JP2006236965A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7482739B2 (en) 2004-07-15 2009-01-27 Ngk Insulators, Ltd. Electron emitter comprised of dielectric material mixed with metal
JP4662140B2 (ja) * 2004-07-15 2011-03-30 日本碍子株式会社 電子放出素子
JP5312757B2 (ja) * 2007-02-19 2013-10-09 日本碍子株式会社 誘電体デバイス及びその製造方法
JP4303308B2 (ja) 2007-11-20 2009-07-29 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法
US8299700B2 (en) 2009-02-05 2012-10-30 Sharp Kabushiki Kaisha Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device
CN101814405B (zh) 2009-02-24 2012-04-25 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法、使用电子发射元件的各装置
JP4932873B2 (ja) 2009-05-19 2012-05-16 シャープ株式会社 自発光素子、自発光装置、画像表示装置、自発光素子駆動方法、および自発光素子の製造方法
JP4732534B2 (ja) 2009-05-19 2011-07-27 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
JP4777448B2 (ja) 2009-05-19 2011-09-21 シャープ株式会社 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、及び電子線硬化装置
JP4732533B2 (ja) 2009-05-19 2011-07-27 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
CN101930884B (zh) 2009-06-25 2012-04-18 夏普株式会社 电子发射元件及其制造方法、电子发射装置、自发光设备、图像显示装置
JP4880740B2 (ja) 2009-12-01 2012-02-22 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置
JP5491326B2 (ja) * 2010-08-31 2014-05-14 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法並びに電子放出装置
IL243367B (en) * 2015-12-27 2020-11-30 Ariel Scient Innovations Ltd A method and device for generating an electron beam and creating radiation

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3084286B2 (ja) * 1990-11-22 2000-09-04 真空冶金株式会社 セラミツクス誘電体厚膜コンデンサ、その製造方法および製造装置
JPH0990882A (ja) * 1995-09-20 1997-04-04 Komatsu Ltd 発光表示素子
KR100369066B1 (ko) * 1995-12-29 2003-03-28 삼성에스디아이 주식회사 강유전성에미터를적용한음극구조체및이를적용한전자총과음극선관
JPH10241553A (ja) * 1997-02-25 1998-09-11 Yamaha Corp 冷陰極型電界放出素子及びその製造方法
US6541375B1 (en) * 1998-06-30 2003-04-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. DC sputtering process for making smooth electrodes and thin film ferroelectric capacitors having improved memory retention
JP3265481B2 (ja) * 1999-04-23 2002-03-11 独立行政法人産業技術総合研究所 脆性材料超微粒子成形体の低温成形法
JP2001152360A (ja) * 1999-11-25 2001-06-05 Ricoh Co Ltd セラミックス誘電体膜の形成方法、セラミックス誘電体膜／基板の積層構造体、及び電気−機械変換素子
JP2003277948A (ja) * 2000-10-23 2003-10-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 複合構造物およびその製造方法
JP2003165773A (ja) * 2001-11-29 2003-06-10 Kyocera Corp 高誘電率ガラスセラミックス及びそれを用いた配線基板
JP2004146364A (ja) * 2002-09-30 2004-05-20 Ngk Insulators Ltd 発光素子及びそれを具えるフィールドエミッションディスプレイ
JP2004172087A (ja) * 2002-11-05 2004-06-17 Ngk Insulators Ltd ディスプレイ
JP3869819B2 (ja) * 2002-11-29 2007-01-17 日本碍子株式会社 電子放出素子
JP4273026B2 (ja) * 2003-03-26 2009-06-03 日本碍子株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法、電子放出素子、電子放出素子の駆動方法、電子放出素子の駆動装置、電子放出装置、電子放出装置の駆動方法
JP2005183361A (ja) * 2003-10-03 2005-07-07 Ngk Insulators Ltd 電子放出素子、電子放出装置、ディスプレイ及び光源

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