JP2006237132A - 配線基板及び配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】支持基体である基板コア部2の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部6が形成され、配線積層部6には基板コア部2から高分子材料誘電体層3Aと導体層4Bとセラミック誘電体層5とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部8を有する配線基板において、基板コア部2の表裏両側の主表面に複合積層部8をそれぞれ形成する。
【選択図】図1
Description
(1)高分子材料誘電体層、例えば、ビルドアップ樹脂絶縁層や配線層とコンデンサ部分との密着強度が低下しやすく、特に電子部品をフリップチップ接続するリフロー処理などの熱サイクルが加わると、ビルドアップ樹脂絶縁層と高誘電体セラミック層との線膨張係数差による層間の剪断熱応力レベルが高くなり、剥がれ等の問題も生じやすくなる。
(2)高誘電体セラミックの薄層を用いるコンデンサは、配線用のビルドアップ配線層に接合する際のハンドリングが難しく、製造能率が悪い問題がある。
(1)転写元基板50の一方の主表面上にセラミック誘電体層5と導体層4Bとをこの順序で形成して第一積層体60を製造する(第一積層体製造工程:図4〜図5、工程1〜9)。
(2)基板コア部2の表裏両側の主表面上に高分子材料誘電体層3A,3Aを形成して第二積層体70を製造する(第二積層体製造工程:図6、工程10〜11)。
(3)第一積層体60の導体層4B,4Bと、第二積層体70の表裏両側の主表面の高分子材料誘電体層3A,3Aとをそれぞれ貼り合わせる(貼り合わせ工程:図7〜図9、工程12〜13)。
(4)転写元基板50をセラミック誘電体層5から除去する(転写元基板除去工程:図10、工程14,15)。
(5)転写元基板50の一方の主表面上に形成されたセラミック誘電体層5に、セラミック側切欠部16をパターニング形成する(セラミック側切欠部パターニング工程:図4、工程3)
(6)該パターニング後のセラミック誘電体層5上に導体層54(後に4Bとなる)を形成する(導体層形成工程:図5、工程5)
(7)該導体層4Bに対し導体層側切欠部18をセラミック側切欠部16に連通するようにパターニング形成する(導体層側切欠部パターニング工程:工程6〜9)。
2 基板コア部(支持基体)
3A 高分子材料誘電体層
4A 第三導体層
4B 第一導体層
4C 第二導体層
4D 第四導体層
5 セラミック誘電体層
6 配線積層部
8 複合積層部
11 第二電極(導体パターン)
15g セラミックグリーンシート(未焼成セラミック素材層)
16 セラミック側切欠部
17 セラミック側高分子材料充填部
18 導体層側切欠部
19S 第二導体層側高分子材料充填部
20 第一電極
21 連通切欠部
50 転写元基板
51 キャリアシート
60 第一積層体
70 第二積層体
70u 製造すべき配線基板の単位
50h,70h ガイド貫通孔
Claims (8)
- 支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部がそれぞれ形成され、これら配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が含まれてなり、
前記複合積層部において、前記導体層は面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部を有し、また、前記セラミック誘電体層は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部を有し、該セラミック側切欠部と前記導体層側切欠部とが互いに連通した連通切欠部が形成され、前記高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、前記連通切欠部において、前記導体層側切欠部を経て前記セラミック側切欠部に至る形で充填されてなることを特徴とする配線基板。 - 支持基体の一方の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が2段以上に含まれてなり、
前記複合積層部において、前記導体層は面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部を有し、また、前記セラミック誘電体層は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部を有し、該セラミック側切欠部と前記導体層側切欠部とが互いに連通した連通切欠部が形成され、前記高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、前記連通切欠部において、前記導体層側切欠部を経て前記セラミック側切欠部に至る形で充填されてなることを特徴とする配線基板。 - 支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部がそれぞれ形成され、前記配線積層部の一方には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が1段以上含まれ、前記配線積層部の他方には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が2段以上含まれてなり、
前記複合積層部において、前記導体層は面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部を有し、また、前記セラミック誘電体層は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部を有し、該セラミック側切欠部と前記導体層側切欠部とが互いに連通した連通切欠部が形成され、前記高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、前記連通切欠部において、前記導体層側切欠部を経て前記セラミック側切欠部に至る形で充填されてなることを特徴とする配線基板。 - 前記複合積層部に含まれる前記導体層を第一導体層として、前記セラミック誘電体層に対して前記第一導体層とは反対側から積層される第二導体層を有し、それら第一導体層、セラミック誘電体層及び第二導体層がコンデンサを形成する請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の配線基板。
- 支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法において、
転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、
前記支持基体の表裏両側の主表面上に前記高分子材料誘電体層を形成して第二積層体を製造する第二積層体製造工程と、
前記第二積層体の表裏両側の前記高分子材料誘電体層に前記第一積層体の前記導体層をそれぞれ貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記転写元基板を前記セラミック誘電体層から除去する転写元基板除去工程と、
をこの順序で実施することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 支持基体の一方の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法において、
転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、
前記支持基体の一方の主表面上に前記高分子材料誘電体層を形成して第二積層体を製造する第二積層体製造工程と、
前記第二積層体の前記高分子材料誘電体層に前記第一積層体の前記導体層を貼り合わせる第一貼り合わせ工程と、
前記第二積層体に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第一転写元基板除去工程と、
前記第二積層体に貼り合わされた前記第一積層体の上にさらに第一積層体を貼り合わせる第二貼り合わせ工程と、
前記第一積層体の上に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第二転写元基板除去工程と、
をこの順序で実施することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法において、
転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、
前記支持基体の表裏両側の主表面上に前記高分子材料誘電体層を形成して第二積層体を製造する第二積層体製造工程と、
前記第二積層体の表裏両側の前記高分子材料誘電体層に前記第一積層体の前記導体層をそれぞれ貼り合わせる第一貼り合わせ工程と、
前記第二積層体の表裏両側に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第一転写元基板除去工程と、
前記第二積層体の表裏両側に貼り合わされた前記第一積層体の少なくとも一方の上にさらに第一積層体を貼り合わせる第二貼り合わせ工程と、
前記第一積層体の少なくとも一方の上に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第二転写元基板除去工程と、
をこの順序で実施することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記複合積層部に含まれる前記導体層を第一導体層として、前記セラミック誘電体層に対して前記第一導体層とは反対側から積層される第二導体層を有し、それら第一導体層、セラミック誘電体層及び第二導体層がコンデンサを形成する請求項5ないし請求項7のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
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