JP2006299412A - In−Ga−Zn−O膜の成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】カバー26内部にIn−Ga酸化物よりなる第1のターゲットとZn酸化物よりなる第2のターゲットを設け、これらの上方に基板1を配置し、ポンプによってカバー26内を真空にした後、不活性ガス中に酸素を含有させた混合ガスをカバー26内に導入する。ターゲット21a,21bに交互にパルスパケット状の電圧を印加する。ターゲット21a,21bのスパッタ時におけるIn、Ga及びZnの放電の発光波長と発光強度が、PEM31a,31bによって検知される。各ターゲット21a,21bのスパッタ速度が算出され、この算出結果に基づき、各ターゲット21a,21bに付与されるパルス電力、パルス量及びパルス幅、カバー26内に供給する酸素量、並びにカバー内の圧力が制御される。
【選択図】図1
Description
なお、得られた膜中のInとGaとの比が所望のものと異なっている場合には、InGaの含有比が適切なものを第1のターゲットとして使用することで、組成が制御されたIn−Ga−Zn−O膜を正確かつ安定的に成膜することができる。
特に、スパッタ時の基板の温度を77K〜300Kに調整してもよく、この場合、In−Ga−Zn−O膜の表面に到達したスパッタ粒子の凝集エネルギーが減少し、膜の均一性や膜の表面平坦性の向上が図られる。
図1の装置を用いて成膜を行った。第1のターゲットとして、In50atm%、Ga50atm%よりなるIn−Gaターゲット(100mmφ×厚さ5mm)を用い、第2のターゲットとしてZnターゲット(100mmφ×厚さ5mm)を用いた。基板にはコーニング7059無アルカリガラス(縦80mm×横25mm×厚さ1.1mm)を用いた。なお、各ターゲットはチラーを通した冷却水により十分に冷却が保たれている。
Dektak 6Mを用いて得られた膜の表面のラクネスファクターを測定したところ、6.2nmであった。
実施例1の結果に基づき、パルスのDuty比をZn:InGa=53:47にしたこと以外は実施例1と同様にしてIn−Ga−Zn−O膜を作製し、EDXによる組成分析を行った。その結果、得られた膜組成はIn:Ga:Zn=1.1:1.0:1.0であった。
In−Ga−Zn合金ターゲット(組成比:In:Ga:Zn=1:1:1(atm%))を1個のみ用い、該ターゲットにDC200Wを印加したことのほかは実施例1と同様にして試料を作製し、実施例1と同様にして、膜厚測定を行い、成膜速度を算出した。その結果、成膜速度は8.7nm/minであり、極めて遅いものとなった。
ターゲットにDC300W以上を印加したこと以外は比較例1と同様にして試料を作製した。成膜時に放電の状態が極めて不安定なものとなった。
成膜時の基板温度を223K(−50℃)に調整したこと以外は実施例1と同様にして試料を作製した。実施例1と同様に膜厚測定を用い、成膜速度を算出したところ、65.1nm/minであった。
Dektak 6Mによって得られた膜の表面のラクネスファクターを測定したところ、5.9nmであった。
図1の装置を用いて成膜を行った。第1のターゲットとして、InGaO3−x(In:Ga:O=1:1:3−x)ターゲット(100mmφ×厚さ5mm)を用い、第2のターゲットとしてZnO1−X(Zn:O=1:1−x)ターゲット(100mmφ×厚さ5mm)を用いた。基板にはコーニング7059無アルカリガラス(縦80mm×横25mm×厚さ1.1mm)を用いた。
Dektak 6Mを用いて得られた膜の表面のラクネスファクターを測定したところ、5.2nmであった。
実施例4の結果に基づき、パルスのDuty比をZn酸化物:InGa酸化物=53:47にしたこと以外は実施例4と同様にしてIn−Ga−Zn−O膜を作製し、EDXによる組成分析を行った。その結果、得られた膜組成はIn:Ga:Zn=1.1:1.0:1.0であった。
In−Ga−Zn酸化物ターゲット(組成比:In:Ga:Zn:O=1:1:1:4−x(atm%))を1個のみ用い、該ターゲットにDC200Wを印加したことのほかは実施例4と同様にして試料を作製し、実施例4と同様にして、膜厚測定を行い、成膜速度を算出した。その結果、成膜速度は3.2nm/minであり、極めて遅いものとなった。
ターゲットにDC300W以上を印加したこと以外は比較例3と同様にして試料を作製した。成膜時に放電の状態が極めて不安定なものとなった。
成膜時の基板温度を223k(−50℃)に調整したこと以外は実施例4と同様にして試料を作製した。実施例4と同様に膜厚測定を用い、成膜速度を算出したところ、24.1nm/minであった。
Dektak 6Mによって得られた膜の表面のラクネスファクターを測定したところ、4.3nmであった。
20a,20b 支持体
20A,20B ターゲット電極
21a,21b ターゲット
22a,22b 磁石
24 スイッチングユニット
25 交流電源
26 カバー
27 ガス導入口
28 排気口
30a,30b コリメータ
31a,31b PEM
Claims (11)
- 酸素ガスを含む雰囲気にて、ターゲットを用いてスパッタすることにより、In−Ga−Zn−O膜を成膜する方法において、
該ターゲットは複数個設けられており、
各ターゲットはIn、Ga及びZnの少なくとも1種類よりなる金属又は合金又は酸化物であり、かつ、In、Ga及びZnのそれぞれは該ターゲットの少なくとも1個に含有されており、
該ターゲットの少なくとも1個は他のターゲットとは異なる組成となっており、
各ターゲットに交互に間欠的な電圧を印加してスパッタを行うことを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。 - 請求項1において、前記ターゲットのそれぞれは、In、Ga及びZnのいずれか1種類よりなる金属又は酸化物であることを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
- 請求項1において、前記ターゲットは、In、Ga及びZnを含有し、かつ互いに組成が異なる合金であることを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
- 請求項1において、前記ターゲットの少なくとも1個はIn及びGaよりなる合金又は酸化物であり、前記ターゲットの残りはZnよりなる金属もしくは酸化物であることを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
- 請求項1ないし4のいずれか1項において、複数のパルス電圧よりなるパルスパケットを各ターゲットに交互に間欠的に印加することを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
- 請求項1ないし5のいずれか1項において、各ターゲットに間欠的に正の電圧を印加することにより、該ターゲットのチャージングを防止することを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
- 請求項1ないし6のいずれか1項において、スパッタ時におけるIn、Ga及びZnの放電の発光波長と発光強度をモニタリングすることを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
- 請求項7において、前記ターゲット毎に、スパッタ時におけるIn、Ga及びZnの放電の発光波長と発光強度をモニタリングすることを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
- 請求項7又は8において、前記モニタリングに基づいて、各ターゲットに付与するパルス電力、パルス量、パルス幅、成膜時の圧力及び酸素供給量の少なくとも一つを変化させることにより、成膜される膜の組成及び結晶性を制御することを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
- 請求項1ないし9のいずれか1項において、スパッタ時に基板の温度を調整することにより、成膜される膜の結晶性を制御することを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
- 請求項10において、スパッタ時に基板の温度を77K〜300Kに調整することを特徴とするIn−Ga−Zn−O膜の成膜方法。
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