JP2006265058A - 酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法 - Google Patents
酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006265058A JP2006265058A JP2005087967A JP2005087967A JP2006265058A JP 2006265058 A JP2006265058 A JP 2006265058A JP 2005087967 A JP2005087967 A JP 2005087967A JP 2005087967 A JP2005087967 A JP 2005087967A JP 2006265058 A JP2006265058 A JP 2006265058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- mgo
- mgo single
- magnesium oxide
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F5/00—Compounds of magnesium
- C01F5/02—Magnesia
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
- C30B23/066—Heating of the material to be evaporated
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
【解決手段】 カルシウム含有量が150×10-6〜1000×10-6kg/kg、ケイ素含有量が、10×10-6kg/kg以下のMgO単結晶であって、MgO単結晶の研磨面をTOF−SIMSにより分析したときのカルシウムフラグメントイオン検出量の変動がCV値で30%以下であるMgO単結晶である。また、このMgO単結晶から得られるMgO単結晶蒸着材及び薄膜形成用MgO単結晶基板である。
【選択図】 なし
Description
(MgO単結晶A)
CaO濃度0.20×10-2kg/kg、SiO2濃度0.17×10-2kg/kgのマグネシアクリンカー(直径5mm以下)5tを、内径1.5m、高さ1.5mの電気炉に装入して、厚さ1.3mのマグネシアクリンカー層を形成した。これに、上部より予め30〜390メッシュに粒度調整した粉末状のマグネシアを2t装入して厚さ0.2mのマグネシア粉末層を形成した。これを、予め電気炉内に深く埋設しておいたカーボン電極を用いて、40時間通電(電力14000kWH)し、通電終了5時間前から、電気炉の外周部を空冷により強制冷却し、MgO単結晶Aを得た。
強制冷却する部位を炉底部に変えた以外は、上記MgO単結晶Aと同様にして、MgO単結晶Bを得た。
CaO濃度0.08×10-2kg/kg、SiO2濃度0.10×10-2kg/kgのマグネシアクリンカーを用い、25時間(電力9000kWH)通電し、通電終了3時間前から炉底部を強制冷却したこと以外は、MgO単結晶Aと同様にして、MgO単結晶Cを得た。
CaO濃度0.30×10-2kg/kg、SiO2濃度0.12×10-2kg/kgのマグネシアクリンカーを用い、30時間(電力12000kWH)通電し、通電終了7時間前から炉底部を強制冷却したこと以外は、MgO単結晶Aと同様にして、MgO単結晶Dを得た。
強制冷却を行わないこと以外は、MgO単結晶Aと同様にして、MgO単結晶Eを得た。
CaO濃度0.12×10-2kg/kg、SiO2濃度0.31×10-2kg/kgのマグネシアクリンカーを用いたこと以外は、MgO単結晶Bと同様にしてMgO単結晶Fを得た。
なお、これらのMgO単結晶A〜Fの品質を、その原料の品質と併せて表1に示した。
実施例1
MgO単結晶Aを解砕し、4メッシュパス、5.5メッシュオンのものを蒸着材とした。加工した蒸着材の中から、無作為に10個の試料を採取し、後述する方法で体積を測定した後、最も体積の大きい試料をTOF−SIMS分析に供し、残りの試料をICP発光分光分析に供した。その後、電子ビーム蒸着装置を用いて成膜し、スプラッシュの発生状態、成膜速度、二次電子放出係数をそれぞれ後述する条件で評価し、結果を表2に示した。
MgO単結晶Bを用いたこと以外は実施例1と同様にして蒸着材を得て、その評価結果を表2に示した。
MgO単結晶Cを用いたこと以外は実施例1と同様にして蒸着材を得て、その評価結果を表2に示した。
MgO単結晶Dを解砕し、4.7メッシュパス、6.5メッシュオンのものを蒸着材としたこと以外は、実施例1と同様にして評価を行い、結果を表2に示した。
3.5メッシュパス、4メッシュオンのものを蒸着材としたこと以外は、実施例1と同様にして評価を行い、結果を表2に示した。
2.5メッシュパス、3.5メッシュオンのものを蒸着材としたこと以外は、実施例1と同様にして評価を行い、結果を表2に示した。
MgO単結晶Aを解砕し、6.5メッシュパス、8.6メッシュオンのものを蒸着材としたこと以外は、実施例1と同様にして評価を行い、結果を表2に示した。
MgO単結晶Aを、12×10-3m、12×10-3m、10×10-3mに劈開し、7.5メッシュの金網で篩い、微細粒子を除去したものを蒸着材としたこと以外は実施例1と同様にして評価を行い、結果を表2に示した。
MgO単結晶Eを用いたこと以外は、実施例1と同様にして評価を行い、結果を表2に示した。
MgO単結晶Fを用いたこと以外は、実施例1と同様にして評価を行い、結果を表2に示した。
純度99.93質量%の高純度多結晶MgOを造粒した後、直径10×10-3m、厚さ2×10-3mの金型を用いて、800×104kg/m2の圧力で成型し、電気炉にて1873K×10800秒(3時間)焼成したものを蒸着材として、実施例1と同様にして評価を行い、結果を表2に示した。なお、焼結体中のCa濃度は、120×10-6kg/kg、Si濃度は45×10-6kg/kgであった。
実施例9
MgO単結晶Aを劈開により加工し、ラッピング、ポリッシュを経て、表面粗度Ra=3×10-10m以下、大きさ10×10×0.5[10-3m]の基板に加工した。その後、後述する条件で、基板上に酸化物超伝導体薄膜を形成し、超伝導物性を評価し、結果を表3に示した。
MgO単結晶Eを使用したこと以外は、実施例9と同様にして基板を製造し、同様の評価を行い、結果を表3に示した。
(TOF−SIMS分析)
測定試料をラッピング、ポリッシュにより研磨し、表面粗度(Ra)が1.0×10-9mの平滑な面に加工した。研磨した測定試料を、TOF−SIMS(飛行時間型二次イオン質量分析)装置Physical Electronics社製 TFS−2000を用い、240×10-6m四方の領域について、69Ga+を、25kVで加速してφ1×10-6mに収束した一次イオンビームを試料に照射し、正二次イオンをマッピング分析した。40Ca+のカウント数の平均値と標準偏差から算出したCV値を変動率とした。
CV値=100×標準偏差/平均値
Ca、Si不純物量は、ICP発光分光分析装置(セイコーインスツルメンツ株式会社製SPS−1700VR)を用い、試料を酸溶解した後、測定した。
蒸着材の外形寸法をノギスにより測定し、算出した。
MgO単結晶蒸着材を、電子ビーム蒸着装置を使用して、ステンレス基板上に60秒間成膜した。このときの膜厚を測定して、成膜速度を算出した。ついで、この成膜速度から成膜条件を決定し、膜厚が100×10-9mになるように成膜して、評価用の試料を得た。なお、電子ビーム蒸着は、加速電圧15kV、蒸着圧力1×10-2Pa、蒸着距離0.6mで行った。
単一波長エリプソ装置を用い、He−Neレーザ(波長623.8×10-9m)を異なる2つの入射角(55degree、70degree)で入射させてエリプソ測定を行い、フィッティング解析により膜厚を求めた。
保護膜形成中の状態を、装置の窓から目視観察し、スプラッシュの発生を5段階評価した。スプラッシュが発生しなかった場合を「1」、スプラッシュが頻繁に発生した場合を「5」とした。
得られた成膜試料を、二次電子測定装置のターゲット位置に配置し、高真空中で活性化処理を行った後、二次電子放出係数を測定した。なお、測定時の試料温度は573K、イオン加速電圧は300Vとした。
MgO単結晶基板上に、Bi−Sr−Ca−Cu−O系超伝導体薄膜をRFスパッタリング法により成膜した。成膜条件は下記の通りである。
スパッタリングガス:Ar:O2=8:2
スパッタリング圧力:2Pa
基板温度:1003K
高周波周波数:13.56MHz
高周波電力:65W
成膜速度:1.4×10-10m/s
膜厚:6000×10-10m
ターゲット組成:Bi:Sr:Ca:Cu=2.5:2.1:1.0:2.0
このような条件で成膜した超伝導体薄膜を、蛍光X線分析法で分析した結果、Bi:Sr:Ca:Cu=2:2:1:2であることを確認した。このBi−Sr−Ca−Cu−O系超伝導体薄膜の超伝導物性は、四端子法により、臨界温度(Tc)及び臨界電流密度(Ic)を測定して、結果をそれぞれ表3に示した。
Claims (4)
- カルシウム含有量が150×10-6〜1000×10-6kg/kg、ケイ素含有量が10×10-6kg/kg以下の酸化マグネシウム単結晶であって、前記酸化マグネシウム単結晶の研磨面をTOF−SIMSにより分析したときのカルシウムフラグメントイオン検出量の変動がCV値で30%以下であることを特徴とする酸化マグネシウム単結晶。
- 請求項1記載の酸化マグネシウム単結晶を、体積が15×10-9〜1200×10-9m3になるように解砕して得られる、酸化マグネシウム単結晶蒸着材。
- 請求項1記載の酸化マグネシウム単結晶を加工することにより得られる、薄膜形成用酸化マグネシウム単結晶基板。
- 酸化マグネシウム純度が98%以上で、酸化カルシウム及び二酸化ケイ素を含有し、前記酸化カルシウムの含有量が0.05×10-2〜0.50×10-2kg/kgであり、かつ、前記二酸化ケイ素の含有量に対する前記酸化カルシウムの含有量の重量比(CaO/SiO2)が0.5以上である原料酸化マグネシウムをアーク電融する工程と、前記アーク電融する工程の後半に、電気炉の外周部、又は、炉底部の少なくとも一つを強制冷却する工程と、を含むことを特徴とする酸化マグネシウム単結晶の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005087967A JP4676796B2 (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法 |
KR1020077022349A KR100895118B1 (ko) | 2005-03-25 | 2006-03-24 | 산화마그네슘 단결정 및 그 제조 방법 |
US11/909,505 US7691200B2 (en) | 2005-03-25 | 2006-03-24 | Magnesium oxide single crystal and method for producing the same |
PCT/JP2006/305926 WO2006104027A1 (ja) | 2005-03-25 | 2006-03-24 | 酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法 |
CN2006800096671A CN101146936B (zh) | 2005-03-25 | 2006-03-24 | 单晶氧化镁及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005087967A JP4676796B2 (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006265058A true JP2006265058A (ja) | 2006-10-05 |
JP4676796B2 JP4676796B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=37053284
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005087967A Active JP4676796B2 (ja) | 2005-03-25 | 2005-03-25 | 酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7691200B2 (ja) |
JP (1) | JP4676796B2 (ja) |
KR (1) | KR100895118B1 (ja) |
CN (1) | CN101146936B (ja) |
WO (1) | WO2006104027A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009235563A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-10-15 | Toho Titanium Co Ltd | 金属酸化物蒸着材、その製造方法、および金属酸化物蒸着膜の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4818318B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2011-11-16 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 酸化マグネシウム蒸着材及びその製造方法 |
JP6507214B1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-04-24 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 酸化マグネシウム粉末、その製造方法、熱伝導性樹脂組成物、熱伝導性グリス、及び熱伝導性塗料 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03215316A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-20 | Nkk Corp | 電融マグネシアの製造方法 |
JPH06305887A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-01 | Kurosaki Refract Co Ltd | MgO単結晶基板 |
JP2000103614A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Daiichi Kigensokagaku Kogyo Co Ltd | プラズマディスプレイ用MgO材料及びその製造方法ならびにプラズマディスプレイ |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02263794A (ja) | 1989-03-31 | 1990-10-26 | Tateho Chem Ind Co Ltd | 電融マグネシアの製造方法 |
JPH03150218A (ja) * | 1989-11-07 | 1991-06-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜の作製方法 |
JP3264508B2 (ja) | 1991-12-26 | 2002-03-11 | 黒崎播磨株式会社 | マグネシア単結晶の製造方法 |
JP3215316B2 (ja) * | 1996-02-02 | 2001-10-02 | 信越化学工業株式会社 | 分岐型シリコーンオイルの製造方法 |
JPH09309799A (ja) | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Sumitomo Metal Ind Ltd | MgO単結晶基板の表面処理方法 |
JP3331584B2 (ja) | 1997-04-28 | 2002-10-07 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶MgO蒸着材 |
JPH11349399A (ja) | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Daiichi Kigensokagaku Kogyo Co Ltd | マグネシア単結晶基板及びマグネシア単結晶 |
JP3314728B2 (ja) | 1998-08-11 | 2002-08-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶MgO蒸着材 |
JP2000086400A (ja) | 1998-09-09 | 2000-03-28 | Inst Of Physical & Chemical Res | 酸化物単結晶基板の製造方法、及び電子デバイス |
JP3893793B2 (ja) | 1999-04-05 | 2007-03-14 | 三菱マテリアル株式会社 | MgO蒸着材及びその製造方法 |
CN1408904A (zh) * | 2001-09-29 | 2003-04-09 | 沈阳市苏家屯区胜利砂轮厂 | 一种废次菱镁矿石生产高纯氧化镁单晶体的方法 |
JP2004043955A (ja) | 2002-05-20 | 2004-02-12 | Mitsubishi Materials Corp | MgO蒸着材およびその製造方法、MgO膜の製造方法 |
JP4823475B2 (ja) | 2002-05-20 | 2011-11-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 蒸着材、MgO蒸着材およびその製造方法、成膜方法 |
JP4255255B2 (ja) | 2002-08-27 | 2009-04-15 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 酸化マグネシウム蒸着材 |
JP2005149743A (ja) * | 2003-11-11 | 2005-06-09 | Pioneer Plasma Display Corp | プラズマディスプレイパネルの保護膜の形成材料、プラズマディスプレイパネル及びプラズマ表示装置 |
CN1546746A (zh) * | 2003-12-16 | 2004-11-17 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 利用硼泥生产氧化镁单晶的方法 |
-
2005
- 2005-03-25 JP JP2005087967A patent/JP4676796B2/ja active Active
-
2006
- 2006-03-24 KR KR1020077022349A patent/KR100895118B1/ko active IP Right Grant
- 2006-03-24 CN CN2006800096671A patent/CN101146936B/zh active Active
- 2006-03-24 US US11/909,505 patent/US7691200B2/en active Active
- 2006-03-24 WO PCT/JP2006/305926 patent/WO2006104027A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03215316A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-20 | Nkk Corp | 電融マグネシアの製造方法 |
JPH06305887A (ja) * | 1993-04-23 | 1994-11-01 | Kurosaki Refract Co Ltd | MgO単結晶基板 |
JP2000103614A (ja) * | 1998-09-28 | 2000-04-11 | Daiichi Kigensokagaku Kogyo Co Ltd | プラズマディスプレイ用MgO材料及びその製造方法ならびにプラズマディスプレイ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009235563A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-10-15 | Toho Titanium Co Ltd | 金属酸化物蒸着材、その製造方法、および金属酸化物蒸着膜の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070120117A (ko) | 2007-12-21 |
JP4676796B2 (ja) | 2011-04-27 |
CN101146936A (zh) | 2008-03-19 |
US20090053131A1 (en) | 2009-02-26 |
WO2006104027A1 (ja) | 2006-10-05 |
KR100895118B1 (ko) | 2009-04-28 |
US7691200B2 (en) | 2010-04-06 |
CN101146936B (zh) | 2011-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8728635B2 (en) | Oxide sintered body, target, transparent conductive film obtained by using the same, and transparent conductive substrate | |
US9005487B2 (en) | Tablet for ion plating, production method therefor and transparent conductive film | |
JP3314728B2 (ja) | 多結晶MgO蒸着材 | |
KR102003077B1 (ko) | 도전성 산화물 및 그 제조 방법과 산화물 반도체막 | |
US10655213B2 (en) | Oxide sintered material, method of producing oxide sintered material, sputtering target, and method of producing semiconductor device | |
US7138350B2 (en) | MgO vapor deposition material and method for preparation thereof | |
JP4676796B2 (ja) | 酸化マグネシウム単結晶及びその製造方法 | |
JP2007246318A (ja) | 酸化物焼結体、その製造方法、酸化物透明導電膜の製造方法、および酸化物透明導電膜 | |
JP2004123479A (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット | |
JP7214650B2 (ja) | 金スパッタリングターゲットの製造方法及び金膜の製造方法 | |
US20230121940A1 (en) | Cr-si sintered body, sputtering target, and method for producing thin film | |
JP2006225743A (ja) | 酸化マグネシウム単結晶蒸着材及びその製造方法 | |
JP4873340B2 (ja) | 酸化マグネシウム単結晶蒸着材及びその製造方法 | |
JP5526904B2 (ja) | 導電性酸化物焼結体とその製造方法 | |
Pavate et al. | Correlation between aluminum alloy sputtering target metallurgical characteristics, arc initiation, and in-film defect intensity | |
EP2881379A1 (en) | Oxide sintered body and tablet obtained by processing same | |
TW201823182A (zh) | 氧化物燒結體及其製造方法、濺鍍靶、以及半導體裝置之製造方法 | |
JP2013001592A (ja) | 導電性酸化物およびその製造方法、ならびに酸化物半導体膜 | |
JP2003226958A (ja) | MgO蒸着材およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110128 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140204 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4676796 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |