JP2006302888A - 給電部材及び加熱装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】給電部材100は、給電対象に接続する第1棒状部材101と、電源に接続する第2棒状部材103と、第1棒状部材101と第2棒状部材103との間に設けられ、第1棒状部材101と第2棒状部材103との熱膨張による長手方向の変形に対応して長手方向に収縮する熱膨張吸収部材102とを備える。
【選択図】図1
Description
〔給電部材の構成〕
始めに、図1,2を参照して、本発明の第1の実施形態に係る給電部材の構成について説明する。なお、図1は給電部材の側面図は示し、図2は図1の矢印A方向からみた給電部材の側面図を示す。
次に、上記給電部材の製造方法について説明する。
〔給電部材の構成〕
次に、図4を参照して、本発明の第2の実施形態に係る給電部材の構成について説明する。なお、以下においては上述した第1実施形態との相違点を主として説明する。
次に、上記給電部材の製造方法について説明する。
〔給電部材の構成〕
次に、図5を参照して、本発明の第3の実施形態に係る給電部材の構成について説明する。なお、以下においては、上述した第1実施形態との相違点を主として説明する。
次に、上記給電部材の製造方法について説明する。
本発明に係る給電部材は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば図6に示すように、熱膨張吸収部材112は棒状部材を螺旋状に巻いた構造であってもよい。また図7に示すように、熱膨張吸収部材122は薄板部材を螺旋状に巻いた構造であってもよい。このような構成によれば、熱膨張吸収部材は、ばね性を有する構造を備えることができ、熱膨張による変形に対して、より適切に収縮し、給電部材の熱膨張による変形量を吸収できる。従って、給電部材は、装置の信頼性を向上させることができる。
上記実施形態の給電部材は、例えば図8に示すような加熱装置に適用することができる。図8に示す加熱装置50は、支持部材1と、セラミック基体2と、抵抗発熱体3と、高周波電極4と、測温プローブ5と、第1端子6と、第2端子7と、コネクタ8a,8bと、冷却シャフト9と、給電部材160と、高周波給電部材170とを備える。セラミック基体2は、内部に抵抗発熱体3及び高周波電極4が埋設されており、基板加熱面にウエハ23を設置する加熱面備える。セラミック基体2は、給電部材160及び高周波給電部材170を挿入する孔を有する。孔は、セラミック基体2の基板加熱面と反対側の接合面14から第1端子6及び第2端子7まで延びている。そのため、第1端子6及び第2端子7の一部は露出している。
次に、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明は下記の実施例に何ら限定されるものではない。なお、この実施例では、始めに以下に示す手順により図8に示す加熱装置を作製する。すなわち、始めに、窒化アルミニウムからなる粉末に抵抗発熱体としてモリブデンコイルを埋設したセラミック基体を作製した。なお、セラミック基体は厚みを10[mm]、直径φを320[mm]に形成した。次に、ウエハを固定するウエハ固定用ピンをアルミナによって作製した。次に、インコネルからなる支持部材を作製し、セラミック基体とねじ固定接合により接合した。なお、支持部材の長さは200[mm]に形成した。次に、支持部材の中空部に、絶縁を確保するためにアルミナ管で覆われた給電部材を3本、抵抗発熱体の温度を測定するプローブとして熱電対プローブを1本それぞれ設けた。そして、作製した加熱装置を用いてサイクル試験を行った。具体的には、チャンバー内を窒素ガスの圧力を10[mTorr]、抵抗発熱体の温度を500[℃]にそれぞれ設定し、10[℃/分]の速度で温度を上げた。次に、抵抗発熱体の温度が500[℃]に到達した時点で10[℃/分]の速度で200[℃]まで温度を下げた。これを1000サイクル繰り返して加熱装置を観察した。
実施例1では、図9(a)に示すように、給電部材を構成する第1及び第2棒状部材をヤング率が205[GPa]であるNiにより形成した。また、第1棒状部材及び第2棒状部材の長手方向の長さはそれぞれ200及び10[mm]とし、断面形状は共にφ5[mm]とした。また、給電部材を構成する熱膨張吸収部材もNiにより形成した。また、熱膨張吸収部材のピッチp,振幅a,及び振幅a/ピッチpの値はそれぞれ5,2,0.4とし、長手方向の長さは30[mm]とした。また、熱膨張吸収部材の断面形状は5×0.3[mm]の長方形形状とした。このような給電部材について、サイクル試験後の端子外れの有無を観察した結果、端子外れが発生していないことが確認された。
実施例2では、図9(b)に示すように、給電部材を構成する第1及び第2棒状部材をヤング率が205[GPa]であるNiにより形成した。また、第1棒状部材及び第2棒状部材の長手方向の長さはそれぞれ200及び10[mm]とし、断面形状は共にφ5[mm]とした。一方、熱膨張吸収部材はヤング率が110[GPa]のCuにより形成され、熱膨張吸収部材をヤング率が第1及び第2棒状部材のヤング率よりも95[GPa]小さい部材により形成した。また、熱膨張吸収部材の断面形状はφ5[mm]とした。このような給電部材について、サイクル試験後の端子外れの有無を観察した結果、端子外れが発生していないことが確認された。
実施例3では、図9(c)に示すように、熱膨張吸収部材をヤング率が69[GPa]のAlにより形成し、熱膨張吸収部材をヤング率が第1及び第2棒状部材のヤング率よりも136[GPa]小さい部材により形成した以外は実施例2と同様の処理を行うことにより給電部材を作製した。このような給電部材について、サイクル試験後の端子外れの有無を観察した結果、端子外れが発生していないことが確認された。
比較例1では、図10(a)に示すように、給電部材をヤング率が205[GPa]であるNiにより形成された棒状部材のみにより形成し、熱膨張吸収部材を設けなかった。また、棒状部材の長手方向の長さは240[mm]とし、断面形状はφ5[mm]とした。このような給電部材について、サイクル試験後の端子外れの有無を観察した結果、2本の給電端子が外れていることが確認された。
比較例2では、図10(b)に示すように、給電部材を構成する熱膨張吸収部材をヤング率が193[GPa]のSU316により形成し、熱膨張吸収部材をヤング率が第1及び第2棒状部材のヤング率よりも12[GPa]小さい部材により形成した以外は実施例2と同じ処理を行うことにより、比較例2の給電部材を作製した。このような給電部材について、サイクル試験後の端子外れの有無を観察した結果、給電端子が1本外れていることが確認された。
101:第1棒状部材
102:熱膨張吸収部材
103:第2棒状部材
Claims (7)
- 管状の支持部材の中空部に備えられ、支持部材が支持するセラミック基体内に埋設された抵抗発熱体又は電極の少なくとも1つに給電する給電部材であって、
給電対象に接続する第1棒状部材と、
電源に接続する第2棒状部材と、
前記第1棒状部材と前記第2棒状部材との間に設けられ、第1棒状部材と第2棒状部材の熱膨張に伴う長手方向の変形に対応して長手方向に収縮する熱膨張吸収部材と
を備えることを特徴とする給電部材。 - 前記熱膨張吸収部材は、棒状部材を螺旋状に巻いた構造、薄板部材を螺旋状に巻いた構造、又は、薄板部材の短手方向に伸びる山状及び谷状の屈曲部を長手方向に交互に入れた構造により形成された部材であることを特徴とする請求項1に記載の給電部材。
- 前記熱膨張吸収部材は湾曲部を備えることを特徴とする請求項1に記載の給電部材。
- 管状の支持部材の中空部に備えられ、支持部材が支持するセラミック基体内に埋設された抵抗発熱体又は電極の少なくとも1つに給電する給電部材であって、
給電対象に接続する第1棒状部材と、
電源に接続する第2棒状部材と、
前記第1棒状部材と前記第2棒状部材との間に設けられ、第1棒状部材と第2棒状部材の熱膨張に伴う長手方向の変形に対応して長手方向に収縮する熱膨張吸収部材とを備え、
前記熱膨張吸収部材はヤング率が前記第1及び第2棒状部材のヤング率より50[GPa]以上小さい部材により形成されていること
を特徴とする給電部材。 - 前記熱膨張吸収部材は、棒状部材を螺旋状に巻いた構造、薄板部材を螺旋状に巻いた構造、又は、薄板部材の短手方向に伸びる山状及び谷状の屈曲部を長手方向に交互に入れた構造により形成された部材であることを特徴とする請求項4に記載の給電部材。
- 山状の屈曲部から隣接する次の山状の屈曲部までの長手方向の長さpに対する山状の屈曲部から隣接する谷状の屈曲部までの短手方向の長さaの割合a/pが0.2以上2以下であることを特徴とする請求項2又は請求項5に記載の給電部材。
- 電力が供給される抵抗発熱体又は電極の少なくとも1つが埋設されたセラミック基体と、前記セラミック基体を支持する管状の支持部材と、前記支持部材の中空部に備えられ、前記抵抗発熱体又は前記電極の少なくとも1つに給電する給電部材とを備える加熱装置であって、
前記給電部材は、
給電対象に接続する第1棒状部材と、
電源に接続する第2棒状部材と、
前記第1棒状部材と前記第2棒状部材との間に設けられ、第1棒状部材と第2棒状部材の熱膨張に伴う長手方向の変形に対応して長手方向に収縮する熱膨張吸収部材と
を備えることを特徴とする加熱装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (12)
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US20080016684A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | General Electric Company | Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof |
US20080006204A1 (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-10 | General Electric Company | Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof |
KR101338350B1 (ko) | 2007-07-16 | 2013-12-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터를 이용한 나노 구조 또는 다결정 실리콘형성 방법, 이에 따라 형성된 나노 구조 또는 다결정실리콘 및 이들을 이용하는 전자 장치 |
KR101318292B1 (ko) | 2007-11-30 | 2013-10-18 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 전자 장치 |
JP4447635B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2010-04-07 | アイシン高丘株式会社 | 電極支持構造及びそれを有する通電加熱装置 |
KR20090128006A (ko) | 2008-06-10 | 2009-12-15 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 패턴 형성 방법 |
JP5917946B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマエッチング装置 |
DE102012005786A1 (de) * | 2012-03-21 | 2013-09-26 | Emitec Gesellschaft Für Emissionstechnologie Mbh | Verdrehsicherer elektrischer Anschluss, insbesondere für einen elektrisch beheizbaren Wabenkörper |
US20150083042A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Applied Materials, Inc. | Rotatable substrate support having radio frequency applicator |
DE102014112645A1 (de) | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Aixtron Se | Heizeinrichtung |
SE541352C2 (en) * | 2015-06-03 | 2019-08-13 | Apr Tech Ab | Microfluidic array |
JP6758143B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-09-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538995Y2 (ja) * | 1974-09-04 | 1978-03-09 | ||
JPS55112392A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-29 | Nittetsu Kakoki Kk | Treating of waste liquor |
JPH0314350U (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-13 | ||
JPH07153552A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nippon Tungsten Co Ltd | Ptc発熱装置 |
JP2002184841A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-28 | Applied Materials Inc | 電流導入端子及び基板支持装置 |
JP2003086519A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置 |
JP2003133195A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05326112A (ja) | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒーター |
JP2000055462A (ja) | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 流体加熱装置およびそれを用いた基板処理装置 |
JP2002313781A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板処理装置 |
KR100798179B1 (ko) * | 2001-04-27 | 2008-01-24 | 교세라 가부시키가이샤 | 웨이퍼 가열장치 |
KR100464778B1 (ko) * | 2001-07-16 | 2005-01-05 | 유병훈 | 안테나 |
JP4254424B2 (ja) | 2003-08-22 | 2009-04-15 | 株式会社デンソー | ガスセンサ及びその組付方法 |
KR200403718Y1 (ko) | 2005-09-26 | 2005-12-12 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 발열체의 유지 구조체, 절연 구조체, 가열장치 및기판처리장치 |
-
2006
- 2006-04-14 JP JP2006111542A patent/JP2006302888A/ja active Pending
- 2006-04-17 KR KR1020060034394A patent/KR100773802B1/ko active IP Right Grant
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- 2006-04-18 CN CNB200610075826XA patent/CN100539766C/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS538995Y2 (ja) * | 1974-09-04 | 1978-03-09 | ||
JPS55112392A (en) * | 1979-02-20 | 1980-08-29 | Nittetsu Kakoki Kk | Treating of waste liquor |
JPH0314350U (ja) * | 1989-06-28 | 1991-02-13 | ||
JPH07153552A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nippon Tungsten Co Ltd | Ptc発熱装置 |
JP2002184841A (ja) * | 2000-12-01 | 2002-06-28 | Applied Materials Inc | 電流導入端子及び基板支持装置 |
JP2003086519A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 被処理物保持体およびその製造方法ならびに処理装置 |
JP2003133195A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Ngk Insulators Ltd | 加熱装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009009795A (ja) * | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Taiheiyo Cement Corp | セラミックスヒーター |
JP2009283437A (ja) * | 2008-05-23 | 2009-12-03 | Samsung Electronics Co Ltd | マイクロヒーター、マイクロヒーターアレイ、その製造方法及びこれを用いた電子装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100773802B1 (ko) | 2007-11-07 |
TWI309141B (en) | 2009-04-21 |
CN100539766C (zh) | 2009-09-09 |
US20060231034A1 (en) | 2006-10-19 |
CN1856190A (zh) | 2006-11-01 |
KR20060110201A (ko) | 2006-10-24 |
TW200644740A (en) | 2006-12-16 |
US7525071B2 (en) | 2009-04-28 |
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