KR101055095B1 - 발광장치 - Google Patents

발광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101055095B1
KR101055095B1 KR1020100020649A KR20100020649A KR101055095B1 KR 101055095 B1 KR101055095 B1 KR 101055095B1 KR 1020100020649 A KR1020100020649 A KR 1020100020649A KR 20100020649 A KR20100020649 A KR 20100020649A KR 101055095 B1 KR101055095 B1 KR 101055095B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
electrodes
emitting device
electrically connected
emitting chip
Prior art date
Application number
KR1020100020649A
Other languages
English (en)
Inventor
박경욱
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100020649A priority Critical patent/KR101055095B1/ko
Priority to EP11156644.4A priority patent/EP2365551A3/en
Priority to TW100107306A priority patent/TW201145624A/zh
Priority to JP2011050173A priority patent/JP2011187962A/ja
Priority to US13/042,678 priority patent/US8546835B2/en
Priority to CN2011100593982A priority patent/CN102194950A/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR101055095B1 publication Critical patent/KR101055095B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/645—Heat extraction or cooling elements the elements being electrically controlled, e.g. Peltier elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 몸체; 상기 몸체에 설치된 복수의 전극; 상기 몸체에 설치되며 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩; 및 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 발광칩을 냉각시키는 열전소자(Thermo Electric Cooler Module)를 포함한다.

Description

발광장치{LIGHT EMITTING DEVICE}
실시예는 발광장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시예는 신뢰성이 향상된 발광장치를 제공한다.
실시예에 따른 발광장치는 몸체; 상기 몸체에 설치된 복수의 전극; 상기 몸체에 설치되며 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩; 및 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 발광칩을 냉각시키는 열전소자(Thermo Electric Cooler Module)를 포함한다.
실시예는 열전소자를 포함하여 발광칩의 열화를 최소화함으로써 신뢰성이 향상된 발광장치를 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광장치의 단면도
도 2는 도 1의 발광장치의 열전소자의 단면도
도 3은 제2 실시예에 따른 발광장치의 상면도
도 4는 제3 실시예에 따른 발광장치의 측단면도
도 5는 제4 실시예에 따른 발광장치의 측단면도
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예에 따른 발광장치에 대해 설명한다.
도 1은 제1 실시예에 따른 발광장치(100)의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 제1 실시예에 따른 발광장치(100)는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)에 설치된 복수의 전극(31,32)과, 상기 몸체(10)에 설치되며 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩(20)과, 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 연결되어 상기 발광칩(20)을 냉각시키는 열전소자(Thermo Electric Cooler Module)(40)를 포함할 수 있다.
상기 몸체(10)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다.
상기 몸체(10)가 전기 전도성을 갖는 재질로 형성된 경우, 상기 몸체(10)의 표면에는 절연막(미도시)이 더 형성되어 상기 몸체(10)가 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 쇼트(short) 되는 것을 방지할 수 있다.
상기 몸체(10)의 상면의 형상은 상기 발광장치(100)의 용도 및 설계에 따라 사각형, 다각형, 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다.
상기 몸체(10)에는 상부가 개방되도록 캐비티(cavity)(15)가 형성될 수 있다. 상기 캐비티(15)는 컵 형상, 오목한 용기 형상 등으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(15)의 내측면은 바닥에 대해 수직한 측면이거나 경사진 측면이 될 수 있다.또한, 상기 캐비티(15)를 위에서 바라본 형상은 원형, 사각형, 다각형, 타원형 등의 형상일 수 있다.
상기 복수의 전극(31,32)은 서로 전기적으로 분리되도록 이격되어 상기 몸체(10)에 설치된다. 상기 복수의 전극(31,32)은 상기 발광칩(20)에 전기적으로 연결되어, 상기 발광칩(20)에 전원을 공급할 수 있다.
도 1에 도시된 바에 따르면, 상기 복수의 전극(31,32)은 제1 전극(31)과 제2 전극(32)을 포함하지만, 이는 상기 발광장치(100)의 설계에 따라 다양하게 변형될 수 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 상기 복수의 전극(31,32)은 일단이 상기 몸체(10)의 캐비티(15) 내에 배치되고, 타단이 상기 몸체(10)의 배면에 배치되는 것으로 도시되었지만, 이에 대해서도 한정하지는 않는다.
상기 복수의 전극(31,32)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 복수의 전극(31,32)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수도 있다.
상기 열전소자(40)는 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 연결되어 구동되며, 상기 발광칩(20)을 냉각시킴으로써 상기 발광칩(20)의 열화를 방지할 수 있다.
상기 열전소자(40)는 도시된 바와 같이 상기 복수의 전극(31,32) 중 어느 하나 위에 형성되거나, 상기 몸체(10)에 형성될 수도 있으며 이에 대해 한정하지는 않는다.
이하, 상기 열전소자(40)의 구성 및 작용에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 상기 열전소자(40)의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 열전소자(40)는 냉각 플레이트(41), 상기 냉각 플레이트(41) 아래에 제1 열전도성 절연판(43a), 상기 제1 열전도성 절연판(43a) 아래에 복수의 제1 극판(44a), 상기 복수의 제1 극판(44a) 아래에 서로 전기적으로 직렬로 연결된 복수의 반도체쌍(45), 상기 복수의 반도체쌍(45) 아래에 복수의 제2 극판(44b), 상기 복수의 제2 극판(44b) 아래에 제2 열전도성 절연판(43b) 및 상기 제2 열전도성 절연판(43b) 아래에 방열 플레이트(42)를 포함할 수 있다.
상기 복수의 반도체쌍(45)은 서로 교번하는 적어도 한 쌍의 n형 반도체(45a)와 p형 반도체(45b)를 포함한다. 상기 n형 반도체(45a)와 p형 반도체(45b)은 상기 복수의 제1 극판(44a) 및 복수의 제2 극판(44b)에 의해 서로 전기적으로 직렬로 연결되게 된다.
상기 복수의 제1 극판(44a) 및 복수의 제2 극판(44b)의 플러스(+), 마이너스(-)극 양단에 직류(DC) 전압을 인가하면, 상기 n형 반도체(45a)에서는 전자(Electron)의 흐름에 따라, 상기 p형 반도체(45b)에서는 정공(Hole)의 흐름에 따라 열이 이동하여 상기 냉각 플레이트(41)는 냉각되고, 상기 방열 플레이트(42)는 뜨거워지게 된다.
한편, 상기 복수의 제1 극판(44a) 및 복수의 제2 극판(44b)이 전기적으로 쇼트되지 않으면서 열이 원활히 이동할 수 있도록, 상기 냉각 플레이트(41)와 상기 복수의 제1 극판(44a) 사이에는 상기 제1 열전도성 절연판(43a)을 형성하고, 상기 방열 플레이트(42)와 상기 복수의 제2 극판(44b) 사이에는 상기 제2 열전도성 절연판(43b)을 형성할 수 있다.
이러한 열전소자(40)는 소형화, 경량화되어 상기 발광장치(100) 내에도 실장할 수 있으며, 인가되는 상기 직류(DC) 전압의 극성에 따라 상기 냉각 플레이트(41)와 방열 플레이트(42)의 용도가 서로 바뀔 수 있으며, 상기 직류(DC) 전압의 크기를 제어함으로써 정확한 온도 제어가 가능하고, 기계적 원리가 아니라 np형 반도체 내의 전자 및 정공의 움직임을 이용하여 구동되므로 수명이 반영구적이며, 환경친화적이라는 장점이 있다.
이에 따라, 상기 열전소자(40)는 상기 발광칩(20)을 효과적으로 냉각시킴으로써, 상기 발광칩(20)의 열화를 방지하고 궁극적으로는 상기 발광장치(100)의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 발광칩(20)은 상기 열전소자(40)의 냉각 플레이트(41) 상에 탑재될 수 있으며, 상기 복수의 전극(31,32)에 전기적으로 연결되어 빛을 생성할 수 있다.
하지만, 상기 발광칩(20)은 상기 복수의 전극(31,32) 중 어느 하나에 탑재되거나, 상기 몸체(10) 상에 탑재되어, 상기 열전소자(40)와 열적(thermally)으로 연결될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광칩(20)은 예를 들어, 적어도 하나의 발광 다이오드(LED : Light Emitting Diode)를 포함할 수 있으며, 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 다이오드 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 다이오드일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광칩(20)은 도시된 것과 같이 와이어 본딩(wire bonding) 방식에 의해 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 연결되거나, 플립 칩(flip chip), 다이 본딩(die bonding) 방식 등에 의해 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 몸체(10)의 캐비티(15) 내에는 상기 발광칩(20)을 밀봉하여 보호하도록 봉지재(50)가 형성될 수 있으며, 상기 봉지재(50)는 형광체를 포함할 수 있다.
상기 봉지재(50)는 실리콘 또는 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 봉지재(50)는 상기 캐비티(15) 내에 상기 실리콘 또는 수지 재질을 충진한 후, 이를 경화하는 방식으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 형광체는 상기 봉지재(50) 내에 첨가될 수 있으며, 상기 발광칩(20)에서 방출되는 제1빛에 의해 여기되어 제2빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광칩(20)이 청색 발광 다이오드이고 상기 형광체가 황색 형광체인 경우, 상기 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 상기 청색 빛 및 황색 빛이 혼색됨에 따라 상기 발광장치(100)는 백색 빛을 제공할 수 있다. 다만, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 봉지재(50) 상에는 렌즈(미도시)가 더 형성되어, 상기 발광장치(100)가 방출하는 빛의 배광을 조절할 수 있다. 또한, 상기 발광장치(100)의 상기 몸체(10)에는 내전압 향상을 위해 제너 다이오드(zener diode)(미도시) 등이 더 설치될 수도 있다.
도 3은 제2 실시예에 따른 발광장치(100A)의 상면도이다.
도 3을 참조하면, 제2 실시예에 따른 발광장치(100A)는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)에 설치된 복수의 전극(31,32,33,34)과, 상기 몸체(10)에 설치되며 상기 복수의 전극(31,32,33,34) 중 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩(20)과, 상기 복수의 전극(31,32,33,34) 중 제3 전극(33) 및 제4 전극(34)과 전기적으로 연결되어 상기 발광칩(20)을 냉각시키는 열전소자(Thermo Electric Cooler Module)(40)를 포함할 수 있다.
제2 실시예에 따른 발광장치(100A)는 제1 실시예에 따른 발광장치(100)와 전극의 배치 및 배선을 제외하고는 동일하다.
상기 발광칩(20)은 상기 복수의 전극(31,32,33,34) 중 제1 전극(31) 및 제2 전극(32)과 전기적으로 연결되며, 상기 열전소자(40)는 상기 복수의 전극(31,32,33,34) 중 제3 전극(33) 및 제4 전극(34)과 전기적으로 연결된다.
따라서, 상기 발광칩(20)과 상기 열전소자(40)는 서로 독립적으로 구동될 수 있다. 즉, 상기 발광칩(20) 및 그 주변의 온도에 따라, 상기 열전소자(40)에 흐르는 전류량을 조절함으로써 상기 발광칩(20)을 적절히 냉각시킬 수 있다.
또한, 상기 열전소자(40)에 흐르는 전류량을 더욱 효과적으로 조절하기 위해, 상기 발광장치(100A)의 몸체(10)에는 써미스터(thermistor)와 같은 온도 감지 센서(미도시)를 더 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 4는 제3 실시예에 따른 발광장치(100B)의 측단면도이다.
도 4를 참조하면, 제3 실시예에 따른 발광장치(100B)는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)에 설치된 복수의 전극(31,32)과, 상기 몸체(10)에 설치되며 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩(20)과, 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 연결되어 상기 발광칩(20)을 냉각시키는 열전소자(Thermo Electric Cooler Module)(40b)를 포함할 수 있다.
제3 실시예에 따른 발광장치(100B)는 제1 실시예에 따른 발광장치(100)에 비해 상기 열전소자(40b)가 상기 몸체(10)를 관통하도록 형성된다는 것을 제외하고는 동일하다.
상기 열전소자(40b)는 상기 몸체(10)를 관통하도록 형성되는데, 구체적으로 설명하면 상기 열전소자(40b)의 냉각 플레이트(41)는 상기 몸체(10)의 캐비티(15) 내에 배치되게 되며, 방열 플레이트(42b)는 상기 몸체(10)의 배면에 노출될 수 있다.
상기 방열 플레이트(42b)는 표면적을 넓힘으로써 열을 효과적으로 방출할 수 있도록 요철 패턴을 가질 수 있다.
도 5는 제4 실시예에 따른 발광장치(100C)의 측단면도이다.
도 5를 참조하면, 제4 실시예에 따른 발광장치(100C)는 몸체(10)와, 상기 몸체(10)에 설치된 복수의 전극(31,32)과, 상기 몸체(10)에 설치되며 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩(20)과, 상기 복수의 전극(31,32)과 전기적으로 연결되어 상기 발광칩(20)을 냉각시키는 열전소자(Thermo Electric Cooler Module)(40c)를 포함할 수 있다.
제4 실시예에 따른 발광장치(100C)는 제1 실시예에 따른 발광장치(100)에 비해 상기 열전소자(40c)가 상기 몸체(10)를 관통하도록 형성되며, 상기 발광칩(20)이 상기 복수의 전극(31,32) 중 어느 하나 위에 배치되었다는 점을 제외하고는 동일하다.
상기 발광칩(20)은 상기 복수의 전극(31,32) 중 어느 하나 위에 배치되며, 상기 복수의 전극(31,32)의 아래에는 상기 열전소자(40c)가 접촉할 수 있다. 이에 따라, 상기 열전소자(40c)는 상기 복수의 전극(31,32)을 매개로 하여 상기 발광칩(20)을 냉각시킬 수 있다.
실시 예의 패키지는 탑뷰 형태로 도시하고 설명하였으나, 사이드 뷰 방식으로 구현하여 상기와 같은 방열 특성, 전도성 및 반사 특성의 개선 효과가 있으며, 이러한 실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 지시 장치, 신호 장치, 전조등, 전광판, 조명 장치, 표시 장치 등에 적용할 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100,100A,100B,100C:발광장치, 10: 몸체, 15:캐비티, 31,32:전극, 20:발광 칩, 40:열전소자, 41:냉각플레이트, 43a,43b:절연판, 44a,44b:극판, 45:반도체쌍, 42:방열플레이트

Claims (11)

  1. 몸체;
    상기 몸체에 설치된 복수의 전극;
    상기 몸체에 설치되며 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩; 및
    상기 복수의 전극 중 어느 하나 위에 형성되어 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 발광칩을 탑재하여 상기 발광칩을 냉각시키는 열전소자(Thermo Electric Cooler Module)를 포함하는 발광장치.
  2. 몸체;
    상기 몸체에 설치된 복수의 전극;
    상기 몸체에 설치되며 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩; 및
    상기 몸체를 관통하도록 형성되어 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 발광칩을 냉각시키는 열전소자(Thermo Electric Cooler Module)를 포함하는 발광 장치.
  3. 몸체;
    상기 몸체에 설치된 복수의 전극;
    상기 몸체에 설치되며 상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되어 빛을 생성하는 발광칩; 및
    상기 복수의 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 발광칩을 냉각시키는 열전소자(Thermo Electric Cooler Module)를 포함하며,
    상기 복수의 전극 중 제1 전극 및 제2 전극은 상기 발광칩에 전기적으로 연결되고, 제3 전극 및 제4 전극은 상기 열전소자에 전기적으로 연결되는 발광장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열전소자는 냉각 플레이트와, 방열 플레이트와, 상기 냉각 플레이트 및 상기 방열 플레이트 사이에 복수의 반도체쌍을 포함하는 발광장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 발광칩은 상기 열전소자 상에 탑재되는 발광장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 열전소자는 상기 복수의 전극 아래에 접촉하며, 상기 발광칩은 상기 복수의 전극 중 어느 하나 위에 탑재되는 발광장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 발광칩은 적어도 하나의 발광 다이오드를 포함하는 발광장치.
  8. 삭제
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 몸체에 온도 감지 센서가 더 설치되는 발광장치.
  10. 제 4항에 있어서,
    상기 몸체는 캐비티를 포함하며, 상기 발광칩은 상기 캐비티 내에 배치되는 발광장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 캐비티 내에 봉지재를 포함하는 발광장치.
KR1020100020649A 2010-03-09 2010-03-09 발광장치 KR101055095B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100020649A KR101055095B1 (ko) 2010-03-09 2010-03-09 발광장치
EP11156644.4A EP2365551A3 (en) 2010-03-09 2011-03-02 Light emitting device with thermo electric cooling
TW100107306A TW201145624A (en) 2010-03-09 2011-03-04 Light emitting device
JP2011050173A JP2011187962A (ja) 2010-03-09 2011-03-08 発光装置
US13/042,678 US8546835B2 (en) 2010-03-09 2011-03-08 Light emitting device
CN2011100593982A CN102194950A (zh) 2010-03-09 2011-03-09 发光器件

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100020649A KR101055095B1 (ko) 2010-03-09 2010-03-09 발광장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101055095B1 true KR101055095B1 (ko) 2011-08-08

Family

ID=44168786

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100020649A KR101055095B1 (ko) 2010-03-09 2010-03-09 발광장치

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8546835B2 (ko)
EP (1) EP2365551A3 (ko)
JP (1) JP2011187962A (ko)
KR (1) KR101055095B1 (ko)
CN (1) CN102194950A (ko)
TW (1) TW201145624A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120291454A1 (en) * 2011-05-20 2012-11-22 Baker Hughes Incorporated Thermoelectric Devices Using Sintered Bonding

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101039886B1 (ko) * 2009-10-21 2011-06-09 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
DE102010026344A1 (de) * 2010-07-07 2012-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiode
CN102903829B (zh) * 2011-07-26 2015-01-07 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管光源装置
KR20140123976A (ko) * 2012-02-10 2014-10-23 크리,인코포레이티드 리드 상에 전극 마크를 갖는 발광장치, 패키지, 및 관련 방법
US9549440B2 (en) 2012-05-29 2017-01-17 Vektrex Electronic Systems, Inc. Solid-state auxiliary lamp
CN103353098B (zh) * 2013-06-25 2015-09-23 陈志明 一种大功率led灯降温器件及其制作方法
CN103398358B (zh) * 2013-06-25 2015-10-21 陈志明 一种低光衰大功率led路灯及其制作方法
JP2015028967A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 株式会社東芝 半導体発光素子及び発光装置
CN104426052B (zh) * 2013-09-02 2019-01-08 华为技术有限公司 一种光器件封装装置以及光模块
JP2017034218A (ja) 2015-08-03 2017-02-09 株式会社東芝 半導体発光装置
CN110301050B (zh) * 2017-02-15 2023-12-08 日本特殊陶业株式会社 热电元件内置封装
DE102018101627A1 (de) * 2018-01-25 2019-07-25 Automotive Lighting Reutlingen Gmbh Bauelementesubstrat mit wenigstens einer thermoelektrischen Komponente sowie Verfahren zur Herstellung eines Bauelementesubstrats
US10361352B1 (en) * 2018-03-22 2019-07-23 Excellence Opto, Inc. High heat dissipation light emitting diode package structure having at least two light cups and lateral light emission
US11444001B1 (en) 2021-05-07 2022-09-13 Western Digital Technologies, Inc. Thermoelectric semiconductor device and method of making same
CN113552555B (zh) * 2021-07-28 2024-08-13 维沃移动通信有限公司 光发射模组及电子设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000056801A (ko) * 1999-02-26 2000-09-15 구자홍 반도체 패키지의 방열 구조
JP2001015635A (ja) 1999-06-29 2001-01-19 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JP2005209959A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
KR20070072401A (ko) * 2005-12-30 2007-07-04 에이저 시스템즈 인크 광학 조립체, 조립체, 및 광학 조립체와 제어기를 포함하는전자 장치

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5927568A (ja) * 1982-08-06 1984-02-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子
JPS61135171A (ja) * 1984-12-05 1986-06-23 Mitsubishi Electric Corp 発光ダイオ−ドアレイヘツド
JPH02143872A (ja) * 1988-11-25 1990-06-01 Seiko Epson Corp 光プリンタヘッド
JP3521521B2 (ja) * 1994-06-20 2004-04-19 ヤマハ株式会社 半導体装置の製造方法
JP2655819B2 (ja) 1994-11-04 1997-09-24 日進電機株式会社 仮設足場体用跳ね出し足場装置
JP2002304902A (ja) * 2001-04-04 2002-10-18 Matsushita Electric Works Ltd 光源装置
US7133555B2 (en) * 2002-08-02 2006-11-07 Intel Corporation Image color matching scheme
US7095053B2 (en) * 2003-05-05 2006-08-22 Lamina Ceramics, Inc. Light emitting diodes packaged for high temperature operation
JP2005149943A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Seiko Epson Corp 光源装置及びこれを用いたプロジェクタ
US7252385B2 (en) * 2004-05-11 2007-08-07 Infocus Corporation Projection LED cooling
JP2005340392A (ja) 2004-05-25 2005-12-08 Matsushita Electric Works Ltd 光照射装置
JP2006191465A (ja) * 2005-01-07 2006-07-20 Seiko Instruments Inc 電子機器
KR101241650B1 (ko) * 2005-10-19 2013-03-08 엘지이노텍 주식회사 엘이디 패키지
US7855396B2 (en) * 2006-02-20 2010-12-21 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode package structure
WO2007097483A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting diode package
CN100524864C (zh) 2006-03-22 2009-08-05 财团法人工业技术研究院 发光二极管封装结构及其制作方法
JP2007258520A (ja) * 2006-03-24 2007-10-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子機器の冷却装置
KR100759015B1 (ko) * 2006-05-30 2007-09-17 서울반도체 주식회사 방열 기판과 이를 포함하는 발광 소자
JP4341693B2 (ja) * 2007-05-16 2009-10-07 ウシオ電機株式会社 Ｌｅｄ素子およびその製造方法
KR100878325B1 (ko) 2007-06-19 2009-01-14 한국광기술원 열방출 기둥과 지지체를 포함하는 발광 다이오드 패키지 및그의 제조방법
JP5002408B2 (ja) 2007-10-17 2012-08-15 株式会社フジクラ 照明装置
CN201110527Y (zh) 2007-11-09 2008-09-03 孙海城 一种大功率led光源器
CN101465347A (zh) * 2007-12-17 2009-06-24 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 光源模组及其制造方法
JP2009152268A (ja) * 2007-12-19 2009-07-09 Sony Corp 発光ダイオード、表示装置及び電子機器
JP2009224538A (ja) 2008-03-17 2009-10-01 Citizen Holdings Co Ltd 半導体発光装置
US20100127299A1 (en) * 2008-11-25 2010-05-27 Cooper Technologies Company Actively Cooled LED Lighting System and Method for Making the Same
KR101077264B1 (ko) * 2009-02-17 2011-10-27 (주)포인트엔지니어링 광소자용 기판, 이를 갖는 광소자 패키지 및 이의 제조 방법
CN102315354B (zh) * 2010-06-29 2013-11-06 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的封装结构

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000056801A (ko) * 1999-02-26 2000-09-15 구자홍 반도체 패키지의 방열 구조
JP2001015635A (ja) 1999-06-29 2001-01-19 Kyocera Corp 光半導体素子収納用パッケージ
JP2005209959A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
KR20070072401A (ko) * 2005-12-30 2007-07-04 에이저 시스템즈 인크 광학 조립체, 조립체, 및 광학 조립체와 제어기를 포함하는전자 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120291454A1 (en) * 2011-05-20 2012-11-22 Baker Hughes Incorporated Thermoelectric Devices Using Sintered Bonding

Also Published As

Publication number Publication date
EP2365551A3 (en) 2015-04-01
US20110220955A1 (en) 2011-09-15
US8546835B2 (en) 2013-10-01
CN102194950A (zh) 2011-09-21
JP2011187962A (ja) 2011-09-22
TW201145624A (en) 2011-12-16
EP2365551A2 (en) 2011-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101055095B1 (ko) 발광장치
US10193044B2 (en) Light emitting package having a guiding member guiding an optical member
US7851819B2 (en) Transparent heat spreader for LEDs
TWI550915B (zh) 發光裝置封裝件及使用其之發光系統
JP2011009298A (ja) 発光ダイオード光源装置
US20120043886A1 (en) Integrated Heat Conductive Light Emitting Diode (LED) White Light Source Module
JP2015517740A (ja) 発光ダイオード装置
US20070246726A1 (en) Package structure of light emitting device
EP2720266A2 (en) Luminescence device
KR100873458B1 (ko) 조명용 ｌｅｄ 모듈
KR20130021106A (ko) 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 조명 장치 및 조명 시스템
KR101004746B1 (ko) 열전냉각소자가 내장된 엘이디 패키지
JP2023032709A (ja) 発光モジュール
JP2014220294A (ja) Ｌｅｄパッケージ
KR101313670B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR101028243B1 (ko) 발광 모듈
KR20120014420A (ko) 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지용 몸체의 제조 방법
KR20050101737A (ko) 발광 다이오드 패키지
KR101687209B1 (ko) 서미스터 내장형 엘이디 패키지 및 그 제조방법
JP7224015B2 (ja) 発電機能付発光装置、照明装置、及び表示装置
KR20130054864A (ko) 조명 장치
KR101259876B1 (ko) 열전 소자를 갖는 엘이디 패키지 및 이의 제조 방법
KR101318900B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지
KR20110061436A (ko) 발광 소자 및 이를 이용한 발광 모듈
KR101510456B1 (ko) 방열 구조를 갖는 발광 다이오드 모듈 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140708

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150706

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160707

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee