TW201802997A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種基板處理裝置，包括用於載入要處理的基板及載出經處理的基板的設備前端模組；用於處理該基板的製程模組；用於將該基板載入和載出到該製程模組及控制氧氣濃度的傳送腔室；以及位於該設備前端模組與該傳送腔室之間用於供要被移動的基板提供一路徑及控制氧氣濃度的裝載鎖定腔室。

Description

基板處理裝置
本揭露關於一種用於處理基板的裝置。
在製造半導體裝置或液晶顯示器的方法中，例如光刻製程、蝕刻製程、灰化製程、離子注入製程、薄膜沉積製程和清潔製程的各種製程均是在基板上進行。這些製程中的光刻製程係用於在基板上形成電路圖案。光刻製程包括依次進行的塗覆製程、曝光製程和顯影製程。塗覆製程用於在基板上施加光阻，曝光製程用於將其上形成有光阻的基板上的電路圖案曝光，且顯影製程用於選擇性地顯影基板的光阻層部分。
本發明提供一種能夠有效處理基板的基板處理裝置。
本發明構思的示例性實施例可提供一種基板處理裝置，其包括用於載入要處理的基板及載出經處理的基板的設備前端模組；用於處理該基板的製程模組；用於將該基 板載入和載出到該製程模組及控制氧氣濃度的傳送腔室；以及位於該設備前端模組與該傳送腔室之間用於供要被移動的基板提供一路徑及控制氧氣濃度的裝載鎖定腔室。
在一示例性實施例，裝載鎖定腔室中的感測器可被提供來檢測其中的氧氣濃度。
在一示例性實施例，裝載鎖定腔室可包括載入腔室，用於供要從設備前端模組載入到該傳送腔室的基板提供一路徑；以及載出腔室，用於供要從該傳送腔室載出到該設備前端模組的基板提供一路徑；其中該載入腔室和該載出腔室中的氧氣濃度可被獨立地控制。
在一示例性實施例，載入腔室可提供有用於檢測載入腔室內的氧氣濃度的載入感測器、以及用於檢測該載出腔室內的氧氣濃度的載出感測器。
在一示例性實施例，載入腔室可連接至用於供給惰性氣體的載入供給管線及用於排出氣體的載入排氣管線。
在一示例性實施例，根據從載入感測器檢測到的氧氣濃度可控制惰性氣體的供給或氣體的排出。
在一示例性實施例，載出腔室可連接至用於供給惰性 氣體的載出供給管線及用於排出氣體的載出排氣管線。
在一示例性實施例，根據從載出感測器檢測到的氧氣濃度可控制惰性氣體的供給或氣體的排出。
在一示例性實施例，傳送腔室可提供有用於檢測傳送腔室內的氧氣濃度的感測器。
在一示例性實施例，傳送腔室可連接至用於供給惰性氣體的供給管線及用於排出氣體的排氣管線，其中根據從感測器檢測到的氧氣濃度可控制惰性氣體的供給或氣體的排出。
在一示例性實施例，可提供用於打開和關閉其中基板在該設備前端模組與該裝載鎖定腔室之間、或在該裝載鎖定腔室與該傳送腔室之間、或在該傳送腔室與該製程腔室之間被傳送之路徑的門。
在一示例性實施例，門可包括屏蔽件，其中形成排出孔以在路徑被打開並被設置為板形時朝向路徑的外表面排出惰性氣體、以及用於移動屏蔽件的驅動件。
在一示例性實施例，可在對應於路徑之寬度的路徑的寬度方向上形成複數個排出孔。
在一示例性實施例，連接至複數個排出孔的分布空間可形成在屏蔽件的內部。
在一示例性實施例，路徑各自垂直布置，且門可包括用於打開和關閉頂部路徑的第一門和用於打開和關閉底部路徑的第二門。
在一示例性實施例，第一門在頂部路徑被打開時移動到頂部，且第二門在底部路徑被打開時移動到底部。
在一示例性實施例，第一門的第一排出孔和第二門的第二排出孔可形成在與從側面觀看時其中兩個門彼此垂直布置的陣列偏離的位置。
1‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧載體
6‧‧‧支撐件
10‧‧‧裝載埠
20‧‧‧設備前端模組(EFEM)
21‧‧‧傳送框架
25‧‧‧第一傳送機器人
27‧‧‧傳送軌道
30‧‧‧製程單元
40‧‧‧裝載鎖定腔室
41‧‧‧載入腔室
42‧‧‧載出腔室
50‧‧‧傳送腔室
53‧‧‧第二傳送機械人
60‧‧‧製程模組
100‧‧‧載入殼體
102‧‧‧載出殼體
110‧‧‧載入感測器
112‧‧‧載出感測器
200‧‧‧氣體供給構件
210‧‧‧載入供給管線
211‧‧‧載入供給控制裝置
220‧‧‧載出供給管線
221‧‧‧載出供給控制裝置
230‧‧‧供給管線
231‧‧‧供給控制裝置
300‧‧‧排氣裝置
310‧‧‧載入排氣管線
311‧‧‧載入排氣控制裝置
320‧‧‧載出排氣管線
321‧‧‧載出排氣控制裝置
330‧‧‧排氣管線
331‧‧‧載入排氣控制裝置
500‧‧‧殼體
510‧‧‧感測器
600‧‧‧門
601‧‧‧第一門
602‧‧‧第二門
610‧‧‧屏蔽件
611‧‧‧頂板
612‧‧‧底板
615‧‧‧分布空間
616‧‧‧排出孔
620‧‧‧驅動件
630‧‧‧密封件
631‧‧‧管道
641‧‧‧第一排出孔
642‧‧‧第二排出孔
G‧‧‧閘門
G1‧‧‧閘門(前閘門)
G2‧‧‧閘門(後閘門)
G3‧‧‧閘門
P‧‧‧氣體供給裝置
W‧‧‧基板
圖1是根據本發明之實施例的用於處理基板的裝置的平面圖。
圖2是載入腔室和傳送腔室的側視圖。
圖3是載出腔室和傳送腔室的側視圖。
圖4顯示根據設置在傳送腔室或裝載鎖定腔室內的惰 性氣體的流量，傳送腔室或裝載鎖定腔室的氧氣濃度的相關性。
圖5顯示根據在傳送腔室或裝載鎖定腔室內排出的氣體的壓力，傳送腔室或裝載鎖定腔室的相關氧氣濃度。
圖6顯示根據氧氣的量，基板之氧化物膜的厚度。
圖7是門的前視圖。
圖8是圖7之門的後視圖。
圖9是經拆卸的門的立體圖。
圖10顯示閘門被打開時門的移動。
圖11是根據本發明之另一實施例的門移動的側視圖。
將在下文中參考隨附圖式更完全地描述各種示例性實施例，其中在圖式中顯示一些示例性實施例。然而，本發明可以不同的形式實施，並且不應被解釋為限於本文所闡述的實施例。相反地，提供這些實施例使得本揭露將是徹底且完整的，並且將對本案所屬技術領域中具有通常知識 者充分傳達本發明的範圍。因此，圖式的特徵被誇大以強調明確的解釋。
圖1是根據本發明之實施例的用於處理基板的裝置的平面圖。
參考圖1，基板處理裝置1包括設備前端模組(EFEM)20和製程單元30。EFEM 20和製程單元30沿著一個方向布置。將EFEM 20和製程單元30布置的方向稱為第一方向X，將從頂側觀看時垂直於該第一方向X的方向稱作為第二方向Y。
EFEM20載入用於在基板處理裝置1內處理的基板，並從基板處理裝置1載出完成處理的基板。EMEM 20包括裝載埠10和傳送框架21。裝載埠10可沿著第一方向X布置在EFEM 20的前面。裝載埠10具有複數個支撐件6。每個支撐件6沿著第二方向Y布置且定位具有將被提供於製程的基板W和已完成處理的基板W的載體4(例如盒、FOUP等)。在載體4中，提供將被提供於製程的基板W和已完成處理的基板W。傳送框架21布置在裝載埠10和製程單元30之間。傳送框架21布置在其中，並且包括用於在裝載埠10和製程單元30之間傳送基板W的第一傳送機器人25。第一傳送機器人25可沿著傳送軌道27移動，該傳送軌道27沿著第二方向Y設置。
製程單元30包括裝載鎖定腔室40、傳送腔室50和製程模組60。
裝載鎖定腔室40和傳送框架21相鄰地布置。在一實例中，裝載鎖定腔室40可布置在傳送腔室50和EFEM 20之間。提供裝載鎖定腔室40以能夠控制氧氣濃度。
裝載鎖定腔室40可包括載入腔室41和載出腔室42。載入腔室41為在傳送到製程模組60時進行處理要提供的基板W提供備用空間。載出腔室42為在傳送到EFEM 20之前已完成處理的基板W提供備用空間。
在載入腔室41和載出腔室42中分別提供閘門G1(前閘門G1)、閘門G2(後閘門G2)。閘門G1(前閘門G1)、閘門G2(後閘門G2)包括位於連接到EFEM 20的路徑中的前閘門G1和位於連接到稍後將描述的傳送腔室50的路徑中的後閘門G2。閘門G1(前閘門G1)、閘門G2(後閘門G2)提供為基板移動的路徑。閘門G1(前閘門G1)、閘門G2(後閘門G2)可藉由稍後將描述的門600打開和關閉。提供載入腔室41和載出腔室42以能夠控制其中的氧氣濃度。
傳送腔室50和裝載鎖定腔室40相鄰地布置。當從頂側觀看時，傳送腔室50可具有多邊形主體。在一實例中， 當從頂側觀看時，傳送腔室可具有五邊形主體。在主體的外表面中，裝載鎖定腔室40和複數個製程模組60沿著主體的周圍布置。在主體的每個側壁中，形成用於基板W進入的通道，且該路經連接傳送腔室50、裝載鎖定腔室40或製程模組60。在傳送腔室50的內部空間，布置用於傳送基板W的第二傳送機器人53。第二傳送機械人53將在載入腔室41預備的未處理的基板W傳送到製程模組60，或將經處理的基板W從製程模組60傳送到載出腔室42。並且，為了在複數個製程模組中依序提供基板W，該基板W在製程模組60之間傳送。與圖1的示例一樣，當傳送腔室50具有五邊形主體時，裝載鎖定腔室40可以布置在與EFEM 20相鄰的側壁中，且製程模組60可以依次布置在該側壁的其餘部分中。傳送腔室50可以根據上述形式而不同，亦可以根據所需的製程模組的數量提供各種形式。傳送腔室50被提供成能夠控制其中的氧氣濃度。
製程模組60沿著傳送腔室50的周圍布置。可提供複數個製程模組60。可在每個製程模組60中處理基板W。製程模組60從第二傳送機器人53接收基板W，處理基板W，及將經處理的基板W提供給該第二傳送機器人53。在其中基板在製程模組60與傳送腔室50之間傳送的路徑中提供了閘門G3。在每個製程模組60中進行的處理可以相同或不同。製程模組60執行的製程可以是在製造使用基板W的半導體裝置或顯示器面板的製程。在一實例中，製程 模組60中的一個或複數個可包括用於使用電漿處理基板W的電漿模組。
圖2是載入腔室和傳送腔室的側視圖，且圖3是載出腔室和傳送腔室的側視圖。
參考圖2和圖3，氣體供給構件200連接到裝載鎖定腔室40和傳送腔室50。氣體供給構件200向裝載鎖定腔室40和傳送腔室50提供惰性氣體。在一實例中，藉由氣體供給構件200提供的惰性氣體可以是氮氣。在圖的實施例中，載入腔室41、載出腔室42和傳送腔室50連接至一個氣體供給構件200。然而，它們可以分別連接至不同的氣體供給構件，或者它們中僅一個可以連接至不同的氣體供給構件。
用於供給惰性氣體到載入腔室41的載入供給管線210可被提供為可控制惰性氣體的供給及/或所提供的惰性氣體的量的結構。例如，用於打開和關閉載入供給管線210或控制流量的載入供給控制裝置211可提供在載入供給管線210中。載入供給控制裝置211可以是閥、MFC(質量流量控制器)等等。載入感測器110可提供在載入腔室41之載入殼體100中。載入感測器110可以檢測載入腔室41內的氧氣濃度。
用於供給惰性氣體到載出腔室42的載出供給管線220可被提供為無論是否提供惰性氣體的結構及/或可控制被提供惰性氣體的量的結構。例如，用於打開和關閉載出供給管線220或控制流量的載出供給控制裝置221可提供在載出供給管線220中。載出供給控制裝置221可以是閥、MFC(質量流量控制器)等等。載出感測器112可提供在載出腔室42之載出殼體102中。載出感測器112可以檢測載出腔室42內的氧氣濃度。
用於供給惰性氣體至傳送腔室50的供給管線230可被提供為無論是否提供惰性氣體的結構及/或可控制被提供惰性氣體的量的結構。例如，用於打開和關閉供給管線230或控制流量的供給控制裝置231可提供在供給管線230中。供給控制裝置231可以是閥、MFC(質量流量控制器)等等。感測器510可提供在傳送腔室50之殼體500中。感測器510可以檢測傳送腔室50內的氧氣濃度。
裝載鎖定腔室40和傳送腔室50連接到排氣裝置300。排氣裝置300將裝載鎖定腔室40和傳送腔室50的氣體排出。在圖的實施例中，載入腔室41、載出腔室42和傳送腔室50連接到一個排氣裝置300。然而，它們可連接到每個排氣裝置300，或者它們中的僅一個可連接到不同的排氣裝置300。
用於排出氣體到載入腔室41的載入排氣管線310可被提供為無論氣體是否排出的結構及/或可控制被排出氣體的量的結構。例如，用於打開和關閉載入排氣管線310或控制流量的載入排氣控制裝置311可提供在載入排氣管線310中。載入排氣控制裝置331可以是閥、MFC(質量流量控制器)等等。
用於排出氣體到載出腔室42的載出排氣管線320可被提供為無論氣體是否排出的結構及/或可控制被排出氣體的量的結構。例如，用於打開和關閉載出排氣管線320或控制流量的載出排氣控制裝置321可提供在載出排氣管線320中。載出排氣控制裝置321可以是閥、MFC(質量流量控制器)等等。
用於排出氣體到傳送腔室50的排氣管線330可被提供為無論是否排出氣體的結構及/或可控制被排出氣體的量的結構。例如，用於打開和關閉排氣管線330或控制流量的載入排氣控制裝置331可提供在排氣管線330中。載入排氣控制裝置331可以是閥、MFC(質量流量控制器)等等。
圖4顯示根據設置在傳送腔室或裝載鎖定腔室內的惰性氣體的流量，傳送腔室或裝載鎖定腔室的氧氣濃度的相關性。
氧氣可以流入裝載鎖定腔室40或傳送腔室50。具體地，前閘門G1在將基板從EFEM 20載入到載入腔室41期間或在將基板從載出腔室42載出到EFEM 20期間被打開，且基板處理裝置1的外部空氣可透過前閘門G1流動。此處，包含在外部空氣中的氧氣一起流動。並且當根據傳送基板的過程打開後閘門G2時，包括氧氣的外部空氣可流進傳送腔室50。
當提供到裝載鎖定腔室40的惰性氣體的流量增加時，裝載鎖定腔室40中的氧氣的量可能會減少。這是藉由惰性氣體的流量在裝載鎖定腔室40中增加的壓力的效果，根據被供給的惰性氣體流量減少的外部空氣流入等等。由於與裝載鎖定腔室40相似的原因，當供給的惰性氣體的量增加時，傳送腔室50中的氧氣的量可能會減少。
圖5顯示根據在傳送腔室或裝載鎖定腔室內排出的氣體的壓力，傳送腔室或裝載鎖定腔室的相關氧氣濃度。
當用於排出裝載鎖定腔室40中的氣體的壓力增加時，裝載鎖定腔室40中的氧氣的量可能會增加。這可解釋為，當用於排出氣體的壓力增加時，排出氣體的量增加，裝載鎖定腔室40中的氣體的量和壓力減小，從而外部空氣流量增加。由於與裝載鎖定腔室40相似的原因，當排出氣體壓力的量增加時，傳送腔室50中的氧氣的量可能會減 少。
圖6顯示根據氧氣的量，基板之氧化物膜的厚度。
基板可能被周圍的氧氧化。此處，當其他要求保持相同時，根據氧氣濃度的氧化物膜的厚度可與如圖6所示的根函數圖類似。因此，可藉由控制其中在基板中沒有特殊處理而放置基板的氧氣濃度來形成需要厚度的氧化物膜。
以下具體說明使用根據本發明之實施例的基板處理裝置1在基板形成氧化物膜的方法。
載入供給管線210提供惰性氣體到載入腔室41。惰性氣體可以是設置在載入腔室41內部的狀態，而與前閘門G1和後閘門G2的開啟狀態無關。並且載入排氣管線310排出載入排氣腔室41的內部的氣體。在前閘門G1關閉時進行載入腔室41的氣體排出，且可在前閘門G1打開時停止。因此，可以減少載入腔室41中氣體排出的外部空氣流動。此外，當前閘門G1打開和關閉時，可在載入腔室41中進行氣體排出。此處，載入腔室41中氣體排出的量可根據前閘門G1的開啟狀態被控制，以根據外部氣體的流入控制載入腔室41的氧氣濃度。在一實例中，當前閘門G1打開時，載入腔室41中的氣體排出的量可被控制為比前閘門G1關閉時減少。並且，根據在載入感測器110中檢測 到的氧氣濃度可控制通過載入供給管線210的惰性氣體供給。並且，根據在載入感測器110中檢測到的氧氣濃度可控制通過載入排氣管線310的氣體排出。
載入腔室41的前閘門G1被打開來用於從EFEM 20載入基板，並在載入基板之後關閉。可通過載入供給管線210的惰性氣體供給和通過載入排氣管線310的氣體排出控制載入腔室41的壓力以保持設定範圍。在一實例中，載入腔室41可在1托(torr)至850托(torr)內操作。
在基板載入到載入腔室41並設定時間推移之後，打開後閘門G2並將基板傳送到傳送腔室50。之後，當基板被載出時，可關閉後閘門G2。可進行供給惰性氣體到載入腔室41及排出載入腔室41的氣體而不需在後閘門G2為打開狀態。
在基板被載進載入腔室41後，可在設定時間範圍內管理要被載出到傳送腔室50消耗的時間。此外，可藉由控制被供給的惰性氣體及/或氣體排出的量來控制載入腔室41內的氧氣濃度。因此，在處理模組中處理之前，可通過控制載入腔室41內的氧氣濃度來控制形成在基板上的氧化物膜的厚度。
供給管線230供給惰性氣體到傳送腔室50。惰性氣體 可以是被提供在傳送腔室50內的狀態，而與後閘門G2和閘門G3的開啟狀態無關。可控制供給的惰性氣體的量，以控制在感測器510中檢測到的氧氣濃度。在一實例中，當傳送腔室50內的氧氣濃度低於設定濃度時，供給的惰性氣體的量可能會降低。此外，當傳送腔室50內的氧氣濃度高於設定濃度時，供給的惰性氣體的量可能會增加。
排氣管線330排出傳送腔室50內的氣體。可進行氣體排出而不用在後閘門G2和閘門的打開狀態。可控制排出氣體的量以控制在檢測器510中檢測到的氧氣濃度。在一實例中，當傳送腔室50內的氧氣濃度低於設定濃度時，供給的惰性氣體的量可能會降低。此外，當傳送腔室50內的氧氣濃度高於設定濃度時，供給的惰性氣體的量可能會增加。
可通過供給管線230的惰性氣體供給惰性氣體和通過排氣管線330的氣體排出控制載入腔室41的壓力以保持設定範圍。在一實例中，傳送腔室50可在700torr至850torr內操作。之後，在多於一個製程模組中處理基板，然後載出到載出腔室42。
未處理的基板被載進到傳送腔室50並載出到製程腔室60消耗的時間及/或經處理的基板被載進到製程腔室60載入傳送腔室50及載出到載出模組42消耗的時間可在設 定時間範圍內管理。此外，可藉由控制供給的惰性氣體及/或排出氣體的量來控制傳送腔室50內的氧氣濃度。因此，通過控制傳送腔室50內的氧氣濃度，基板可控制在製程腔室60中處理之後在傳送腔室50中產生的氧化物膜的厚度及/或在製程腔室60中處理之前在傳送腔室50中產生的氧化物膜的厚度。
載出供給管線220供給惰性氣體到載出腔室42。惰性氣體可以是提供在載出腔室42內的狀態，而與前閘門G1和後閘門G2的開啟狀態無關。載出排氣管線320排出載出腔室42內的氣體。並且載出排氣管線320排出載出腔室42內的氣體。在前閘門G1關閉時進行載出腔室42的氣體排出，且可在前閘門G1打開時停止。因此，可以減少載出腔室42中氣體排出的外部空氣流動。此外，當前閘門G1打開和關閉時，可在載出腔室42中進行氣體排出。此處，載出腔室42中氣體排出的量可根據前閘門G1的開啟狀態被控制，以根據外部氣體的流入控制載出腔室42的氧氣濃度。在一實例中，當前閘門G1打開時，載出腔室42中的氣體排出的量可被控制為比前閘門G1關閉時減少。
並且，根據在載出感測器112中檢測到的氧氣濃度可控制通過載出供給管線220的惰性氣體供給。並且，根據在載出感測器112中檢測到的氧氣濃度可控制通過載出排氣管線320的氣體排出。
載出腔室42的後閘門G2被打開來用於從傳送腔室50載入基板，並在載入基板之後關閉。可進行供給惰性氣體到載出腔室42及排出載出腔室42的氣體而不需在後閘門G2為打開狀態。可通過載出供給管線220的惰性氣體供給和通過載出排氣管線320的氣體排出控制載出腔室41的壓力以保持設定範圍。在一實例中，載出腔室42可在1torr至850torr內操作。
在基板載入到載出腔室42並設定時間推移之後，打開前閘門G1並將基板傳送到EFEM 20。之後，當基板被載出時，關閉前閘門G1。
在基板被載進載出腔室42後，可在設定時間範圍內管理要被載出到EFEM 20消耗的時間。此外，可藉由控制被供給的惰性氣體及/或氣體排出的量來控制載出腔室42內的氧氣濃度。因此，在處理模組中處理之後，可通過控制載出腔室42內的氧氣濃度來控制形成在基板上的氧化物膜的厚度。
圖7是門的前視圖。圖8是圖7之門的後視圖。
可提供門600以打開和關閉前閘門G1、後閘門G2或閘門G3。門600包括屏蔽件610和驅動件620。
屏蔽件610可提供為具有設定厚度的板形式。驅動件620可連接到屏蔽件610的外側，且在設置方向(上和下或左和右)移動屏蔽件610。在下文中，解釋當驅動件620連接到屏蔽件610的前面並且上下移動屏蔽件610時的實例。
密封件630設置在屏蔽件610的後側。當屏蔽件610排列在閘門G上以關閉閘門(G1、G2或G3；以下稱為G)時，可設置密封件630以圍繞閘門G的外周，且可藉由門600增強閘門G的密封。
圖9是經拆卸的門的立體圖。
參考圖9，在屏蔽件610中形成分布空間615和排出孔616。
分布空間615形成為具有屏蔽件610的設定容積內側。在一實例中，分布空間615可在底板612的頂側上具有凹槽形狀的空間，並且底板612的頂部可以藉由頂板611封閉。在屏蔽件610中，形成有將分布空間615與外側連接的排出孔616。當屏蔽件610移動以打開閘門G時，排出孔616沿著朝向閘門G的方向形成。因此，當屏蔽件610被設置成向上移動以打開閘門G時，排出孔616形成在屏蔽件610的底表面處。複數個排出孔616可沿著閘門G的 寬度形成屏蔽件610的外表面，以對應於閘門G的寬度。
圖10顯示閘門被打開時門的移動。
氣體通過管道631流到分布空間615。在一實例中，管道631可形成在驅動件620和屏蔽件610交叉。並且，管道631的端部可連接到氣體供給裝置P。在一實例中，氣體供給裝置P可以是管道。氣體供給裝置P供給惰性氣體。惰性氣體可以是氮氣。此外，管道631可以形成為連接屏蔽件610的外側和分布空間615，且氣體供給裝置亦可連接到屏蔽610件的外側。
排出孔616朝向被打開的閘門G排放氣體。在一實例中，當屏蔽件610移動時閘門G被打開，氣體供給裝置P可從排出孔616排出的氣體的氣體供給到閘門G。此外，氣體供給裝置P可供給與閘門G的開啟狀態無關的氣體，使得當屏蔽件610置於其中閘門G打開的位置時，從排出孔616排出的氣體屏蔽閘門G的前方。而且，氣體供給裝置P亦可將用於要被選擇地排出的氣體的氣體供給到閘門G。
當閘門G的前方被氣體屏蔽時，閘門G可停止氣體運動，使得允許基板移動的氣體移動最小化。
圖11是根據本發明之另一實施例的門移動的側視圖。
參考圖11，兩個閘門G可以分別上下布置。並且，可以分別在每個閘門G中設置打開和關閉閘門G的第一門601、第二門602。此處，當閘門G打開時，置於上側的第一門601可移動到頂側。當閘門G打開時，置於底側的第二門602可移動到底側。當置於頂部的閘門G打開時，第一門601的第一排出孔641可朝向閘門G排出氣體。並且，當置於底部的閘門G關閉時，第二門602的第二排出孔642可朝向置於頂部的閘門G排出氣體。因此，在頂部閘門G的前方，從第一門610和第二門602排出的氣體可能流動。當從側面觀看時，形成在相應方向上的第一門601的第一排出孔641和第二門602的第二排出孔642可以形成在從兩個門垂直布置的陣列偏離的位置。因此，從第一排出孔641和第二排出孔642排出的氣體不會在閘門G的前方碰撞並流動。
第二門602可以移動到置於底部處打開閘門G的方向，且當置於頂部的閘門G關閉時，第一門601可以類似於上述描述操作。
前述實施例是本發明的示例。此外，上述內容僅示出和描述較佳的實施例，並且實施例可以包括各種組合、改變和環境。此即，本案所屬技術領域中具有通常知識者將 理解，在不背離由所附申請專利範圍及其等同物限定其範圍的原理和精神的情況下，可以對這些實施例進行替換、修改和改變。此外，不意欲本申請的範圍限於這些具體實施例或其具體特徵或益處。相反地，意在將本申請的範圍僅限於現在遵循的申請專利範圍及其等同物。
1‧‧‧基板處理裝置
4‧‧‧載體
6‧‧‧支撐件
10‧‧‧裝載埠
20‧‧‧設備前端模組(EFEM)
21‧‧‧傳送框架
25‧‧‧第一傳送機器人
27‧‧‧傳送軌道
30‧‧‧製程單元
40‧‧‧裝載鎖定腔室
41‧‧‧載入腔室
42‧‧‧載出腔室
50‧‧‧傳送腔室
53‧‧‧第二傳送機械人
60‧‧‧製程模組
G1‧‧‧閘門(前閘門)
G2‧‧‧閘門(後閘門)
G3‧‧‧閘門
W‧‧‧基板

Claims (17)

  1. 一種基板處理裝置，包括：設備前端模組，用於載入要處理的基板及載出經處理的基板；製程模組，用於處理該基板；傳送腔室，用於將該基板載入和載出到該製程模組及控制氧氣濃度；以及裝載鎖定腔室，其位於該設備前端模組與該傳送腔室之間，用於供要被移動的基板提供一路徑及控制氧氣濃度。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中該裝載鎖定腔室提供有一感測器，以檢測其中的氧氣濃度。
  3. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中該裝載鎖定腔室包括：載入腔室，用於供要從該設備前端模組載入到該傳送腔室的基板提供一路徑；以及載出腔室，用於供要從該傳送腔室載出到該設備前端模組的基板提供一路徑；其中該載入腔室和該載出腔室中的氧氣濃度被獨立地控制。
  4. 如請求項3所記載之基板處理裝置，其中該載入腔室提供有載入感測器，用於檢測該載入腔室內的氧氣濃度、以及載出感測器，用於檢測該載出腔室內的氧氣濃度。
  5. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中該載入腔室連接至載入供給管線，用於供給惰性氣體、及連到至載入排氣管線，用於排出氣體。
  6. 如請求項5所記載之基板處理裝置，其中根據從該載入感測器檢測到的氧氣濃度控制該惰性氣體的供給或該氣體的排出。
  7. 如請求項4所記載之基板處理裝置，其中該載出腔室連接至載出供給管線，用於供給惰性氣體、及連到至載出排氣管線，用於排出氣體。
  8. 如請求項7所記載之基板處理裝置，其中根據從該載出感測器檢測到的氧氣濃度控制該惰性氣體的供給或該氣體的排出。
  9. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中該傳送腔室提供有感測器，用於檢測該傳送腔室內的氧氣濃度。
  10. 如請求項9所記載之基板處理裝置，其中該傳送腔室連接至供給管線，用於供給惰性氣體、及連到至排氣管線，用於排出氣體，其中根據從該感測器檢測到的氧氣濃度控制該惰性氣體的供給或該氣體的排出。
  11. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其進一步包括一門，用於打開和關閉其中該基板在該設備前端模組與該裝載鎖定腔室之間、或在該裝載鎖定腔室與該傳送腔室之間、或在該傳送腔室與該製程腔室之間被傳送之路徑。
  12. 如請求項11所記載之基板處理裝置，其中該門包括： 屏蔽件，其中形成排出孔以在該路徑被打開並被設置為板形時朝向該路徑的外表面排出惰性氣體；以及驅動件，用於移動該屏蔽件。
  13. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中在對應於該路徑之寬度的路徑的寬度方向上形成有複數個排出孔。
  14. 如請求項13所記載之基板處理裝置，其中該屏蔽件包括連接至其中的複數個排出孔的分布空間。
  15. 如請求項12所記載之基板處理裝置，其中該路徑各自垂直布置，且該門包括用於打開和關閉頂部路徑的第一門和用於打開和關閉底部路徑的第二門。
  16. 如請求項15所記載之基板處理裝置，其中該第一門在該頂部路徑被打開時移動到頂部，且該第二門在該底部路徑被打開時移動到底部。
  17. 如請求項16所記載之基板處理裝置，其中該第一門的第一排出孔和該第二門的第二排出孔形成在與從側面觀看時該第一門和該第二門彼此垂直布置的陣列偏離的位置。
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