JP2006245210A - 半導体複合装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置 - Google Patents
半導体複合装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006245210A JP2006245210A JP2005057636A JP2005057636A JP2006245210A JP 2006245210 A JP2006245210 A JP 2006245210A JP 2005057636 A JP2005057636 A JP 2005057636A JP 2005057636 A JP2005057636 A JP 2005057636A JP 2006245210 A JP2006245210 A JP 2006245210A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor
- composite device
- semiconductor composite
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 472
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 216
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 201
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 141
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 715
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 172
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 92
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 65
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 30
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 22
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 6
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical group [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 3
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 56
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 37
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 34
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 25
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 15
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 ITO Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- ADFPJHOAARPYLP-UHFFFAOYSA-N methyl 2-methylprop-2-enoate;styrene Chemical compound COC(=O)C(C)=C.C=CC1=CC=CC=C1 ADFPJHOAARPYLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N tetraethylammonium Chemical compound CC[N+](CC)(CC)CC CBXCPBUEXACCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/22—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20
- G03G15/32—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head
- G03G15/326—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern involving the combination of more than one step according to groups G03G13/02 - G03G13/20 in which the charge pattern is formed dotwise, e.g. by a thermal head by application of light, e.g. using a LED array
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
- G03G15/04036—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors
- G03G15/04045—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers
- G03G15/04054—Details of illuminating systems, e.g. lamps, reflectors for exposing image information provided otherwise than by directly projecting the original image onto the photoconductive recording material, e.g. digital copiers by LED arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G2215/00—Apparatus for electrophotographic processes
- G03G2215/04—Arrangements for exposing and producing an image
- G03G2215/0402—Exposure devices
- G03G2215/0407—Light-emitting array or panel
- G03G2215/0409—Light-emitting diodes, i.e. LED-array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
【解決手段】
半導体複合装置1の最下層に例えば半導体基板であるSi基板2を配置し、その上に表面の平坦化が可能な平坦化層3を配し、その上に半導体素子が形成される半導体薄膜層4をボン
ディングした構成とする。
【選択図】 図1
Description
少なくとも基板と平坦化層と半導体薄膜を有し、前記平坦化層は基板上に直接または基板上に設けられた別の層上に設けられ、さらに前記平坦化層は前記基板と対向する面と反対側の面が所定の平坦特性を具えた平坦面を有し、前記半導体薄膜は前記平坦化層の平坦面上に形成された半導体薄膜であることを特徴とする。
少なくとも基板と平坦化層とLED薄膜を有し、前記平坦化層は基板上に直接または基板上に設けられた別の層上に設けられ、さらに前記平坦化層は前記基板と対向する面と反対側の面が所定の平坦特性を具えた平坦面を有し、前記LED薄膜は前記平坦化層の平坦面上に形成されたLED薄膜であることを特徴とする。
上記したLED装置と、
前記LED薄膜が発光する光を導く光学系と
を有することを特徴とする。
搬送手段により搬送される記録媒体に記録材による画像を形成する画像形成部を有する画像形成装置であって、
前記画像形成部が、像担持体と、前記像担持体の表面を帯電する帯電手段と、帯電された前記表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光手段と、前記静電潜像を現像する現像手段とを有し、
前記露光手段として、上記LEDヘッドを用いたことを特徴とする。
図1は、本発明による実施の形態1の半導体複合装置の積層構造を模式的に示す要部構成図である。
20nm<Eの場合には、半導体薄膜層4を平坦化層3に貼り付けることは困難であり、
10nm<E≦20nmの場合には、半導体薄膜層4を部分的に平坦化層3に貼り付けることが可能な状態となり、
5nm<E≦10nmの場合には、半導体薄膜層4を平坦化層3に貼り付けることができるが、貼り付け強度が弱く、
2nm<E≦5nmの場合には、半導体薄膜層4を平坦化層3に貼り付けることができ、その貼り付け強度も高い結果を得、更に
E≦2nmの場合には、半導体薄膜層4を平坦化層3に貼り付けたときの貼り付け強度が安定して高い結果を得た。
図4は、本発明による実施の形態2の半導体複合装置21の要部構成を概略的に示す平面図であり、図5は、図4に示す半導体複合装置21をA−A線で切る断面を概略的に示す要部断面図である。尚、図4は、簡単のため、各配線相互、配線と導電層間などのショートを防止するための層間絶縁膜35(図5)を省略し、更に説明のため、後述する個別電極コンタクト30の一部を欠いた状態で示している。
図7は、本発明による実施の形態3の半導体複合装置の積層構造を模式的に示す要部構成図である。
図10は、本発明による実施の形態4の半導体複合装置51の要部構成を概略的に示す平面図であり、図11は、図10に示す半導体複合装置21をA−A線で切る断面を概略的に示す要部断面図である。尚、図10は、簡単のため、各配線相互、配線と導電層間などのショートを防止するための層間絶縁膜35(図5)を省略し、更に説明のため、後述する個別電極コンタクト30及び平坦化層25の一部を欠いた状態で示している。
図12は、本発明による実施の形態5の半導体複合装置55の要部構成を概略的に示す断面図である。
図13は、本発明による実施の形態1の半導体複合装置101の要部構成を概略的に示す平面図であり、図14は、図13に示す半導体複合装置101をA−A線で切る断面を概略的に示す要部断面図である。
6cに素子分離されている。
を介して上記半導体薄膜層116を生成した後、この剥離層を、例えば希釈した弗酸、塩酸などで選択的にエッチング除去し、半導体薄膜層116を第2の基板(GaAs基板)から剥離する。この際、生成した半導体薄膜層116を保護するための支持体を適宜設けることができる。
図19(a)は、本発明による実施の形態7の半導体複合装置131の要部構成を概略的に示す平面図であり、図19(b)は、図19(a)に示す半導体複合装置131をB−B線で切る断面を概略的に示す要部断面図である。
図20は、本発明による実施の形態8の半導体複合装置141の要部構成を概略的に示す平面図であり、図21は、図20に示す半導体複合装置141をC−C線で切る面を概略的に示す要部断面図であり、図24は、図20に示す半導体複合装置141をD−D線で切る面を概略的に示す要部断面図である。尚、図20には、簡単のため、各配線相互、配線と導電層間などのショートを防止するための層間絶縁膜113(図21)が省略されている。
図25は、本発明による実施の形態9の半導体複合装置151の要部構成を概略的に示す平面図であり、図26は、図25に示す半導体複合装置151をE−E線で切る断面を概略的に示す要部断面図であり、図27は、図25に示す半導体複合装置151をF−F線で切る断面を概略的に示す要部断面図である。
図28は、本発明による実施の形態10の半導体複合装置161の要部構成を概略的に示す断面図である。
図29は、本発明による実施の形態11の半導体複合装置171の要部構成を概略的に示す断面図である。
図30は、本発明のLEDヘッドに基づく実施の形態7のLEDプリントヘッド200を示す図である。
図32は、本発明の画像形成装置に基づく実施の形態13の画像形成装置300の要部構成を模式的に示す要部構成図である。
まず、用紙カセット306に堆積した状態で収納されている記録媒体305がホッピングローラ307によって、上から1枚ずつ分離されて搬送される。続いて、この記録媒体305は、レジストローラ310,311及びピンチローラ308,309に挟持されて、プロセスユニット301の感光ドラム301a及び転写ローラ312に搬送される。その後、記録媒体305は、感光体ドラム301a及び転写ローラ212に挟持され、その記録画面にトナー画像が転写されると同時に感光体ドラム301aの回転によって搬送される。
Claims (56)
- 基板と、
前記基板上に直接又は間接的に設けられ、前記基板の対向面と反対側の面が平坦化処理された表面平坦化層と、
前記表面平坦化層上に形成された半導体薄膜と
を有することを特徴とする半導体複合装置。 - 前記表面平坦化層の前記基板の対向面と反対側の面の平坦性が、5nm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層が、有機化合物からなることを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記有機化合物が、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、ポリアミド、ポリアミドイミドの何れかの、一つ又は複数の材料を含むことを特徴とする請求項2記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層が、酸化物材料からなることを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記酸化物材料が、酸化珪素(SiO2)、PSG、BSG、スピンオングラス(SOG)、酸化アルミ(Al2O3)の何れかの材料を有することを特徴とする請求項5記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層が、窒化物材料からなることを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記窒化物材料が、SixNy、又はSixNyOzであることを特徴とする請求項7記載の半導体複合装置。
- 前記半導体薄膜は発光素子を備え、
前記表面平坦化層は前記発光素子から放射される光の波長に対して透明な材料であり、
前記表面平坦化層下には、前記発光素子から放射される光を反射する反射層を有することを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。 - 前記表面平坦化層と前記反射層との間に無機材料からなる薄膜層を設けたことを特徴とする請求項9記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層は、電流が通過可能な導電膜層であることを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層に電気的に接続する導通層を有することを特徴とする請求項11記載の半導体複合装置。
- 前記導通層が貴金属層又は貴金属合金層を含むことを特徴とする請求項12記載の半導体複合装置。
- 前記貴金属層又は貴金属合金層は、金又は金合金を含むことを特徴とする請求項13記載の半導体複合装置
- 前記導通層がAlを含むことを特徴とする請求項12の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層は、前記半導体薄膜が備える発光素子から出射される光に対して透明な材質で形成された透明導電膜層であることを特徴とする請求項11記載の半導体複合装置。
- 前記透明導電膜層は、金属酸化物であることを特徴とする請求項16記載の半導体複合装置。
- 前記金属酸化物は、インジウム・錫酸化物(ITO)、又は酸化亜鉛(ZnO)、又はCu、Sr、Bi、Ca、Y、Rbの何れかの元素を含む導電性金属酸化物、の薄膜であることを特徴とする請求項17記載の半導体複合装置。
- 前記反射層は、誘電体薄膜の多重積反射膜であることを特徴とする請求項9記載の半導体複合装置。
- 前記反射層は、金属材料であることを特徴とする請求項9記載の半導体複合装置。
- 前記反射層は、誘電体薄膜と金属薄膜とからなる多重積層反射膜層を形成したことを特徴とする請求項9記載の半導体複合装置。
- 前記半導体薄膜がイオン結合性材料であることを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記イオン結合性材料が化合物半導体材料であることを特徴とする請求項22記載の半導体複合装置。
- 前記半導体薄膜が共有結合材料であることを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記共有結合材料がSi、Ge、SiGe、SiCであることを特徴とする請求項24記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層が塗布膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記塗布膜が有機材料であることを特徴とする請求項26記載の半導体複合装置。
- 前記有機材料が感光性を有する材料であることを特徴とする請求項27記載の半導体複合装置。
- 前記有機材料が、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリアリレート、ポリウレタン、ポリアミド、ポリアミドイミドを有することを特徴とする請求項27記載の半導体複合装置。
- 前記有機材料が、ヘテロ原子に隣接するカルボニル基を有するポリマーであることを特徴とする請求項27記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層に接する下層表面の平坦性が、50nm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記反射層がTi、Au、Ge、Pt、Niの何れかを含む単層、積層、複合、又は合金層であることを特徴とする請求項20記載の半導体複合装置。
- 前記反射層がCr、Ni、Pd、Alの中の何れかを含む単層、積層、複合、又は合金層であることを特徴とする請求項20記載の半導体複合装置。
- 前記平坦化層が有機物層であるとき、前記平坦化層と接する前記反射層の最上層がTi、Au、Cr、Ni、又はAlの何れかを含むことを特徴とする請求項20記載の半導体複合装置。
- 前記反射層の前記表面平坦化層に接する表面の平坦性が15nm以下であることを特徴とする請求項20記載の半導体複合装置。
- 前記反射層が導電性材料を含む層であることを特徴とする請求項20記載の半導体複合装置。
- 前記薄膜層は酸化物膜であることを特徴とする請求項10記載の半導体複合装置。
- 前記酸化物膜は、SiOx、Al2O3であることを特徴とする請求項37記載の半導体複合装置。
- 前記薄膜層は窒化物膜であることを特徴とする請求項10記載の半導体複合装置。
- 前記窒化物は、SixNy又はSixNyOzであることを特徴とする請求項39記載の半導体複合装置。
- 基板と、
前記基板上に直接又は間接的に設けられ、電流が通過可能で前記基板の対向面と反対側の面が平坦化処理された表面平坦化層と、
前記表面平坦化層上に接着した半導体薄膜と、
前記半導体薄膜上に形成され、前記半導体薄膜の所定部に電気的に接続する透明導電膜層と
を有することを特徴とする半導体複合装置。 - 前記表面平坦化層に電気的に接続する導通層を有し、
前記導通層が前記表面平坦化層の下に形成されていることを特徴とする請求項11記載の半導体複合装置。 - 前記表面平坦化層が、前記半導体薄膜が備える発光素子から出射される光に対して透明材料で形成されていることを特徴とする請求項41又は42記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層が、電流が通過可能な導電薄膜であることを特徴とする請求項41又は42記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層が、透明導電膜であることを特徴とする請求項41又は42記載の半導体複合装置。
- 前記表面平坦化層と前記半導体薄膜の間に導通層を設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体複合装置。
- 前記導通層が金属薄膜層であることを特徴とする請求項46記載の半導体複合装置。
- 前記金属薄膜は、金または金合金を含むことを特徴とする請求項47記載の半導体複合装置。
- 前記半導体薄膜が半導体素子であることを特徴とする請求項1乃至48の何れかに記載の半導体複合装置。
- 前記半導体素子が発光素子であることを特徴とする請求項49記載の半導体複合装置。
- 前記発光素子は、前記基板上に略一列に複数配列されていることを特徴とする請求項50記載の半導体複合装置。
- 前記発光素子はLEDであることを特徴とする請求項51記載の半導体複合装置。
- 更に、前記半導体素子を駆動するための集積回路を備えたことを特徴とする請求項49記載の半導体複合装置。
- 基板と、
前記基板上に直接又は間接的に設けられ、前記基板の対向面と反対側の面が平坦化処理された表面平坦化層と、
前記表面平坦化層上に形成されたLED薄膜と
を有することを特徴とするLED装置。 - 請求項54記載のLED装置と、
前記LED薄膜が発光する光を導く光学系と
を有することを特徴とするLEDヘッド。 - 搬送手段により搬送される記録媒体に記録材による画像を形成する画像形成部を有する画像形成装置において、
前記画像形成部が、像担持体と、前記像担持体の表面を帯電する帯電手段と、帯電された前記表面に選択的に光を照射して静電潜像を形成する露光手段と、前記静電潜像を現像する現像手段とを有し、
前記露光手段として、請求項55記載のLEDヘッドを用いたことを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005057636A JP4837295B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | 半導体装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置 |
US11/363,477 US7847298B2 (en) | 2005-03-02 | 2006-02-27 | Semiconductor composite apparatus, LED, LED printhead, and image forming apparatus |
EP10182130.4A EP2287912B1 (en) | 2005-03-02 | 2006-03-01 | Semiconductor composite LED apparatus |
EP06110563.1A EP1699091B1 (en) | 2005-03-02 | 2006-03-01 | Semiconductor composite LED apparatus |
CN2006100594024A CN1835256B (zh) | 2005-03-02 | 2006-03-02 | 半导体复合装置、led、led打印头和成像装置 |
US12/902,172 US8174028B2 (en) | 2005-03-02 | 2010-10-12 | Semiconductor composite apparatus, LED, LED printhead, and image forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005057636A JP4837295B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | 半導体装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011169297A Division JP5404709B2 (ja) | 2011-08-02 | 2011-08-02 | 半導体装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006245210A true JP2006245210A (ja) | 2006-09-14 |
JP4837295B2 JP4837295B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=36636278
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005057636A Expired - Fee Related JP4837295B2 (ja) | 2005-03-02 | 2005-03-02 | 半導体装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7847298B2 (ja) |
EP (2) | EP1699091B1 (ja) |
JP (1) | JP4837295B2 (ja) |
CN (1) | CN1835256B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009060148A (ja) * | 2008-12-15 | 2009-03-19 | Oki Data Corp | 表示装置 |
JP2009070756A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Oki Data Corp | Ledバックライト装置及び液晶表示装置 |
JP2010171289A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Oki Data Corp | 画像表示装置 |
JP2012009901A (ja) * | 2011-10-07 | 2012-01-12 | Oki Data Corp | 表示装置 |
JP2012015226A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置及び照明装置 |
JP2013048282A (ja) * | 2012-10-30 | 2013-03-07 | Oki Data Corp | 表示装置 |
JP2016195234A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 株式会社沖データ | 半導体素子アレイ、ledヘッド、及び画像形成装置 |
JP2019046950A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2019079939A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 株式会社沖データ | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10686106B2 (en) | 2003-07-04 | 2020-06-16 | Epistar Corporation | Optoelectronic element |
US9000461B2 (en) * | 2003-07-04 | 2015-04-07 | Epistar Corporation | Optoelectronic element and manufacturing method thereof |
US20150214449A1 (en) * | 2003-07-04 | 2015-07-30 | Epistar Corporation | Optoelectronic element |
JP2007288089A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Opnext Japan Inc | 光素子および光モジュール |
JP4255480B2 (ja) * | 2006-04-26 | 2009-04-15 | 株式会社沖データ | 半導体複合装置、ledヘッド、及び画像形成装置 |
JP4203087B2 (ja) * | 2006-07-25 | 2008-12-24 | 株式会社沖データ | 半導体複合装置、ledプリントヘッド及び画像形成装置 |
JP4481293B2 (ja) * | 2006-12-22 | 2010-06-16 | 株式会社沖データ | 発光表示装置 |
JP4718504B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2011-07-06 | 株式会社沖データ | 表示装置 |
JP4420932B2 (ja) * | 2007-03-09 | 2010-02-24 | 株式会社沖データ | 可撓性表示体及び可撓性表示体付き物品 |
US20110121319A1 (en) * | 2007-12-10 | 2011-05-26 | Haase Michael A | Semiconductor light emitting device and method of making same |
JP4743304B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2011-08-10 | 富士ゼロックス株式会社 | Ledプリントヘッド接地構造、及び、それを備えた画像形成装置 |
KR100999806B1 (ko) * | 2009-05-21 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
KR101616027B1 (ko) * | 2009-10-07 | 2016-04-27 | 삼성전자주식회사 | 렌즈가 집적된 발광다이오드 어레이, 이를 이용한 라인 프린터 헤드 및 발광다이오드 어레이의 제조방법 |
KR101039886B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
US9455242B2 (en) * | 2010-09-06 | 2016-09-27 | Epistar Corporation | Semiconductor optoelectronic device |
US8389348B2 (en) * | 2010-09-14 | 2013-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Mechanism of forming SiC crystalline on Si substrates to allow integration of GaN and Si electronics |
CN102593302B (zh) * | 2011-01-10 | 2014-10-15 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
CN102593113B (zh) * | 2011-01-10 | 2015-04-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
CN102593287B (zh) * | 2011-01-10 | 2015-07-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 |
CN102593306B (zh) * | 2011-01-10 | 2014-12-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构 |
TWI449218B (zh) * | 2011-01-17 | 2014-08-11 | Advanced Optoelectronic Tech | 發光二極體晶粒及其製造方法、發光二極體封裝結構 |
JP5584645B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2014-09-03 | 株式会社沖データ | 半導体発光装置およびヘッドマウントディスプレイ装置 |
US20130069088A1 (en) * | 2011-09-20 | 2013-03-21 | The Regents Of The University Of California | Light emitting diode with conformal surface electrical contacts with glass encapsulation |
US20120175667A1 (en) * | 2011-10-03 | 2012-07-12 | Golle Aaron J | Led light disposed on a flexible substrate and connected with a printed 3d conductor |
CN103378244A (zh) * | 2012-04-27 | 2013-10-30 | 无锡华润华晶微电子有限公司 | 发光二极管器件及其制造方法 |
KR102139681B1 (ko) | 2014-01-29 | 2020-07-30 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 발광소자 어레이 모듈 및 발광소자 어레이 칩들을 제어하는 방법 |
WO2015132926A1 (ja) | 2014-03-06 | 2015-09-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、及び、その試験方法 |
CN104183606A (zh) * | 2014-08-07 | 2014-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
US9673368B2 (en) * | 2015-05-11 | 2017-06-06 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device having first and second electrodes on one side of a light emitting structure |
JP6814742B2 (ja) * | 2015-11-13 | 2021-01-20 | 住友化学株式会社 | 有機elデバイスの製造方法及び有機elデバイス |
US10818705B2 (en) * | 2016-03-18 | 2020-10-27 | Ricoh Company, Ltd. | Method for manufacturing a field effect transistor, method for manufacturing a volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a display element, method for manufacturing an image display device, and method for manufacturing a system |
US10177178B1 (en) * | 2017-07-05 | 2019-01-08 | Gloablfoundries Inc. | Assembly of CMOS driver wafer and LED wafer for microdisplay |
EP4019257A4 (en) * | 2019-08-23 | 2023-09-06 | Canon Kabushiki Kaisha | IMAGE FORMING DEVICE INCLUDING TOP EMITTING TYPE LIGHT EMITTING DEVICE |
CN115413371A (zh) * | 2020-04-21 | 2022-11-29 | 上海显耀显示科技有限公司 | 具有反射元件的发光二极管芯片结构 |
AU2021261321A1 (en) | 2020-04-21 | 2022-12-08 | Jade Bird Display (shanghai) Limited | Light-emitting diode chip structures with reflective elements |
TW202228111A (zh) | 2020-06-03 | 2022-07-16 | 中國大陸商上海顯耀顯示科技有限公司 | 用於具有水平光發射的多色led像素單元的系統及方法 |
CN112687548B (zh) * | 2020-12-25 | 2024-05-24 | 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 | 可转移的柔性互联结构的制备方法以及结构 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004179646A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-24 | Oki Data Corp | 半導体複合装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
JP2004207323A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Oki Data Corp | 半導体複合装置 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5391257A (en) * | 1993-12-10 | 1995-02-21 | Rockwell International Corporation | Method of transferring a thin film to an alternate substrate |
JPH1063807A (ja) | 1996-08-23 | 1998-03-06 | Hitachi Ltd | カード型情報制御装置 |
US5929474A (en) * | 1997-03-10 | 1999-07-27 | Motorola, Inc. | Active matrix OED array |
WO1998059365A1 (en) * | 1997-06-24 | 1998-12-30 | Massachusetts Institute Of Technology | CONTROLLING THREADING DISLOCATION DENSITIES IN Ge ON Si USING GRADED GeSi LAYERS AND PLANARIZATION |
JP2000012536A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ被膜形成方法 |
US6195703B1 (en) * | 1998-06-24 | 2001-02-27 | Emc Corporation | Dynamic routing for performance partitioning in a data processing network |
WO2000026973A1 (en) * | 1998-11-02 | 2000-05-11 | Presstek, Inc. | Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays |
WO2001006546A2 (en) * | 1999-07-16 | 2001-01-25 | Massachusetts Institute Of Technology | Silicon on iii-v semiconductor bonding for monolithic optoelectronic integration |
US6573537B1 (en) * | 1999-12-22 | 2003-06-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs |
TW497277B (en) * | 2000-03-10 | 2002-08-01 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same |
US6335263B1 (en) * | 2000-03-22 | 2002-01-01 | The Regents Of The University Of California | Method of forming a low temperature metal bond for use in the transfer of bulk and thin film materials |
JP4011292B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2007-11-21 | 株式会社日立製作所 | 発光素子、及び表示装置 |
US20020176363A1 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-28 | Sanja Durinovic-Johri | Method for load balancing in routers of a network using overflow paths |
US7067849B2 (en) * | 2001-07-17 | 2006-06-27 | Lg Electronics Inc. | Diode having high brightness and method thereof |
EP1461645A4 (en) * | 2001-12-14 | 2006-09-06 | Digital Optics Internat Corp | UNIFORM LIGHTING SYSTEM |
TW577178B (en) * | 2002-03-04 | 2004-02-21 | United Epitaxy Co Ltd | High efficient reflective metal layer of light emitting diode |
US6897474B2 (en) * | 2002-04-12 | 2005-05-24 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic devices and methods for making the same |
US6642092B1 (en) * | 2002-07-11 | 2003-11-04 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Thin-film transistors formed on a metal foil substrate |
JP4290953B2 (ja) * | 2002-09-26 | 2009-07-08 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置、有機el素子および画像表示装置の製造方法 |
CA2419704A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Ignis Innovation Inc. | Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode |
US7133032B2 (en) | 2003-04-24 | 2006-11-07 | Eastman Kodak Company | OLED display and touch screen |
JP2005011793A (ja) | 2003-05-29 | 2005-01-13 | Sony Corp | 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置 |
US6939012B2 (en) * | 2003-06-02 | 2005-09-06 | Eastman Kodak Company | Laser image projector |
KR20060059891A (ko) * | 2003-06-04 | 2006-06-02 | 유명철 | 수직 구조 화합물 반도체 디바이스의 제조 방법 |
US6995035B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-02-07 | Eastman Kodak Company | Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution |
EP1712109A4 (en) * | 2003-12-30 | 2008-03-19 | Agency Science Tech & Res | FLEXIBLE ELECTROLUMINESCENT DEVICES |
US20050248270A1 (en) * | 2004-05-05 | 2005-11-10 | Eastman Kodak Company | Encapsulating OLED devices |
-
2005
- 2005-03-02 JP JP2005057636A patent/JP4837295B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-02-27 US US11/363,477 patent/US7847298B2/en active Active
- 2006-03-01 EP EP06110563.1A patent/EP1699091B1/en active Active
- 2006-03-01 EP EP10182130.4A patent/EP2287912B1/en active Active
- 2006-03-02 CN CN2006100594024A patent/CN1835256B/zh active Active
-
2010
- 2010-10-12 US US12/902,172 patent/US8174028B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004179646A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-24 | Oki Data Corp | 半導体複合装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
JP2004207323A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Oki Data Corp | 半導体複合装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009070756A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-02 | Oki Data Corp | Ledバックライト装置及び液晶表示装置 |
JP2009060148A (ja) * | 2008-12-15 | 2009-03-19 | Oki Data Corp | 表示装置 |
JP2010171289A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Oki Data Corp | 画像表示装置 |
JP2012015226A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置及び照明装置 |
JP2012009901A (ja) * | 2011-10-07 | 2012-01-12 | Oki Data Corp | 表示装置 |
JP2013048282A (ja) * | 2012-10-30 | 2013-03-07 | Oki Data Corp | 表示装置 |
JP2016195234A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 株式会社沖データ | 半導体素子アレイ、ledヘッド、及び画像形成装置 |
JP2019046950A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2019079939A (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-23 | 株式会社沖データ | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1699091A3 (en) | 2007-01-24 |
US8174028B2 (en) | 2012-05-08 |
CN1835256A (zh) | 2006-09-20 |
US20060197102A1 (en) | 2006-09-07 |
EP2287912A3 (en) | 2011-11-23 |
CN1835256B (zh) | 2012-07-11 |
EP1699091A2 (en) | 2006-09-06 |
JP4837295B2 (ja) | 2011-12-14 |
EP2287912B1 (en) | 2018-04-25 |
EP2287912A2 (en) | 2011-02-23 |
US7847298B2 (en) | 2010-12-07 |
US20110024788A1 (en) | 2011-02-03 |
EP1699091B1 (en) | 2017-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4837295B2 (ja) | 半導体装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置 | |
JP5010108B2 (ja) | 半導体複合装置、プリントヘッド、及びそれを用いた画像形成装置 | |
JP4255480B2 (ja) | 半導体複合装置、ledヘッド、及び画像形成装置 | |
US8664668B2 (en) | Combined semiconductor apparatus with semiconductor thin film | |
KR102546262B1 (ko) | 발광 소자 | |
JP5415191B2 (ja) | 半導体複合装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 | |
US20090315965A1 (en) | Led array manufacturing method, led array and led printer | |
US7122834B2 (en) | Semiconductor apparatus having adhesion layer and semiconductor thin film | |
EP4002469A1 (en) | Display device using micro led, and manufacturing method therefor | |
JP2013219374A (ja) | 半導体装置の製造方法、半導体装置及びそれを用いた光プリントヘッド、及び画像形成装置 | |
JP2007096160A (ja) | 半導体複合装置、及びこれらを用いたプリントヘッド並びに画像形成装置。 | |
JP2005093649A (ja) | 半導体複合装置、ledプリントヘッド、及び、それを用いた画像形成装置 | |
JP4656525B2 (ja) | 半導体装置、ledヘッド及び画像形成装置 | |
JP2004179641A (ja) | 半導体装置、光プリントヘッド、及び画像形成装置 | |
JP4663357B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8035116B2 (en) | Semiconductor device, light emitting diode head, and image forming apparatus | |
JP2009238893A (ja) | 半導体装置、光プリントヘッドおよび画像形成装置 | |
JP4662798B2 (ja) | 半導体複合装置、プリントヘッド、及び画像形成装置 | |
JP5404709B2 (ja) | 半導体装置、led装置、ledヘッド、及び画像形成装置 | |
JP4916120B2 (ja) | 半導体複合装置、半導体複合装置の製造方法、ledヘッド、及び画像形成装置 | |
KR20190012029A (ko) | 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
WO2008053907A1 (en) | Led array manufacturing method, led array and led printer | |
US9064721B2 (en) | Semiconductor light emission device, image formation apparatus and image display apparatus | |
CN217955861U (zh) | 单元像素及具有该单元像素的显示装置 | |
KR20240059686A (ko) | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110601 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110621 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110802 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110927 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110928 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4837295 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |