JP2006245547A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】列方向に複数のメモリセルトランジスタ及びそのメモリセルトランジスタを選択する選択トランジスタを配列してなるメモリセルカラムを、行方向に複数配列したメモリセルアレイ30と、複数のメモリセルカラムがそれぞれ形成されたウェル領域にそれぞれ接続する複数の第1セルウェル線21a、21c、21eと、複数の第1セルウェル線21a、21c、21eの上層の配線層に配置され、複数の第1セルウェル線21a、21c、21e同士を電気的に接続する複数の第2セルウェル線22a〜22hと、複数のメモリセルカラムのそれぞれの選択トランジスタのソース端子に接続する第2セルソース線12とを備える。
【選択図】図1
Description
図1に示すように、本発明の第1の実施の形態に係るNAND型不揮発性メモリ100は、列方向に複数のメモリセルトランジスタ及びそのメモリセルトランジスタを選択する選択トランジスタを配列してなるメモリセルカラムを、行方向に複数配列したメモリセルアレイ30と、複数のメモリセルカラムがそれぞれ形成されたウェル領域にそれぞれ接続された複数の第1セルウェル線21a、21c、21eと、複数の第1セルウェル線21a、21c、21eの上層の配線層に配置され、複数の第1セルウェル線21a、21c、21e同士を電気的に接続する複数の第2セルウェル線22a〜22hと、複数のメモリセルカラムのそれぞれの選択トランジスタのソース端子に接続された第2セルソース線12とを備える。以下では、第1セルウェル線21a、21c、21eが配置される配線層を第1配線層、第2セルウェル線22a〜22hが配置される配線層を第2配線層という。第2セルソース線12は、第2セルウェル線22a〜22hと同一レベルの第2配線層に配置される。第2セルソース線12は、図1では図示を省略した複数の第1セルソース線を介して、メモリセルカラムのそれぞれの選択トランジスタのソース端子に接続する。第1セルソース線は、第1セルウェル線21a、21c、21eと同一レベルの配線層に配置される。第1セルソース線の詳細については後述する。
図17に本発明の第1の実施の形態の第1の変形例に係るNAND型不揮発性メモリ100の第1配線層を示す。図17に示すように、シャント領域Sa1〜Sd1上にそれぞれ第1セルウェル線21a〜21d及び第1セルソース線11a〜11dが配置されていることが、図4(a)と異なる点である。つまり、シャント領域Sa1上に第1セルウェル線21a及び第1セルソース線11aが配置される。シャント領域Sb1上に第1セルウェル線21b及び第1セルソース線11bが配置される。シャント領域Sc1上に第1セルウェル線21c及び第1セルソース線11cが配置される。シャント領域Sd1上に第1セルウェル線21d及び第1セルソース線11dが配置される。
図18に本発明の第1の実施の形態の第2の変形例に係るNAND型不揮発性メモリ100の第1配線層を示す。図18に示すように、シャント領域Sa2〜Sd2上にそれぞれ第1セルソース線11a、第1セルウェル線21a、第1セルソース線11c及び第1セルウェル線21bが配置されていることが、図4(a)と異なる点である。つまり、シャント領域Sa2〜Sd2上に、第1セルソース線11a、11b或いは第1セルウェル線21a、21bが1本ずつ配置されている。
本発明の第2の実施の形態に係るNAND型不揮発性半導体記憶装置は、図19に示すように、列方向に複数のメモリセルトランジスタ及びそのメモリセルトランジスタを選択する選択トランジスタを配列してなるメモリセルカラムを行方向に複数配列したメモリセルアレイ30と、複数のメモリセルカラムがそれぞれ形成されたウェル領域にそれぞれ接続された複数の第1セルウェル線21a、21c、21eと、複数のメモリセルカラムのそれぞれの選択トランジスタのソース端子に接続された複数の第1セルソース線と、複数の第1セルウェル線21a、21c、21eの上層の配線層に配置され、複数の第1セルウェル線21a、21c、21eに接続する第2セルウェル線23と、第2セルウェル線23と交差指構造をなすように第2セルウェル線23と同一レベルの配線層に配置され、第1セルソース線に接続する第2セルソース線13とを備える。
図22に、第1セルソース線11b、11d及び第2セルソース線13の配置例を示す。第1セルソース線11b、11dは、シャント領域Sb、Sd上にそれぞれ配置されている。図22では図示を省略しているが、第1セルソース線11b、11dと第2セルソース線13を接続するビアがシャント領域Sb、Sd上に配置されている。つまり、第1セルソース線11b、11dは、第2セルソース線13とシャント領域Sb、Sd上で電気的に接続されている。尚、図5に示した第2セルソース線12と同様に、第2セルソース線13が網目状に配置されてもよい。
本発明の第3の実施の形態に係るNAND型不揮発性半導体記憶装置は、図27に示すように、第2配線層に配置された第2セルウェル線23と第1配線層に配置された第1セルウェル線21i〜21mとを接続するビア221i〜221mが配置されるシャント領域Saに、第2配線層に配置された第2セルソース線13と第1配線層に配置された第1セルソース線11i〜11lとを接続するビア121i〜121lを備える。
図27に示したNAND型不揮発性半導体記憶装置では、第2配線層に配置された第2セルソース線13と第1配線層に配置されたセルソース線とを接続するビアがシャント領域Sa、シャント領域Sc、及びSeに配置される。そのため、図19に示したNAND型不揮発性半導体記憶装置に比べて、第2セルソース線13と第1配線層に配置されたソース線を接続するビア数が増大する。その結果、セルソースドライバ60a、60bから選択トランジスタまでのセルソース線の配線抵抗が削減される。他は、第2の実施の形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
上記のように、本発明は第1乃至第3の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
WL1、WL2、・・・・・、WL32…ワード線
C1、C2…メモリセルカラム
第1…第1配線層
第2…第2配線層
S、Sa〜Se…シャント領域
11a〜11e、12…セルソース線
21a〜21e…第1セルウェル線
22a〜22h…第2セルウェル線
30…メモリセルアレイ
50a、50b…セルウェルドライバ
60a、60b…セルソースドライバ
80…p型ウェル領域
Claims (8)
- 列方向に複数のメモリセルトランジスタ及び該メモリセルトランジスタを選択する選択トランジスタを配列してなるメモリセルカラムを、行方向に複数配列したメモリセルアレイと、
前記複数のメモリセルカラムがそれぞれ形成されたウェル領域にそれぞれ接続する複数の第1セルウェル線と、
前記複数の第1セルウェル線の上層の配線層に配置され、前記複数の第1セルウェル線同士を電気的に接続する複数の第2セルウェル線と、
前記複数のメモリセルカラムのそれぞれの前記選択トランジスタのソース端子に接続するセルソース線
とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記セルソース線が、
前記複数の第1セルウェル線と同一レベルの配線層に配置され、前記ソース端子に接続する複数の第1セルソース線と、
前記第2セルウェル線と同一レベルの配線層に配置され、前記複数の第1セルソース線と接続する第2セルソース線
とを備え、前記第2セルソース線が、前記複数の第2セルウェル線を囲んで網目状に配置されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記複数のメモリセルトランジスタが直列に接続され、前記メモリセルカラムがNANDカラムを構成することを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 列方向に複数のメモリセルトランジスタ及び該メモリセルトランジスタを選択する選択トランジスタを配列してなるメモリセルカラムを行方向に複数配列したメモリセルアレイと、
前記複数のメモリセルカラムがそれぞれ形成されたウェル領域にそれぞれ接続する複数の第1セルウェル線と、
前記複数のメモリセルカラムのそれぞれの前記選択トランジスタのソース端子に接続する複数の第1セルソース線と、
前記複数の第1セルウェル線の上層の配線層に配置され、前記複数の第1セルウェル線に接続する第2セルウェル線と、
前記第2セルウェル線と交差指構造をなすように前記第2セルウェル線と同一レベルの配線層に配置され、前記第1セルソース線に接続する第2セルソース線
とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第2セルウェル線が、前記メモリセルカラムが配置されないシャント領域上に配置されることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記複数の第1セルウェル線と前記ウェル領域とを接続するビアが、前記メモリセルカラムが配置されないシャント領域に配置されることを特徴とする請求項4又は5に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記複数の第1セルウェル線と前記第2セルウェル線とを接続するビアと、前記複数の第1セルソース線と前記第2セルソース線とを接続するビアが、前記メモリセルアレイの動作を制御するビット線と平行に直線的に配置されていることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記複数のメモリセルトランジスタが直列に接続され、前記メモリセルカラムがNANDカラムを構成することを特徴とする請求項4乃至7のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006011646A JP4874658B2 (ja) | 2005-02-04 | 2006-01-19 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US11/345,505 US7590004B2 (en) | 2005-02-04 | 2006-02-02 | Nonvolatile semiconductor memory having a plurality of interconnect layers |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005029280 | 2005-02-04 | ||
JP2005029280 | 2005-02-04 | ||
JP2006011646A JP4874658B2 (ja) | 2005-02-04 | 2006-01-19 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006245547A true JP2006245547A (ja) | 2006-09-14 |
JP4874658B2 JP4874658B2 (ja) | 2012-02-15 |
Family
ID=36943973
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006011646A Active JP4874658B2 (ja) | 2005-02-04 | 2006-01-19 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7590004B2 (ja) |
JP (1) | JP4874658B2 (ja) |
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US9601493B2 (en) | 2006-11-29 | 2017-03-21 | Zeno Semiconductor, Inc | Compact semiconductor memory device having reduced number of contacts, methods of operating and methods of making |
US9391079B2 (en) | 2007-11-29 | 2016-07-12 | Zeno Semiconductor, Inc. | Compact semiconductor memory device having reduced number of contacts, methods of operating and methods of making |
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---|---|
JP4874658B2 (ja) | 2012-02-15 |
US7590004B2 (en) | 2009-09-15 |
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Legal Events
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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