CN100539766C - 供电部件以及加热装置 - Google Patents
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- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 68
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 40
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 34
- BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N helicin Chemical group O[C@@H]1[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1OC1=CC=CC=C1C=O BGOFCVIGEYGEOF-UJPOAAIJSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 abstract description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 sialon (SiAlON) Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heating elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
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Abstract
本发明提供可提高装置的可靠性的供电部件以及使用了它的加热装置。该供电部件(100)具备：与供电对象连接的第1棒状部件(101)、与电源连接的第2棒状部件(103)、在第1棒状部件(101)与第2棒状部件(103)之间设置的根据第1棒状部件(101)与第2棒状部件(103)的因热膨胀产生的长方向的变形而沿长方向收缩的热膨胀吸收部件(102)。
Description
技术领域
本发明涉及适合用于热CVD装置以及等离子体CVD装置等半导体制造装置的供电部件以及加热装置。
背景技术
迄今为止，具备埋设有电阻发热体和电极的陶瓷基体、支撑陶瓷基体的管状的支撑部件、在支撑部件的空心部具备的对埋设在陶瓷基体的电阻发热体和电极供电的供电部件的加热装置(以下表述为陶瓷加热器)已广为人知(参照专利文献1-特开平5-326112号公报)。在原来的陶瓷加热器中，利用镍或镍基合金形成的供电部件的一端与埋设在陶瓷基体中的电阻发热体或电极连接，另一端通过连接器等与电源连接。
然而，在原来的陶瓷加热器中，由于供电部件与支撑部件由不同的材料形成，同时，供电部件和支撑部件很多时候使用时的温度不同，所以，供电部件与支撑部件的热膨胀之差大。此外，如上所述，供电部件的一端与埋设在陶瓷基体中的电阻发热体或电极连接，另一端通过连接器等与电源连接。此外，供电部件的另一端为了气密地保持真空室内部而由O圈支撑并固定。
因此，采用原来的陶瓷加热器的结构的话，由于供电部件不能随温度变化而自由地热膨胀，所以，因在电阻发热体或电极与供电部件的接合部分产生过度的应力，从而供电部件有可能从电阻发热体或电极脱落(端子脱落)，同时在接合部附近的陶瓷基体产生龟裂。因此，原来的陶瓷加热器在可靠性方面有问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供可提高装置的可靠性的供电部件以及使用了它的加热装置。
本发明的供电部件的特征在于，配备在管状的支撑部件的空心部、对支撑部件支撑的陶瓷基体中埋设的电阻发热体或电极的至少一者供电，其具备：与供电对象连接的第1棒状部件、与电源连接的第2棒状部件、在第1棒状部件与第2棒状部件之间设置的根据第1棒状部件与第2棒状部件的伴随着热膨胀的长方向的变形而在长方向收缩的热膨胀吸收部件。
本发明的加热装置的特征在于，具备，埋设有被供给电力的电阻发热体或电极的至少一个的陶瓷基体、支撑陶瓷基体的管状的支撑部件、以及在支撑部件的空心部具备的对电阻发热体或电极的至少一个供电的供电部件，供电部件具备，与供电对象连接的第1棒状部件、与电源连接的第2棒状部件、在第1棒状部件与第2棒状部件之间设置的根据第1棒状部件与第2棒状部件的伴随着热膨胀的长方向的变形而在长方向收缩的热膨胀吸收部件。
还有，热膨胀吸收部件也可以是采用螺旋状地卷起棒状部件的结构、螺旋状地卷起薄板部件的结构、或把沿薄板部件的在短方向延伸的山状或谷状的弯曲部在长方向交替排列的结构来形成的部件。采用这样的结构的话，热膨胀吸收部件能够具备具有弹性的结构，对于热膨胀导致的变形，能够更加适当地收缩，吸收供电部件因热膨胀引起的变形量。
此外，热膨胀吸收部件也可以具备弯曲部。采用这种结构的话，由于热膨胀吸收部件不需要改变截面形状，从而能够维持供电部件整体的强度，同时具备具有弹性的结构或易于屈曲的结构。因此，热膨胀吸收部件对于热膨胀引起的变形更适当地收缩或屈曲，能够吸收供电部件因热膨胀引起的变形量。
此外，希望热膨胀吸收部件与棒状部件的杨氏模量之差在50Gpa或其以上。采用这种结构的话，热膨胀吸收部件更加易于收缩，对于热膨胀引起的变形，能够更适当地收缩或屈曲，吸收供电部件因热膨胀引起的变形量。
此外，希望从山状的弯曲部到相邻的谷状的弯曲部的在短方向的长度a与从山状的弯曲部到相邻的下一个山状的弯曲部的在长方向的长度p的比例a/p为0.2或其以上2或其以下。
采用本发明的话，由于供电部件通过具备热膨胀吸收部件而具有收缩性，从而在把供电部件连接到供电对象时，即使因供电而使供电部件发热，供电部件热膨胀的情况下，也能够通过热膨胀吸收部件的收缩，吸收伴随着热膨胀的供电部件在长方向的变形量，提高可靠性。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式的供电部件的一侧的侧视图。
图2是本发明的第1实施方式的供电部件的另一侧的侧视图。
图3是表示图1所示的供电部件的应用例的结构的侧视图。
图4是表示本发明的第2实施方式的供电部件的截面图。
图5是表示本发明的第3实施方式的供电部件的截面图。
图6是表示本发明的其它实施方式的供电部件的示意图。
图7是表示本发明的其它实施方式的供电部件的示意图。
图8是表示本发明的实施方式的加热装置的截面图。
图9是表示对实施例1～3的供电部件评价循环试验后的端子脱落的结果的图。
图10是表示对比较例1、2的供电部件评价循环试验后的端子脱落的结果的图。
图中：100—供电部件；101—第1棒状部件；102—热膨胀吸收部件；103—第2棒状部件。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。还有，在以下附图的记述中，对相同或类似的部分给与相同或类似的符号。此外，本发明的实施方式的供电部件为直径D、轴向的截面积S、长度L的供电部件。但是请注意，附图只是示意，各尺寸的比例等与实际上不同。因此，具体的尺寸等参考以下的说明可以判断。此外，附图相互之间当然也包含相互的尺寸之间的关系或比例不同的部分。此外，在本发明的实施方式中的供电部件使用的棒状部件在轴向的截面形状没有特别记载的话，虽然是圆形，但也可以是长方形、椭圆形。此时，使与长方形、椭圆形的截面面积具有相同面积的圆的直径为等价直径D。
实施例1
供电部分的结构
首先，参照图1、2，对本发明的第1实施方式的供电部件的结构进行说明。还有，图1表示供电部件的侧视图，图2表示从图1的箭头A方向所见的供电部件的侧视图。
本实施方式的供电部件100是配备在管状的支撑部件的空心部、对支撑部件支撑的陶瓷基体中埋设的电阻发热体或电极的至少一者供电的供电部件，如图1、2所示，其具备：与供电对象连接的第1棒状部件101、与电源连接的第2棒状部件103、在第1棒状部件101与第2棒状部件103之间设置的根据第1棒状部件101与第2棒状部件103的伴随着热膨胀的长方向的变形而在长方向收缩的热膨胀吸收部件102。
供电部件100较好是耐热性好、即使流过最大10A或其以上50A或其以下的大电流也不发热的电阻率小的材料。因此，供热部件100希望是由Ni基耐热合金形成。此外，Ni基耐热合金更好是使用Ni纯度在99％或其以上的合金。
为了减小电阻率，第1棒状部件101以及第2棒状部件103的直径D101大的话更好。但是，由于供电部件100与发热体供电部件等同时配备在管状的支撑部件的空心部，从而第1棒状部件101以及第2棒状部件103的直径D101更好是1mm或其以上10mm或其以下。
热膨胀吸收部件102在长方向的长度L102在3mm或其以上较好。但是，由于长度L102过短的话，因对热膨胀吸收部件102反复施加过大的应力而使热膨胀吸收部件102有可能断裂，反过来长度L102过长的话，则难以安装连接器，所以，长度L102更好是3mm或其以上50mm或其以下。
热膨胀吸收部件102希望是采用把沿薄板状部件的短方向延伸的山状或谷状的弯曲部在长方向交替地排列的结构来形成的部件。还有，山状以及谷状的弯曲部的形状并不特别限定，能够做成例如三角形或图3所示的正弦曲线形。此外，山状以及谷状的弯曲部的数目n由于依赖于长度L102和供电部件100的随热膨胀的在长方向的变形量，从而使之为1～50个。特别地，弯曲部的数目n为1～10个则更好。
从热膨胀吸收部件102的山状的弯曲部到下一个弯曲部的间距p102是用弯曲部的数目n除长度L102为基础算出。作为从热膨胀吸收部件102的山状的弯曲部到谷状的弯曲部的距离的振幅a与间距p的比例a/p为0.2或其以上2或其以下。为了吸收供电部件100的随热膨胀在长方向的变形量，振幅a大的话比较好。但是，供电部件100的振幅a过大的话，由于在薄板状部件易于产生龟裂，并且不能放入具备有供电部件100的支撑部件的空心部，因此，振幅a与间距p的比例a/p更好是0.2或其以上1.5或其以下。
热膨胀吸收材料102较好是尽可能保持在低温环境下。具体地说，通过使与电源连接、保持在低温环境下的第2棒状部件103在长方向的长度L103在1mm或其以上100mm或其以下，就能够把热膨胀吸收部件102保持在低温环境。还有，更好是使长度L103在3mm或其以上50mm或其以下。
热膨胀吸收部件102的宽度w102与第1棒状部件101以及第2棒状部件103的直径D101相同或更小。热膨胀吸收部件102的厚度t102在3mm或其以下。但是，宽度w102以及厚度t102过小的话，在长方向反复收缩时热膨胀吸收部件102有可能短时间断裂。因此，宽度w102更好是在1mm或其以上，比直径D101更小。此外，厚度t102更好是在0.2mm或其以上2mm或其以下。
供电部件的制造方法
其次，对上述供电部件的制造方法进行说明。
制造上述供电部件时，首先，制造第1棒状部件101、热膨胀吸收部件102、第2棒状部件103成为一体的棒状部件，把棒状部件的一部分削成薄板状部件。其次，通过把薄板状部件挤压成具有在薄板状部件的短方向延伸的山形以及谷形的弯曲部在长方向交替排列的结构的形状，来形成热膨胀吸收部件102，制造供电部件100。还有，把薄板状部件挤压成形并形成热膨胀吸收部件102后，通过分别焊接或钎焊热膨胀吸收部件102、第1棒状部件101、第2棒状部件103，来制造供电部件也可。
从以上说明可知，采用本实施方式的供电部件100的话，由于供电部件100具备与供电对象连接的第1棒状部件101、与电源连接的第2棒状部件103、在第1棒状部件101与第2棒状部件103之间设置的根据第1棒状部件101与第2棒状部件103的因热膨胀产生的长方向的变形而在长方向收缩的热膨胀吸收部件102，从而能够使供电部件100具有收缩性。
由此，在把供电部件100连接到供电对象上时，即使在因供电而对供电部件100施加热，导致热膨胀的情况下，也能够通过热膨胀吸收部件102收缩，吸收伴随着供电部件在长方向的变形量。因此，供电部件100通过具备能够吸收热膨胀导致的变形量的结构，能够提高装置的可靠性。
此外，热膨胀吸收部件102因是使薄板状部件的短方向延伸的山形或谷形的弯曲部形成在长方向交替排列的结构的部件，从而能够具备具有弹性的结构。这样，热膨胀吸收部件102能够更适当地对热膨胀收缩，吸收供电部件100因热膨胀导致的变形量。
实施例2
其次，参照图4，对本发明的第2实施方式的供电部件的结构进行说明。还有，以下主要对于上述第1实施方式不同之点进行说明。
在本实施方式中，如图4所示，热膨胀吸收部件132具备作为从第1棒状部件131以及第2棒状部件133的长方向的中心线的距离的弯曲量y132在0.1mm或其以上的弯曲部。热膨胀吸收部件132在长方向的长度L132在3mm或其以上。作为供电部件130，注意保持一定强度的话，长度L132更好是在5mm或其以上，并且比长度L130短100mm的长度以下。弯曲量y132在0.1mm或其以上20mm或其以下。但是，为了保持供电部件130的强度，还考虑到支撑部件内的容纳空间，弯曲量y132更好是0.5mm或其以上10mm或其以下。
供电部件的制造方法
其次，对上述供电部件的制造方法进行说明。
制造上述供电部件时，首先，制造第1棒状部件131、热膨胀吸收部件132、第2棒状部件133成为一体的棒状部件。其次，通过把薄板状部件挤压成具有作为从第1棒状部件131以及第2棒状部件133的长方向的中心线离开的距离的弯曲量y132在0.1mm或其以上的弯曲部的形状，来形成热膨胀吸收部件132，制造供电部件130。
从以上说明可知，采用本实施方式的供电部件130的话，由于热膨胀吸收部件132具备从第1棒状部件131以及第2棒状部件133的长方向的中心线离开的距离即弯曲量y132在0.1mm或其以上的弯曲部，从而不必改变热膨胀吸收部件133的截面形状，能够维持供电部件130整体的强度，同时，具有弹性的结构或具备易于屈曲的结构。因此，热膨胀吸收部件132对于热膨胀导致的变形更适当地收缩或屈曲，能够吸收供电部件130因热膨胀产生的变形量，能够提高装置的可靠性。
实施例3
其次，参照图5，对本发明的第3实施方式的供电部件的结构进行说明。还有，以下主要对于上述第1实施方式不同之点进行说明。
在本实施方式中，热膨胀吸收部件152由杨氏模量比第1棒状部件151以及第2棒状部件153的杨氏模量小50Gpa或其以上的部件形成。还有，对这种部件的组合的具体例将在后述的实施例给出。热膨胀吸收部件152在长方向的长度L152在0.1mm或其以上50mm或其以下。但是，为了保持供电部件150的强度，长度L152更好是在0.3mm或其以上30mm或其以下。
供电部件的制造方法
其次，对上述供电部件的制造方法进行说明。
上述供电部件150能够通过分别焊接、钎焊、利用摩擦的压接热膨胀吸收部件152、第1棒状部件151以及第2棒状部件153来制造。还有，通过利用铆接、压入、热压配合、螺旋夹来连接热膨胀吸收部件152、第1棒状部件151以及第2棒状部件153，也能够制造供电部件150。
从以上说明可知，采用本实施方式的供电部件150的话，由于热膨胀吸收部件152是由杨氏模量比第1棒状部件151以及第2棒状部件153的杨氏模量小50Gpa或其以上的部件形成，从而更加易于收缩，对于热膨胀导致的变形更适当地收缩，能够吸收供电部件150因热膨胀产生的变形量，因此，供电部件150能够进一步提高装置的可靠性。
其它实施方式以及变形例
本发明的供电部件并不限于上述实施方式，可以有各种变形。例如，如图6所示，热膨胀吸收材料112也可以是把棒状部件卷成螺旋状的结构。此外，如图7所示，热膨胀吸收材料122也可以是把薄板状部件卷成螺旋状的结构。采用这种结构的话，热膨胀吸收部件能够具备具有弹性的结构，对于热膨胀导致的变形更适当地收缩，能够吸收供电部件的引热膨胀导致的变形量。因此，供电部件能够提高装置的可靠性。
供电部件的应用例
上述实施方式的供电部件能够例如应用于如图8所示的加热装置。图8所示的加热装置50具备支撑部件1、陶瓷基体2、电阻发热体3、高频电极4、测温探针5、第1端子6、第2端子7、连接器8、冷却柱9、供电部件160以及高频供电部件170。陶瓷基体2在内部埋设有电阻发热体3以及高频电极4，具备在基板加热面设置晶圆23的加热面。陶瓷基体2具有排列供电部件160以及高频供电部件170的孔。孔从与陶瓷基体2的基板加热面相反一侧的接合面14延伸到第1端子6以及第2端子7。因此，第1端子6以及第2端子7的一部分露出来。
陶瓷基体2能够使用圆盘状等板状的基体。另外，陶瓷基体2能够由陶瓷、金属、陶瓷与金属的复合材料等构成。例如，陶瓷基体2由氮化铝(AlN)、氧化铝(Al2O3)、氮化硅(SiN)、碳化硅(SiC)、硅铝氧氮聚合材料(SiAlON)、铝(Al)、铝合金、铝合金-氮化铝复合物、铝合金-SiC复合物等构成。
陶瓷基体2较好是由氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅构成，更好是由具有95％以上相对密度的氮化铝、氧化铝构成。并且，陶瓷基体2最好是由热传导率高、具有95％以上相对密度的氮化铝构成。这样，能够提供耐腐蚀性优良的陶瓷加热器50。
电阻发热体3以及高频电极4埋设在陶瓷基体2内部。电阻发热体3从供电部件160被供给电力并发热。电阻发热体3与第1端子6连接。具体地，电阻发热体3预先利用铆接、钎焊、螺钉与第1端子连接。并且，电阻发热体3通过第1端子6与供电部件160连接，接受电力供应。
高频电极4从高频供电部件170被供给高频电力。通过对高频电极4和固定在腔室内的上侧壁面的上侧高频电极13供给高频电力，能够把高电压、高温施加给高频电极4和上侧高频电极之间的原料气体或清洗气体。这样，原料气体或清洗气体成为等离子体状态。高频电极4与第2端子7连接。具体地，高频电极4通过铆接、钎焊、螺钉与第2端子7连接。并且，高频电极4通过第2端子7与高频供电部件170连接，接受电力供应。
电阻发热体3以及高频电极4由钽、钼(Mo)、钨(W)、铌(Nb)、碳化钨(WC)、白金、铼、铪等纯金属或合金构成。电阻发热体3以及高频电极4的形态并不限定，例如，能够用印刷含有高熔点材料的粉末的印刷胶形成的材料、利用物理蒸发法或化学蒸发法形成的薄膜、线材、线圈材料、筛网材料、板材等。
电阻发热体3以及高频电极4的图案形状能够采用涡旋形、筛网形等。第1端子6连接电阻发热体3和供电部件160。第2端子7连接高频电极4和高频供电部件170。第1端子6以及第2端子7能够由钼或铌构成。第1端子6以及第2端子7也可以在表面被金或镍涂敷。第1端子6以及第2端子7能够使用球状或圆柱状的端子。
供电部件160配备在管状的支撑部件1的空心部、对埋设于支撑在支撑部件1上的陶瓷基体2中的电阻发热体3供电。高频供电部件170配备在管状的支撑部件的空心部、对埋设于支撑在支撑部件1上的陶瓷基体2中的高频电极4供电。
供电部件160以及高频供电部件170以不与相邻的供电部件接触的状态安装在空心的绝缘套管31内。此外，供电部件160以及高频供电部件170与冷却柱9之间设有由氟系的耐热橡胶形成的O圈32，真空室22内被气密地保持。
供电部件160以及高频供电部件170具备与供电对象连接的第1棒状部件、与电源连接的第2棒状部件以及在第1棒状部件和第2棒状部件之间设置的、与第1棒状部件和第2棒状部件的因热膨胀导致的长方向的变形对应沿该长方向收缩的热膨胀吸收部件。
供电部件160的第1棒状部件通过第1端子6与电阻发热体3连接。此外，供电部件160的第2棒状部件通过连接器8与电源连接。高频供电部件170的第1棒状部件通过第2端子7与高频电极4连接。此外，高频供电部件170的第2棒状部件通过连接器8b与高频电源连接。
支撑部件1具备管状的空心部，在该空心部容纳供电部件160以及高频供电部件170。支撑部件1与和陶瓷基体2的基板加热面相反一侧的接合面14接合。支撑部件1的材质是对卤素系腐蚀性气体有抗腐蚀性的陶瓷或金属。此外，支撑部件1的材质更好是与陶瓷基体2的材质相同。
支撑部件1的材质是金属的情况下，较好是不锈钢等镍基合金或铝合金，更好是作为耐热镍合金的铬镍铁合金。支撑部件1通过固相接合等直接结合、钎焊、螺钉固定等机械接合与陶瓷基体2接合。这种接合在使用固相接合、固液接合、钎焊的情况下，能够由卤素系腐蚀性气体保护在支撑部件1的空心部1具备的金属部件。
对于该接合，在使用螺钉固定的场合，通过在支撑部件1的下部至少具备一个气体导入孔12，就能够由卤素系腐蚀性气体保护金属部件。从气体导入孔12填充到支撑部件1的空心部的卤素系腐蚀性气体由于从支撑部件1的下部进入，温度足够低，由于成为活性小的中性分子，从而难以对金属部件产生腐蚀性。还有，该孔12在其它的气密接合(固相、固液、钎焊)中则不需要。
加热装置50能够具备静电吸盘用电极作为电极。静电吸盘用电极用于利用电力供应产生静电引力，吸附基板。本发明的加热装置的用途并不特别限定，例如能够应用于化学气相生长装置、物理气相生长装置、刻蚀装置、烘干装置、涂层用硬化装置。并且，安装在陶瓷基体上的供电部件被保持在高温环境，供电部件的两端被固定的话，当然也可以是在供电部件之外具备陶瓷基体的支撑部件的加热装置。
实施例
其次，用实施例对本发明进行更详细的说明，但本发明并不限定于下述实施例。还有，在本实施例中，首先利用以下所示的顺序制作图8所示的加热装置。即，首先，制作在由氮化铝做成的粉末中埋设了作为电阻发热体的钼线圈的陶瓷基体。还有，陶瓷基体厚度为10mm，直径φ为320mm。其次，用氧化铝制作固定晶圆的晶圆固定用栓。其次，制作铬镍铁合金组成的支撑部件，用螺钉固定与陶瓷基体接合。还有，支撑部件的长度为200mm。其次，在支撑部件的空心部分别设置3个为了确保绝缘而被氧化铝管覆盖的供电部件和一个作为测量电阻发热体的温度的探针的热点偶探针。然后，用制作的加热装置进行了循环试验。具体地，分别设定腔室内氮气的压力为10mTorr，电阻发热体的温度为500℃，以10℃/分钟的速度升温。其次，在电阻发热体的温度到达500℃的时刻以10℃/分钟的速度下降直到200℃。反复循环1000次，对加热装置进行观察。
实施例1
在实施例1中，如图9(a)所示，用杨氏模量为205GPa的Ni形成构成供电部件的第1以及第2棒状部件。此外，使第1棒状部件以及第2棒状部件的长方向的长度分别为200以及10mm，截面形状都为φ5mm。此外，构成供电部件的热膨胀吸收部件也由Ni形成。此外，使热膨胀吸收部件的间距p、振幅a以及振幅a/间距p的值分别为5、2、0.4，长方向的长度为30mm。此外，使热膨胀吸收部件的截面形状为5×0.3mm的长方形。对于这种供电部件，观察循环试验后端子脱落的有无，结果，确认没有发生端子脱落。
实施例2
在实施例2中，如图9(b)所示，用杨氏模量为205GPa的Ni形成了构成供电部件的第1以及第2棒状部件。此外，使第1棒状部件以及第2棒状部件在长方向的长度分别为200以及10mm，截面形状都为φ5mm。另一方面，热膨胀吸收部件是由杨氏模量为110GPa的Cu形成，由杨氏模量比第1以及第2棒状部件的杨氏模量小95GPa的部件形成热膨胀吸收部件。此外，使热膨胀吸收部件的截面形状为φ5mm。对于这种供电部件，观察循环试验后端子脱落的有无，结果，确认没有发生端子脱落。
实施例3
在实施例3中，如图9(c)所示，除以杨氏模量为69GPa的Al形成热膨胀吸收部件，由杨氏模量比第1以及第2棒状部件的杨氏模量小136GPa的部件形成热膨胀吸收部件之外，进行与实施例2相同的处理来制成供电部件。对于这种供电部件，观察循环试验后端子脱落的有无，结果，确认没有发生端子脱落。
比较例1
在比较例1中，如图10(a)所示，仅用由杨氏模量为205GPa的Ni形成的棒状部件形成供电部件，不设置热膨胀吸收部件。此外，使棒状部件长方向的长度为240mm，截面形状为φ5mm。对于这种供电部件，观察循环试验后端子脱落的有无，结果，确认了2个供电端子脱落。
比较例2
在比较例2中，如图10(b)所示，用杨氏模量为193GPa的SU316形成构成供电部件的热膨胀吸收部件，由杨氏模量比第1以及第2棒状部件的杨氏模量小12GPa的部件形成热膨胀吸收部件，除此之外，进行与实施例2相同的处理制作了比较例2的供电部件。对于这种供电部件，观察循环试验后端子脱落的有无，结果，确认了1个供电端子脱落。
以上，对利用本发明者提出的发明的实施的方式进行了说明，但本发明并不被成为该实施方式的本发明的开始的一部分的论述以及附图所限定。即，基于上述实施方式，本行业人员等提出的其他实施方式、实施例以及运用技术等当然度包括在本发明的技术范畴内。
Claims (6)
1.一种供电部件，配备在管状的支撑部件的空心部，对支撑部件支撑的陶瓷基体中埋设的电阻发热体或电极的至少一者供电，其特征在于，具备：
与供电对象连接的第1棒状部件，
与电源连接的第2棒状部件，以及，
在第1棒状部件与第2棒状部件之间设置的根据第1棒状部件与第2棒状部件的伴随着热膨胀的长方向的变形而沿长方向收缩的热膨胀吸收部件，
所述热膨胀吸收部件是采用螺旋状地卷起棒状部件的结构、螺旋状地卷起薄板部件的结构、或把沿薄板部件的短方向延伸的山状或谷状的弯曲部沿长方向交替排列的结构来形成的部件。
2.根据权利要求1所述的供电部件，其特征在于：上述热膨胀吸收部件具备弯曲部。
3.一种供电部件，配备在管状的支撑部件的空心部，对支撑部件支撑的陶瓷基体中埋设的电阻发热体或电极的至少一者供电，其特征在于，具备：
与供电对象连接的第1棒状部件，
与电源连接的第2棒状部件，以及，
在上述第1棒状部件与上述第2棒状部件之间设置的根据第1棒状部件与第2棒状部件的伴随着热膨胀的长方向的变形而沿长方向收缩的热膨胀吸收部件，
上述热膨胀吸收部件由杨氏模量比上述第1以及第2棒状部件的杨氏模量小50Gpa或其以上的部件形成。
4.根据权利要求3所述的供电部件，其特征在于：上述热膨胀吸收部件是由把棒状部件卷成螺旋状的结构、把薄板部件卷成螺旋状的结构、或把沿薄板部件的短方向延伸的山形以及谷形的弯曲部沿长方向交替排列的结构形成的部件。
5.根据权利要求1或4所述的供电部件，其特征在于：从山状的弯曲部到相邻的谷状的弯曲部在短方向的长度a与从山状的弯曲部到相邻的下一个山状的弯曲部在长方向的长度p的比例a/p为0.2以上且2以下。
6.一种加热装置，具备，埋设有被供给电力的电阻发热体或电极的至少一个的陶瓷基体、支撑上述陶瓷基体的管状的支撑部件、在上述支撑部件的空心部具备的对上述电阻发热体或上述电极的至少一个供电的供电部件，其特征在于，上述供电部件具备：
与供电对象连接的第1棒状部件，
与电源连接的第2棒状部件，以及，
在上述第1棒状部件与上述第2棒状部件之间设置的根据第1棒状部件与第2棒状部件的伴随着热膨胀的长方向的变形而沿长方向收缩的热膨胀吸收部件，以及
所述热膨胀吸收部件是采用螺旋状地卷起棒状部件的结构、螺旋状地卷起薄板部件的结构、或把沿薄板部件的短方向延伸的山状或谷状的弯曲部沿长方向交替排列的结构来形成的部件。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US67273705P | 2005-04-19 | 2005-04-19 | |
| US60/672,737 | 2005-04-19 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1856190A CN1856190A (zh) | 2006-11-01 |
| CN100539766C true CN100539766C (zh) | 2009-09-09 |
Family
ID=37195903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB200610075826XA Active CN100539766C (zh) | 2005-04-19 | 2006-04-18 | 供电部件以及加热装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7525071B2 (zh) |
| JP (1) | JP2006302888A (zh) |
| KR (1) | KR100773802B1 (zh) |
| CN (1) | CN100539766C (zh) |
| TW (1) | TWI309141B (zh) |
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| KR101338350B1 (ko) | 2007-07-16 | 2013-12-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터를 이용한 나노 구조 또는 다결정 실리콘형성 방법, 이에 따라 형성된 나노 구조 또는 다결정실리콘 및 이들을 이용하는 전자 장치 |
| KR101318292B1 (ko) | 2007-11-30 | 2013-10-18 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 전자 장치 |
| JP4447635B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2010-04-07 | アイシン高丘株式会社 | 電極支持構造及びそれを有する通電加熱装置 |
| KR20090122083A (ko) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 전자 장치 |
| KR20090128006A (ko) | 2008-06-10 | 2009-12-15 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 히터, 마이크로 히터 어레이, 그 제조 방법 및이를 이용한 패턴 형성 방법 |
| JP5917946B2 (ja) * | 2012-02-24 | 2016-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板載置台及びプラズマエッチング装置 |
| US20150083042A1 (en) * | 2013-09-26 | 2015-03-26 | Applied Materials, Inc. | Rotatable substrate support having radio frequency applicator |
| DE102014112645A1 (de) | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Aixtron Se | Heizeinrichtung |
| SE541352C2 (en) * | 2015-06-03 | 2019-08-13 | Apr Tech Ab | Microfluidic array |
| JP6758143B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-09-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS538995Y2 (zh) * | 1974-09-04 | 1978-03-09 | ||
| JPS5814369B2 (ja) * | 1979-02-20 | 1983-03-18 | 日鉄化工機株式会社 | 廃液の処理方法 |
| JPH0314350U (zh) * | 1989-06-28 | 1991-02-13 | ||
| JPH05326112A (ja) | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒーター |
| JPH07153552A (ja) * | 1993-11-30 | 1995-06-16 | Nippon Tungsten Co Ltd | Ｐｔｃ発熱装置 |
| JP2000055462A (ja) | 1998-08-12 | 2000-02-25 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 流体加熱装置およびそれを用いた基板処理装置 |
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- 2006-04-14 JP JP2006111542A patent/JP2006302888A/ja active Pending
- 2006-04-17 KR KR1020060034394A patent/KR100773802B1/ko active IP Right Grant
- 2006-04-18 US US11/406,084 patent/US7525071B2/en active Active
- 2006-04-18 CN CNB200610075826XA patent/CN100539766C/zh active Active
- 2006-04-18 TW TW095113756A patent/TWI309141B/zh active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI309141B (en) | 2009-04-21 |
| US7525071B2 (en) | 2009-04-28 |
| KR100773802B1 (ko) | 2007-11-07 |
| CN1856190A (zh) | 2006-11-01 |
| US20060231034A1 (en) | 2006-10-19 |
| TW200644740A (en) | 2006-12-16 |
| JP2006302888A (ja) | 2006-11-02 |
| KR20060110201A (ko) | 2006-10-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |