JPS5927568A - 半導体素子 - Google Patents
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- JPS5927568A JPS5927568A JP57137704A JP13770482A JPS5927568A JP S5927568 A JPS5927568 A JP S5927568A JP 57137704 A JP57137704 A JP 57137704A JP 13770482 A JP13770482 A JP 13770482A JP S5927568 A JPS5927568 A JP S5927568A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は温度補償機構を有する半導体素子に関するも
のである。
のである。
以下、発光素子を例にとり説明する。
従来発光素子の温度補償を行う１局合には１１発光素子
を含む系全体を空冷装置、水冷装置などの温度調整装置
を用いて所定温度に保持する方式、または発光素子の特
性の一部例えば発光量が所定値忙なるよう九発光素子の
駆動電流１ｒ温度変化に応じて増減する方式が用いられ
−Ｃい２）。
を含む系全体を空冷装置、水冷装置などの温度調整装置
を用いて所定温度に保持する方式、または発光素子の特
性の一部例えば発光量が所定値忙なるよう九発光素子の
駆動電流１ｒ温度変化に応じて増減する方式が用いられ
−Ｃい２）。
ところで、温度調整＠置を用いて発光素子を含む系全体
を温度補償する方式では、装置が大がかりとなり、その
上発光素子チ・ツブの微妙な温度変化に対応できないと
いう欠点がある。また、発光素子の駆動電流を温度変化
に応じ−Ｃ増減する方式では、発光素子の特性のうち例
えば発光量の温度補償は行なえるが１．その他の特性例
えば発光波長などの温度補償は行なえないという欠点が
ある。
を温度補償する方式では、装置が大がかりとなり、その
上発光素子チ・ツブの微妙な温度変化に対応できないと
いう欠点がある。また、発光素子の駆動電流を温度変化
に応じ−Ｃ増減する方式では、発光素子の特性のうち例
えば発光量の温度補償は行なえるが１．その他の特性例
えば発光波長などの温度補償は行なえないという欠点が
ある。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもので、半導
体素子のチップが固着された金属ステムをペルチェ効果
によって直接冷却することによって、緒特性の安定な温
度補償機構付半導体素子を提供することを目的とする。
体素子のチップが固着された金属ステムをペルチェ効果
によって直接冷却することによって、緒特性の安定な温
度補償機構付半導体素子を提供することを目的とする。
第１図および第２図はそれぞれこの発明の一実施例の温
度補償機構付発光素子を示す断面図および等価回路図で
ある。
度補償機構付発光素子を示す断面図および等価回路図で
ある。
図において、（１）は発光素子チップ、（２）は第２図
に示すよう圧、入力側に温度センサー（２ａ）を有しこ
の温度センサー（２ａ）が検出した温度に対応した電流
を出力して塩度制御を行う温度制御用回路素子チップで
ある。（３）は第１の主面部に発光素子チップ（１）
ｆ装着する発光素子チップ装着用凹部（３ａ）と温度制
御用回路素子チップ（２）を装着する回路素子チップ装
着用凹部（３ｂ）とが設けられた金属ステムである。な
お、発光素子チップ（１）の陰極が発光素子デツプ装着
用凹部（３ａ）の底面に固着されている。
に示すよう圧、入力側に温度センサー（２ａ）を有しこ
の温度センサー（２ａ）が検出した温度に対応した電流
を出力して塩度制御を行う温度制御用回路素子チップで
ある。（３）は第１の主面部に発光素子チップ（１）
ｆ装着する発光素子チップ装着用凹部（３ａ）と温度制
御用回路素子チップ（２）を装着する回路素子チップ装
着用凹部（３ｂ）とが設けられた金属ステムである。な
お、発光素子チップ（１）の陰極が発光素子デツプ装着
用凹部（３ａ）の底面に固着されている。
（４）は回路素子チップ装着用凹部（３ｂ）の金属ふた
である。（５）はビスマス（Ｂｉ）Ｉスズ（Ｓｎ）、テ
ルル（Ｔｅ）を構成元素とするＢｉｂ、 ５・Ｓｎ１．
５・Ｔｅ３からなるｐ形半導体、（６）および（７）は
Ｂｉ、 Ｔｏ、セレン（日θ）を構成元素とするＢｉ２
・Ｔｅ２．７・ＳＯ２，３からなるｎ形半導体で、これ
らのｐ形半導体（５）およびｎ形半導体（ｌｉ） 、
（７）の第１の端面は金属ステム（３）の第２の主面の
一発光素子チツブ装着用四部（３ａ）に対応する部分上
に共通にＳｎ板（８）を介して固着されている。（９）
はコツプ状のセラミックスからなり金属ステム（３）の
第１の主面側を上にして金属ステム（３）、ｐ形半導体
（５）およびｎ形半導体（６） 、 （７）を収容する
ケースで、このケース（９）の底板上Ｋｐ形半導体（５
）の第２の端面がＳｎ板（１０を介して固着されており
、これと同様に、ｎ形半導体「６） ＋ （７） ノ＠
２ （Ｄ端面がそれぞれＢｎ板Ｑｌ）、（１２゜を介し
てケース（９）の底板上に固Ｘｒされている。なお、図
示してない力和ｎ板（ｌυ、（１〕はケース（９）の底
面上に形成された金属配線層によって接続されている。
である。（５）はビスマス（Ｂｉ）Ｉスズ（Ｓｎ）、テ
ルル（Ｔｅ）を構成元素とするＢｉｂ、 ５・Ｓｎ１．
５・Ｔｅ３からなるｐ形半導体、（６）および（７）は
Ｂｉ、 Ｔｏ、セレン（日θ）を構成元素とするＢｉ２
・Ｔｅ２．７・ＳＯ２，３からなるｎ形半導体で、これ
らのｐ形半導体（５）およびｎ形半導体（ｌｉ） 、
（７）の第１の端面は金属ステム（３）の第２の主面の
一発光素子チツブ装着用四部（３ａ）に対応する部分上
に共通にＳｎ板（８）を介して固着されている。（９）
はコツプ状のセラミックスからなり金属ステム（３）の
第１の主面側を上にして金属ステム（３）、ｐ形半導体
（５）およびｎ形半導体（６） 、 （７）を収容する
ケースで、このケース（９）の底板上Ｋｐ形半導体（５
）の第２の端面がＳｎ板（１０を介して固着されており
、これと同様に、ｎ形半導体「６） ＋ （７） ノ＠
２ （Ｄ端面がそれぞれＢｎ板Ｑｌ）、（１２゜を介し
てケース（９）の底板上に固Ｘｒされている。なお、図
示してない力和ｎ板（ｌυ、（１〕はケース（９）の底
面上に形成された金属配線層によって接続されている。
（１３け第１の端部側の先端が金属ステム（３）の第１
の主面上に出るように金属ステム（３）を頁通しこれに
絶縁されて封着されるとともに第２の端部側がケース（
９）の底板を貫通して外部へ出るように設けられ第１の
端部側の先端が金ワイヤ（１→を介して発光素子チップ
（１）の陽極に接続された陽極リード、０υは第１の端
部側の先端が凹部（３ｂ）内に出るように四部（３ｂ）
の底部を貫通しこれに絶縁されて封着されるとともに第
２の端部側がケース（９）の底板を貫通して外部へ出る
ように設けられ第１の端部側の先端が金ワイヤａＱを介
して温度制御用回路素子チップ（２）の電源端子に接続
された電源リード、α力は第１の端部側の先端が凹部（
３ｂ）内に出るように凹部（３ｂ）の底部を貫通しこれ
に絶縁されて封着されるとともに第２の端部側の先端が
ケース（９）の底板上に形成された金属配線層Ｑ１を介
してＯｎ板αηに接続され第１の端部側の先端が金ワイ
ヤＱ’Ｊを介して温度制御用回路素子チップ（２）の出
力端子に接続−された出力リード、翰は一方の端部側の
先端がＳｎ ″板θ１に接続されるようにケース（９）
の底板を貫通□してこれに保持され他方の端部側が外部
へ出るように設けられ接地される接地リードである。Ｑ
υは発光素子チップ（１）、金ワイヤ（ｌ→および陽極
リード（１３の第１の端部側の先端部を覆うように凹部
（３ａ）の内壁面上から金属ステム（３）の第１の主面
上および金属ふた（４）の表面上の一部にわたって設け
られた透明ｖＩ＃脂、（２２は金属ステム（３）とケー
ス（９）との間のすき間に充填された発泡スチロールな
ど断熱樹脂である。
の主面上に出るように金属ステム（３）を頁通しこれに
絶縁されて封着されるとともに第２の端部側がケース（
９）の底板を貫通して外部へ出るように設けられ第１の
端部側の先端が金ワイヤ（１→を介して発光素子チップ
（１）の陽極に接続された陽極リード、０υは第１の端
部側の先端が凹部（３ｂ）内に出るように四部（３ｂ）
の底部を貫通しこれに絶縁されて封着されるとともに第
２の端部側がケース（９）の底板を貫通して外部へ出る
ように設けられ第１の端部側の先端が金ワイヤａＱを介
して温度制御用回路素子チップ（２）の電源端子に接続
された電源リード、α力は第１の端部側の先端が凹部（
３ｂ）内に出るように凹部（３ｂ）の底部を貫通しこれ
に絶縁されて封着されるとともに第２の端部側の先端が
ケース（９）の底板上に形成された金属配線層Ｑ１を介
してＯｎ板αηに接続され第１の端部側の先端が金ワイ
ヤＱ’Ｊを介して温度制御用回路素子チップ（２）の出
力端子に接続−された出力リード、翰は一方の端部側の
先端がＳｎ ″板θ１に接続されるようにケース（９）
の底板を貫通□してこれに保持され他方の端部側が外部
へ出るように設けられ接地される接地リードである。Ｑ
υは発光素子チップ（１）、金ワイヤ（ｌ→および陽極
リード（１３の第１の端部側の先端部を覆うように凹部
（３ａ）の内壁面上から金属ステム（３）の第１の主面
上および金属ふた（４）の表面上の一部にわたって設け
られた透明ｖＩ＃脂、（２２は金属ステム（３）とケー
ス（９）との間のすき間に充填された発泡スチロールな
ど断熱樹脂である。
次に、この実施例の作用について説明する。
まず、陽極リードａ３および電源リード（ｌと接地リー
ド翰との間にそれぞれ所定の電圧を印加すると、陽極リ
ード（【埠から発光素子チップ（１）、金属ステム（３
）およびｐ形半導体（５）を通って接地リード翰に電流
が流れ、この電流によって発光素子チップ（１）が発光
する。これと同時に、温度センサー（２ａ）が検出した
金属ステム（３）の温度に対応した電流が出力カードＯ
ｆ）からｎ形半導体（６）、（７）および金属ス・テム
（３）を通りｐ形半導体（５） ？、経て接地リード翰
に流れて、ｐ形半導体（５）とｎ形半導体（（１）、
（７）とが共通に固着されている金属ステム（３）がベ
ルチェ（Ｐθ１ｔｉｅｒ）効果によって冷却される。そ
して、このペルチェ効果の冷却による金属ステム（３）
の温度下降と発光素子チップ（１）の発生する熱による
金属ステム（３）の温度上昇とがバランスしたときの温
度値に金属ステム（３）の温度が保持される。従って、
この実施例では、金属ステム（３）に装着された発光素
子チップ（１）の温度を所定温度値に保持することが可
能となり、発光素子チップ（１）の緒特性を安定にする
ことができる。
ド翰との間にそれぞれ所定の電圧を印加すると、陽極リ
ード（【埠から発光素子チップ（１）、金属ステム（３
）およびｐ形半導体（５）を通って接地リード翰に電流
が流れ、この電流によって発光素子チップ（１）が発光
する。これと同時に、温度センサー（２ａ）が検出した
金属ステム（３）の温度に対応した電流が出力カードＯ
ｆ）からｎ形半導体（６）、（７）および金属ス・テム
（３）を通りｐ形半導体（５） ？、経て接地リード翰
に流れて、ｐ形半導体（５）とｎ形半導体（（１）、
（７）とが共通に固着されている金属ステム（３）がベ
ルチェ（Ｐθ１ｔｉｅｒ）効果によって冷却される。そ
して、このペルチェ効果の冷却による金属ステム（３）
の温度下降と発光素子チップ（１）の発生する熱による
金属ステム（３）の温度上昇とがバランスしたときの温
度値に金属ステム（３）の温度が保持される。従って、
この実施例では、金属ステム（３）に装着された発光素
子チップ（１）の温度を所定温度値に保持することが可
能となり、発光素子チップ（１）の緒特性を安定にする
ことができる。
この実施例では、温度センサー（２ａ）ｆ入力側に有す
る温度制御用回路素子チップ（２）を金属ステム（３）
に固着する場合について述べたが、これに限らず、温度
センサーのみを金属ステム（３）に固着しこの温度セン
ーリ゛−が検出１２、た金属ステム（３）の温度に対応
する正側を、ｎ形半導体（６）、（７）から金属ステム
（３）ｆ通してｐ形半導体（５）へ流すようにしてもこ
の実施例と同様の効果がある。
る温度制御用回路素子チップ（２）を金属ステム（３）
に固着する場合について述べたが、これに限らず、温度
センサーのみを金属ステム（３）に固着しこの温度セン
ーリ゛−が検出１２、た金属ステム（３）の温度に対応
する正側を、ｎ形半導体（６）、（７）から金属ステム
（３）ｆ通してｐ形半導体（５）へ流すようにしてもこ
の実施例と同様の効果がある。
なお、これまで、発光素子を例にとり述べたが、この発
明はこれに限らず、その他の半導体素子にも適用するこ
とができる 以上、説明したように、この発明の半導体素子では、一
方の主面上の一部に半導体素子チップが固着された金属
ステムの他方の主面の上記半導体素子チップに対応する
部分上にｐ形半導体およびｎ形半導体を互いの間に間隔
ｆおいて固着し、更に上記金属ステムの上記半導体素子
チップ、上記ｐ形半導体および上記ｎ形半導体が固着さ
れた部分以外の部分に上記金属ステムの温度に対応した
信号を出力する温度センサーを固着して、この温度セン
サーの出力信号に対応したＴ民流を上記ｎ形半導体から
上記金属ステムを通して上記ｐ形半導体へ流すことによ
るベルチェ効果によって上記金属ステムを冷却するよう
にしたので、上記金属ステムに固着された上記半導体素
子チップの温度を所定温度値に保持することが可能とな
り、上記半導体素子チップの緒特性を安定にすることが
できる０
明はこれに限らず、その他の半導体素子にも適用するこ
とができる 以上、説明したように、この発明の半導体素子では、一
方の主面上の一部に半導体素子チップが固着された金属
ステムの他方の主面の上記半導体素子チップに対応する
部分上にｐ形半導体およびｎ形半導体を互いの間に間隔
ｆおいて固着し、更に上記金属ステムの上記半導体素子
チップ、上記ｐ形半導体および上記ｎ形半導体が固着さ
れた部分以外の部分に上記金属ステムの温度に対応した
信号を出力する温度センサーを固着して、この温度セン
サーの出力信号に対応したＴ民流を上記ｎ形半導体から
上記金属ステムを通して上記ｐ形半導体へ流すことによ
るベルチェ効果によって上記金属ステムを冷却するよう
にしたので、上記金属ステムに固着された上記半導体素
子チップの温度を所定温度値に保持することが可能とな
り、上記半導体素子チップの緒特性を安定にすることが
できる０
第１図および第２図はそれぞれこの発明の一実施例の温
度補償礪構付発光素子を示す断面図および等価回路図で
ある。 図において、（１）は発光素子チップ（半導体素子チッ
プ）、（２ａ）は温度センサー、（３）は金属ステム、
（５）はｐ形半導体、（０）および（７）はｎ形半導体
である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくけ相当部分を
示干。 代理人 葛野信 −（外１名）
度補償礪構付発光素子を示す断面図および等価回路図で
ある。 図において、（１）は発光素子チップ（半導体素子チッ
プ）、（２ａ）は温度センサー、（３）は金属ステム、
（５）はｐ形半導体、（０）および（７）はｎ形半導体
である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくけ相当部分を
示干。 代理人 葛野信 −（外１名）
Claims (2)
- （１）＠１の主面上の一部に半導体素子チップが固着さ
れた金属ステム、この金属ステム・の第２の主面の上記
半導体素子チップに対応する部分上圧互いの間に間隔を
おいて固着されたｐ形半導体およびｎ形半導体、並びに
上記金属ステムの上記半纏体素子チツ＝プ１．上記ｐ形
半導体および上記ｎ形半導体が固着された部分以外の部
分に固着され上記金属ステムの温度に対応した信号を出
力する温度センサーを備え、この温度センサーの出力信
号に対応した電流を上記ｎ形半導体から上記金属ステム
を通して上記ｐ形半導体へ流すことによるペルチェ効果
によって上記金属ステムを冷却するようにしたことを特
徴とする半導体素子。 - （２） 半導体素子チップが発光素子チップであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137704A JPS5927568A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57137704A JPS5927568A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5927568A true JPS5927568A (ja) | 1984-02-14 |
Family
ID=15204864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57137704A Pending JPS5927568A (ja) | 1982-08-06 | 1982-08-06 | 半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5927568A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4689659A (en) * | 1985-02-18 | 1987-08-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Temperature controller for semiconductor device |
| US6060729A (en) * | 1997-11-26 | 2000-05-09 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting device |
| WO2000041239A1 (en) * | 1998-12-31 | 2000-07-13 | Howard Hsu | Chip package including peltier cooling |
| KR20020081990A (ko) * | 2001-04-21 | 2002-10-30 | 한국 고덴시 주식회사 | 온도보상 기능을 갖는 발광소자 |
| EP1696495A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-30 | LG Electronics Inc. | Light source apparatus and fabrication method thereof |
| JP2007287962A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
| CN100448040C (zh) * | 2006-01-12 | 2008-12-31 | 聚鼎科技股份有限公司 | 具有温度控制功能的发光二极管装置 |
| US7633154B2 (en) * | 2006-02-13 | 2009-12-15 | Industrial Technology Research Institute | Encapsulation and methods thereof |
| US7868349B2 (en) | 2005-02-17 | 2011-01-11 | Lg Electronics Inc. | Light source apparatus and fabrication method thereof |
| EP2365551A3 (en) * | 2010-03-09 | 2015-04-01 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device with thermo electric cooling |
| JP2019507474A (ja) * | 2016-02-18 | 2019-03-14 | ローズマウント インコーポレイテッド | 温度変動を伴うｌｅｄ連続一定放射照度 |
-
1982
- 1982-08-06 JP JP57137704A patent/JPS5927568A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4689659A (en) * | 1985-02-18 | 1987-08-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Temperature controller for semiconductor device |
| US6060729A (en) * | 1997-11-26 | 2000-05-09 | Rohm Co., Ltd. | Light-emitting device |
| WO2000041239A1 (en) * | 1998-12-31 | 2000-07-13 | Howard Hsu | Chip package including peltier cooling |
| KR20020081990A (ko) * | 2001-04-21 | 2002-10-30 | 한국 고덴시 주식회사 | 온도보상 기능을 갖는 발광소자 |
| US7868349B2 (en) | 2005-02-17 | 2011-01-11 | Lg Electronics Inc. | Light source apparatus and fabrication method thereof |
| EP1696495A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-30 | LG Electronics Inc. | Light source apparatus and fabrication method thereof |
| CN100448040C (zh) * | 2006-01-12 | 2008-12-31 | 聚鼎科技股份有限公司 | 具有温度控制功能的发光二极管装置 |
| US7633154B2 (en) * | 2006-02-13 | 2009-12-15 | Industrial Technology Research Institute | Encapsulation and methods thereof |
| JP2007287962A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光装置 |
| EP2365551A3 (en) * | 2010-03-09 | 2015-04-01 | LG Innotek Co., Ltd. | Light emitting device with thermo electric cooling |
| JP2019507474A (ja) * | 2016-02-18 | 2019-03-14 | ローズマウント インコーポレイテッド | 温度変動を伴うｌｅｄ連続一定放射照度 |
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