KR20130067820A - 발광소자 패키지 - Google Patents

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KR20130067820A
KR20130067820A KR1020110134772A KR20110134772A KR20130067820A KR 20130067820 A KR20130067820 A KR 20130067820A KR 1020110134772 A KR1020110134772 A KR 1020110134772A KR 20110134772 A KR20110134772 A KR 20110134772A KR 20130067820 A KR20130067820 A KR 20130067820A
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cavity
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김진성
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엘지이노텍 주식회사
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Abstract

실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 전원을 공급하는 제1 및 제2 리드프레임을 구비하고 구면형상의 캐비티를 포함하는 몸체, 상기 캐비티의 구면곡률이 가지는 초점에 위치되는 광원부 및 상기 몸체에서 상기 광원부를 이격시키는 지지부를 포함하고, 상기 광원부와 상기 제1 및 제2 리드프레임은 전기적으로 연결되어서, 발광소자 패키지에서 발생되는 광의 직진성 및 집중성을 향상시킬 수 있다.

Description

발광소자 패키지{Light Emitting Device Package}
실시 예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
발광소자의 대표적인 예로, LED(Light Emitting Diode; 발광 다이오드)는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 빛의 형태로 변환시키는 소자로, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 점차 LED의 사용 영역이 넓어지고 있는 추세이다.
보통, 소형화된 LED는 PCB(Printed Circuit Board) 기판에 직접 장착하기 위해서 표면실장소자(Surface Mount Device)형으로 만들어지고 있고, 이에 따라 표시소자로 사용되고 있는 LED 램프도 표면실장소자 형으로 개발되고 있다. 이러한 표면실장소자는 기존의 단순한 점등 램프를 대체할 수 있으며, 이것은 다양한 칼라를 내는 점등표시기용, 문자표시기 및 영상표시기 등으로 사용된다.
이와 같이 LED의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등에 요구되는 휘도가 높이지는 바, LED의 발광휘도를 증가시키는 것이 중요하다.
한편, 발광소자를 구비하는 발광소자패키지는 사용용도에 따라서 발생되는 광의 집중성 및 직진성이 요구되는 경우가 있고, 이에 대한 연구가 진행 중이다.
실시 예는 발광소자에서 발생되는 광의 집중성 및 직진성을 향상시킨 발광소자 패키지를 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자 패키지는, 전원을 공급하는 제1 및 제2 리드프레임을 구비하고 구면형상의 캐비티를 포함하는 몸체, 상기 캐비티의 구면곡률이 가지는 초점에 위치되는 광원부 및 상기 몸체에서 상기 광원부를 이격시키는 지지부를 포함하고, 상기 광원부와 상기 제1 및 제2 리드프레임은 전기적으로 연결될 수 있다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 광원부가 캐비티의 구면곡률이 가지는 초점에 위치되는 경우, 광원부에서 발생하는 광이 발광소자 패키지의 상부로 평행하게 진행하게 되므로, 광의 집중성 및 직진성을 향상시킬 수 있다.
또한, 이러한 발광소자 패키지는 광의 직진성 및 집중성이 요구되는 서치라이트, 차량용 라이트 및 실내 외 인테리어에 사용될 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A 선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광소자 패키지를 나타내는 평면도이다.
도 4는 발광소자가 플립칩 방식으로 본딩된 모습을 나타내는 단면도이다.
도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 광 배출 경로를 나타내는 참고도이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 어레이를 나타낸 사시도이다.
도 9는 실시예에 따른 인쇄 회로 기판을 나타낸 분해 사시도이다.
도 10는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이다.
도 11은 도 10 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.
도 12은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 13은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기와 면적은 실제크기나 면적을 전적으로 반영하는 것은 아니다.
또한, 실시예에서 발광소자의 구조를 설명하는 과정에서 언급하는 각도와 방향은 도면에 기재된 것을 기준으로 한다. 명세서에서 발광소자를 이루는 구조에 대한 설명에서, 각도에 대한 기준점과 위치관계를 명확히 언급하지 않은 경우, 관련 도면을 참조하도록 한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 사시도, 도 2는 도 1의 발광소자 패키지의 A-A 선을 따라 절단한 단면도, 도 3은 도 1의 발광소자 패키지를 나타내는 평면도, 도 4는 발광소자가 플립칩 방식으로 본딩된 모습을 나타내는 단면도, 도 5는 실시 예에 따른 발광소자 패키지의 광 배출 경로를 나타내는 참고도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 실시예에 따른 발광소자 패키지(100)는 전원을 공급하는 제1 리드프레임(140) 및 제2 리드프레임(142)을 구비하고 구면형상의 캐비티(C)를 포함하는 몸체(110), 캐비티(C)의 구면곡률이 가지는 초점에 위치되는 광원부(130) 및 몸체(110)에서 광원부(130)를 이격시키는 지지부(120)를 포함하고, 광원부(130) 제1 리드프레임(140) 및 제2 리드프레임(142) 은 전기적으로 연결될 수 있다.
여기서, 몸체(110)는 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 알루미늄 나이트라이드(AlN), 액정폴리머(PSG, photo sensitive glass), 폴리아미드9T(PA9T), 신지오택틱폴리스티렌(SPS), 금속 재질, 사파이어(Al2O3), 베릴륨 옥사이드(BeO), 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(110)는 사출 성형, 에칭 공정 등에 의해 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
몸체(110)에 캐비티(c)가 형성됨으로써, 캐비티(C)의 내측면은 경사를 가질 수 있고, 이러한 경사면의 각도에 따라 광원부(130)에서 방출되는 광의 반사각이 달라질 수 있으며, 이에 따라 외부로 방출되는 광의 지향각을 조절할 수 있다. 몸체(110)를 상부에서 바라본 형상은 제한이 없고, 예를 들면, 사각형, 원형 및 다각형 중 어느 하나의 형상을 가질 수 있다.
광의 지향각이 줄어들수록 광원부(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 증가하고, 반대로 광의 지향각이 클수록 광원부(130)에서 외부로 방출되는 광의 집중성은 감소한다.
한편, 몸체(110)에 형성되는 캐비티(C)는 구면형상을 가질 수 있다. 몸체(110)의 구면은 도 2에서 도시하는 바와 같이 일정한 곡률반경(R)을 가질 수 있다. 또한, 캐비티(C)의 형상은 오목한 형상을 가질 수 있다.
몸체(110)에 형성되는 캐비티(c)를 위에서 바라본 형상은 원형일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
캐비티(C)의 내측면에는 광원부(130)에서 발생한 광을 반사시키는 제2 반사층(미도시)이 더 포함될 수 있다. 제2 반사층은 Ag, Au 및 Al 중 어느 하나를 포함하거나, Ag 합금을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다. 제2 반사층은 캐비티(C)의 내측면으로 향하는 광을 발광소자 패키지(100)의 상부 방향으로 반사시키는 역할을 한다. 한편, 제2 반사층의 두께는 제한이 없고, 광원부(130)에서 발생된 광을 반사시킬 수 있는 충분한 두께를 포함할 수 있다.
각각의 리드 프레임(140, 142)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 각각의 리드 프레임(140, 142)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있고, 도 1에 도시된 바와 같이 2개의 리드 프레임(140, 142) 또는 수개의 리드 프레임(미도시)이 실장될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
각각의 리드 프레임(140, 142)은 몸체(110)에 실장되며, 각각의 리드 프레임(140, 142)은 제1 리드프레임(140) 및 제2 리드프레임(142)으로 구성된다. 제1 리드 프레임(140) 및 제2 리드 프레임(142)은 서로 이격되어 서로 전기적으로 분리될 수 있다. 제1 리드 프레임(140)은 광원부(130)와 직접 접촉하거나 또는 전도성을 갖는 와이어를 통해서 와이어 본딩되어 연결될 수 있다. 이에 대해서는 후술한다.
따라서 각각의 리드 프레임(140, 142)에 전원이 연결되면 광원부(130)에 전원이 인가될 수 있다.
광원부(130)는 리드 프레임(140, 142)과 전기적으로 연결되고, 캐비티(C)의 구면곡률이 가지는 초점에 위치된다. 여기서 초점은 캐비티(C)의 구면으로부터 초점거리로 이격된 위치이다. 여기서, 초점거리는 캐비티(C)의 구면과 초점간의 거리이고, 초점거리는 캐비티(C)의 곡률반경(R)의 0.5배일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
도 5를 참조하면, 광원부(130)가 캐비티(C)의 구면곡률이 가지는 초점에 위치되는 경우, 광원부(130)에서 발생하는 광이 발광소자 패키지(100)의 상부로 평행하게 진행하게 되므로, 광의 집중성 및 직진성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이러한 발광소자 패키지(100)는 광의 직진성 및 집중성이 요구되는 서치라이트, 차량용 라이트 및 실내 외 인테리어에 사용될 수 있다.
광원부(130)는 일 예로 발광 소자일 수 있다. 발광 소자는 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 백색 등의 빛을 방출하는 유색 발광 소자 또는 자외선을 방출하는 UV(Ultra Violet) 발광 소자일 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한, 발광 소자는 한 개 이상 실장될 수 있다.
또한, 발광 소자는 그 전기 단자들이 모두 상부 면에 형성된 수평형 타입(Horizontal type)이거나, 또는 상, 하부 면에 형성된 수직형 타입(Vertical type), 또는 플립 칩(flip chip) 모두에 적용 가능하다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 지지부(120)는 몸체(110)에서 광원부(130)를 이격시키는 역할을 한다.
광원부(130)를 캐비티(C)의 구면곡률이 가지는 초점에 위치시키기 위해서, 지지부(120)의 길이는 초점거리와 동일할 수 있다.
지지부(120)의 폭이 지나치게 큰 경우 광원부(130)에서 발생한 광을 흡수하는 문제점이 있고, 지지부(120)의 폭이 지나치게 작은 경우 광원부(130)를 실장시키기 어려운 문제점이 있다. 따라서, 지지부(120)의 폭은 광원부(130)의 폭보다 작거나 같을 수 있다. 더욱 바람직하게는 지지부(120)의 폭은 광원부(130)의 폭과 동일 할 수 있다.
그리고, 지지부(120)는 캐비티(C)의 중심부에 배치될 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 다수 개의 지지부(120)가 배치될 수도 있다.
한편, 지지부(120)는 투광성 재질을 포함할 수 있다. 또한, 지지부(120)는 PMMA(polymethylmethacrylate) 또는 투명 아크릴수지(resin)을 포함할 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
지지부(120)가 광원부(130)를 몸체(110)에서 이격시키는 경우, 광원부(130)는 제1 리드프레임(140) 및 제2 리드프레임(142)과 전기적으로 연결될 수 있고, 예를 들면, 도 2에서 도시하는 바와 같이, 광원부(130)는 제1 보조전극(122) 및 제2 보조전극(123)을 통해서 제1 리드프레임(140) 및 제2 리드프레임(142)과 연결될 수 있다.
이때, 지지부(120)는 베이스(121), 제1 리드프레임(140)과 연결되고 베이스(121) 상에 일 영역이 위치되는 제1 보조전극(122) 및 제2 리드프레임(142)과 연결되고 베이스(121) 상에 일영역이 위치되는 제2 보조전극(123)을 포함할 수 있다. 즉, 제1 보조전극(122) 및 제2 보조전극(123)은 베이스(121)에 밀봉되고, 제1 보조전극(122) 및 제2 보조전극(123)의 일부 영역은 베이스(121)에 노출될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 보조전극(122) 및 제2 보조전극(123)은 베이스(121)의 측면에 배치될 수도 있다.
도 4를 참조하면, 광원부(130)는 발광소자를 포함할 수 있고, 발광소자는 제1 보조전극(122) 및 제2 보조전극(123)에 플립칩(Flip Chip) 방식으로 실장될 수 있다. 즉, 상기 발광소자는 광을 발생시키는 발광구조물(135) 및 발광구조물(135) 상에 배치되는 기판(131)을 포함하고, 기판(131) 상에는 광을 반사시키는 제1 반사층(137)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 발광구조물(135)은 제1 반도체층(132), 제2 반도체층(134) 및 제1 반도체층(132)과 제2 반도체층(134) 사이의 활성층(133)을 포함할 수 있다.
기판(131)은 광 투과적 성질을 가지는 재질, 예를 들어 사파이어(Al2O3), GaN, ZnO, AlO 중 어느 하나를 포함하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다. 또한, 사파이어(Al2O3) 지지부재에 비해 열전도성이 큰 SiC 지지부재일 수 있다. 다만, 기판(131)의 굴절율은 광 추출 효율을 위해 제1 반도체층(132)의 굴절율보다 작은 것이 바람직하다.
한편, 기판(131)의 상부에는 활성층(133)에서 발생한 광을 반사시키는 제1 반사층(137)을 포함할 수 있고, 제1 반사층(137)은 반사특성이 우수한 물질, 예를 들어 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성되거나, 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있다. 또한 반사층(미도시)은 IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다.
또한, 반사층(137)은 제1 굴절률을 갖는 제1 층(미도시) 및 제1 굴절률과 상이한 제2 굴절률을 갖는 제2 층(미도시)을 포함하여 형성할 수 있다. 즉, 반사층(137)은 굴절율이 서로 다른 층들이 교번적으로 반복 적층된 구조를 이룰 수 있다. 일 예로 제1 층은 저굴절율층일 수 있으며, 제2 층은 고굴절율층일 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
한편, λ가 활성층(133)에서 발생한 광의 파장이고 n이 매질의 굴절율이고, m을 홀수라 할 때, 반사층(137)은, mλ/4n의 두께로 저굴절율을 가지는 제1 층과 고굴절율을 가지는 제2 층을 교대로 반복 적층하여 특정 파장대(λ)의 광에서 95% 이상의 반사율을 얻을 수 있는 반도체 적층 구조로 이루어진다.
따라서, 저굴절율을 가지는 제1 층과 고굴절율을 가지는 제2 층은 기준 파장의 λ/4배의 두께를 가질 수 있으며, 이때 각 층의 두께는 2Å 내지 10um로 형성할 수 있다.
또한, 반사층(137)을 형성하는 각 층은 MxOy 또는 MxOyNz (M: Metal or Ceramics, O: Oxide, N: Nitride, X, Y, Z: 상수)로 구성될 수 있다.
일 예로 저굴절율을 가지는 제1 층은 굴절율 1.4의 SiO2 또는 굴절율 1.6의 Al2O3가 이용될 수 있으며, 고굴절율을 가지는 제2 층은 굴절율 2 이상의 TiO2 등을 이용할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 기판(131) 아래에는 기판(131)와 제1 반도체층(132) 사이의 격자 부정합을 완화하고 반도체층이 용이하게 성장될 수 있도록 하는 버퍼층(미도시)이 위치할 수 있다. 버퍼층(미도시)은 저온 분위기에서 형성할 수 있으며, 반도체층과 지지부재와의 격자상수 차이를 완화시켜 줄 수 있는 물질로 이루어 질 수 있다. 예를 들어, GaN, InN, AlN, AlInN, InGaN, AlGaN, 및 InAlGaN 과 같은 재질 중 선택할 수 있으며 이에 한정되지 않는다.
버퍼층(미도시) 아래에는 제1 반도체층(132), 활성층(133) 및 제2 반도체층(134)을 포함한 발광 구조물이 형성될 수 있다.
버퍼층(미도시) 아래에는 제1 반도체층(132)이 위치할 수 있다. 제1 반도체층(132)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 활성층(133)에 전자를 제공할 수 있다. 제1 반도체층(132)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
또한, 제1 반도체층(132) 상에 언도프트 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 언도프트 반도체층은 제1 반도체층(132)의 결정성 향상을 위해 형성되는 층으로, n형 도펀트가 도핑되지 않아 제1 반도체층(132)에 비해 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 제1 반도체층(132)과 같을 수 있다.
상기 제1 반도체층(132) 아래에는 활성층(133)이 형성될 수 있다. 활성층(133)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 단일 또는 다중 양자 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조 등으로 형성될 수 있다.
활성층(133)이 양자우물구조로 형성된 경우 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층과 InaAlbGa1 -a- bN (0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층을 갖는 단일 또는 다중 양자우물구조를 가질 수 있다. 우물층은 장벽층의 밴드 갭보다 작은 밴드 갭을 갖는 물질로 형성될 수 있다.
활성층(133)의 위 또는/및 아래에는 도전성 클래드층(미도시)이 형성될 수 있다. 도전성 클래드층(미도시)은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 상기 활성층(133)의 밴드 갭보다는 큰 밴드 갭을 가질 수 있다.
활성층(133)의 아래에는 제2 반도체층(134)이 배치될 수 있다. 제2 반도체층(134)은 활성층(133)에 정공을 주입하도록 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 제2 반도체층(134)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
한편, 활성층(133)과 제2 반도체층(134) 사이에 중간층(미도시)이 형성될 수 있으며, 중간층은 고 전류 인가 시 제1 반도체층(132)으로부터 활성층(133)으로 주입되는 전자가 활성층(133)에서 재결합되지 않고, 제2 반도체층(134)으로 흐르는 현상을 방지하는 전자 차단층(Electron blocking layer)일 수 있다. 중간층은 활성층(133)보다 상대적으로 큰 밴드갭을 가짐으로써, 제1 반도체층(132)으로부터 주입된 전자가 활성층(133)에서 재결합되지 않고 제2 반도체층(134)으로 주입되는 현상을 방지할 수 있다. 이에 따라 활성층(133)에서 전자와 정공의 재결합 확률을 높이고 누설전류를 방지할 수 있다.
한편, 상술한 중간층은 활성층(133)에 포함된 장벽층의 밴드갭보다 큰 밴드갭을 가질 수 있으며, p 형 AlGaN 과 같은 Al 을 포함한 반도체층으로 형성될 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.
상술한 제1 반도체층(132), 활성층(133) 및 제2 반도체층(134)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy), 스퍼터링(Sputtering) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 제1 반도체층(132) 및 제2 반도체층(134) 내의 도전형 도펀트의 도핑 농도는 균일 또는 불균일하게 형성될 수 있다. 즉, 복수의 반도체층은 다양한 도핑 농도 분포를 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한, 제1 반도체층(132)이 p형 반도체층으로 구현되고, 제2 반도체층(134)이 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 제2 반도체층(134) 상에는 n형 또는 p형 반도체층을 포함하는 제3 반도체층(미도시)이 형성될 수도 있다. 이에 따라, 발광 소자는 np, pn, npn, pnp 접합 구조 중 적어도 어느 하나를 가질 수 있다.
또한, 제2 반도체층(134) 아래에는 투광성전극층(136)이 배치될 수 있으며, 이때 제 2전극(180)은 상기 제2 반도체층(140)과 연결되거나, 투광성전극층(150)과 연결되어 형성될 수 있다. 다만, 이에 한정되지는 않는다.
투광성전극층(150)은 ITO, IZO(In-ZnO), GZO(Ga-ZnO), AZO(Al-ZnO), AGZO(Al-Ga ZnO), IGZO(In-Ga ZnO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있으며, 제2 반도체층(134)의 외측 일면 전체에 형성됨으로써, 전류군집현상을 방지할 수 있다.
또한, 발광소자(130)는 제1 반도체층(132)의 하면 일부가 노출되며, 노출된 제1 반도체층(132) 아래에 배치되는 제1 전극(138)과 제2 반도체층(134) 아래에 배치되는 제2 전극(139)을 포함할 수 있다.
제1 전극(138) 또는 제2 전극(139)은 전류의 스프레딩을 위해서 적어도 하나 이상의 전극윙(미도시)을 포함할 수 있다.
한편, 제1 전극 및 제2 전극(138, 139)은 전도성 물질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있다. 또한, 제1 전극(138) 또는 제2 전극(139)은 단층 또는 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
제1 전극(138)과 제2 전극(139)은 제1 보조전극(122) 및 제2 보조전극(123)과 전기적으로 연결된다. 예를 들면, 도 4에서 도시하는 바와 같이 솔더(11, 12)에 의해 연결될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니다.
기판(131) 상에 배치된 반사층(137)에 의해 활성층(133)에서 발생한 광이 반사되어서, 캐비티(C)의 구면으로 입사하게 된다. 캐비티(C)로 입사된 광은 발광소자 패키지(100)의 전면으로 진행하게 되므로 광의 직진성 및 집중성이 더욱 향상될 수 있다.
도 6은 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 6을 참조하면, 실시예의 발광소자 패키지(100 A)는 도 2의 실시예와 비교하면, 캐비티(C) 내에 봉지재(150A)를 더 포함하는 차이가 존재한다.
봉지재(150A)은 광원부(130)를 덮도록 캐비티(c)에 충진될 수 있다.
봉지재(150A)는 실리콘, 에폭시, 및 기타 수지 재질로 형성될 수 있으며, 캐비티(c) 내에 충진한 후, 이를 자외선 또는 열 경화하는 방식으로 형성될 수 있다.
또한, 봉지재(150A)는 형광체(151A)를 포함할 수 있으며, 형광체(151A)는 광원부(130)에서 방출되는 광의 파장에 종류가 선택되어 발광소자 패키지(100A)가 백색광을 구현하도록 할 수 있다.
이러한 형광체(151A)는 광원부(130)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 하나가 적용될 수 있다.
즉, 형광체(151A)는 광원부(130)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다. 예를 들어, 광원부(130)가 청색 발광 다이오드이고 형광체가 황색 형광체인 경우, 황색 형광체는 청색 빛에 의해 여기되어 황색 빛을 방출할 수 있으며, 청색 발광 다이오드에서 발생한 청색 빛 및 청색 빛에 의해 여기 되어 발생한 황색 빛이 혼색됨에 따라 발광소자 패키지(100A)는 백색 빛을 제공할 수 있다.
이와 유사하게, 광원부(130)가 녹색 발광 다이오드인 경우는 magenta 형광체 또는 청색과 적색의 형광체를 혼용하는 경우, 광원부(130)가 적색 발광 다이오드인 경우는 Cyan형광체 또는 청색과 녹색 형광체를 혼용하는 경우를 예로 들 수 있다.
이러한 형광체는 YAG계, TAG계, 황화물계, 실리케이트계, 알루미네이트계, 질화물계, 카바이드계, 니트리도실리케이트계, 붕산염계, 불화물계, 인산염계 등의 공지된 형광체일 수 있다.
또한, 봉지재(150A)는 광원부(130)에서 방출되는 빛을 확산시키는 광확산재(152A)를 더 포함하는 할 수 있다. 여기서, 광확산재(152A)는 백색 금속 산화물인, 이산화티탄TiO2), 산화바륨(BaO), 이산화규소(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 및 Y2O3 중 어느 하나이거나, 또는 이산화티탄TiO2), 산화바륨(BaO), 이산화규소(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 및 Y2O3 중 적어도 2이상이 혼합될 수 있다. 광확산재(152A)를 사용하여서 광원부(130)에서 발생되는 빛의 난반사를 유도할 수 있다.
한편, 봉지재(150A)은 다양한 형상을 가질 수 있고, 몸체(110)의 상부면과 동일면 상에 배치되거나, 볼록 또는 오목한 형상을 포함할 수 있다. 봉지재(150A)이 볼록한 형상을 가지는 경우 광확산에 도움이 되고, 오목한 형상을 가지는 경우 광집중성에 도움이 된다. 다만, 이에 한정되지 않는다.
따라서, 발광소자 패키지(100A)는 광의 직진성 및 집중성이 향상되고, 다양한 색의 광을 배출할 수 있다.
도 7은 또 다른 실시예에 따른 발광소자 패키지를 나타내는 단면도이다.
도 7을 참조하면, 실시예의 발광소자 패키지(200)는 도 6의 실시예와 비교하면, 제1 리드프레임(240) 및 제2 리드프레임(242) 의 일부 영역이 캐비티(C) 내로 노출되고, 광원부(230)가 제1 리드프레임(240) 및 제2 리드프레임(242)과 와이어(260) 본딩되는 차이점이 존재한다.
제1 리드프레임(240) 및 제2 리드프레임(242)의 일부 영역은 캐비티(C) 내로 노출되고, 노출된 제1 리드프레임(240) 및 제2 리드프레임(242)의 상면은 캐비티(C)의 구면형상의 일부를 구성할 수 있다. 그리고, 제1 리드프레임(240) 및 제2 리드프레임(242)의 다른 일부 영역은 몸체(210) 외부로 돌출되고, 몸체(210)의 형상을 따라 벤딩(Bending)될 수 있다.
도 8은 실시예에 따른 발광소자 어레이를 나타낸 사시도, 도 9는 실시예에 따른 인쇄 회로 기판을 나타낸 분해 사시도이다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 발광소자 어레이(300)는 복수의 발광소자 패키지(100) 및 발광소자 패키지(100) 들이 실장되는 인쇄 회로 기판을 포함할 수 있다.
발광소자 패키지(100)는 상술한 바와 같다.
실시예에 따른 인쇄 회로 기판은 전기 전도성을 갖는 전극패턴(320) 및 절연성을 가지며 전극패턴(320)을 감싸고, 전극패턴(320)의 일 영역이 노출되는 오프닝부(340)를 가지는 몸체(310)를 포함할 수 있다.
몸체(310)는 절연성을 갖는 재질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 몸체(310)는 FR-4로 형성되거나, 폴리이미드(polyimide), 액정 폴리머(liquid crystal polymer) 및 폴리에스테르(polyester) PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트), PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트), LCP(리퀴드 크리스탈 폴리머) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 또한, 몸체(310)는 내부에 실장된 전극패턴(320)이 외부에서 시각적으로 감지될 수 있도록 얇은 구조를 갖거나 광투과성 수지로 형성될 수도 있으며, 이에 한정하지 않는다. 또한, 몸체(310)는 연성 합성수지 등으로 형성된 박형 플레이트, 또는 필름 등으로 형성되어 연성 인쇄 회로 기판(FPCB)을 형성하거나, 또는 수개의 층을 포함하여 다층 인쇄 회로 기판(Multi-Layer Board)을 형성할 수 있고, 이에 한정하지 아니한다.
한편, 몸체(310)는 몸체(310)의 기저를 형성하는 베이스층(312) 및 베이스층(312) 상에 형성되며 절연성 재질로 형성되는 절연층(314) 및 절연층(314) 상에 형성되며 전극패턴(320)을 커버하는 커버층(316)을 포함할 수 있다. 그리고, 도 2에서는 도시하지 않았지만, 베이스층(312)의 하부에는 인쇄 회로 기판의 강도를 보강하기 위한 보강부재(미도시)가 더 포함될 수 있다.
또한, 몸체(310)는 내부에 실장된 전극패턴(320)의 최소한 일 영역이 노출될 수 있도록 오프닝부(340)를 가질 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 오프닝부(340)를 통해 노출된 전극패턴(320)에 전기, 전자 디바이스가 전기적으로 연결될 수 있으며, 외부 전원이 전기, 전자 디바이스에 공급될 수 있다. 여기서, 오프닝부(340)의 형상은 제한이 없으나, 사각형의 형상을 가지는 것이 보통이다.
한편, 몸체(310)의 적어도 일 영역에는 커넥터부(318)가 배치될 수 있다.
커넥터부(318)는 도 1 에 도시된 바와 같이 몸체(310) 상의 적어도 일 영역상에 배치될 수 있고, 또는 몸체(310)의 일 영역이 돌출되어 타 전기, 전자 기기와 인쇄 회로 기판이 연결되도록 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다. 커넥터부(318)의 적어도 일 영역에는 오프닝부(340)가 형성되어, 전극패턴(320)의 적어도 일 영역이 외부로 노출될 수 있다. 커넥터부(318)를 통해서 인쇄 회로 기판이 타 전기, 전자 기기와 전기적으로 연결됨으로써, 인쇄 회로 기판상에 실장되는 전기, 전자 디바이스와 타 전기, 전자 기기가 전기적으로 연결될 수 있고, 인쇄 회로 기판상에 실장되는 전기, 전자 디바이스에 전원이 공급될 수 있다.
또한, 도시되지는 아니하였으나, 몸체(310)는 인쇄 회로 기판 상에 실장되는 전기, 전자 기기의 방열을 보다 용이하게 하도록 방열부(미도시), 및 비아 홀(미도시)을 포함할 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.
전극패턴(320)은 전기 전도성을 가질 수 있으며, 몸체(310) 내에 실장될 수 있다. 전극패턴(320)은, 예를 들면 전기 전도성을 갖는 얇은 동박 필름(copper film)일 수 있으나, 이에 한정하지 아니하며, 전극패턴(320)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P), 알루미늄(Al), 인듐(In), 팔라듐(Pd), 코발트(Co), 실리콘(Si), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf), 루테늄(Ru), 철(Fe) 중에서 하나 이상의 물질 또는 합금을 포함할 수 있고, 또는 전기 전도성 고분자 물질로 구성될 수도 있다. 또한, 전극패턴(320)은 제1 전극패턴(321)과 제1 전극패턴(321)과 이격된 제2 전극패턴(322)를 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고 다양한 개수의 전극패턴(320)을 가질 수 있다.
전극패턴(320)은 몸체(310)에 구리 등의 도전성 물질을 스퍼터링, 전해/무전해 도금 등의 방법으로 전도성 층을 형성한 후, 이를 에칭하는 방법에 의해서 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.
또한, 전극패턴(320)은 하나의 층을 갖도록 형성될 수 있고, 또는 수개의 층을 갖도록 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 아니한다.
전극패턴(320)은 도 8에서 도시하지 않았지만, 더미 패턴(미도시)을 더 포함할 수 있다.
예컨대, 전극 패턴(320)은 외부 전기, 전자 디바이스와 전기적으로 연결되어 전원을 공급하는 전극 패턴일 수 있다. 한편, 전극 패턴(320)의 적어도 일 영역은 몸체(310)에 형성된 오프닝부(340)를 통해서 노출될 수 있으며, 전극 패턴(320)이 노출된 오프닝부(340)를 통해서 외부 전기, 전자 디바이스가 전극 패턴(320)에 전기적으로 연결될 수 있다.
한편, 더미 패턴은 전극 패턴(320)들 사이에 형성되거나, 또는 일 측에 형성될 수 있으며, 일 예로 더미 패턴은 인쇄 회로 기판에 실장된 전기, 전자 디바이스들의 접지 기능을 수행하는 그라운드 패턴(ground pattern)일 수 있다.
도 10는 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 조명장치를 도시한 사시도이며, 도 11 는 도 10 의 조명장치의 C-C' 단면을 도시한 단면도이다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 조명장치(600)는 몸체(610), 몸체(610)와 체결되는 커버(630) 및 몸체(610)의 양단에 위치하는 마감캡(650)을 포함할 수 있다.
몸체(610)의 하부면에는 발광소자 모듈(640)이 체결되며, 몸체(610)는 발광소자 패키지(644)에서 발생된 열이 몸체(610)의 상부면을 통해 외부로 방출할 수 있도록 전도성 및 열발산 효과가 우수한 금속재질로 형성될 수 있다.
발광소자 패키지(644)는 PCB(642) 상에 다색, 다열로 실장되어 어레이를 이룰 수 있으며, 동일한 간격으로 실장되거나 또는 필요에 따라서 다양한 이격 거리를 가지고 실장될 수 있어 밝기 등을 조절할 수 있다. 이러한 PCB(642)로 MPPCB(Metal Core PCB) 또는 FR4 재질의 PCB 등을 사용할 수 있다.
발광소자 패키지(644)는 연장된 리드 프레임(미도시)를 포함하여 향상된 방열 기능을 가질 수 있으므로, 발광소자 패키지(644)의 신뢰성과 효율성이 향상될 수 있으며, 발광소자 패키지(622) 및 발광소자 패키지(644)를 포함하는 조명장치(600)의 사용 연한이 연장될 수 있다.
커버(630)는 몸체(610)의 하부면을 감싸도록 원형의 형태로 형성될 수 있으나, 이에 한정되지 않음은 물론이다.
커버(630)는 내부의 발광소자 모듈(640)을 외부의 이물질 등으로부터 보호한다. 또한, 커버(630)는 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광의 눈부심을 방지하고, 외부로 광을 균일하게 방출할 수 있도록 확산입자를 포함할 수 있으며, 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 프리즘 패턴 등이 형성될 수 있다. 또한 커버(630)의 내면 및 외면 중 적어도 어느 한 면에는 형광체가 도포될 수도 있다.
한편, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 광은 커버(630)를 통해 외부로 방출되므로 커버(630)는 광 투과율이 우수하여야 하며, 발광소자 패키지(644)에서 발생한 열에 견딜 수 있도록 충분한 내열성을 구비하고 있어야 하는바, 커버(630)는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylen Terephthalate; PET), 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 또는 폴리메틸 메타크릴레이트(Polymethyl Methacrylate; PMMA) 등을 포함하는 재질로 형성되는 것이 바람직하다.
마감캡(650)은 몸체(610)의 양단에 위치하며 전원장치(미도시)를 밀폐하는 용도로 사용될 수 있다. 또한 마감캡(650)에는 전원핀(652)이 형성되어 있어, 실시예에 따른 조명장치(600)는 기존의 형광등을 제거한 단자에 별도의 장치 없이 곧바로 사용할 수 있게 된다.
도 12 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다.
도 12 은 에지-라이트 방식으로, 액정표시장치(700)는 액정표시패널(710)과 액정표시패널(710)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(770)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(710)은 백라이트 유닛(770)으로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시할 수 있다. 액정표시패널(710)은 액정을 사이에 두고 서로 대향하는 컬러 필터 기판(712) 및 박막 트랜지스터 기판(714)을 포함할 수 있다.
컬러 필터 기판(712)은 액정표시패널(710)을 통해 디스플레이되는 화상의 색을 구현할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(714)은 구동 필름(717)을 통해 다수의 회로부품이 실장되는 인쇄회로 기판(718)과 전기적으로 접속되어 있다. 박막 트랜지스터 기판(714)은 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 신호에 응답하여 인쇄회로 기판(718)으로부터 제공되는 구동 전압을 액정에 인가할 수 있다.
박막 트랜지스터 기판(714)은 유리나 플라스틱 등과 같은 투명한 재질의 다른 기판상에 박막으로 형성된 박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함할 수 있다.
백라이트 유닛(770)은 빛을 출력하는 발광소자 모듈(720), 발광소자 모듈(720)로부터 제공되는 빛을 면광원 형태로 변경시켜 액정표시패널(710)로 제공하는 도광판(730), 도광판(730)으로부터 제공된 빛의 휘도 분포를 균일하게 하고 수직 입사성을 향상시키는 다수의 필름(752, 766, 764) 및 도광판(730)의 후방으로 방출되는 빛을 도광판(730)으로 반사시키는 반사 시트(747)로 구성된다.
발광소자 모듈(720)은 복수의 발광소자 패키지(724)와 복수의 발광소자 패키지(724)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(722)을 포함할 수 있다. 이 경우 굽어진 발광소자 패키지(724)의 실장의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
한편, 백라이트 유닛(770)은 도광판(730)으로부터 입사되는 빛을 액정 표시 패널(710) 방향으로 확산시키는 확산필름(766)과, 확산된 빛을 집광하여 수직 입사성을 향상시키는 프리즘필름(752)으로 구성될 수 있으며, 프리즘필름(750)를 보호하기 위한 보호필름(764)을 포함할 수 있다.
도 13 은 실시예에 따른 발광소자 패키지를 포함하는 액정표시장치의 분해 사시도이다. 다만, 도 12 에서 도시하고 설명한 부분에 대해서는 반복하여 상세히 설명하지 않는다.
도 13 은 직하 방식으로, 액정표시장치(800)는 액정표시패널(810)과 액정표시패널(810)로 빛을 제공하기 위한 백라이트 유닛(870)을 포함할 수 있다.
액정표시패널(810)은 도 12에서 설명한 바와 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
백라이트 유닛(870)은 복수의 발광소자 모듈(823), 반사시트(824), 발광소자 모듈(823)과 반사시트(824)가 수납되는 하부 섀시(830), 발광소자 모듈(823)의 상부에 배치되는 확산판(840) 및 다수의 광학필름(860)을 포함할 수 있다.
발광소자 모듈(823) 복수의 발광소자 패키지(822)와 복수의 발광소자 패키지(822)가 실장되어 어레이를 이룰 수 있도록 PCB기판(821)을 포함할 수 있다.
반사 시트(824)는 발광소자 패키지(822)에서 발생한 빛을 액정표시패널(810)이 위치한 방향으로 반사시켜 빛의 이용 효율을 향상시킨다.
한편, 발광소자 모듈(823)에서 발생한 빛은 확산판(840)에 입사하며, 확산판(840)의 상부에는 광학 필름(860)이 배치된다. 광학 필름(860)은 확산 필름(866), 프리즘필름(850) 및 보호필름(864)를 포함하여 구성될 수 있다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (16)

  1. 전원을 공급하는 제1 및 제2 리드프레임을 구비하고 캐비티를 포함하는 몸체;
    상기 캐비티의 구면곡률이 가지는 초점에 위치되는 광원부; 및
    상기 몸체에서 상기 광원부를 이격시키는 지지부를 포함하고,
    상기 광원부와 상기 제1 및 제2 리드프레임은 전기적으로 연결되는 발광소자 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지부의 폭은 상기 광원부의 폭보다 작거나 같은 발광소자 패키지.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는 투광성 재질을 포함하는 발광소자 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는,
    PMMA(polymethylmethacrylate) 또는 투명 아크릴수지(resin)을 포함하는 발광소자 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는, 상기 몸체의 중심부에 배치되는 발광소자 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는,
    베이스;
    상기 제1 리드프레임과 연결되고 상기 베이스 상에 일 영역이 위치되는 제1 보조전극 및
    상기 제2 리드프레임과 연결되고 상기 베이스 상에 일영역이 위치되는 제2 보조전극을 포함하는 발광소자 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 광원부는 발광소자를 포함하는 발광소자 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 발광소자는 상기 제1 보조전극 및 제2 보조전극에 플립칩(Flip Chip) 방식으로 실장되는 발광소자 패키지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 발광소자는,
    광을 발생시키는 발광구조물; 및
    상기 발광구조물 상에 배치되는 기판을 포함하고,
    상기 기판 상에는 광을 반사시키는 제1 반사층을 더 포함하는 발광소자 패키지.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 리드프레임의 일부 영역이 캐비티 내로 노출되는 발광소자 패키지.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 광원부는
    상기 제1 및 제2 리드프레임과 와이어 본딩되는 발광소자 패키지.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 리드프레임의 일부 영역은 상기 몸체 외부로 돌출되고, 상기 몸체의 형상을 따라 벤딩되는 발광소자 패키지.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티의 내측면에는 제2 반사층을 더 포함하는 발광소자 패키지.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티에는 봉지재가 배치되는 발광소자 패키지.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티의 구면과 초점간의 거리는 상기 캐비티의 곡률반경의 0.5배인 발광소자 패키지.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 캐비티의 구면은 오목한 발광소자 패키지.
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