JP4873340B2

JP4873340B2 - 酸化マグネシウム単結晶蒸着材及びその製造方法

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Publication number: JP4873340B2
Application number: JP2005018033A
Authority: JP
Inventors: 淳生東塚; 祥史川口; 正明國重
Original assignee: Tateho Kagakukogyo KK
Current assignee: Tateho Kagakukogyo KK
Priority date: 2005-01-26
Filing date: 2005-01-26
Publication date: 2012-02-08
Anticipated expiration: 2025-01-26
Also published as: CN101107380A; KR20070099583A; WO2006080375A1; KR20100080948A; KR101035634B1; CN101107380B; JP2006206939A

Description

本発明は、例えばプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）用保護膜を、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法などの真空蒸着法を使用して製造する際に、蒸着源として使用される酸化マグネシウム（ＭｇＯ）単結晶蒸着材及びその製造方法に関する。

放電発光現象を利用したＰＤＰは、大型化しやすい平面ディスプレイとしてその開発が進められている。透明電極がガラス誘電体で覆われている構造のＡＣ型のＰＤＰでは、イオン衝撃のスパッタリングにより誘電体表面が変質して放電電圧が上昇することを防止するために、この誘電体上に保護膜を形成することが一般的である。この保護膜は、低い放電電圧を有し、耐スパッタリング性に優れていることが要求される。

かかる要求を満足する保護膜として、従来から、ＭｇＯ膜が使用されている。ＭｇＯ膜は耐スパッタリング性に優れ、かつ、二次電子の放出係数が大きい絶縁物であるため、放電開始電圧を下げることができ、ＰＤＰの長寿命化に寄与する。

現在、ＭｇＯ膜は、ＭｇＯ蒸着材を、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法などの真空蒸着法により誘電体上に形成されることが一般的である。ＭｇＯ蒸着材としては、高純度ＭｇＯ多結晶の焼結体、ＭｇＯ単結晶を解砕したものなどが使用されている。

ＭｇＯ多結晶焼結体は、成膜速度が遅く、成膜時に蒸着材の飛散（スプラッシュ）が発生しやすいため、均一な保護膜を得ることが困難であった。そこで、高純度、且つ、高密度で、平均結晶粒径を特定範囲に制御したＭｇＯ多結晶の焼結ペレット、あるいは、高純度、且つ、高密度で、カーボンの含有量を特定量以下に制御したＭｇＯ多結晶の焼結ペレットを蒸着材として使用することにより、蒸着時のスプラッシュの発生を低減し、均一な保護膜を得ることが提案されている（特許文献１、特許文献２）。

さらには、ＭｇＯ多結晶焼結体よりなる蒸着材の体積や表面粗さを特定することにより、電子ビームが照射される領域の蒸着材の実質的な表面積を増やし、成膜速度を向上させることが提案されている（特許文献３、特許文献４、及び特許文献５）。

しかしながら、上記のように製造方法に改良を加えて得られたＭｇＯ多結晶焼結体は、蒸着時の成膜速度の向上やスプラッシュ発生の抑制にある程度の効果は見られるものの、未だ満足すべき保護膜であるとは言い難い。それに加えて、多結晶焼結体の粒界は元来格子歪が集中しており、蒸着材表面に露出する粒界濃度にばらつきが生じやすく、そのためＭｇＯの蒸発量が変動しやすいという根本的な問題もある。

一方、ＭｇＯ単結晶蒸着材を得るための生産性に優れた方法として、回転刃による衝撃力でＭｇＯ単結晶を解砕する方法が採用されている。ＭｇＯ単結晶を解砕して得られた蒸着材は、成膜速度が比較的速く、良好な保護膜が得られる。しかし、このような解砕方法により製造されたＭｇＯ単結晶蒸着材の形状が不定形であることなどに起因して、スプラッシュが発生する場合がある。そのため、特に大型基板に成膜した場合、均一な膜質を有する保護膜が得られにくいという問題がある。

そこで、成膜装置や成膜条件に応じてＭｇＯの粒度を最適化することにより、成膜速度とスプラッシュの発生頻度とのバランスを図り、生産性と膜質の向上を両立することが行われている。このように粒度を最適化して得られたＭｇＯ単結晶は、成膜速度を向上することができるものの、スプラッシュの発生は十分に抑制することはできず、最終的に得られるＭｇＯ膜の均質性という点からみて、未だ満足すべきものとはいえない。

特開平１０−２９７９５６号公報特開２０００−０６３１７１号公報特開２００４−４３９５５号公報特開２００４−４３９５６号公報特開２００４−８４０１６号公報

本発明の目的は、上記の課題を解決し、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法などの真空蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためにターゲット材として使用するＭｇＯ単結晶蒸着材であって、蒸着時に成膜速度を低減させることなく、スプラッシュが抑制され、均質なＭｇＯ膜を得ることができるＭｇＯ単結晶蒸着材及びその製造方法を提供することである。

本発明者らは、ＭｇＯ蒸着材の出発原料としてＭｇＯ単結晶を採用し、これを真空蒸着法における蒸着材として使用した際に、スプラッシュの発生原因となる因子について種々検討を重ねた結果、ＭｇＯ単結晶の結晶性がスプラッシュの発生に深く関連し、ＭｇＯ（２００）面のロッキングカーブの半価幅を所定の範囲内に制御することで、成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止できることを見出して本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明によれば、ＭｇＯ（２００）面のロッキングカーブの半価幅が、０．００５〜０．０２５ｄｅｇｒｅｅであることを特徴とするＭｇＯ単結晶蒸着材が提供される。

上記ＭｇＯ単結晶蒸着材は、１５×１０^−９〜１２００×１０^−９ｍ^３の体積を有する略直方体状の単結晶であることが好ましい。なお、本発明において、略直方体状とは、直方体、立方体、板状体等の形状であり、さらに、それらの面に微小な段差（ステップ）が形成されたもの等を含むものをいう。

また、上記蒸着材に用いられるＭｇＯ単結晶は、アーク電融法により製造されたものであり、かつ、ＭｇＯ単結晶の純度が９９．９質量％以上であることが好ましい。

また、本発明によれば、ＭｇＯ単結晶を解砕する工程を含むＭｇＯ単結晶蒸着材の製造方法であって、前記解砕工程が、ＭｇＯ（１００）面方位に対し、−５〜＋５ｄｅｇｒｅｅの範囲内の角度で刃形状の衝撃体を衝突させることにより劈開する工程を含む方法も提供される。

上記の方法において、解砕工程の後に、１３７３Ｋ以上の温度で、６００秒を超える時間熱処理する工程を含むことが好ましい。

本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材は、ＭｇＯ（２００）面のロッキングカーブの半価幅が０．００５〜０．０２５ｄｅｇｒｅｅのＭｇＯ単結晶から形成されたものである。このＭｇＯ（２００）面のロッキングカーブは、蒸着材内部のＭｇＯ単結晶の結晶性の良否およびＭｇＯ単結晶を加工する際に表面に導入された格子歪の程度を示す指標となるものである（岩波理化学辞典第３版増補版１４７１頁参照）。その半価幅が０．０２５ｄｅｇｒｅｅを超えると、成膜速度は向上するものの、ＭｇＯの蒸着量の変動が増大するので得られるＭｇＯ保護膜の膜質が著しく低下する。

また、半価幅が０．０２５ｄｅｇｒｅｅを超えると、局所的に格子歪が導入された領域が生じる確率が増加し、その結果、スプラッシュが多発する可能性が増大する。一方、ロッキングカーブの半価幅は小さいほど、良好な膜質の保護膜を得ることができるが、その反面、成膜速度が低下する傾向がある。したがって、半価幅は０．００５ｄｅｇｒｅｅ以上である。好ましくは、０．０１〜０．０２５ｄｅｇｒｅｅである。

上記のＭｇＯ単結晶は、生産性に優れているという観点から、アーク電融法により製造されたものであることが好ましい。また、ＭｇＯ単結晶の純度が９９．９質量％以上のものが好適に使用される。

さらに、上記のＭｇＯ単結晶から得られる本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材は、格子歪を制御することによるスプラッシュ発生防止効果を十分に発揮させるために、かつ、スプラッシュの発生を低減したことに伴って生じる可能性のある成膜速度の減少を防止するために、ＭｇＯ単結晶蒸着材の体積が１５×１０^−９〜１２００×１０^−９ｍ^３であることが好ましい。さらに好ましい蒸着材の体積は、２５×１０^−９〜５００×１０^−９ｍ^３である。

本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材は、以下のようにして製造される。上述したように、例えば、アーク電融法によりＭｇＯ単結晶を製造する。続いて、このＭｇＯ単結晶を解砕する。この解砕工程において、劈開面であるＭｇＯ（１００）面方位に対し、−５〜＋５ｄｅｇｒｅｅ（以下、±５ｄｅｇｒｅｅと表記する）の範囲内の角度で刃形状の衝撃体を衝突させることにより、ＭｇＯ単結晶を劈開してＭｇＯ単結晶蒸着材を得る。

上記のＭｇＯ（１００）面方位に対する角度が、±５ｄｅｇｒｅｅの範囲を超えると、ＭｇＯ単結晶蒸着材への格子歪の導入量が過度に増加してしまい、ロッキングカーブの半価幅を０．０２５ｄｅｇｒｅｅ以下に制御することが困難になる。（１００）面方位に対する衝撃体の角度は、好ましくは、±３ｄｅｇｒｅｅである。

また、衝撃体の形状は刃形状であることが必要である。ＭｇＯ単結晶は（１００）面に沿って容易に劈開するＮａＣｌ型立方晶であり、衝撃を与えると容易に劈開し、略直方体状に加工することができる。しかし、衝撃体が、例えば、金槌のような平面（二次元）形状、アイスピックのような突起（ゼロ次元すなわち点状）形状等を有する場合、衝撃力の伝達方向と劈開の進展方向に差が生じるため、解砕時に格子歪が導入されてしまう。つまり、衝撃体は、例えばカッターナイフのように、ＭｇＯ単結晶に対して連続する一次元の衝撃力を与えることが可能な形状であることが必要である。このように、一次元の衝撃力を与えることにより、二次元、ゼロ次元の衝撃力を与えた場合に比べて、衝撃力の伝達方向と劈開の進展方向とをほぼ一致させることができ、その結果、格子歪導入量を所望の範囲内とすることができる。

さらに、上記の方法によりＭｇＯ単結晶を劈開したのち、１３７３Ｋ以上の温度で、少なくとも６００秒間熱処理すると、劈開によって生じたＭｇＯ単結晶蒸着材表面のステップ形状を平坦化することが可能となり、結果として、スプラッシュの発生を飛躍的に減少することができるため好ましい。この熱処理は、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等の不活性ガス、酸素、空気等の酸化性ガス、又は、これらの混合ガス中で行うことが好ましい。

このようにして得られたＭｇＯ単結晶蒸着材は、例えば、ＰＤＰ用保護膜を成膜するためのターゲット材として好適に使用することができる。このＭｇＯ単結晶蒸着材をターゲット材として使用した成膜法としては、電子ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、又はスパッタリング法などの真空蒸着法をあげることができ、特に、電子ビーム蒸着法は好適である。

本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材を電子ビーム蒸着法のターゲット材として、ＭｇＯ保護膜を成膜すると、成膜速度を低下させることなく、スプラッシュの発生を防止することができ、その結果、優れた膜特性を有するＭｇＯ保護膜を得ることが可能となる。

本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

実施例１
１．ＭｇＯ単結晶蒸着材の製造
アーク電融法により製造したＭｇＯ単結晶を、劈開により略直方体状に加工し、刃状衝撃体、具体的には、衝撃力を与える被解砕物に接触する刃の先端が、被解砕物の長さよりも長い直線状であり、先端部分に幅が５×１０^−４ｍ以下で、先端のなす角度が１３．５ｄｅｇｒｅｅである鋼からなる刃を有し、この刃の単位長さ当りの衝撃体の重量が５ｋｇ／ｍであるような衝撃体が劈開面に対し４ｄｅｇｒｅｅの角度をなすように配置して、１０ｍ／ｓの速度で衝突させることによりＭｇＯ単結晶を解砕した。この解砕工程は、被解砕物を移動させながら、一定間隔で刃状の衝撃体を衝突させることにより行い、得られる解砕物の大きさは、被解砕物の移動速度により制御した。すなわち、被解砕物が単独で衝撃体に衝突するように供給し、３×１０^−３ｍ（移動量Ａ）移動する毎に衝突させ、３×１０^−３ｍ厚みの板状直方体を製造した。次いで、この板状直方体を移動台に敷き詰め、３×１０^−３ｍ（移動量Ｂ）移動する毎に衝突させ、３×１０^−３ｍ角の棒状直方体を製造した。さらに、この棒状直方体を移動台に敷き詰め、４×１０^−３ｍ（移動量Ｃ）移動する毎に衝突させ、略直方体状の解砕物を得た。得られた解砕物を６．５メッシュの金網でふるい分けし、小さい解砕物を除去し、残ったものをＭｇＯ単結晶蒸着材とした。得られたＭｇＯ単結晶蒸着材の結晶性、体積、及び、表面ステップを下記の方法により評価し、結果を表１に示した。

<結晶性評価方法>
平行ビームＸ線回折法により、ＭｇＯ（２００）面のロッキングカーブ測定を行い、その半価幅により結晶性を評価した。装置はＳＬＸ−２０００（株式会社リガク製）を使用し、Ｘ線源はＣｕ−Ｋα、出力は４０ｋＶ×４５０ｍＡとした。入射光は、多層膜ミラーとＧｅ（２２０）四結晶モノクロメータを通し、発散角が０．００３３ｄｅｇｒｅｅの平行ビームとし、スリットで縦２×１０^−３、横０．５×１０^−３に制限して、シンチレーションカウンターで検出した。測定試料を、常法の半割り操作で設置し、２θを４２．９００ｄｅｇｒｅｅにセットし、ω軸を０．０００５ｄｅｇｒｅｅステップでスキャンすることによりロッキングカーブを測定し、半価幅を求めた。

<体積の測定方法>
略直方体状の蒸着材の外形寸法を測定し、算出した。

<表面ステップの状態判定方法>
蒸着材表面をＳＥＭ分析し、ステップの形成状態を５段階評価した。ステップがなく平滑な表面を「１」、極めて多くのステップが存在する表面を「５」とした。

２．電子ビーム蒸着法によるＭｇＯ保護膜の形成
上記により得られたＭｇＯ単結晶蒸着材を、電子ビーム蒸着装置を使用して、ステンレス基板に６０秒間成膜したのち、下記の方法で膜厚を測定して成膜速度を算出した。次いで、算出した成膜速度から成膜条件を決定し、膜厚が１００ｎｍになるように成膜して、評価用の試料を得た。なお、電子ビーム蒸着は、加速電圧１５ｋＶ、蒸着圧力１×１０^−２Ｐａ、蒸着距離０．６ｍの各条件で行った。得られた評価用の試料について、スプラッシュの発生の程度、成膜後の二次電子放出係数をそれぞれ測定し、結果を表１に示した。

<膜厚評価方法>
単一波長エリプソ装置を用い、Ｈｅ−Ｎｅレーザ（波長６２３．８×１０^−９ｍ）を異なる２つの入射角（５５ｄｅｇｒｅｅ、７０ｄｅｇｒｅｅ）で入射させてエリプソ測定を行い、フィッティング解析により膜厚を求めた。

<スプラッシュ評価方法>
保護膜形成中の状態を、装置の窓から目視観察し、スプラッシュの発生を５段階評価した。スプラッシュが発生しなかった場合を「１」、スプラッシュが頻繁に発生した場合を「５」とした。

<二次電子放出係数の測定方法>
得られた成膜試料を、二次電子測定装置のターゲット位置に配置し、高真空中で活性化処理を行った後、二次電子放出係数を測定した。なお、測定時の試料温度は５７３Ｋ、イオン加速電圧は３００Ｖとした。

実施例２
ＭｇＯ単結晶の劈開面に対する刃状衝撃体の角度を、２ｄｅｇｒｅｅに調節し、被解砕物の移動量Ａ〜Ｃを各々５×１０^−３ｍ、５×１０^−３ｍ、及び３×１０^−３ｍとし、４．７メッシュの金網でふるい分けたこと以外は、実施例１と同様にして、ＭｇＯ単結晶蒸着材、及びそれをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価試験を行って結果を表１に示した。

実施例３
ＭｇＯ単結晶の解砕時に、被解砕物の移動量Ａ〜Ｃを各々４×１０^−３ｍ、４×１０^−３ｍ、及び３×１０^−３ｍとし、ふるい分け後に電気炉を用いて、１４７３Ｋで１２００秒間熱処理したこと以外は、実施例１と同様にして、ＭｇＯ単結晶蒸着材、及びそれをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価試験を行って結果を表１に示した。

実施例４
ＭｇＯ単結晶の解砕時に、被解砕物の移動量Ａ〜Ｃを各々７×１０^−３ｍ、７×１０^−３ｍ、及び７×１０^−３ｍとし、３．５メッシュの金網でふるい分けたこと以外は、実施例１と同様にして、ＭｇＯ単結晶蒸着材、及びそれをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価試験を行って結果を表１に示した。

実施例５
ＭｇＯ単結晶の劈開面に対する刃状衝撃体の角度を、５ｄｅｇｒｅｅに調節し、被解砕物の移動量Ａ〜Ｃを各々２×１０^−３ｍ、２×１０^−３ｍ、及び３×１０^−３ｍとし、７．５メッシュの金網でふるい分けたこと以外は、実施例１と同様にして、ＭｇＯ単結晶蒸着材、及びそれをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価試験を行って結果を表１に示した。

実施例６
被解砕物の移動量Ａ〜Ｃを各々１２×１０^−３ｍ、１２×１０^−３ｍ、及び１０×１０^−３ｍとし、２．５メッシュの金網でふるい分けたこと以外は、実施例５と同様にして、ＭｇＯ単結晶蒸着材、及びそれをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価試験を行って結果を表１に示した。

比較例１
劈開面に対する刃状衝撃体の角度を１０ｄｅｇｒｅｅにした以外は、実施例１と同様にして、ＭｇＯ単結晶蒸着材、及びそれをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価試験を行って結果を表１に示した。

比較例２
アーク電融法で製造したＭｇＯ単結晶を、回転する刃状衝撃体により解砕した。劈開面に対する刃状衝撃体の衝突角度を制御することはできなかったため、不明である。解砕物を、金網によりふるい分け、３．５−４．７メッシュの粒度のものを得てＭｇＯ単結晶蒸着材とした。この蒸着材、及びそれをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価試験を行って結果を表１に示した。

比較例３
純度９９．９３質量％の高純度多結晶ＭｇＯを造粒した後、直径１０×１０^−３ｍ、厚み２×１０^−３ｍの金型を用いて、８００×１０^４ｋｇ／ｍ^２の圧力で成型し、電気炉にて１８７３Ｋで１０８００秒間焼成したものを蒸着材とした。この蒸着材、及びそれをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価試験を行って結果を表１に示した。なお、回折線は極めて弱く、ブロードであったため、ロッキングカーブの半価幅を求めることができなかった。

比較例４
被解砕物に接触する最小幅が線状である刃形状衝撃体に代えて、被解砕物に接触する最小幅が１０×１０^−３ｍの平面状衝撃体を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、ＭｇＯ単結晶蒸着材、及び、それをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価を行って、結果を表１に示した。

比較例５
劈開面に対する刃状衝撃体の角度を６ｄｅｇｒｅｅにしたこと以外は、実施例１と同様にしてＭｇＯ単結晶蒸着材、及び、それをターゲットとしたＭｇＯ膜を製造し、同様の評価試験を行って結果を表１に示した。

表１の結果から明らかなように、本発明のＭｇＯ単結晶蒸着材をターゲット材として蒸着法により得られたＭｇＯ膜（実施例１〜６）は、蒸着時の成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生が防止されており、その結果、二次電子放出特性に優れたものとなることが確認された。

また、ＭｇＯ単結晶を解砕した後、熱処理したもの（実施例３）は、表面のステップが熱処理していないものに比べて平坦となり、スプラッシュの低減効果が著しく、その結果、二次電子放出係数も飛躍的に向上することが確認された。

さらに、得られた略直方体状の蒸着材の体積を所定範囲に調整したもの（実施例１〜４）は、その範囲を逸脱するもの（実施例５，６）に比べてさらに膜特性が向上することが確認された。

それに対して、ＭｇＯ単結晶の被解砕物の（１００）面方位と刃状衝撃体とのなす角度が±５ｄｅｇｒｅｅを超えるもの（比較例１、５）、及び、衝撃体が回転刃で被解砕物とのなす角度を制御できないもの（比較例２）は、得られる解砕物に導入される格子歪が大きいためスプラッシュの発生が頻繁となり、結果として、膜質が低下する。

一方、蒸着材として多結晶ＭｇＯ粉末を成型、焼成したものを使用した場合（比較例３）は、成膜速度が遅く、スプラッシュが頻発するので、得られるＭｇＯ膜の二次電子放出特性が著しく低いことが確認された。

また、ＭｇＯ単結晶の解砕に刃形状と異なる平面形状の衝撃体を用いたもの（比較例４）は、衝撃体と被解砕物が接触する面の長辺方位とＭｇＯ単結晶の劈開面の方位を特定の角度以内に配置し、衝撃を与えても、所望の劈開面だけでなく、その面に直交する方位に劈開が進展してしまい、微細な解砕物が多く発生する。その中でも所望の大きさに近い形状に解砕されたものを用い、順次方位を変えて解砕したが、この工程は極めて作業性が悪く実用的ではなかった。また、平面状に衝撃を与えることにより、格子歪の導入量が極めて増加するため、スプラッシュの発生も頻繁となり、結果として、膜質が低下する。

以上詳細に説明したように、本発明の単結晶ＭｇＯ蒸着材は、例えば、電子ビーム蒸着法を使用して基板上にＭｇＯ膜を成膜するためのターゲット材として使用した際、成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止することができるため、優れた膜特性、例えば、ＰＤＰ用保護膜の放電特性などを向上させることが可能である。したがって、その工業的価値は極めて大である。

Claims

酸化マグネシウム（２００）面の平行ビームＸ線回折法によるロッキングカーブの半価幅が、０．００５〜０．０２５ｄｅｇｒｅｅであることを特徴とする酸化マグネシウム単結晶蒸着材であって、
平行ビームＸ線回折法によるロッキングカーブの半価幅を、
Ｘ線源はＣｕ−Ｋα、出力は４０ｋＶ×４５０ｍＡを用い、
入射光は、多層膜ミラーとＧｅ（２２０）四結晶モノクロメータを通し、発散角が０．００３３ｄｅｇｒｅｅの平行ビームとし、スリットで縦２×１０ ^−３、横０．５×１０ ^−３に制限して、酸化マグネシウム（２００）面に照射し、
測定試料である酸化マグネシウム（２００）面は、半割り操作で装置に設置され、
酸化マグネシウム（２００）面からの回折Ｘ線の２θを４２．９００ｄｅｇｒｅｅにセットし、ω軸を０．０００５ｄｅｇｒｅｅステップでスキャンし、シンチレーションカウンターで検出することにより測定する、酸化マグネシウム単結晶蒸着材。
前記酸化マグネシウム単結晶蒸着材が、１５×１０^−９〜１２００×１０^−９ｍ^３の体積を有する略直方体状の単結晶である、請求項１載の酸化マグネシウム単結晶蒸着材。
前記酸化マグネシウム単結晶がアーク電融法により製造されたものであり、かつ、酸化マグネシウム単結晶の純度が９９．９質量％以上である、請求項１又は２記載の酸化マグネシウム単結晶蒸着材。
酸化マグネシウム単結晶を解砕する工程を含む酸化マグネシウム単結晶蒸着材の製造方法であって、前記解砕工程が、酸化マグネシウム（１００）面方位に対し、−５〜＋５ｄｅｇｒｅｅの範囲内の角度で刃形状の衝撃体を衝突させることにより劈開する工程を含む、酸化マグネシウム単結晶蒸着材の製造方法。
前記解砕工程の後に、１３７３Ｋ以上の温度で、６００秒を超える時間熱処理する工程を含む、請求項４記載の製造方法。