせて金属層を形成することができる。また、表面
を硬化させることでレジスト層２０の熱による耐性を高
めることができるので、無電解メッキにおいて加熱処理
を行っても、レジスト層２０を変形させずに金属層を形
成することができる。

【００７２】また、パッド部以外の部分をレジストによ
り完全に絶縁化することで、その後の無電解メッキにお
いてのパッド間の電位の影響を無くすことができメッキ
の析出速度および化学的表面処理の速度をパッド間で均
一化することができる。これらによって、レジスト層２
０のパターン（貫通穴２２の形状）を変形させずに、均
一で所望の形状および特性のバンプを形成することがで
きる。上述とは別に、ジンケート処理を行わずに、アル
ミニウムからなるパッド１２にパラジウムなどの還元剤
を含む溶液を設けて、その後、無電解ニッケルメッキ液
を設け、パラジウムなどを核としてニッケルを析出さ
せ、パッド１２上にニッケル層を形成してもよい。ま
た、パッド１２が銅を含む材料からなる場合には、例え
ばパッド１２にニッケル層を形成する場合に、パラジウ
ムなどの還元剤を含む溶液をパッド１２に設けて、その
後に無電解ニッケル溶液を設けることによって、パラジ
ウムを核としてニッケルを析出させればよい。

【００７３】第１の金属層４０をその他の金属（上述し
た金、銅など）で形成する場合には、所定の溶液（例え
ば金メッキ液又は銅メッキ液）に半導体ウェーハ１０を
浸すことで行うことができる。この場合に、溶液にアル
カリ性のものを使用してもよいし、溶液を加熱させても
よい。

【００７４】図４（Ｃ）に示すように、必要があれば第
１の金属層４０の表面に第２の金属層４４を形成する。
第１および第２の金属層４０、４４をバンプ５０と称し
てもよい。第２の金属層４４は、第１の金属層４０の上
面に形成する。すなわち、第２の金属層４４は、金又は
銅などで形成することが好ましい。こうすれば、バンプ
５０の先端部分を使用して、配線パターン等との電気的
接続を良好にすることができる。また、バンプ５０が上
面のみに金層（第２の金属層４４）を有することで、金
層に濡れやすいロウ材（ハンダなど）を、溶融時にバン
プ５０の外側に広がりにくくすることができる。第２の
金属層４４は、無電解メッキで形成してもよく、例え
ば、第１の金属層４０（ニッケル層）に無電解金メッキ
液を設けて、その表面に第２の金属層４４（金層）を形
成してもよい。

【００７５】次に図４（Ｄ）に示すように、レジスト層
２０及びレジスト層２４を除去する。レジスト層２０及
びレジスト層２４は、硫酸過酸化水素水混合溶液を使用
して剥離してもよい。

【００７６】上述した例に示すように、第１の金属層４
０及び第２の金属層４４は、貫通穴２２の形状に応じて
形成される。すなわち、金属が等方成長する無電解メッ
キを適用しても、金属層を横（幅）方向への拡がりを抑
えて高さ方向に成長させることができる。さらに、レジ
スト層２０は、アルカリ性の溶液を使用しても、あるい
は加熱処理を行っても変形しにくいので、貫通穴２２の
形状を変形させずに所望の形状で金属層を形成できる。

【００７７】本実施の形態におけるバンプの形成方法に
よれば、レジスト層２０をパターニングした後にその表
面を硬化させ、その後のプロセスにおいてレジスト層２
０の形状が変形することを防止でき、パッド間の電位を
均一にすることができる。特に、無電解メッキを使用し
てバンプを形成する場合に、アルカリ性の溶液や加熱処
理に対するレジスト層２０の耐性を高めることができる
ので、所望の形状でバンプを形成することができる。し
たがって、パッド１２が狭ピッチであっても、隣同士の
パッド１２に形成するバンプ５０を互いにショートさせ
ることがなく、バンプ５０を形成することができる。ま
た、パッド部以外の部分をレジスト層２４により完全に
絶縁化することで、その後の無電解メッキにおいてのパ
ッド間の電位の影響を無くすことができメッキの析出速
度および化学的表面処理の速度をパッド間で均一化する
ことができる。

【００７８】また、レジスト層２０をレジスト層２４よ
り先に形成し硬化することにより、レジスト層２４を形
成する際、スピンコーターなどの基板を支持する部分が
パッドに直接当たることなく機械的キズから保護され、
さらにレジスト層２０も機械的に変形することがない。

【００７９】なお、レジスト層２０としてポジ型レジス
トを使用した場合を説明したが、本実施の形態における
発明は、ネガ型レジストを使用することを妨げない。す
なわち、レジスト層２０として、エネルギー３０が照射
されると、溶解性が減少するもの（ネガ型）を使用して
もよい。ネガ型のレジスト層２０を使用する場合には、
マスク３２の形状は、ポジ型に対して反転形状となる。

【００８０】図５は、以上の工程によって形成された半
導体ウェーハ１０の断面図である。半導体ウェーハ１０
のそれぞれのパッド１２には、バンプ５０が形成されて
いる。バンプ５０の高さは、１０μｍ以上であってもよ
く、例えば１３〜２２μｍ程度であってもよい。バンプ
５０によって、配線パターン等との電気的接続を容易に
図ることができる。なお、半導体ウェーハ１０は、その
後の工程で複数の半導体チップ１８に切断される。

【００８１】図６は、本実施の形態に係る半導体装置を
示す図である。半導体装置１は、上述のバンプ５０を有
する半導体チップ１８と、配線パターン６２が形成され
た基板６０と、複数の外部端子７０と、を含む。半導体
チップ１８は、フリップチップとして、基板６０にフェ
ースダウンボンディングされる。その場合、基板６０に
形成された配線パターン６２（ランド）と、バンプ５０
と、を電気的に接続する。電気的接続には、異方性導電
膜（ＡＣＦ）や異方性導電ペースト（ＡＣＰ）等の異方
性導電材料６４を使用して、導電粒子をバンプ５０と配
線パターン６２（特にランド）との間に介在させてもよ
い。あるいは、Ａｕ−Ａｕ、Ａｕ−Ｓｎ、ロウ材（ハン
ダを含む）などによる金属接合や、絶縁樹脂の収縮力に
よって、バンプ５０と配線パターン６２（特にランド）
とを電気的に接続してもよい。外部端子７０は、図示し
ないスルーホールなどを介して配線パターン６２に電気
的に接続されている。外部端子７０は、ハンダボールで
あってもよい。ハンダなどを印刷してリフロー工程を経
て外部端子７０を形成してもよい。また、積極的に外部
端子７０を形成せずにマザーボード実装時にマザーボー
ド側に塗布されるハンダクリームを利用し、その溶融時
の表面張力で結果的に外部端子を形成してもよい。この
半導体装置は、いわゆるランドグリッドアレイ型の半導
体装置である。

【００８２】図示する例とは別に、半導体チップ１８を
基板のデバイスホールに配置して、バンプ５０と、デバ
イスホールに突出するインナーリードと、を電気的に接
続してもよい。すなわち、本実施の形態で示す発明を、
ＴＡＢ技術を利用した半導体装置に適用してもよい。な
お、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、上述
のバンプ５０の形成方法によって、半導体ウェーハ１０
（又は半導体チップ１８）のパッド１２に、金属層（第
１の金属層４０及び第２の金属層４４）を含むバンプを
形成する工程を含む。

【００８３】（第２の実施の形態）図７（Ａ）〜図８
（Ｄ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係るバ
ンプの形成方法を示す図である。本実施の形態では、第
１の実施の形態で説明した内容を可能な限り適用するこ
とができる。図７（Ａ）に示すように、本実施の形態で
は、半導体ウェーハ１０として既にパッド１２の一部が
絶縁膜１４から開口したものを使用する。すなわち、金
属層を形成するためのレジスト層２０を設ける前に、予
め絶縁膜１４に開口部１６を形成してパッド１２の一部
を露出させる。パッド１２は、中央部を避けて端部にお
いて絶縁膜１４で覆われている。

【００８４】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、
レジスト層２０をパターニングして、貫通穴２２を形成
する。レジスト層２０のパターニングは、開口３４が形
成されたマスク３２を使用して、マスク３２越しにエネ
ルギー３０を照射することで行う。貫通穴２２は、絶縁
膜１４の開口部１６に連通させて形成する。なお、レジ
スト層２０を設ける前に、例えばアルカリ性の溶液を使
用して、ジンケート処理を行ってもよい。これによれ
ば、レジスト層２０をアルカリ性の溶液に浸すことを避
けることができる。

【００８５】図７（Ｃ）に示すように、レジスト層２０
をキュアし、かつ、光エネルギー３６を照射して、その
表面を硬化させる。詳しくは、上述の実施の形態で説明
した通りである。

【００８６】その後、図７（Ｄ）に示すように、レジス
ト層２４をレジスト層２０が形成された以外の基板部分
すべてを覆って設ける。すなわち半導体ウェーハ１０に
おけるパッドが形成されていない裏面、および側面にレ
ジスト層２４を設ける。これにより、すでにパターニン
グ後表面が硬化されたレジスト層２０により、レジスト
層２４を形成する際、スピンコーターなどの基板を支持
する部分がパッドに直接当たることなく機械的キズから
保護され、さらにレジスト層２０も表面が硬化されてい
るため機械的に変形することがない。

【００８７】図８（Ａ）に示すように、レジスト層２４
をキュアし、かつ、光エネルギー３６を照射して、その
表面を硬化させる。詳しくは、上述の実施の形態で説明
した通りである。

【００８８】次に図８（Ｂ）〜図８（Ｄ）に示すよう
に、貫通穴２２に金属層（第１の金属層４０及び第２の
金属層４４）を形成する。金属層は、無電解メッキによ
り形成する。詳しくは、貫通穴２２を使用して（レジス
ト層２０を残して）、第１の金属層４０及び第２の金属
層４４を形成する。第１の金属層４０及び第２の金属層
４４をバンプ５２と称してもよい。第１の金属層４０の
形成方法及びその形態は、上述の通りである。

【００８９】図８（Ｃ）に示すように、レジスト層２０
を除去する。上述した例に示すように、第１の金属層４
０は、貫通穴２２の形状に応じて形成される。すなわ
ち、金属が等方成長する無電解メッキを適用しても、金
属層を横（幅）方向への拡がりを抑えて高さ方向に成長
させることができる。さらに、レジスト層２０は、アル
カリ性の溶液を使用しても、あるいは加熱処理を行って
も変形しにくいので、貫通穴２２の形状を変形させずに
所望の形状で金属層を形成できる。

【００９０】図８（Ｄ）に示すように、必要があれば第
１の金属層４０の表面に第２の金属層４４を形成する。
第２の金属層４４は、レジスト層２０を除去した後に形
成する。すなわち、第２の金属層４４は、第１の金属層
４０の側面を含む表面を覆うように形成する。これによ
って、第１の金属層４０（例えばニッケル層）の酸化を
防止できる。第２の金属層４４は、単一層又は複数層か
らなり、少なくともその表面は金又は銅又は錫で形成す
ることが好ましい。これによって、金属層を配線パター
ン等に確実に電気的接続を図ることができる。第２の金
属層４４は、無電解メッキで形成してもよく、例えば、
第１の金属層４０（ニッケル層）に無電解金メッキ液を
設けて、その表面に第２の金属層４４（金層）を形成し
てもよい。

【００９１】本実施の形態におけるバンプの形成方法に
よっても、上述の実施の形態と同様の効果を得ることが
できる。本実施の形態における半導体装置はバンプ５２
が形成された半導体チップを含む。また、半導体装置の
製造方法は、バンプ５２の形成する工程を含む。

【００９２】図９には、本実施の形態に係る半導体装置
１を実装した回路基板１００が示されている。回路基板
１００には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を
用いることが一般的である。回路基板１００には例えば
銅などからなる配線パターンが所望の回路となるように
形成されていて、それらの配線パターンと半導体装置１
の外部端子７０とを機械的に接続することでそれらの電
気的導通を図る。そして、本発明を適用した半導体装置
１を有する電子機器として、図１０にはノート型パーソ
ナルコンピュータ２００、図１１は携帯電話３００が示
されている。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係るバンプの形成方法を説明する図であり、半導体ウェ
ーハの平面図である。

【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を説明する図であり、半導体
ウェーハの一部の断面図である。

【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、本発明を適用した
第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図
である。

【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、本発明を適用した
第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図
である。

【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置の製造方法を説明する図である。

【図６】図６は、本発明を適用した第１の実施の形態に
係る半導体装置を示す図である。

【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｄ）は、本発明を適用した
第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図
である。

【図８】図８（Ａ）〜図８（Ｄ）は、本発明を適用した
第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示す図
である。

【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態に係る半
導体装置が実装された回路基板を示す図である。

【図１０】図１０は、本発明を適用した実施の形態に係
る半導体装置を有する電子機器を示す図である。

【図１１】図１１は、本発明を適用した実施の形態に係
る半導体装置を有する電子機器を示す図である。

【符号の説明】

１０半導体ウェーハ１２パッド１４絶縁膜１６開口部２０レジスト層２２貫通穴２４レジスト層３０エネルギー３６光エネルギー４０第１の金属層４４第２の金属層５０バンプ５２バンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子に形成されたパッド上にバンプ
を形成するための半導体装置の製造方法において、前記パッドの上方に第１のレジスト層を形成し、前記パ
ッドを形成した前記半導体素子の裏面および側面に第２
のレジスト層を形成し、前記第２のレジスト層に架橋反
応を生じさせるエネルギーを加えて前記第２のレジスト
層を硬化し、前記第１のレジスト層をパターニングし、
前記パターニングした前記第１のレジスト層に架橋反応
を生じさせるエネルギーを加えて前記レジスト層の表面
を硬化し、パターニングにより前記第１のレジスト層に
形成した貫通穴内に前記パッドと電気的に接続する金属
層を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】半導体素子に形成されたパッド上にバンプ
を形成するための半導体装置の製造方法において、前記パッドの上方に第１のレジスト層を形成し、前記第
１のレジスト層に貫通穴を有するようにレジスト層をパ
ターニングし、前記パターニングした前記第１のレジス
ト層に架橋反応を生じさせるエネルギーを加えて前記第
１のレジスト層の表面を硬化し、前記半導体素子の裏面
および側面に第２のレジスト層を形成し、前記第２のレ
ジスト層に架橋反応を生じさせるエネルギーを加えて前
記第２のレジスト層を硬化し、前記貫通穴内に前記パッ
ドと電気的に接続する金属層を形成する工程を含む半導
体装置の製造方法。
【請求項３】半導体素子に形成されたパッド上にバンプ
を形成するための半導体装置の製造方法において、前記パッドの上方に第１のレジスト層を形成し、前記半
導体素子の裏面および側面に第２のレジスト層を形成
し、前記パッド上方に貫通穴を有するように前記第１の
レジスト層をパターニングし、前記第１のレジスト層お
よび前記第２のレジスト層に同時に架橋反応を生じさせ
るエネルギーを加えて前記第１及び第２のレジスト層の
表面を硬化し、前記貫通穴内に前記パッドと電気的に接
続する金属層を形成する工程を含む半導体装置の製造方
法。
【請求項４】請求項１から請求項３のいずれかに記載の
半導体装置の製造方法において、前記第１のレジスト層を少なくとも硬度２０ＨＶ以上に
硬化させる半導体装置の製造方法。
【請求項５】請求項１から請求項３のいずれかに記載の
半導体装置の製造方法において、前記第２のレジスト層、および、パターニングした前記
第１のレジスト層をキュアし、かつ、光エネルギーを照
射する半導体装置の製造方法。
【請求項６】請求項１から請求項３のいずれかに記載の
半導体装置の製造方法において、前記第１のレジスト層、および、第２のレジスト層は、
樹脂及び感光剤を主成分とし、前記光エネルギーは、前
記感光剤を反応させる光波と、前記樹脂を架橋させる光
波を有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】請求項６記載の半導体装置の製造方法にお
いて、前記樹脂は、ノボラック樹脂である半導体装置の製造方
法。
【請求項８】請求項６又は請求項７に記載の半導体装置
の製造方法において、前記第１のレジスト層、および第２のレジスト層を加熱
することで前記感光剤が水と反応することを妨げて、前
記感光剤と前記樹脂とで架橋反応を生じさせ前記レジス
ト層をキュアする半導体装置の製造方法。
【請求項９】請求項１から請求項８のいずれかに記載の
半導体装置の製造方法において、前記金属層を無電解メッキによって形成する半導体装置
の製造方法。
【請求項１０】請求項９記載の半導体装置の製造方法に
おいて、アルカリ性の溶液を用いて無電界メッキを行う半導体装
置の製造方法。
【請求項１１】請求項１から請求項１０のいずれかに記
載の半導体装置の製造方法において、前記金属層を、ニッケル、ニッケルと金の混合物、ニッ
ケルと銅の混合物、銅、ニッケルと金と銅の混合物、ニ
ッケルと銅と錫の混合物、ニッケルと金と銅と錫の混合
物のいずれかにより形成する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】請求項１から請求項１１のいずれかに記
載の半導体装置の製造方法によって、半導体素子の前記
パッドに、前記金属層を含むバンプを形成する工程を含
む半導体装置の製造方法。
【請求項１３】請求項１２に記載の半導体装置の製造方
法で製造されてなる半導体装置。
【請求項１４】請求項１２に記載の半導体装置を搭載し
た回路基板。
【請求項１５】請求項１２に記載の半導体装置を有する
電子機器。
【請求項１６】半導体素子に形成されてなるパッド上に
バンプを形成するための半導体装置の製造方法におい
て、前記パッドの上方にレジスト層を塗布し、前記半導
体素子の裏面および側面に第２のレジスト層を塗布し、
前記パッド上方の前記第１のレジスト層に形成した貫通
穴内に前記パッドと電気的に接続する金属層を形成する
工程を含む半導体装置の製造方法。