JP2002180247A

JP2002180247A - 透明導電積層体の製造方法および製造装置

Info

Publication number: JP2002180247A
Application number: JP2000377678A
Authority: JP
Inventors: Kazuaki Sasa; 和明佐々; Kazunori Kawamura; 和典河村; Kazuyoshi Uemori; 一好上森; Keiko Toyosawa; 圭子豊澤
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2000-12-12
Filing date: 2000-12-12
Publication date: 2002-06-26

Abstract

(57)【要約】【課題】金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成
膜により、透明な高分子基板上に透明導電膜を有する透
明導電積層体を製造するにあたり、透明導電膜の長時間
にわたる膜質安定化をはかる。【解決手段】透明な高分子基板４を移送しながらこの
基板４に対向配設した１個または複数個のスパッタカソ
ード６を放電して、各カソード６に装着した金属ターゲ
ット５を上記基板４上に反応性スパッタ成膜して透明導
電膜を形成する透明導電積層体の製造方法において、各
カソード６のプラズマ発光強度を測定し、これが設定値
と等しくなるように各カソード６の反応性ガス流量を制
御し、さらに各カソード６の放電電圧を測定し、これに
基づいて各カソード６のプラズマ発光強度の設定値を修
正することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明な高分子基板
上に透明導電膜を有する透明導電積層体の製造方法およ
び製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】透明な高分子基板上にＳｎを添加したＩ
ｎ₂Ｏ₃や、ＺｎＯ、ＳｎＯ₂などの導電材料からなる
透明導電膜を形成した透明導電積層体は、液晶ディスプ
レイ、タッチパネルにおける透明電極などの分野に、広
く用いられている。

【０００３】この透明導電積層体は、真空蒸着法、イオ
ンプレーティング法、スパッタ法などにより製造される
が、制御性や再現性が良好であるという観点より、通常
は、スパッタ法を用いて製造されている。このスパッタ
法には、従来より、膜組成と同一の金属酸化物ターゲッ
トを用いる方法と、Ｉｎ−Ｓｎ合金、Ｓｎ、Ｚｎなどの
金属ターゲットを用いてこれを酸素ガスなどの反応性ガ
スと不活性ガスとのガス雰囲気中で反応性スパッタする
方法とが知られている。

【０００４】金属酸化物ターゲットを用いる方法は、膜
質制御が比較的容易であるため、広く利用されている
が、成膜速度が遅く、生産性の面で不利であった。特開
平９−１９５０３５号公報には、スパッタカソードを増
やして成膜速度を上げる試みがなされているが、カソー
ド数を増やすと、製造装置の大型化、消費電力量の増大
化などをきたし、製品のコストアップにつながり、また
本質的に金属ターゲットによる反応性スパッタに匹敵す
る成膜速度は得られない。

【０００５】金属ターゲットによる反応性スパッタは、
成膜速度が速く、生産性の面で有利であるが、高分子基
板上に形成される透明導電膜の膜質制御が難しいという
問題があった。とくに、金属ターゲットを装着したスパ
ッタカソードを増やして、生産性のさらなる向上をはか
ろうとすると、膜質制御が著しく難しくなり、また長時
間にわたり連続成膜すると、金属ターゲットのエロージ
ョン形成状態、表面の反応状態などが変化するため、均
一な膜質を安定して得にくかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に照らし、金属酸化物ターゲットよりも生産性にす
ぐれる金属ターゲットを用いた反応性スパッタ成膜によ
って、透明な高分子基板上に透明導電膜を有する透明導
電積層体を製造するにあたり、上記透明導電膜の膜質安
定化をはかることを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するため、鋭意検討した結果、透明な高分子基
板を移送しながらこの基板に対向配設した１個または複
数個のスパッタカソードを放電して、各カソードに装着
した金属ターゲットを上記基板上に連続的に反応性スパ
ッタ成膜するにあたり、各カソードのプラズマ発光強度
を測定して、これと設定値とが等しくなるように各カソ
ードの反応性ガス流量を制御し、さらに各カソードの放
電電圧を測定し、これに基づいて各カソードのプラズマ
発光強度の設定値を修正する方式によると、上記基板上
に膜質の安定した透明導電膜を連続的に高速で成膜する
ことができ、これにより透明導電積層体を生産性および
膜質安定性良好に製造できることを知り、本発明を完成
した。

【０００８】すなわち、本発明は、透明な高分子基板を
移送しながらこの基板に対向配設した１個または複数個
のスパッタカソードを放電して、各カソードに装着した
金属ターゲットを上記基板上に反応性スパッタ成膜して
透明導電膜を形成する透明導電積層体の製造方法におい
て、各カソードのプラズマ発光強度を測定し、これが設
定値と等しくなるように各カソードの反応性ガス流量を
制御し、さらに各カソードの放電電圧を測定し、これに
基づいて各カソードのプラズマ発光強度の設定値を修正
することを特徴とする透明導電積層体の製造方法に係る
ものである。

【０００９】また、本発明は、上記の製造方法にしたが
った製造装置として、真空排気手段を付設した真空槽内
に、透明な高分子基板の移送手段、１個または複数個の
スパッタカソードおよび各カソードごとのガス導入手段
を有し、上記基板を移送しながらこの基板に対向配設し
た各カソードを放電して、各カソードに装着した金属タ
ーゲットを上記基板上に反応性スパッタ成膜して透明導
電膜を形成する透明導電積層体の製造装置において、各
カソードのプラズマ発光強度を測定するモニタと、これ
による測定値が設定値と等しくなるように各カソードの
反応性ガス流量を制御する流量制御手段と、さらに各カ
ソードの放電電圧の測定に基づいて各カソードのプラズ
マ発光強度の設定値を修正する手段とを設けたことを特
徴とする透明導電積層体の製造装置に係るものである。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参考にして説明する。図１は、本発明の製造
装置の一例を示す概略断面図である。図において、真空
排気手段１を付設した真空槽２の内部に、巻き出しロー
ル３１、巻き取りロール３２および成膜ロール３３など
からなる透明な高分子基板４の移送手段３が設けられて
いる。また、金属ターゲット５（５ａ，５ｂ，５ｃ）を
装着したスパッタカソード６（６ａ，６ｂ，６ｃ）が、
成膜ロール３３上に巻き付けられた透明な高分子基板４
に対向して、３個配設されている。

【００１１】各カソード６ａ，６ｂ，６ｃは、その周囲
にそれぞれ隔壁２０（２０ａ，２０ｂ，２０ｃ）が設け
られて、この隔壁２０により、取り囲まれている。この
隔壁２０の内部には、金属ターゲット５を装着したスパ
ッタカソード６のほかに、反応性ガスを導入するガス導
入管７（７ａ，７ｂ，７ｃ）およびスパッタガスを導入
するガス導入管８（８ａ，８ｂ，８ｃ）が配置されてい
る。ガス導入管７は、真空槽２の外部に設けられたガス
流量調整弁９（９ａ，９ｂ，９ｃ）を介して、ボンベな
どのガス供給源１０と接続されており、ガス導入管８
は、同じく、ガス流量調整弁１１（１１ａ，１１ｂ，１
１ｃ）を介して、ボンベなどのガス供給源１２と接続さ
れている。つまり、ガス導入管７，８を隔壁２０の内部
に配置することにより、反応性ガスおよびスパッタガス
のガス雰囲気を各カソード６ａ，６ｂ，６ｃごとに設定
できるような構成とされている。

【００１２】また、各カソード６ａ，６ｂ，６ｃには、
隔壁２０におけるプラズマ発光領域を監視できる位置
に、プラズマ発光強度（放電中のイオンの発光強度）を
計測するモニタ１３（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ）が設け
られており。この測定値はモニタ制御装置１４（１４
ａ，１４ｂ，１４ｃ）に送られてプラズマ発光強度の設
定値と比較演算され、上記測定値が上記設定値と等しく
なるようにガス流量調整弁９（９ａ，９ｂ，９ｃ）を自
動調整して、各カソード６ａ，６ｂ，６ｃの反応性ガス
流量を制御できる構成となっている。つまり、上記モニ
タ制御装置１４とガス流量調整弁９とにより、流量制御
手段が構成されている。

【００１３】さらに、各カソード６ａ，６ｂ，６ｃに
は、スパッタ用の電源１５（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ）
から定電力が供給される。ここで、各電源１５ａ，１５
ｂ，１５ｃでは、各カソードの放電電圧を０．１Ｖまで
の精度で測定し、この放電電圧が一定となるように、各
カソードのモニタ制御装置１４ａ，１４ｂ，１４ｃに信
号を送って、各カソードのプラズマ発光強度の設定値を
修正し、これに基づいて各ガス流量調整弁を介して各カ
ソードの反応性ガス流量を調整できるようになってい
る。つまり、上記電源１５がモニタ制御装置１４と組み
合わされ、各カソードのプラズマ発光強度の設定値を修
正する手段を構成している。

【００１４】上記スパッタ用の電源１５の作動につい
て、図２を用いて、さらに説明する。ここでは、金属タ
ーゲット５としてＩｎ−Ｓｎ合金を、反応性ガスとして
酸素ガス（Ｏ₂）を、スパッタガスとしてＡｒガスを、
それぞれ用い、成膜ロール３３上の高分子基板４に対し
て、Ｓｎを添加したＩｎ₂Ｏ₃膜であるＩＴＯ膜を形成
する例である。上記スパッタ用の電源１５には、直流の
定電力電源を用い、たとえば３ｋｗ一定で成膜する場
合、電極間の放電電圧は、装置の系、気圧、金属ターゲ
ットの酸化状態などにより、大体は決まるものの、一定
ではなく変動する。この電圧の変動を上記スパッタ用の
電源１５で検知し、これに基づき電流を変動させて３ｋ
ｗ一定の電力を出力できるように構成してある。

【００１５】このような装置構成に基づき、巻き出しロ
ール３１から巻き出した高分子基板４を成膜ロール３３
上を移送しながら、これに対向配設したスパッタカソー
ド６ａ，６ｂ，６ｃを同時放電して、各カソードに装着
した金属ターゲット５ａ，５ｂ，５ｃを高分子基板４上
に連続的に反応性スパッタ成膜して透明導電膜を形成
し、透明導電積層体として巻き取りロール３２に巻き取
る。この方式によると、金属酸化物ターゲットなどをス
パッタ成膜する方法に比べ、成膜速度を速くできるうえ
に、金属ターゲットを装着したスパッタカソードを３個
としてこれらを同時放電するため、上記速度をより一段
と速くすることができる。

【００１６】一方、反応性スパッタ成膜、とくに上記の
ようにスパッタカソードの数を増やして反応性スパッタ
成膜を行うと、従来では、膜質制御が難しく、長時間に
わたり安定して均一な膜質を得にくかった。これは、た
とえば、図３に示すように、透明導電膜としてＳｎを添
加したＩｎ₂Ｏ₃膜を反応性スパッタ成膜する場合、反
応性ガスとして導入される酸素の量により、透明導電膜
の抵抗値および透過率が大きく変動し、低抵抗値でかつ
高透過率の透明導電膜を成膜することができる酸素量の
適正範囲が非常に狭いことに起因している。とくにスパ
ッタカソードの数を増やして、反応性ガスとしての酸素
の量を上記良好な成膜を可能とする適正範囲に設定する
ことは容易なことではなかった。

【００１７】ところが、上記の装置構成によると、この
ような難点も克服できる。すなわち、まず、各カソード
６ａ，６ｂ，６ｃにプラズマ発光強度を測定するモニタ
１３ａ，１３ｂ，１３ｃを設け、この測定値が設定値と
等しくなるようにモニタ制御装置１４ａ，１４ｂ，１４
ｃおよびガス流量調整弁９ａ，９ｂ，９ｃにより、各カ
ソードの反応性ガス流量を制御できる構成としているこ
とにより、各カソードごとに反応性ガス流量を適正範囲
に設定でき、これにより均質な反応性スパッタ成膜が可
能となり、金属状態のターゲットを金属化合物状態（金
属酸化物や金属窒化物など）の薄膜に均質に成膜するこ
とができる。

【００１８】しかし、上記のようにプラズマ発光強度を
一定にする制御方式をとっても、これだけの手段では、
スパッタ成膜の膜質を長時間にわたり安定化させられな
い。これは、金属ターゲット表面の酸化状態や形状が経
時的に変化したり、ターゲットの掘れ、真空槽内のガス
成分の変動などがあり、これら変動要因によりスパッタ
成膜の膜質が変わってくるためである。したがって、成
膜途中において膜の抵抗値や透過率などの特性を測定
し、これに基づいて各カソード６のモニタ制御装置１４
ａ，１４ｂ，１４ｃにおけるプラズマ発光強度の設定値
を修正する必要がある。しかしながら、このような修正
はかなり面倒であり、またカソードが１個の場合、上記
修正は可能であるが、複数個の場合、どのカソードのプ
ラズマ発光強度の設定値をどのように修正すればよいの
か判定しにくい。

【００１９】本発明者らは、この問題を克服するため、
鋭意検討した結果、各カソード６の放電電圧に着目し、
各金属ターゲット５の表面に十分に安定な酸化膜層が形
成されたのちでは、上記放電電圧が上昇すると酸素過多
の膜になり、上記放電電圧が下降すると酸素不足の膜と
なることがわかった。この現象を利用して、成膜中の膜
特性を調べなくても、金属ターゲット５の酸化状態など
によって変動する各カソード６の放電電圧を測定するこ
とで、スパッタ成膜の酸素の過不足がリアルタイムで判
定することができ、これに基づいて各カソード６のプラ
ズマ発光強度の設定値を適正に修正して、反応性ガスの
導入量を調整すると、スパッタ成膜の膜質を長時間にわ
たって安定化させるうることがわかった。

【００２０】すなわち、本発明の前記の装置構成による
と、スパッタ用電源１５ａ，１５ｂ，１５ｃをモニタ制
御装置１４ａ，１４ｂ，１４ｃと組み合わせて、各カソ
ード６ａ，６ｂ，６ｃの放電電圧を測定し、これに基づ
いて各カソード６ａ，６ｂ，６ｃのプラズマ発光強度の
設定値を修正する構成していることにより、長時間の連
続成膜において膜質の安定した透明導電膜を形成するこ
とができる。とくに、この方法にしたがうと、カソード
６が１個の場合はもちろん、複数個の場合でもスパッタ
成膜の長時間の膜質安定性を確実にはかれるのである。

【００２１】このような効果は、以下の試験結果から
も、明らかである。図１に示す装置構成（３個のカソー
ド）において、透明な高分子基板４としてポリエステル
フィルム〔三菱化学（株）製の「Ｔ６０９フィルム」〕
を使用し、金属ターゲット５としてＩｎ−１０重量％Ｓ
ｎ合金ターゲットを使用し、反応性スパッタ成膜によっ
て、上記の高分子基板上に厚さが２３μｍのＳｎを添加
したＩｎ₂Ｏ₃膜からなる透明導電膜を有し、この透明
導電膜の目標抵抗値が４００Ω／□となる透明導電積層
体を全長３，０００ｍの長さで製造した。スパッタガス
はＡｒガスを、反応性ガスは酸素ガスを、それぞれ使用
し、処理気圧は０．４Ｐａとした。プラズマ発光強度の
測定モニタと反応性ガスの流量制御手段を組み合わせた
装置としては、市販のアルデンネ社製の「ＰＥＭ０５」
をベースとした独自システムを使用した。また、スパッ
タ用ＤＣ電源は、ＥＮＩ社製の「ＤＣＧ１００」を使用
し、放電電圧は外部設定より取り出した。

【００２２】この製造試験において、始めの１，０００
ｍは放電電圧のフイードバックなしで、Ｉｎのプラズマ
発光強度が一定になるように成膜した。その結果、０〜
３００ｍまでは、ほぼ４００Ω／□の透明導電膜が得ら
れたが、３００ｍを過ぎると抵抗値の変動が起こり１Ｋ
Ω／□までの間で抵抗値のふらつき現象がみられた。そ
の間、インラインの抵抗測定値と透過率測定値とにより
Ｉｎのプラズマ発光強度の設定値を修正したが、的を得
た修正ができず目標抵抗値に戻すことはできなかった。
その間、約５％の放電電圧の変動があった。

【００２３】その後、１，０００ｍからは抵抗値が目標
の４００Ω／□になるように、各カソードのプラズマ発
光強度測定モニタと反応性ガス流量制御手段を組み合わ
せた装置に、放電電圧修正システムも加えて、制御し
た。これは、各カソードの放電電圧がある値上昇すると
金属ターゲット表面が酸素過多になっていると判断し、
１ｎのプラズマ発光強度の設定値を上げるように（導入
酸素量が減るように）修正をかけ、逆に、各カソードの
放電電圧がある値下降すると金属ターゲット表面が酸素
不足になっていると判断し、Ｉｎのプラズマ発光強度の
設定値を下げるように（導入酸素量が増えるように）修
正をかけた。このように放電電圧修正システムも加えて
制御した１，０００ｍ以降は、３個のカソードでの安定
成膜が得られて、抵抗値が４００Ω／□でほぼ一定とな
り、各カソードでの放電電圧もほぼ一定となった。この
結果から、複数個のカソードを用いた反応性スパッタ成
膜で膜質安定な透明導電積層体を高速で製造できること
が確認された。

【００２４】なお、図１に示す装置構成では、スパッタ
カソード６を３個使用した例を示しているが、上記のカ
ソード６は、高分子基板４の移送手段３を構成する成膜
ロール３３の大きさや数に応じて、２個または４個以上
の複数個とすることができ、１個とすることもできる。
このカソード６ごとに、金属ターゲット５、隔壁２０、
ガス導入管７，８、ガス流量調整弁９，１１、プラズマ
発光強度の測定モニタ１３およびモニタ制御装置１４、
電源１５などが設けられる。また、これらは、いわゆる
ロールコータ形式であるが、これ以外に、カソードが平
行に並んで高分子基板も平行に走行する形式の装置構成
にも適用することができる。

【００２５】また、透明な高分子基板４には、ポリエチ
レンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなど
のポリエステル、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリカ
ーボネート、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチ
レンなどの各種プラスチック（単独重合体や共重合体な
ど）からなるものが用いられる。この高分子基板は、単
独フィルムであっても積層フィルムであってもよく、そ
の厚さは、用途目的に応じて適宜設定することができ、
とくに限定されない。

【００２６】金属ターゲット５には、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｃ
ｄ、Ｚｎ、Ｔｉ、ＩｎとＳｎの合金、ＩｎとＳｂの合
金、ＩｎとＡｌの合金など、反応性スパッタ成膜によっ
て、透明導電膜として、透明導電性を有する金属化合物
膜、たとえば、金属酸化物膜や金属窒化物膜を付与する
ものであれば、広く使用できる。このような金属ターゲ
ット５を用いて、高分子基板４上に反応性スパッタ成膜
される透明導電膜には、ＳｎＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｃｄ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｓｎを添加したＩｎ₂Ｏ₃（通常、ＩＴＯ
という）、Ｚｎを添加したＩｎ₂Ｏ₃、Ｓｂを添加した
Ｉｎ₂Ｏ₃、Ａｌを添加したＩｎ₂Ｏ₃（通常、ＡＴＯ
という）などの金属酸化物膜や、ＴｉＮ、ＺｒＮなどの
金属窒化物膜などの金属化合物膜が挙げられる。

【００２７】ガス導入管７から導入される反応性ガスに
は、金属酸化物膜を成膜する場合は酸素、金属窒化物膜
を成膜する場合は窒素などがあり、これらのガスは適宜
混合して用いてもよく、またこれらのガス以外に、亜酸
化窒素ガス、水蒸気などの他のガスを使用することもで
きる。また、ガス導入管８から導入されるスパッタガス
には、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｋｒ、Ｘｅなどの不活性ガス
が挙げられ、これらのガスは単独で用いても、混合して
用いてもよい。

【００２８】このように、本発明は、透明な高分子基板
を移送しながらこの基板に対向配設した１個または複数
個のスパッタカソードを放電して、各カソードに装着し
た金属ターゲットを上記基板上に連続的に反応性スパッ
タ成膜するにあたり、各カソードのプラズマ発光強度を
測定して、これと設定値とが等しくなるように各カソー
ドの反応性ガス流量を制御し、さらに各カソードの放電
電圧を測定し、これに基づいて各カソードのプラズマ発
光強度の設定値を修正する構成としたことにより、上記
基板上に膜質の安定した透明導電膜を連続的に高速で成
膜でき、これにより透明導電積層体を膜質安定性良好に
製造することができる。

【００２９】また、この方法は、真空排気手段を付設し
た真空槽内に、透明な高分子基板の移送手段とともに、
１個または複数個のスパッタカソードを上記基板に対向
して配設し、かつ各カソードごとのガス導入手段を設
け、さらに各カソードのプラズマ発光強度を測定するモ
ニタと、これによる測定値が設定値と等しくなるように
各カソードの反応性ガス流量を制御する流量制御手段
と、各カソードの放電電圧の測定に基づいて各カソード
のプラズマ発光強度の設定値を修正する手段とを設ける
ようにした前記構成の製造装置により、容易に実施でき
る。

【００３０】

【発明の効果】以上のように、本発明は、金属ターゲッ
トを使用した反応性スパッタ成膜によって、透明な高分
子基板上に透明導電膜を有する透明導電積層体を高速で
長時間安定して製造することができる、生産性および膜
質安定性にすぐれる透明導電積層体の製造方法と製造装
置を提供できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の透明導電積層体の製造装置の一例を示
す概略断面図である。

【図２】スパッタ用電源の作動を示す説明図である。

【図３】金属ターゲットを使用して反応性スパッタ成膜
する際の反応性ガス（酸素）量と膜特性との関係を示す
特性図である。

【符号の説明】

１真空排気手段２真空槽３（３１，３２，３３）高分子基板の移送手段４透明な高分子基板５（５ａ，５ｂ，５ｃ）金属ターゲット６（６ａ，６ｂ，６ｃ）スパッタカソード７（７ａ，７ｂ，７ｃ）反応性ガスのガス導入管８（８ａ，８ｂ，８ｃ）スパッタガスのガス導入管９（９ａ，９ｂ，９ｃ）反応性ガスのガス流量調整弁１０反応性ガスのガス供給源１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）スパッタガスのガス
流量調整弁１２スパッタガスのガス供給源１３（１３ａ，１３ｂ，１３ｃ）プラズマ発光強度の
測定モニタ１４（１４ａ，１４ｂ，１４ｃ）モニタ制御装置１５（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ）スパッタ用電源２０（２０ａ，２０ｂ，２０ｃ）隔壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者上森一好大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内 (72)発明者豊澤圭子大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号日東電工株式会社内Ｆターム(参考） 2H092 HA04 MA05 NA29 4K029 AA11 BA50 BC09 BD00 BD03 CA06 DA06 DC03 DC04 DC16 EA04 EA06 EA09 KA03 5E032 AB10 BA15 BB20 CB03 CC14 5G323 BA01 BB05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明な高分子基板を移送しながらこの基
板に対向配設した１個または複数個のスパッタカソード
を放電して、各カソードに装着した金属ターゲットを上
記基板上に反応性スパッタ成膜して透明導電膜を形成す
る透明導電積層体の製造方法において、各カソードのプ
ラズマ発光強度を測定し、これが設定値と等しくなるよ
うに各カソードの反応性ガス流量を制御し、さらに各カ
ソードの放電電圧を測定し、これに基づいて各カソード
のプラズマ発光強度の設定値を修正することを特徴とす
る透明導電積層体の製造方法。
【請求項２】真空排気手段を付設した真空槽内に、透
明な高分子基板の移送手段、１個または複数個のスパッ
タカソードおよび各カソードごとのガス導入手段を有
し、上記基板を移送しながらこの基板に対向配設した各
カソードを放電して、各カソードに装着した金属ターゲ
ットを上記基板上に反応性スパッタ成膜して透明導電膜
を形成する透明導電積層体の製造装置において、各カソ
ードのプラズマ発光強度を測定するモニタと、これによ
る測定値が設定値と等しくなるように各カソードの反応
性ガス流量を制御する流量制御手段と、さらに各カソー
ドの放電電圧の測定に基づいて各カソードのプラズマ発
光強度の設定値を修正する手段とを設けたことを特徴と
する透明導電積層体の製造装置。