JP2006269849A - 基板処理システムおよび基板処理用暗室 - Google Patents

Abstract

【課題】 構成、制御および製造工程を複雑化することなく、基板の処理時における光化学反応を十分に防止することができる基板処理システムおよび基板処理用暗室を提供する。
【解決手段】 暗室化ケーシング３００は、天井３００Ｕ、側壁３００Ａ，３００Ｂ，３００Ｃ，３００Ｄおよび床３００Ｒからなる。天井３００Ｕは基板処理装置２００の上方の全体を覆うように設けられる。側壁３００Ａ〜３００Ｄの各々は、基板処理装置２００の各側面と所定の間隔Ｑをおいて対向するように設けられる。床３００Ｒは基板処理装置２００の設置領域を取囲むように設けられる。これにより、基板処理装置２００の全体が、暗室化ケーシング３００により取囲まれている。暗室化ケーシング３００は、ステンレス鋼またはアルミニウム等の遮光性の金属材料により形成されている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、基板に種々の処理を行う基板処理装置を含む基板処理システムおよび基板処理装置に用いることができる基板処理用暗室に関する。

従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

基板に対する種々の処理として、洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形成、熱処理等がある。これらの処理を行うことにより、例えば基板の表面に導電性材料からなる配線パターンを形成することができる。

基板の表面に配線パターンを形成する場合には、表面に導体層が形成された基板を用意し、その基板にレジスト塗布処理を行う。そして、基板上に塗布されたレジストに対して、パターニングを行う。

次に、パターニングされたレジストをマスクとして、エッチングを行う。それにより、配線パターンが形成される。その後、マスクとして用いられたレジストを除去するためにレジスト剥離を行う。

上記の処理のうち、エッチングは、例えばドライエッチングによって行われる。ドライエッチングとして、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング： Reactive Ion Etching ）等がある。

レジスト剥離は、例えばアッシング処理によって行われる。レジストは、炭素、酸素および水素からなる有機物質である。アッシング処理は、この有機物質と酸素プラズマとを化学反応させることによってレジストを除去する処理である。

ここで、ドライエッチング時においては、基板表面で高いエネルギーが発生する。特に、ＲＩＥによるドライエッチング時には、反応性イオンにより基板表面で発生するエネルギーが極めて高くなる。これにより、ドライエッチング後には、レジストの一部がポリマー等の反応生成物に変質する場合がある。

したがって、ドライエッチングの後、実際のレジストにはポリマーも含まれる。このポリマーはアッシング処理によって除去することができない。その結果、アッシング処理後の基板にはポリマーが残渣として付着している。

ポリマーは、異物として基板の後の処理において悪影響を及ぼす。そのため、基板の表面に付着したポリマーを薬液により除去する必要がある。

このポリマー除去時には、基板の表面に薬液が供給され、基板の表面が湿潤状態となる。基板に銅からなる配線パターンが形成されている場合、薬液により湿潤状態にある基板に光が入射すると、銅、薬液および光が互いに作用して光化学反応が生じる場合がある。

このような光化学反応が生じると、銅からなる配線パターンが腐食してしまう。そこで、ポリマー除去時に基板周辺の空間を暗室化する基板処理装置がある（例えば特許文献１参照）。

特許文献１の基板処理装置は、以下の構成を有する。図６は、特許文献１の基板処理装置の構成を説明するための図である。図６（ａ）に基板処理装置９１の平面図が示されている。

基板処理装置９１においては、搬入搬出部９３、回転処理部９５、インターフェイス９７および乾燥処理部９９が互いに隣接すように配置されている。回転処理部９５は、基板を収容してポリマー除去処理を行うポリマー除去ユニット９５１を４つ備える。

図６（ｂ）にポリマー除去ユニット９５１の構成が示されている。このポリマー除去ユニットにおいては、遮光性の材料からなるチャンバ９６５内に一枚の基板Ｗを水平に保持して回転させるための基板回転保持部９６１が設けられている。基板回転保持部９６１により保持される基板Ｗ上に除去液ノズル９７５が配置されている。

チャンバ９６５の一方側の側壁に基板Ｗが搬出入するための搬出入口９５８が形成されている。さらに、チャンバ９６５には、搬出入口９５８を開閉可能で、かつ遮光性の材料からなるシャッタ９５９が設けられている。

ここで、ポリマー除去時においては、シャッタ９５９が閉じた状態で、基板回転保持部９６１により回転された基板Ｗに除去液ノズル９７５から薬液が供給される。これにより、基板Ｗのポリマー除去処理が暗室化されたチャンバ９６５内で行われる。その結果、ポリマー除去処理時に光化学反応の発生が防止される。
特開２００３−２３４３４１号公報

しかしながら、特許文献１の基板処理装置９１においては、ポリマー除去処理を行う４つのポリマー除去ユニット９５１の各々に、遮光性の材料からなるチャンバ９６５およびシャッタ９５９を設ける必要がある。したがって、基板処理装置の構成およびその製造工程が複雑化する。その結果、基板処理装置の製造コストも増加する。

さらに、ポリマー除去処理時には、複数のポリマー除去ユニット９５１について個別にシャッタ９５９の開閉タイミングを制御する必要があるので、基板処理装置の制御が複雑となる。

本発明の目的は、構成、制御および製造工程を複雑化することなく、基板の処理時における光化学反応を十分に防止することができる基板処理システムおよび基板処理用暗室を提供することである。

第１の発明に係る基板処理システムは、基板に種々の処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置と、基板処理装置の上方および周囲を覆うように形成され、遮光性の材料からなるケーシングとを備えたものである。

この基板処理システムにおいては、遮光性の材料からなるケーシングにより、基板処理装置の上方および周囲が覆われるので、基板処理装置を含む空間を暗室化することができる。これにより、基板処理装置の備える複数の処理部に光が入射することが防止されている。その結果、各処理部における基板の処理時に光化学反応の発生が十分に防止される。

また、基板処理装置の備える複数の処理部を個別に暗室化する必要がないので、複数の処理部の個々の構成および製造工程が複雑化せず、低コスト化が実現される。

ケーシングは、作業者がケーシング内に侵入可能な作業者用開口を有し、作業者用開口に開閉可能に設けられ、遮光性の材料からなる扉をさらに備えてもよい。

この場合、作業者は作業者用開口を通じてケーシング内に侵入することができるので、基板処理装置の保守作業を行うことができる。また、作業者用開口に設けられる扉が遮光性の材料からなるので、扉を閉じることにより作業者用開口からケーシング内へ光が入射することが防止される。その結果、処理中の基板に光が入射することが防止される。

扉の開放時に、基板処理装置の動作を停止させる第１の停止手段をさらに備えてもよい。この場合、扉の開放時に、第１の停止手段により基板処理装置の動作が停止される。すなわち、扉の開放時には、複数の処理部における基板の処理が停止される。その結果、光化学反応による基板の処理不良の発生が防止される。

基板処理装置の動作時に、扉の開放を制限する制限手段をさらに備えてもよい。この場合、基板処理装置の動作時に、制限手段により扉の開放が制限される。すなわち、基板処理装置の動作時には扉が閉じられている。したがって、基板処理装置の動作時には、作業者用開口からケーシング内に光が入射することが防止されるので、複数の処理部による処理中の基板に光が入射することが防止される。その結果、光化学反応による基板の処理不良の発生が防止される。

扉は、引き戸であってもよい。これにより、ドア等の開閉のためのスペースが不要となる。それにより、保守作業のためのスペースが十分に確保される。

ケーシングの内面と基板処理装置の側面との間に、保守作業用の空間を確保することができる間隔が形成されてもよい。この場合、作業者は、ケーシングの内面と基板処理装置の側面との間で容易に基板処理装置の保守作業を行うことができる。

ケーシングは、基板処理装置に基板を搬送するための基板搬送用開口を有し、基板搬送用開口に開閉可能に設けられ、遮光性の材料からなるシャッタをさらに備えてもよい。

この場合、基板がケーシングに設けられた基板搬送用開口を通じて基板処理装置に搬送される。また、基板搬送用開口に設けられるシャッタが遮光性の材料からなるので、シャッタを閉じることにより基板搬送用開口からケーシング内へ光が入射することが防止される。その結果、処理中の基板に光が入射することが防止される。

シャッタの開放時に、基板処理装置の動作を停止させる第２の停止手段をさらに備えてもよい。この場合、シャッタの開放時に、第２の停止手段により基板処理装置の動作が停止される。すなわち、シャッタの開放時には、複数の処理部における基板の処理が停止される。その結果、光化学反応による基板の処理不良の発生が防止される。

基板処理装置の動作時に発光する警告灯をさらに備えてもよい。この場合、基板処理装置の動作時に、警告灯が発光する。これにより、作業者は、警告灯の発光により、基板処理装置の複数の処理部で基板の処理が行われているか否かを容易に知ることができる。したがって、基板の処理中に作業者が不用意にケーシング内に侵入することが防止される。

ケーシングの内部に設けられる照明灯をさらに備えてもよい。これにより、基板処理装置において基板の処理が行われていない期間において、作業者は、照明灯を点灯させることにより、ケーシング内における基板処理装置の保守作業を容易かつ確実に行うことができる。

ケーシングは、基板処理装置内に下降気流を流入させるための気流用開口を有し、気流用開口と基板処理装置との間に設けられ、遮光性の材料からなるダクトおよびフィルタをさらに備えてもよい。

この場合、ケーシングの有する気流用開口から基板処理装置内にダクトおよびフィルタを通じて下降気流が流入するので、基板処理装置内における基板の清浄度が向上される。また、ケーシングの有する気流用開口からケーシング内に入射する光が、遮光性の材料からなるダクトおよびフィルタにより基板処理装置内に入射することが防止される。その結果、処理中の基板に光が入射することが防止される。

複数の処理部のうち少なくとも一つは、基板に処理液を供給することにより基板の表面に付着する付着物を除去してもよい。この場合、複数の処理部のうち少なくとも一つにおいて、基板に処理液が供給され、基板に付着する付着物が除去される。処理液による付着物の除去処理がケーシング内で行われることにより、基板に光が入射されないので、光化学反応の発生が十分に防止される。

付着物は、ポリマーであってもよい。この場合、基板に付着するポリマーが処理液により除去される。処理液によるポリマーの除去処理がケーシング内で行われることにより、基板に光が入射されないので、光化学反応の発生が十分に防止される。

第２の発明に係る基板処理用暗室は、基板に種々の処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に用いられる基板処理用暗室であって、基板処理装置の上方および周囲を覆うように形成され、遮光性の材料からなるケーシングを備えたものである。

この基板処理用暗室によれば、遮光性の材料からなるケーシングにより、基板処理装置の上方および周囲が覆われるので、基板処理装置を含む空間を暗室化することができる。これにより、基板処理装置の備える複数の処理部に光が入射することが防止されている。その結果、各処理部における基板の処理時に光化学反応の発生が十分に防止される。

また、基板処理装置の備える複数の処理部を個別に暗室化する必要がないので、複数の処理部の個々の構成および製造工程が複雑化せず、低コスト化が実現される。

本発明に係る基板処理システムおよび基板処理用暗室によれば、遮光性の材料からなるケーシングにより、基板処理装置の上方および周囲が覆われるので、基板処理装置を含む空間を暗室化することができる。これにより、基板処理装置の備える複数の処理部に光が入射することが防止されている。その結果、各処理部における基板の処理時に光化学反応の発生が十分に防止される。

また、基板処理装置の備える複数の処理部を個別に暗室化する必要がないので、複数の処理部の個々の構成および製造工程が複雑化せず、低コスト化が実現される。

本発明の一実施の形態に係る基板処理システムおよび基板処理用暗室について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。

また、基板は半導体基板であり、より詳しくはシリコン基板である。この基板は薄膜を有する。薄膜は金属膜または絶縁膜である。金属膜を構成する金属としては、銅、アルミニウム、チタンおよびタングステンならびにこれらの混合物等がある。絶縁膜としては、金属酸化膜、窒化膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、有機絶縁膜および低誘電体層間絶縁膜等がある。なお、ここでいう薄膜は、基板上で部分的に形成されている膜および配線等を含む。

本実施の形態に係る基板処理システムは、基板処理装置を含む。基板処理装置には、薄膜にポリマーが付着した基板が搬入される。基板処理装置は、薄膜に付着するポリマーを除去する。このポリマー除去処理は、薬液を基板上に供給することにより行う。この薬液（以下、ポリマー除去液と称する。）としては、ジメチルスルホキシドおよびジメチルホルムアミド等の有機アミンを含む有機アミン系薬液、フッ化アンモンを含むフッ化アンモン系薬液、ならびに無機系薬液等がある。以下、詳細を説明する。

図１は本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの透過上面図であり、図２は図１の基板処理システムの斜視図である。

図１に示すように、基板処理システム１００は、基板Ｗに対する処理を行う基板処理装置２００と、それを取囲むように設けられる暗室化ケーシング３００とを備える。図１においては、暗室化ケーシング３００の天井３００Ｕ（図２）を透過している。

基板処理装置２００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂおよび回転処理部５ａ，５ｂが配置されている。

図１の流体ボックス部２ａ，２ｂの各々は、回転処理部５ａ，５ｂへのポリマー除去液の供給および回転処理部５ａ，５ｂからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、ポリマー除去液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。

回転処理部５ａ，５ｂは、一枚の基板Ｗを水平に保持して回転させるためのスピンチャック（図示せず）とスピンチャックにより保持された基板Ｗの上方に配置されるポリマー除去液供給ノズル（図示せず）とを備える。

回転処理部５ａ，５ｂには、後述の搬送領域Ｃから不要なポリマーが付着した基板Ｗが搬入される。搬入された基板Ｗはスピンチャックにより水平に保持され、回転される。そこで、回転する基板Ｗ上にポリマー除去液供給ノズルからポリマー除去液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の不要なポリマーが剥離され、除去される。ポリマーが除去された基板Ｗは、搬送領域Ｃに搬出される。

処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび回転処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび回転処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび回転処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、回転処理部５ｃ，５ｄは回転処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。

処理領域Ａ，Ｂの一端側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、外部から基板処理システム１００内に搬入されたキャリア１が載置される。基板処理システム１００内への搬入時において、キャリア１にはポリマーが付着した基板Ｗが収納されている。基板処理システム１００内へのキャリア１の搬入は、暗室化ケーシング３００の上部に設けられた後述のキャリア用開口３２０（図２）を通じて行われる。

インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。

基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された回転処理部５ａ〜５ｄに搬送し、または、回転処理部５ａ〜５ｄから受け取った基板Ｗを他の回転処理部５ａ〜５ｄまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。

本実施の形態においては、回転処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗにポリマー除去処理が行われた後、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが回転処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。

さらに、ポリマー除去処理が施された基板Ｗを収納するキャリア１は、インデクサＩＤから基板処理システム１００の外部に搬出される。基板処理システム１００の外部へのキャリア１の搬出は、暗室化ケーシング３００の上部に設けられた後述のキャリア用開口３２０（図２）を通じて行われる。

なお、基板処理システム１００外におけるキャリア１の搬送は、例えばＡＧＶ（無軌道床上自動搬送車）等のロボットにより行われる。

制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの回転処理部５ａ〜５ｄの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作、インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲおよび流体ボックス部２ａ〜２ｄの動作を制御する。

さらに、制御部４は、後述する図２のインターロックセンサ３１２、シャッタ駆動装置３２３および回転警告灯３４０に接続され、各構成部の動作を制御する。

図２に示すように、暗室化ケーシング３００は、天井３００Ｕ、側壁３００Ａ，３００Ｂ，３００Ｃ，３００Ｄおよび床３００Ｒからなる。天井３００Ｕは基板処理装置２００の上方の全体を覆うように設けられる。側壁３００Ａ〜３００Ｄの各々は、基板処理装置２００の各側面と所定の間隔Ｑをおいて対向するように設けられる。床３００Ｒは基板処理装置２００の設置領域を取囲むように設けられる。これにより、基板処理装置２００の全体が、暗室化ケーシング３００により取囲まれている。

暗室化ケーシング３００は、ステンレス鋼またはアルミニウム等の遮光性の金属材料により形成されている。したがって、天井３００Ｕ、側壁３００Ａ〜３００Ｄおよび床３００Ｒは、外部から暗室化ケーシング３００内への光の入射を防止することができる。それにより、基板処理装置２００が設置された暗室化ケーシング３００内の空間を暗室化することができる。

なお、暗室化ケーシング３００を形成する材料は上記に限定されない。暗室化ケーシング３００は遮光性の材料により形成されていればよく、例えば遮光性の樹脂により形成されてもよい。

さらに、暗室化ケーシング３００はプレハブ工法により作製される。例えば、天井３００Ｕ、側壁３００Ａ〜３００Ｄおよび床３００Ｒに相当するパネルおよび鉄骨を工場で生産し、基板処理装置２００の設置箇所へ搬送する。そこで基板処理装置２００の周りに鉄骨を組み立て、組み立てられた鉄骨にパネルを取り付けることにより暗室化ケーシング３００が容易に作製される。

天井３００Ｕ、側壁３００Ａ〜３００Ｄおよび床３００Ｒのパネルが鉄骨に溶接またはねじ止め等により接合される。なお、天井３００Ｕ、側壁３００Ａ〜３００Ｄおよび床３００Ｒ間の接合部には、隙間が形成されないように遮光性のシートで目張りすることが好ましい。

図３（ａ）は図１の基板処理システム１００の外観上面図であり、図３（ｂ）は図１の基板処理システム１００の透過上面図である。図３（ｂ）においては、図１と同様に暗室化ケーシング３００の天井３００Ｕを透過している。なお、基板処理装置２００の詳細な構成については省略している。

また、図４（ａ）は図１の基板処理システム１００の外観側面図であり、図４（ｂ）は図１の基板処理システム１００のＺ−Ｚ線断面図である。図４（ｂ）において、基板処理装置２００の断面の図示は省略している。

図２および図４（ａ）に示すように、暗室化ケーシング３００の側壁３００Ａには作業者用開口３１０が設けられている。作業者用開口３１０には、引き戸３１１が設けられている。この引き戸３１１は、暗室化ケーシング３００と同様に、遮光性の材料により形成されている。

ここで、上述のように、暗室化ケーシング３００の内部において、側壁３００Ａ〜３００Ｄの各々と、基板処理装置２００の各側面との間には所定の間隔Ｑが設けられている。これにより、側壁３００Ａ〜３００Ｄの各々と、基板処理装置２００の各側面との間の空間が作業者のメンテナンススペースとなる。図４（ｂ）に、メンテナンススペースを形成する床３００Ｒが斜線のハッチングにより示されている。

それにより、作業者は、基板処理装置２００のメンテナンスを行う場合、引き戸３１１を開くことにより暗室化ケーシング３００内に入ることができる。暗室化ケーシング３００内に入った作業者は、例えば基板処理装置２００の一側面に設けられた操作パネルＭを操作して基板処理装置２００のメンテナンスを行う。

また、暗室化ケーシング３００の側壁３００Ａにおいて、作業者用開口３１０の近傍でかつ暗室化ケーシング３００の内部側にはインターロックセンサ３１２が設けられている。

上述のように、インターロックセンサ３１２は、基板処理装置２００の制御部４（図１）に接続されている。ここで、インターロックセンサ３１２は引き戸３１１の開閉状態を検出し、その検出信号を制御部４へ出力する。

例えば、インターロックセンサ３１２は、引き戸３１１が開いた状態である場合に検出信号がオン状態になり、引き戸３１１が閉じた状態である場合に検出信号がオフ状態になる。

そこで、制御部４は、インターロックセンサ３１２からの検出信号がオン状態になった場合に基板処理装置２００の回転処理部５ａ〜５ｄ（図１）の動作を停止する。一方、制御部４は、インターロックセンサ３１２からの検出信号がオフ状態になった場合に基板処理装置２００の回転処理部５ａ〜５ｄの動作を開始または維持する。これにより、基板処理装置２００は引き戸３１１が開いた状態で基板Ｗのポリマー除去処理を行わない。

引き戸３１１が閉じた状態においては、作業者用開口３１０から暗室化ケーシング３００内への光の入射が防止される。したがって、回転処理部５ａ〜５ｄによる基板Ｗのポリマー除去処理時に、基板Ｗに作業者用開口３１０からの光が入射することが防止される。

図２、図３（ａ）、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、暗室化ケーシング３００の天井３００Ｕにはキャリア用開口３２０および複数のダクト用開口３３０が形成されている。さらに、天井３００Ｕの一隅部上には回転警告灯３４０が設置されている。

暗室化ケーシング３００の天井３００Ｕにおいて、キャリア用開口３２０の近傍でかつ暗室化ケーシング３００の内部側にはシャッタ３２１およびシャッタ駆動装置３２３が設けられている。このシャッタ３２１は、暗室化ケーシング３００と同様に、遮光性の材料により形成されている。

上述のように、シャッタ駆動装置３２３は、基板処理装置２００の制御部４に接続されている。そこで、シャッタ駆動装置３２３は制御部４の指令信号に応答してキャリア用開口３２０におけるシャッタ３２１の開閉動作を行う。

例えば、基板処理システム１００に対するキャリア１の搬入および搬出時に、シャッタ駆動装置３２３は、制御部４からの指令信号に応答してシャッタ３２１を開く。

これにより、キャリア用開口３２０を通じて、外部から暗室化ケーシング３００内へのキャリア１の搬入および暗室化ケーシング３００内から外部へのキャリア１の搬出が行われる。その後、シャッタ駆動装置３２３は制御部４からの指令信号に応答してシャッタ３２１を閉じる。

ここで、制御部４はシャッタ駆動装置３２３によりシャッタ３２１が開いた場合に基板処理装置２００の回転処理部５ａ〜５ｄの動作を停止する。一方、制御部４はシャッタ駆動装置３２３によりシャッタ３２１が閉じた場合に基板処理装置２００の回転処理部５ａ〜５ｄの動作を開始または維持する。これにより、基板処理装置２００はシャッタ３２１が開いた状態で基板Ｗのポリマー除去処理を行わない。

シャッタ３２１が閉じた状態においては、キャリア用開口３２０から暗室化ケーシング３００内への光の入射が防止される。したがって、回転処理部５ａ〜５ｄによる基板Ｗのポリマー除去処理時に、基板Ｗにキャリア用開口３２０からの光が入射することが防止される。

暗室化ケーシング３００の天井３００Ｕにおける略中央部に複数のダクト用開口３３０が形成されている。図４（ｂ）に示すように、搬送領域Ｃ上に設けられた複数のファンフィルタユニットＦＦＵから複数のダクト用開口３３０へ延びるように、それぞれダクト３３１が取り付けられている。これらのダクト３３１は、暗室化ケーシング３００と同様に遮光性の材料により形成されている。ファンフィルタユニットＦＦＵは、ファンおよびフィルタにより構成されている。

ファンフィルタユニットＦＦＵのファンが動作することにより、暗室化ケーシング３００外の雰囲気が吸引される。それにより、暗室化ケーシング３００のダクト用開口３３０からダクト３３１を通じて基板処理装置２００の搬送領域Ｃへ流れる気流が発生する。それにより、基板処理装置２００の搬送領域Ｃ内におけるダウンフローを得ることができる。

ここで、ファンフィルタユニットＦＦＵのフィルタにはＨＥＰＡフィルタ（高効率エアフィルタ）等が用いられる。これにより、ダクト用開口３３０から入射され、ダクト３３１を通じてファンフィルタユニットＦＦＵに入射する光は、基板処理装置２００内部に透過することなく、ファンフィルタユニットＦＦＵのフィルタにより十分に遮断される。

上記構成により、暗室化ケーシング３００の内部空間は、引き戸３１１が開かれず、シャッタ３２１が開かれない限り暗室化される。

天井３００Ｕの一隅部上に設置された回転警告灯３４０について説明する。上述のように、回転警告灯３４０は、基板処理装置２００の制御部４に接続されている。そこで、回転警告灯３４０は制御部４の指令信号に応答して発光する。

例えば、回転処理部５ａ〜５ｄの少なくとも１つが動作している場合、回転警告灯３４０は、制御部４からの指令信号に応答して発光する。

これにより、回転処理部５ａ〜５ｄの少なくとも１つにおいて、基板Ｗのポリマー除去処理が行われている場合には、暗室化ケーシング３００の上部に設けられた回転警告灯３４０が発光する。

したがって、作業者は、暗室化ケーシング３００の外部で、基板処理装置２００による基板Ｗのポリマー除去処理が行われているか否かを容易に知ることができる。それにより、基板処理装置２００における基板Ｗのポリマー除去処理時に、作業者が暗室化ケーシング３００内へ不用意に侵入することが防止される。

その結果、回転処理部５ａ〜５ｄによるポリマー除去処理中の基板Ｗに外部からの光が入射することが防止される。また、回転処理部５ａ〜５ｄによるポリマー除去処理中に作業者が引き戸３１１を開くことによる回転処理部５ａ〜５ｄの動作の停止が防止される。

以上のように、本実施の形態に係る基板処理システム１００においては、基板Ｗのポリマー除去処理時に基板Ｗに光が入射することがないので、ポリマー除去処理時における光化学反応の発生が十分に防止される。

また、複数の回転処理部５ａ〜５ｄを備える基板処理装置２００の全体を暗室化することができるので、複数の回転処理部５ａ〜５ｄを個別に暗室化する必要がない。それにより、回転処理部５ａ〜５ｄの個々の構成および製造工程が複雑化せず、低コスト化が実現されている。

本実施の形態に係る基板処理システム１００においては、ポリマー除去処理中の基板Ｗの周辺を暗室化するために、制御部４は回転処理部５ａ〜５ｄのシャッタの動作を個別に制御する必要がない。これにより、基板処理装置２００の全体の制御が複雑化しない。

上述のように、暗室化ケーシング３００はプレハブ工法により作製される。これにより、既存の基板処理装置２００に暗室化ケーシング３００を適用することによりその基板処理装置２００を含む空間を容易に暗室化することができる。

さらに、本実施の形態に係る基板処理システム１００においては、作業者用開口３１０に引き戸３１１が設けられることにより、ドア等の開閉のためのスペースが不要となる。

なお、本実施の形態に係る基板処理システム１００においては、インターロックセンサ３１２により引き戸３１１の開閉状態が検出され、制御部４により回転処理部５ａ〜５ｄの動作が制御されている。しかしながら、制御部４は回転処理部５ａ〜５ｄの動作状態に応じて、引き戸３１１の開閉動作を制限してもよい。

この場合、引き戸３１１に開閉ロック機構を設ける。それにより、制御部４は、回転処理部５ａ〜５ｄの動作中に開閉ロック機構をオンし、引き戸３１１を作業者が開くことを防止してもよい。

また、上記では、暗室化ケーシング３００内にキャリア１を搬入および搬出するためのキャリア用開口３２０が、天井３００Ｕに形成されている。しかしながら、キャリア用開口３２０が側壁３００Ｂ等に形成されてもよい。

（基板処理システムの他の構成例）
図５は、本発明の実施の一形態に係る基板処理システム１００の他の構成を説明するための斜視図である。

図５に示すように、暗室化ケーシング３００の内部に照明用ランプＬが設けられてもよい。図５では、暗室化ケーシング３００の天井３００Ｕに４つの照明用ランプＬが設けられている。

この場合、制御部４（図１）は、例えばインターロックセンサ３１２からの検出信号がオン状態になった場合に照明用ランプＬをオンする。また、制御部４はインターロックセンサ３１２からの検出信号がオフ状態になった場合に照明用ランプＬをオフする。

これにより、作業者は引き戸３１１を開くことにより暗室化ケーシング３００内の照明をオンすることができるので、暗室化ケーシング３００により囲まれた基板処理装置２００のメンテナンスを容易に行うことができる。

また、暗室化ケーシング３００の外部に基板処理装置２００の操作パネルＭ２をさらに設けてもよい。この場合、作業者は暗室化ケーシング３００の内部に入ることなく基板処理装置２００の稼動状態の確認およびメンテナンス等を行うことができる。

以上、本実施の形態においては、回転処理部５ａ〜５ｄが複数の処理部に相当し、暗室化ケーシング３００がケーシングおよび基板処理用暗室に相当し、引き戸３１１が扉に相当し、制御部４が第１および第２の停止手段ならびに制限手段に相当する。

また、側壁３００Ａ〜３００Ｄの各々と基板処理装置２００の各側面との間の所定の間隔Ｑが保守作業用の空間を確保できる間隔に相当し、キャリア用開口３２０が基板搬送用開口に相当する。

さらに、回転警告灯３４０が警告灯に相当し、照明用ランプＬが照明灯に相当し、ダクト用開口３３０が気流用開口に相当し、ファンフィルタユニットＦＦＵのフィルタがフィルタに相当する。

本発明に係る基板処理システムおよび基板処理用暗室は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの透過上面図である。 図１の基板処理システムの斜視図である。 図１の基板処理システムの外観上面図および図１の基板処理システムの透過上面図である。 図１の基板処理システムの外観側面図および図１の基板処理システムのＺ−Ｚ線断面図である。 本発明の実施の一形態に係る基板処理システムの他の構成を説明するための斜視図である。 特許文献１の基板処理装置の構成を説明するための図である。

符号の説明

４ 制御部
１００ 基板処理システム
２００ 基板処理装置
３００ 暗室化ケーシング
３１０ 作業者用開口
３１１ 引き戸
３２０ キャリア用開口
３２１ シャッタ
３３０ ダクト用開口
３３１ ダクト
３４０ 回転警告灯
５ａ〜５ｄ 回転処理部
３００Ａ〜３００Ｄ 側壁
Ｑ 間隔
Ｌ 照明用ランプ
ＦＦＵ ファンフィルタユニット

Claims (14)

1. 基板に種々の処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置と、
   前記基板処理装置の上方および周囲を覆うように形成され、遮光性の材料からなるケーシングとを備えたことを特徴とする基板処理システム。
2. 前記ケーシングは、作業者が前記ケーシング内に侵入可能な作業者用開口を有し、
   前記作業者用開口に開閉可能に設けられ、遮光性の材料からなる扉をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
3. 前記扉の開放時に、前記基板処理装置の動作を停止させる第１の停止手段をさらに備えることを特徴とする請求項２記載の基板処理システム。
4. 前記基板処理装置の動作時に、前記扉の開放を制限する制限手段をさらに備えることを特徴とする請求項２記載の基板処理システム。
5. 前記扉は、引き戸であることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理システム。
6. 前記ケーシングの内面と前記基板処理装置の側面との間に、保守作業用の空間を確保することができる間隔が形成されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理システム。
7. 前記ケーシングは、前記基板処理装置に基板を搬送するための基板搬送用開口を有し、
   前記基板搬送用開口に開閉可能に設けられ、遮光性の材料からなるシャッタをさらに備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理システム。
8. 前記シャッタの開放時に、前記基板処理装置の動作を停止させる第２の停止手段をさらに備えることを特徴とする請求項７記載の基板処理システム。
9. 前記基板処理装置の動作時に発光する警告灯をさらに備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理システム。
10. 前記ケーシングの内部に設けられる照明灯をさらに備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理システム。
11. 前記ケーシングは、前記基板処理装置内に下降気流を流入させるための気流用開口を有し、
    前記気流用開口と前記基板処理装置との間に設けられ、遮光性の材料からなるダクトおよびフィルタをさらに備えることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の基板処理システム。
12. 前記複数の処理部のうち少なくとも一つは、基板に処理液を供給することにより基板の表面に付着する付着物を除去することを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の基板処理システム。
13. 前記付着物は、ポリマーであることを特徴とする請求項１２記載の基板処理システム。
14. 基板に種々の処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に用いられる基板処理用暗室であって、
    前記基板処理装置の上方および周囲を覆うように形成され、遮光性の材料からなるケーシングを備えたことを特徴とする基板処理用暗室。

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