CN102194950A - 发光器件 - Google Patents

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CN102194950A
CN102194950A CN2011100593982A CN201110059398A CN102194950A CN 102194950 A CN102194950 A CN 102194950A CN 2011100593982 A CN2011100593982 A CN 2011100593982A CN 201110059398 A CN201110059398 A CN 201110059398A CN 102194950 A CN102194950 A CN 102194950A
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CN
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luminescent device
electrode
thermoelectric
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luminescence chip
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CN2011100593982A
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朴径旭
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LG Innotek Co Ltd
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LG Innotek Co Ltd
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract

本发明公开一种发光器件。该发光器件包括：主体；在主体中的多个电极；发光芯片，该发光芯片被安装在主体中并且电连接到电极以产生光；以及热电冷却器模块，该热电冷却器模块电连接到电极并且形成在发光芯片的下部处以冷却发光芯片。

Description

发光器件
技术领域
本发明涉及一种发光器件。
背景技术
发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯或者辉光灯的传统的光源相比较，LED在功率消耗、寿命、响应速度、安全、以及环保要求方面是有利的。考虑此，已经进行了各种研究以将传统的光源替换为LED。LED越来越多地用作用于诸如在建筑物的室内或者室外使用的各种灯、液晶显示器、电子标识牌以及街灯的照明装置的光源。
发明内容
实施例提供能够提高可靠性的发光器件。
根据实施例，该发光器件包括：主体；在主体中的多个电极；发光芯片，该发光芯片被安装在主体中并且电连接到电极以产生光；以及热电冷却器模块，该热电冷却器模块电连接到电极并且形成在发光芯片的下部以冷却发光芯片。
实施例能够提供包括热电冷却器模块的发光器件以防止发光芯片变热，从而提高可靠性。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；
图2是示出图1的发光器件的热电冷却器模块的截面图；
图3是示出根据第二实施例的发光器件的平面图；
图4是示出根据第三实施例的发光器件的侧截面图；
图5是示出根据第四实施例的发光器件的侧截面图；
图6是示出根据第五实施例的发光器件的侧截面图；
图7是示出根据第六实施例的发光器件的侧截面图；
图8是示出根据第七实施例的发光器件的侧截面图；
图9是示出根据实施例的包括发光器件的背光单元的透视图；以及
图10是示出根据实施例的包括发光器件的照明系统的视图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案、或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一焊盘、或另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、焊盘或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。
为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件。
图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图。
参考图1，根据第一实施例的发光器件100包括：主体10；多个电极31和32，该多个电极31和32被安装在主体10中；发光芯片20，该发光芯片20被安装在主体10中并且电连接到电极31和32以发射光；以及热电冷却器模块40，该热电冷却器模块40电连接到电极31和32以冷却发光芯片20。
主体10可以包括从由诸如PPA(聚邻苯二甲酰胺)的树脂材料、硅、金属材料、PSG(光敏玻璃)、蓝宝石(AL2O3)、以及印制电路板(PCB)组成的组中选择的至少一个。
如果主体10包括具有导电性的材料，那么绝缘层(未示出)额外地形成在主体10的表面上从而防止主体10与电极31和32电短路。
根据发光器件100的使用和设计，主体10的顶表面可以具有诸如矩形、多边形、以及圆形的各种形状。
空腔15可以形成在主体10中从而主体10具有上开口部分。空腔15可以具有杯状或者凹容器形状。空腔15的内侧表面垂直于主体的底表面或者相对于底表面倾斜。当在平面图中看时，空腔15可以具有圆形、矩形、多边形、或者椭圆形形状。
电极31和32在主体10中被相互隔开以相互电绝缘。电极31和32电连接到发光芯片20以将电力提供到发光芯片20。
如图1中所示，电极31和32包括第一电极31和第二电极32。可以根据发光器件100的设计对电极31和32进行各种修改，但是实施例不限于此。
电极31和32的一端被设置在主体10的空腔15中，并且电极31和32的另一端被设置在主体10的后表面上，但是实施例不限于此。
电极31和32可以包括金属材料，例如，可以包括从由Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag以及P组成的组中选择的至少一个。电极31和32可以具有单层结构或者多层结构。
热电冷却器模块40电连接到电极31和32，并且被驱动以冷却发光芯片20从而防止发光芯片20变热。
热电冷却器模块40可以形成在电极31和32中的一个上或者可以形成在主体10上，但是实施例不限于此。
在下文中，将会详细地描述热电冷却器模块40的结构和操作。
图2是示出热电冷却器模块40的截面图。
参考图2，热电冷却器模块40包括：冷却板41；在冷却板41下面的第一导热绝缘板43a；在第一导热绝缘板43a下面的多个第一极板44a；在第一极板44a下面串联地连接的多个半导体对45；在半导体对45下面的多个第二极板44b；在第二极板44b下面的第二导热绝缘板43b；以及在第二导热绝缘板43b下面的散热板42。
半导体对45包括在行方向上相互交替地对准的至少一对N和P型半导体45a和45b。通过第一极板44a和第二极板44b相互串联地电连接N和P型半导体45a和45b。
如果DC电压被施加给第一和第二极板44a和44b的两个端子(正和负端子)，那么在N型半导体45a的情况下根据电子的流动，或者在P型半导体45b的情况下根据空穴的流动传输热，从而冷却板41冷却，并且散热板42变热。
第一导热绝缘板43a被插入在冷却板41和第一极板44a之间，并且第二导热绝缘板43b被插入在散热板42和第二极板44b之间，使得能够平滑地传输热，同时能够防止第一极板44a与第二极板44b电短路。
详细地，导热冷却器模块40采用珀尔帖效应，其中当由于两个不同导电材料之间的接触使得电流流动时在两个不同的导电材料之间的接触部分处吸收或者产生热。根据珀尔帖效应，为了基于两个不同的导电材料之间的电势能差将载流子从具有低电势能的材料传输到具有高电势能的材料，要求外部能量，因此，在接触点处吸收热能。相反地，为了将载流子从具有高电势能的材料传输到具有低电势能的材料，发出热能。
减少热电冷却器模块40的大小和重量以将其安装在发光器件100中。另外，可以根据DC电压的极性相互改变冷却板41和散热板42的用途。另外，控制DC电压的强度，从而精确地控制温度。另外，热电冷却器模块40的寿命是半永久的并且是环保的，因为使用N和P型半导体中的电子和空穴的移动的原理来替代机械原理。
因此，热电冷却器模块40能够有效地冷却发光芯片20并且防止发光芯片20变热，从而能够提高发光器件100的可靠性。
图1示出单独地形成热电冷却器模块40的散热板42和冷却板41。不同地，冷却板41可以是形成在热电冷却器模块40上的发光芯片20的最下层，并且散热板42可以是热电冷却器模块40下面的电极31。
参考图1和图2，发光芯片20可以安装在热电冷却器模块40的冷却板41上，并且电连接到电极31和32以产生光。
发光芯片20包括发光结构层，该发光结构层包括在衬底上的包括缓冲层的未掺杂的半导体层、形成在未掺杂的半导体层上的第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的透明电极；在第一导电半导体层上的第一电极；以及在透明电极层上的第二电极。
生长衬底可以包括从由Al2O3、Si、SiC、GaAs、ZnO以及MgO组成的组中选择的一个。例如，生长衬底可以包括蓝宝石衬底。
未掺杂的半导体层可以包括GaN基半导体。例如，未掺杂的半导体层可以包括通过将三甲基镓(TMGa)气体与氨气(NH3)气体以及氢气(H2)一起注入室生长的未掺杂的GaN层。
第一导电半导体层可以包括N型半导体层。第一导电半导体层可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，第一导电半导体层可以包括从由InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN组成的组中选择的材料，并且可以被掺杂有诸如Si、Ge、以及Sn的N型掺杂物。
通过第一导电半导体层注入的电子(或者空穴)可以在有源层中与通过第二导电半导体层注入的空穴(或者电子)复合，从而有源层基于根据有源层的本征材料的能带的带隙差发射光。
有源层可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构或者量子点结构，但是实施例不限于此。
有源层可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。如果有源层具有MQW结构，那么有源层可以包括阱/势垒层的堆叠结构。例如，有源层可以具有InGaN阱/GaN势垒层的堆叠结构。
被掺杂有N或者P型掺杂物的包覆层(未示出)能够形成在有源层140上和/或下面。包覆层可以包括AlGaN层或者InAlGaN层。
第二导电半导体层可以包括P型半导体层。第二导电半导体层可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。例如，可以从由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlInN、AlN以及InN组成的组中选择第二导电半导体层，并且第二导电半导体层可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的P型掺杂物。
同时，第一导电半导体层可以包括P型半导体层，并且第二导电半导体层可以包括N型半导体层。另外，包括N型半导体层或者P型半导体层的第三导电半导体层可以形成在第二导电半导体层上。因此，发光结构层可以具有NP、PN、NPN、以及PNP结结构中的至少一个。另外，第一和第二导电半导体层中的杂质的掺杂浓度可以是均匀的或者不规则的。换言之，发光结构层可以具有各种结构，但是实施例不限于此。
包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光结构层可以具有各种修改，但是本公开不限于根据实施例的发光结构层的上述结构。
透明电极层被插入在第二导电半导体层和第二电极之间以用作欧姆接触层。例如，透明电极层可以包括从由ITO、ZnO、RuOx、TiOx以及IrOx组成的组中选择的至少一个。
透明电极层可以不是必须要求的，并且第二电极可以直接地形成在第二导电半导体层上。
发光芯片20可以被安装在电极31和32中的一个上或者在主体10上，从而发光芯片20可以热连接到热电冷却器模块40，但是实施例不限于此。
发光芯片20可以包括至少一个LED(发光二极管)。LED可以包括发射红色、绿色、蓝色、或者白色光的彩色LED，或者发射UV射线的UV(紫外线)LED。
如附图中所示，发光芯片20可以通过引线键合方案电连接到电极31和32，或者可以通过倒装芯片安装方案或者贴片方案电连接到电极31和32。
包封50可以形成在主体10的空腔15中以密封发光芯片20从而能够保护发光芯片20。包封50可以包括荧光材料。
包封50可以包括硅或者树脂材料。可以通过在已经将硅或者树脂材料填充在空腔15中之后固化硅或者树脂材料来形成包封50，但是实施例不限于此。
荧光材料可以被包含在包封50中，并且可以通过从发光芯片20发射的第一光激励荧光物质以产生第二光。例如，如果发光芯片20包括蓝色LED，并且荧光材料包括黄LED，那么通过蓝光激励黄色荧光材料以发射黄光。当蓝光与黄光混合时，发光器件100能够提供白光。然而，实施例不限于此。
同时，透镜(未示出)额外地形成在包封50上，从而调整从发光器件100发射的光的分布。另外，为了提高耐受电压可以将齐纳二极管(未示出)额外地安装在发光器件100的主体10中。
图3是示出根据第二实施例的发光器件100A的平面图。
参考图3，根据第二实施例的发光器件100A包括：主体10；被安装在主体10中的多个电极31、32、33以及34；发光芯片，该发光芯片被安装在主体10中并且电连接到电极31、32、33以及34当中的第一和第二电极31和32以发射光；以及热电冷却器模块40，该热电冷却器模块40电连接到电极31、32、33以及34当中的第三和第四电极33和34以冷却发光芯片20。
根据第二实施例的发光器件100A具有与根据第一实施例的发光器件100的结构相同的结构，不同之处在于电极的布线和布置。
发光芯片20电连接到电极31、32、33以及34当中的第一和第二电极31和32，并且热电冷却器模块40电连接到电极31、32、33以及34当中的第三和第四电极33和34。
因此，可以独立于热电冷却器模块40驱动发光芯片20。换言之，可以根据发光芯片20的温度和环境温度调节在热电冷却器模块40中流动的电流量，因此能够适当地冷却发光芯片20。
为了更加有效地调整在热电冷却器模块40中流动的电流量，可以在主体10中额外地设置诸如热敏电阻的温度传感器(未示出)，但是实施例不限于此。
图4是示出根据第三实施例的发光器件100B的侧截面图。
参考图4，根据第三实施例的发光器件100B包括：主体10；电极31和32，该电极31和32被安装在主体10中；发光芯片20，该发光芯片20被安装在主体10中并且电连接到电极31和32以发射光；以及热电冷却器模块40b，该热电冷却器模块40b电连接到电极31和32以冷却发光芯片20。
根据第三实施例的发光器件100B具有与根据第一实施例的发光器件100的结构相同的结构，不同之处在于热电冷却器模块40b穿过主体10。
热电冷却器模块40b穿过主体10。详细地，热电冷却器模块40b的冷却板41被设置在主体10的空腔15中，并且散热板42b可以被暴露到主体10的背表面。
散热板42b可以具有凹凸图案使得散热板42b具有更宽的表面区域以有效地散发热。
图5是示出根据第四实施例的发光器件100C的侧截面图。
参考图5，根据第四实施例的发光器件100C包括：主体10；安装在主体10中的电极31和32；发光芯片20，该发光芯片20被安装在主体10中并且电连接到电极31和32以发射光；以及热电冷却器模块40c，该热电冷却器模块40c电连接到电极31和32以冷却发光芯片20。
不同于根据实施例的发光器件100，根据第四实施例的发光器件100C公开了热电冷却器模块40c穿过主体10。
安装焊盘33形成在主体10的空腔15的底表面上使得发光芯片20能够被安装在安装焊盘33上。安装焊盘33与电极31和32隔开。
热电冷却器模块40c可以接触电极31和32的下部以及安装焊盘33。
热电冷却器模块40c能够通过电极31和32和安装焊盘33冷却发光芯片20。
在热电冷却器模块40c中，如果电极31和32直接附着到第一和第二极板44a和44b从而电极31和32电连接到第一和第二极板44a和44b，那么散热板42与电极31和32绝缘。例如，第二导热绝缘板43b在散热板42的横向表面的方向上延伸，从而散热板42能够与电极31和32绝缘。
图6是示出根据第五实施例的发光器件100D的侧截面图。
参考图6，根据第五实施例的发光器件100D包括：主体10；被安装在主体10中的电极31和32；发光芯片20，该发光芯片20被安装在主体10中并且电连接到电极31和32以发射光；以及热电冷却器模块40d，该热电冷却器模块40d电连接到电极31和32以冷却发光芯片10。
不同于根据第一实施例的发光器件100，根据第五实施例的发光器件100D公开了热电冷却器模块40d穿过主体10。发光芯片20形成在电极31和32中的一个上。发光芯片20设置在电极31和32中的一个上，并且热电冷却器模块40d接触电极31和32的下部。
因此，热电冷却器模块40d可以通过电极31和32冷却发光芯片20。
在热电冷却器模块40d中，如果电极31和32直接附着到第一和第二极板44a和44b从而电极31和32电连接到第一和第二极板44a和44b，那么散热板42与电极31和32绝缘。例如，第二导热绝缘板43b在散热板42的横向表面的方向上延伸，从而散热板42能够与电极31和32绝缘。
在图6的发光器件100D中，发光芯片20的底表面电连接到电极31，并且通过引线键合方案将发光芯片20的顶表面连接到电极32。
换言之，图6示出不同于图1至图5中所示的水平型发光器件的垂直型发光器件。
图6的发光芯片20包括在导电支撑衬底上的反射层；在反射层上的欧姆接触层；在欧姆接触层上的第二导电半导体层；在第二导电半导体层上的有源层；以及在有源层上的第一导电半导体层；以及在第一导电半导体层上的第一电极。
图7是示出根据第六实施例的发光器件100E的侧截面图。
参考图7，根据第六实施例的发光器件100E包括：主体10；被安装在主体10中的电极31和32；发光芯片20，该发光芯片20被安装在主体10中并且电连接到电极31和32以发射光；以及热电冷却器模块40e，该热电冷却器模块40e电连接到电极31和32以冷却发光芯片20。
不同于根据第一实施例的发光器件100，根据第五实施例的发光器件100E公开了热电冷却器模块40e穿过主体10，并且导电导通孔11形成在主体10中以将电极31和32与热电冷却器模块40e的第二极板44b电连接。
换言之，导电导通孔11的一端直接连接到主体10中的电极31和32，并且导电导通孔11的另一端直接连接到埋在主体10中的热电冷却器模块40e的极板44b。
与第一实施例的构造相反地形成半导体层和热电冷却器模块40e的极板44a和44b的构造，从而极板44b连接到导通孔11。
发光芯片20可以形成在电极31和32中的一个上，并且可以与如图5中所示的电极31和32分离地设置。
图8是根据第七实施例的发光器件100F的透视图。
参考图8，根据第七实施例的发光器件100F包括：主体10；绝缘层12，该绝缘层12包括硅氧化物(SixOy)并且形成在主体10的表面上；至少一个发光芯片20，该发光芯片20被设置在主体10上；以及电极31和32，该电极31和32被设置在主体10上并且电连接到发光芯片20。
主体10可以包括硅(Si)、铝(Al)、铝氮化物(AlN)、AlOx、PSG(光敏玻璃)、蓝宝石(Al2O3)、铍氧化物(BeO)、PCB(印制电路板)或者各种树脂材料，但是实施例不限于此。
例如，可以通过注入成型形成主体10，或者可以通过堆叠多个层形成主体10。
如果主体10包括Si，那么可以通过将导电掺杂物注入主体10中来以集成电路的形式形成诸如齐纳二极管的保护器件，但是实施例不限于此。
空腔15可以形成在主体10中使得主体10具有开口的上部。例如，可以通过注入成型或者蚀刻形成空腔15。
空腔15可以具有杯状或者凹容器形状。空腔15的内部侧表面垂直于主体的底表面或者相对于底表面倾斜。如果通过对包括Si的主体10执行湿法蚀刻工艺来形成空腔15的倾斜的侧表面，那么倾斜的侧表面可以具有处于大约50°至大约60°的范围内的倾斜角。
另外，空腔15可以具有圆形、矩形、多边形或者椭圆形的表面。
绝缘层12可以形成在主体10的表面上。
绝缘层12防止主体10与电极31和32或者外部电源电短路。因此，如果主体10包括诸如AlN或者AlOx的绝缘体，那么可以不形成绝缘层12。
绝缘层12可以包括从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy以及Al2O3组成的组中选择的至少一个。优选地，绝缘层12可以包括硅氧化物(SiO2或者SixOy)，但是实施例不限于此。
如果主体10包括Si，那么通过热氧化方案可以以硅氧化物膜的形式提供绝缘层12。通过溅射方案、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)方案、或者电子束沉积方案可以形成绝缘层12，但是实施例不限于此。
电极31和32可以形成在绝缘层12上。电极31和32分别电气地用作阴极和阳极，以将电力提供到被设置在发光芯片20上和主体10中的热电冷却器模块(未示出)。
同时，为了区分电极31和32可以在主体10上形成阴极标记70，但是实施例不限于此。
如图8中所示，电极31和32可以包括电极主体部分31a和32a和从电极主体部分31a和32a突出的延伸部分31b和32b。延伸部分31b和32b的宽度可以小于电极主体部分31a和32a的宽度。仅延伸部分31b和32b可以被设置在主体10的空腔15中。另外，布线21和22被结合到延伸部分31b和32b从而电极31和32能够与发光二极管20电连接。
发光芯片20可以被安装在主体10上。如果主体10包括空腔15，那么发光二极管20可以被安装在空腔15中。
如图5至图7中所示，热电冷却器模块40c、40d或者40e可以埋在主体10中。如图5和图6中所示，电极31和32围绕主体10的外部同时在主体10的底表面上延伸，使得电极31和32能够电连接到热电冷却器模块40c、40d或者40e。如图7中所示，能够通过导电导通孔11将电极31和32连接到主体10中的热电冷却器模块40c、40d或者40e。
尽管已经描述发光器件封装具有顶视型的实施例，但是发光器件封装可以具有侧视型。因此，能够提高散热特性、导电性以及反射特性。根据实施例的发光器件封装可以被应用于指示器、信号灯、车辆的头灯、电子标识牌、照明装置、以及显示装置。
在下文中，将会参考图9和图10描述本公开的应用。
图9是示出根据本公开的包括发光器件的背光单元1100的透视图。
图9中所示的背光单元1100是照明系统的示例并且实施例不限于此。
参见图9，背光单元1100包括：底盖1140、设置在底盖1140中的导光构件1120、以及安装在导光构件1120的一个侧表面处或者底表面上的发光模块1110。另外，反射片1130可以被布置在导光构件1120的下面。
底盖1140具有盒形状，该盒形状具有开口的顶表面以在其中容纳导光构件1120、发光模块1110以及反射片1130。另外，底盖1140可以包括金属材料或者树脂材料，但是本实施例不限于此。
发光模块1110可以包括：安装在基板700上方的多个发光器件600。发光器件600将光提供到导光构件1120。
如图9中所示，发光模块1110安装在底盖1140的至少一个内侧上，以将光提供到导光构件1120的至少一侧。
另外，发光模块1110能够被设置在底盖1140中的导光构件1120的下面，以朝着导光构件1120的底表面提供光。能够根据背光单元1100的设计对该布置进行各种修改。
导光构件1120被安装在底盖1140中。导光构件1120将从发光模块1110发射的光转化为表面光，以朝着显示面板(未示出)引导表面光。
例如，导光构件1120可以包括导光板。例如，通过使用诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、COC(环烯烃共聚物)、PC(聚碳酸酯)或者PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂可以制造导光板。
光学片1150可以被设置在导光构件1120的上面。
光学片1150可以包括扩散片、聚光片、亮度增强片或者荧光片中至少一种。例如，光学片1150具有扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片的堆叠结构。在这样的情况下，扩散片均匀地扩散从发光模块1110发射的光，从而能够通过聚光片将扩散光聚集在显示面板(未示出)上。从聚光片输出的光被任意地偏振，并且亮度增强片增加从聚光片输出的光的偏振的程度。聚光片可以包括水平的和/或垂直棱镜片。另外，亮度增强片可以包括双亮度增强膜，并且荧光片可以包括包含荧光材料的透射膜或者透射板。
反射片1130能够被布置在导光构件1120的下面。反射片1130将通过导光构件1120的底表面发射的光朝着导光构件1120的出光表面反射。反射片1130可以包括诸如PET、PC或者PVC树脂的具有高反射率的树脂材料，但是实施例不限于此。
图10是示出根据实施例的包括发光器件的照明系统1200的透视图。图10中所示的照明系统1200仅是一个示例，并且实施例不限于此。
参考图10，照明系统1200包括壳体1210、安装在壳体1210中的发光模块1230以及安装在壳体1210中以接收来自于外部电源的电力的连接端子1220。
优选地，壳体1210包括具有优秀的散热性能的材料。例如，壳体1210包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1230可以包括衬底700和安装在衬底700上的至少一个发光器件600。
衬底700包括印有电路图案的绝缘构件。例如，衬底700包括PCB(印刷电路板)、MC(金属核)PCB、F(柔性)PCB或者陶瓷PCB。
另外，衬底700可以包括有效地反射光的材料。衬底700的表面能够涂有诸如白色或者银色的颜色，以有效地反射光。
至少一个发光器件600能够安装在衬底700上。
每个发光器件600可以包括至少一个LED(发光二极管)。LED可以包括发射具有红、绿、蓝或者白色的光的彩色LED，和发射UV光的UV(紫外线)LED。
可以不同地布置发光模块1230，以提供各种颜色和亮度。例如，能够布置白光LED、红光LED、以及绿光LED以实现高显色指数(CRI)。另外，荧光片能够被设置在从发光模块1230发射的光的路径中，以改变从发光模块1230发射的光的波长。例如，如果从发光模块1230发射的光具有蓝光的波长带，那么荧光片可以包括黄光荧光体。在这样的情况下，从发光模块1230发射的光通过荧光片，从而光被视为白光。
连接端子1220电连接至发光模块1230以将电力提供给发光模块1230。参考图10，连接端子1220具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能够以插入外部电源的插头的形式制备连接端子1220或者通过布线将连接端子1220连接至外部电源。
根据如上所述的照明系统，导光构件、扩散片、聚光片、亮度增强片以及荧光片中的至少一种被设置在从发光模块发射的光的路径中，从而能够实现想要的光学效果。
因为图9和图10中所示的背光单元1100和照明系统1200包括具有图1至图8中所示的发光器件的发光模块1110和1230，因此背光单元1100和照明系统1200能够获得优异的光效率。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构、或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到多个将落入本发明原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主题组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能性。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
主体；
在所述主体中的多个电极；
发光芯片，所述发光芯片被安装在所述主体中并且电连接到所述电极以产生光；以及
热电冷却器模块，所述热电冷却器模块电连接到所述电极并且形成在所述发光芯片的下部以冷却所述发光芯片。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述热电冷却器模块包括冷却板、散热板以及在所述冷却板和所述散热板之间的至少一个半导体对。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述热电冷却器模块插入在所述发光芯片和所述电极之间。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述热电冷却器模块穿过所述主体。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述热电冷却器模块形成在所述电极下面。
6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光芯片包括至少一个发光二极管。
7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述电极的第一和第二电极电连接到所述发光芯片，并且第三和第四电极电连接到所述热电冷却器模块。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光芯片和所述热电冷却器模块电连接到相同的电极。
9.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述热电冷却器模块的冷却板被设置在所述发光芯片的下部处。
10.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述散热板被设置为在其底表面上具有多个突出。
11.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述热电冷却板模块包括多个电极板，所述多个电极板形成在所述半导体对的上部和下部处以将所述半导体对相互串联地连接。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述热电冷却器模块进一步包括在所述电极板和所述冷却板之间以及在所述电极板和所述散热板之间的绝缘层。
13.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述主体包括空腔，并且所述发光芯片被设置在所述空腔中。
14.根据权利要求13所述的发光器件，进一步包括在所述空腔中的包封。
15.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述热电冷却器模块被设置在所述空腔中。
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