KR101039886B1 - 발광 소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 제2 도전형의 반도체층; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 투명 전극층; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층; 및 상기 투명 전극층 상에 배치되고, 일부분의 하면, 측면, 및 상면이 상기 투명 전극층과 접촉하는 제2 전극층을 포함한다.
발광 소자

Description

발광 소자 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}
본 발명은 발광 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
최근, 발광 소자로써 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 장치가 많이 연구되고 있다.
LED는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기 신호를 빛으로 변환시키는 것으로, 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 제2 도전형의 반도체층이 적층되어 전원이 인가됨에 따라 상기 활성층에서 빛을 방출한다.
상기 제1 도전형의 반도체층은 n형 반도체층이 되고 상기 제2 도전형의 반도체층은 p형 반도체층이 될 수 있고, 또는 각각 그 반대의 도전형을 가질 수도 있다.
상기 제1 도전형의 반도체층 상에는 제1 전극층이 형성되고, 상기 제2 도전형의 반도체층 상에는 제2 전극층이 형성된다.
한편, 상기 제2 도전형의 반도체층 상에는 전류 퍼짐의 효과를 얻기 위하여 ITO와 같은 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층 상에 제2 전극층을 형성한 다.
그러나, 상기 투명 전극층과 제2 전극층은 접착력이 약하기 때문에, 상기 투명 전극층으로부터 상기 제2 전극층이 분리되는 문제가 발생될 수 있다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예는 투명 전극층과 제2 전극층이 견고하게 결합될 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 활성층; 상기 활성층 상에 제2 도전형의 반도체층; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 투명 전극층; 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층; 및 상기 투명 전극층 상에 배치되고, 일부분의 하면, 측면, 및 상면이 상기 투명 전극층과 접촉하는 제2 전극층을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자는 제1 전극층; 상기 제1 전극층 아래에 제1 도전형의 반도체층; 상기 제1 도전형의 반도체층 아래에 활성층; 상기 활성층 아래에 제2 도전형의 반도체층; 상기 제2 도전형의 반도체층 아래에 투명 전극층; 및 상기 투명 전극층 아래에 배치되고, 일부분의 하면, 측면, 및 상면이 상기 투명 전극층과 접촉하는 제2 전극층을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 성장 기판 상에 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전형의 반도체층의 일부가 상측방향으로 노출되도록 상기 발광 반도체층을 메사 식각하는 단계; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제1 투명 전극층 을 형성하는 단계; 상기 제1 투명 전극층 상에 구속층을 형성하는 단계; 상기 제1 투명 전극층 및 구속층 상에 제2 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 제2 투명 전극층 및 상기 구속층 상에 패드층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 성장 기판 상에 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제1 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 제1 투명 전극층 상에 구속층을 형성하는 단계; 상기 제1 투명 전극층 및 구속층 상에 제2 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 제2 투명 전극층 및 상기 구속층 상에 지지층을 형성하는 단계; 상기 성장 기판을 제거하는 단계; 및 상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
실시예는 투명 전극층과 제2 전극층이 견고하게 결합될 수 있는 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
본 발명에 따른 실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 실시예들에 따른 발광 소자 및 그 제조방법에 대해 상세히 설명하도록 한다.
도 1 내지 도 5는 제1 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면이다.
먼저, 도 5를 참조하여 제1 실시예에 따른 발광 소자에 대해 설명하면, 제1 실시예에 따른 발광 소자는 성장 기판(10) 상에 제1 도전형의 반도체층(20), 활성층(30) 및 제2 도전형의 반도체층(40)을 포함하는 발광 반도체층이 형성되고, 상기 제1 도전형의 반도체층(20) 상에 제1 전극층(70)이 형성되고, 상기 제2 도전형의 반도체층(40) 상에 투명 전극층(50) 및 제2 전극층(60)이 형성된다.
상기 투명 전극층(50)은 상기 제2 도전형의 반도체층(40) 상에 형성된 제1 투명 전극층(51)과, 상기 제1 투명 전극층(51) 상에 형성된 제2 투명 전극층(52)을 포함한다. 그리고, 상기 제2 전극층(60)은 상기 제1 투명 전극층(51) 상에 형성된 구속층(61)과, 상기 구속층(61) 상에 형성된 패드층(62)을 포함한다.
제1 실시예에 따른 발광 소자는 상기 투명 전극층(50)과 상기 제2 전극층(60) 사이의 결합력을 강화하기 위하여, 상기 구속층(61)의 일부분이 상기 제1 투명 전극층(51)과 상기 제2 투명 전극층(52) 사이에 배치되도록 한다. 또한, 상기 제2 투명 전극층(52)의 일부분이 상기 구속층(61)과 상기 패드층(62) 사이에 배치되도록 한다.
상기 구속층(61)의 하면은 상기 제1 투명 전극층(51)의 상면과 접촉하고, 상기 구속층(61)의 측면 및 상면은 상기 제2 투명 전극층(52)과 접촉한다. 그리고, 상기 구속층(61)의 일부분은 상기 패드층(62)과 접촉하여 전기적으로 연결된다.
즉, 상기 구속층(61)은 상기 제1 투명 전극층(51)과 제2 투명 전극층(52)에 의해 구속되기 때문에, 상기 투명 전극층(50)과 제2 전극층(60)은 강하게 결합될 수 있다.
상기 제1 투명 전극층(51)과 제2 투명 전극층(52)은 서로 강한 접합력을 갖고 있으며, 상기 구속층(61)과 패드층(62)은 서로 강한 접합력을 갖고 있는데, 상기 투명 전극층(50)을 이루는 물질과 상기 제2 전극층(60)의 물질 사이에 접합력이 약해 상기 투명 전극층(50)과 제2 전극층(60)이 서로 분리될 수도 있으므로, 제1 실시예에 따른 발광 소자에서는 상기 제2 전극층(60)의 일부분이 상기 투명 전극층(50)에 의해 포위되도록 배치한다.
따라서, 상기 투명 전극층(50)과 제2 전극층(60)은 보다 견고하게 결합될 수 있다.
도 1 내지 도 5를 참조하여 제1 실시예에 따른 발광 소자 제조방법에 대해 설명하면, 성장 기판(10)이 준비되고, 상기 성장 기판(10)위에 제1 도전형이 반도체층(20), 활성층(30), 및 제2 도전형의 반도체층(40)을 포함하는 발광 반도체층이 형성된다. 또한, 상기 성장 기판(10)과 상기 제1 도전형의 반도체층(20) 사이에는 버퍼층(미도시) 및 Un-doped GaN층(미도시)이 형성될 수도 있다.
상기 성장 기판(10)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, ZnO, MgO, GaN, Glass 또는 Ga2O3 중 어느 하나로 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층은 AlInN/GaN 적층 구조, InxGa1-xN/GaN 적층 구조, AlxInyGa1-(x+y)N/InxGa1-xN/GaN의 적층 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형의 반도체층(20)은 Si와 같은 n형 불순물을 포함하는 GaN 기반 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 제2 도전형의 반도체층(40)은 Mg와 같은 p형 불순물을 포함하는 GaN 기반 반도체층으로 형성될 수 있다.
상기 활성층(30)은 암모니아(NH3), 트리메틸갈륨(TMGa), 트리메틸인듐(TMIn)을 공급하여 형성한 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조를 갖는 InGaN층/GaN층이 될 수 있다.
도 2를 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(40), 활성층(30) 및 제1 도전형의 반도체층(20)의 일부를 제거하는 메사 식각을 진행한다. 상기 메사 식각에 의해 상기 제1 도전형의 반도체층(20)의 일부는 상측 방향으로 노출된다.
그리고, 상기 제2 도전형의 반도체층(40) 상에 제1 투명 전극층(51)을 형성한다. 상기 제1 투명 전극층(51)은 상기 제2 도전형의 반도체층(40)의 상면 전체에 형성될 수도 있다.
상기 제1 투명 전극층(51)은 ITO, ZnO, GZO, RuOx, 또는 IrOx 중 적어도 어 느 하나로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제1 투명 전극층(51) 상에 구속층(61)을 형성한다. 상기 구속층(61)은 접착 금속층 또는 반사 금속층을 포함하는 다층 금속층으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, Cr, Ti, 또는 Ni 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, Ag 또는 Al 중 적어도 어느 하나를 포함할 수도 있다. 상기 구속층(61)의 평면 형상은 원형, 삼각형, 육각형, 십자가 형상과 같이 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 구속층(61)의 측면과 상면의 일부를 덮도록 상기 제1 투명 전극층(51) 및 상기 구속층(61) 상에 제2 투명 전극층(52)을 형성한다. 상기 제2 투명 전극층(52)은 상기 제1 투명 전극층(51)과 강하게 접합될 수 있다.
상기 제2 투명 전극층(52)이 형성됨에 따라 상기 구속층(61)의 상면은 부분적으로 노출된다.
도 5를 참조하면, 상기 구속층(61) 및 상기 제2 투명 전극층(52) 상에 패드층(62)을 형성한다. 상기 패드층(62)은 상기 구속층(61)과 강하게 접합될 수 있다.
상기 패드층(62)은 상기 구속층(61)과 동일한 물질로 형성될 수도 있으며, 상이한 금속 물질로 형성되는 것도 가능하다. 예를 들어, 상기 패드층(62)은 상기 구속층(61)을 형성하는 물질 뿐만 아니라, Au와 같은 금속층을 더 포함할 수도 있다. 그리고, 상기 제1 도전형의 반도체층(20) 상에는 제1 전극층(70)을 형성한다.
따라서, 제1 실시예에 따른 발광 소자가 제작될 수 있다. 제1 실시예에 따른 발광 소자는 상기 제2 전극층(60)의 일부분의 하면, 측면, 및 상면이 상기 투명 전 극층(50)에 의해 구속되도록 함으로써 상기 제2 전극층(60)과 상기 투명 전극층(50)의 결합력을 증가시킬 수 있다.
도 6 내지 도 11은 제2 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면이다.
먼저, 도 11을 참조하여 제2 실시예에 따른 발광 소자에 대해 설명하면, 제2 실시예에 따른 발광 소자는 제1 도전형의 반도체층(20), 활성층(30) 및 제2 도전형의 반도체층(40)을 포함하는 발광 반도체층이 형성되고, 상기 제1 도전형의 반도체층(20) 상에 제1 전극층(70)이 형성되고, 상기 제2 도전형의 반도체층(40) 아래에 투명 전극층(50) 및 제2 전극층(60)이 형성된다.
상기 투명 전극층(50)은 상기 제2 도전형의 반도체층(40) 아래에 형성된 제1 투명 전극층(51)과, 상기 제1 투명 전극층(51) 아래에 형성된 제2 투명 전극층(52)을 포함한다. 그리고, 상기 제2 전극층(60)은 상기 제1 투명 전극층(51) 아래에 형성된 구속층(61)과, 상기 구속층(61) 아래에 형성된 지지층(63)을 포함한다.
제2 실시예에 따른 발광 소자는 상기 투명 전극층(50)과 상기 제2 전극층(60) 사이의 결합력을 강화하기 위하여, 상기 구속층(61)의 일부분이 상기 제1 투명 전극층(51)과 상기 제2 투명 전극층(52) 사이에 배치되도록 한다. 또한, 상기 제2 투명 전극층(52)의 일부분이 상기 구속층(61)과 상기 지지층(63) 사이에 배치되도록 한다.
상기 구속층(61)의 상면은 상기 제1 투명 전극층(51)의 하면과 접촉하고, 상기 구속층(61)의 측면 및 하면은 상기 제2 투명 전극층(52)과 접촉한다. 그리고, 상기 구속층(61)의 일부분은 상기 지지층(63)과 접촉하여 전기적으로 연결된다.
즉, 상기 구속층(61)은 상기 제1 투명 전극층(51)과 제2 투명 전극층(52)에 의해 구속되기 때문에, 상기 투명 전극층(50)과 제2 전극층(60)은 강하게 결합될 수 있다.
상기 제1 투명 전극층(51)과 제2 투명 전극층(52)은 서로 강한 접합력을 갖고 있으며, 상기 구속층(61)과 지지층(63)은 서로 강한 접합력을 갖고 있는데, 상기 투명 전극층(50)을 이루는 물질과 상기 제2 전극층(60)의 물질 사이에 접합력이 약해 상기 투명 전극층(50)과 제2 전극층(60)이 서로 분리될 수도 있으므로, 제2 실시예에 따른 발광 소자에서는 상기 제2 전극층(60)의 일부분이 상기 투명 전극층(50)에 의해 포위되도록 배치한다.
따라서, 상기 투명 전극층(50)과 제2 전극층(60)은 보다 견고하게 결합될 수 있다.
도 6 내지 도 11을 참조하여 제2 실시예에 따른 발광 소자 제조방법에 대해 설명하면, 성장 기판(10)이 준비되고, 상기 성장 기판(10)위에 제1 도전형이 반도체층(20), 활성층(30), 및 제2 도전형의 반도체층(40)을 포함하는 발광 반도체층이 형성된다. 또한, 상기 성장 기판(10)과 상기 제1 도전형의 반도체층(20) 사이에는 버퍼층(미도시) 및 Un-doped GaN층(미도시)이 형성될 수도 있다.
상기 성장 기판(10)은 사파이어, SiC, Si, GaAs, ZnO, MgO, GaN, Glass 또는 Ga2O3 중 어느 하나로 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층은 AlInN/GaN 적층 구조, InxGa1-xN/GaN 적층 구조, AlxInyGa1-(x+y)N/InxGa1-xN/GaN의 적층 구조 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형의 반도체층(20)은 Si와 같은 n형 불순물을 포함하는 GaN 기반 반도체층으로 형성될 수 있으며, 상기 제2 도전형의 반도체층(40)은 Mg와 같은 p형 불순물을 포함하는 GaN 기반 반도체층으로 형성될 수 있다.
상기 활성층(30)은 암모니아(NH3), 트리메틸갈륨(TMGa), 트리메틸인듐(TMIn)을 공급하여 형성한 단일양자우물구조 또는 다중양자우물구조를 갖는 InGaN층/GaN층이 될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(40) 상에 제1 투명 전극층(51)을 형성한다. 상기 제1 투명 전극층(51)은 상기 제2 도전형의 반도체층(40)의 상면 전체에 형성될 수도 있다.
상기 제1 투명 전극층(51)은 ITO, ZnO, GZO, RuOx, 또는 IrOx 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다.
도 8을 참조하면, 상기 제1 투명 전극층(51) 상에 구속층(61)을 형성한다. 상기 구속층(61)은 복수개가 형성될 수도 있다.
상기 구속층(61)은 접착 금속층 또는 반사 금속층을 포함하는 다층 금속층으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, Cr, Ti, 또는 Ni 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있고, Ag 또는 Al 중 적어도 어느 하나를 포함할 수도 있다. 상기 구속층(61)의 평면 형상은 원형, 삼각형, 육각형, 십자가 형상과 같이 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
도 9를 참조하면, 상기 구속층(61)의 측면과 상면의 일부를 덮도록 상기 제1 투명 전극층(51) 및 상기 구속층(61) 상에 제2 투명 전극층(52)을 형성한다. 상기 제2 투명 전극층(52)은 상기 제1 투명 전극층(51)과 강하게 접합될 수 있다.
상기 제2 투명 전극층(52)이 형성됨에 따라 상기 구속층(61)의 상면은 부분적으로 노출된다.
도 10을 참조하면, 상기 구속층(61) 및 상기 제2 투명 전극층(52) 상에 지지층(63)을 형성한다. 상기 지지층(63)은 상기 구속층(61)과 강하게 접합될 수 있다.
상기 지지층(63)은 상기 구속층(61)과 동일한 물질로 형성될 수도 있으며, 상이한 금속 물질로 형성되는 것도 가능하다. 예를 들어, 상기 지지층(63)은 상기 구속층(61)을 형성하는 물질 뿐만 아니라, Au, Cu와 같은 금속층을 더 포함할 수도 있다.
상기 제2 전극층(60)을 형성한 후, 상기 성장 기판(10)을 레이저 리프트 오프 방법 또는 식각 방법을 통해 제거한다.
그리고, 상기 제1 도전형의 반도체층(20) 상에 제1 전극층(70)을 형성한다.
따라서, 제2 실시예에 따른 발광 소자가 제작될 수 있다. 제2 실시예에 따른 발광 소자는 상기 제2 전극층(60)의 일부분의 하면, 측면, 및 상면이 상기 투명 전극층(50)에 의해 구속되도록 함으로써 상기 제2 전극층(60)과 상기 투명 전극층(50)의 결합력을 증가시킬 수 있다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 5는 제1 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면.
도 6 내지 도 11은 제2 실시예에 따른 발광 소자 및 그 제조방법을 설명하는 도면.

Claims (13)

  1. 제1 도전형의 반도체층;
    상기 제1 도전형의 반도체층 상에 활성층;
    상기 활성층 상에 제2 도전형의 반도체층;
    상기 제2 도전형의 반도체층 상에 투명 전극층;
    상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층; 및
    상기 투명 전극층과 결합되고, 일부의 하면, 일부의 측면, 및 일부의 상면이 상기 투명 전극층과 접촉하는 제2 전극층을 포함하는 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 투명 전극층은 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제1 투명 전극층과, 상기 제1 투명 전극층 상에 제2 투명 전극층을 포함하고,
    상기 제2 전극층은 상기 제1 투명 전극층 상에 구속층과, 상기 구속층 및 제2 투명 전극층 상에 패드층을 포함하는 발광 소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제2 투명 전극층은 상기 구속층의 측면 및 상면과 접촉하고, 상기 패드층의 하면과 접촉하는 발광 소자.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제2 투명 전극층은 일부분이 상기 구속층과 상기 패드층 사이에 배치되는 발광 소자.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 구속층은 일부분이 상기 제1 투명 전극층과 상기 제2 투명 전극층 사이에 배치되는 발광 소자.
  6. 제1 전극층;
    상기 제1 전극층 아래에 제1 도전형의 반도체층;
    상기 제1 도전형의 반도체층 아래에 활성층;
    상기 활성층 아래에 제2 도전형의 반도체층;
    상기 제2 도전형의 반도체층 아래에 투명 전극층; 및
    상기 투명 전극층과 결합되고, 일부의 하면, 일부의 측면, 및 일부의 상면이 상기 투명 전극층과 접촉하는 제2 전극층을 포함하는 발광 소자.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 투명 전극층은 상기 제2 도전형의 반도체층 아래에 제1 투명 전극층과, 상기 제1 투명 전극층 아래에 제2 투명 전극층을 포함하고,
    상기 제2 전극층은 상기 제1 투명 전극층 아래에 구속층과, 상기 구속층 및 제2 투명 전극층 아래에 지지층을 포함하는 발광 소자.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 제2 투명 전극층은 상기 구속층의 측면 및 하면과 접촉하고, 상기 지지층의 상면과 접촉하는 발광 소자.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 제2 투명 전극층은 일부분이 상기 구속층과 상기 지지층 사이에 배치되는 발광 소자.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 구속층은 일부분이 상기 제1 투명 전극층과 상기 제2 투명 전극층 사이에 배치되는 발광 소자.
  11. 제 1항 또는 제 6항에 있어서,
    상기 투명 전극층은 ITO, ZnO, GZO, RuOx, 또는 IrOx 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자.
  12. 성장 기판 상에 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제1 도전형의 반도체층의 일부가 상측방향으로 노출되도록 상기 발광 반도체층을 메사 식각하는 단계;
    상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제1 투명 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 전극층 상에 구속층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 전극층 및 구속층 상에 제2 투명 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제2 투명 전극층 및 상기 구속층 상에 패드층을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  13. 성장 기판 상에 제1 도전형의 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형의 반도체층을 포함하는 발광 반도체층을 형성하는 단계;
    상기 제2 도전형의 반도체층 상에 제1 투명 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 전극층 상에 구속층을 형성하는 단계;
    상기 제1 투명 전극층 및 구속층 상에 제2 투명 전극층을 형성하는 단계;
    상기 제2 투명 전극층 및 상기 구속층 상에 지지층을 형성하는 단계;
    상기 성장 기판을 제거하는 단계; 및
    상기 제1 도전형의 반도체층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
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