JP2006229214A - 配線基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 転写元基板50の一方の主表面上に、高誘電率セラミックからなるセラミック誘電体層5と導体層4Bとをこの順序で形成して第一積層体60を製造する(第一積層体製造工程)。(2)基板コア部2の主表面上に高分子材料誘電体層3Aを形成して第二積層体70を製造する(第二積層体製造工程)。(3)第一積層体60の導体層4Bと第二積層体70の高分子材料誘電体層3Aとを貼り合わせる(貼り合わせ工程)。(4)転写元基板50をセラミック誘電体層5から除去する(転写元基板除去工程)。
【選択図】 図10
Description
(1)ビルドアップ層とコンデンサ部分との密着強度が低下しやすく、特に電子部品をフリップチップ接続するリフロー処理などの熱サイクルが加わると、ビルドアップ層と高誘電率セラミック層との線膨張係数差による層間の剪断熱応力レベルが高くなり、剥がれ等の問題も生じやすくなる。
(2)高誘電率セラミックの薄層を用いるコンデンサは、配線用のビルドアップ層に接合する際のハンドリングが難しく、製造能率が悪い問題がある。
高分子材料誘電体層と導体層と高誘電率セラミックからなるセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法であって、
転写元基板の一方の主表面上にセラミック誘電体層と導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、
貼り合わせ面側に高分子材料誘電体層を有した第二積層体を、前記第一積層体とは別に製造する第二積層体製造工程と、
第一積層体の導体層と第二積層体の高分子材料誘電体層とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
転写元基板をセラミック誘電体層から除去する転写元基板除去工程と、
をこの順序で実施することを特徴とする。
図1は本発明の適用対象となる積層体の一実施形態に係る配線基板1の断面構造を模式的に示すものである。該配線基板1は、耐熱性樹脂板(例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)や、繊維強化樹脂板(例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂)等で構成された板状コア2cの両表面に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層4Y,4yがそれぞれ形成される。これらコア導体層4Y,4yは板状コア2cの表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層(図中符号41)又はグランド層(図中符号40)として用いられるものである。他方、板状コア2には、ドリル等により穿設されたスルーホール112が形成され、その内壁面にはコア導体層4Y,4yを互いに導通させるスルーホール導体30が形成されている。また、スルーホール112は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材31により充填されている。
(1)転写元基板50の一方の主表面上にセラミック誘電体層5と導体層4Bとをこの順序で形成して第一積層体60を製造する(第一積層体製造工程:図4〜図5、工程1〜9)。
(2)基板コア部2の主表面上に高分子材料誘電体層3Aを形成して第二積層体70を製造する(第二積層体製造工程:図6、工程10〜11)。
(3)第一積層体60の導体層4Bと第二積層体70の高分子材料誘電体層3Aとを貼り合わせる(貼り合わせ工程:図7〜図9、工程12〜13)。
(4)転写元基板50をセラミック誘電体層5から除去する(転写元基板除去工程:図10、工程14,15)。
(5)転写元基板50の一方の主表面上に形成されたセラミックグリーンシート15gに、セラミック側切欠部16をパターニング形成する(セラミック側切欠部パターニング工程:図4、工程3)
(6)該パターニング後のセラミック誘電体層5上に導体層54(後に4Bとなる)を形成する(導体層形成工程:図5、工程5)
(7)該導体層4Bに対し導体側切欠部18をセラミック側切欠部16に連通するようにパターニング形成する(導体側切欠部パターニング工程:工程6〜9)。
2 基板コア部
3A 高分子材料誘電体層
4B 第一導体層
4C 第二導体層
4A 第三導体層
5 セラミック誘電体層
6 配線積層部
11 導体パターン
15g セラミックグリーンシート(未焼成セラミック素材層)
16 セラミック側切欠部
17 セラミック側高分子材料充填部
18 導体側切欠部
19S 第二導体側高分子材料充填部
21 連通切欠部
50 転写元基板
51 キャリアシート
60 第一積層体
70 第二積層体
70u 製造すべき配線基板の単位
50h,70h ガイド貫通孔
Claims (11)
- 高分子材料誘電体層と導体層と、高誘電率セラミックからなるセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法であって、
転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、
貼り合わせ面側に高分子材料誘電体層を有した第二積層体を、前記第一積層体とは別に製造する第二積層体製造工程と、
前記第一積層体の前記導体層と前記第二積層体の前記高分子材料誘電体層とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記転写元基板を前記セラミック誘電体層から除去する転写元基板除去工程と、
をこの順序で実施することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記貼り合わせ工程において、前記第一積層体及び第二積層体に各々形成されたガイド貫通孔に位置決め用のピンを挿通することにより、前記第一積層体及び第二積層体を互いに位置決めしつつ貼り合わせる請求項1記載の配線基板の製造方法。
- 前記転写元基板として、前記セラミック誘電体層を構成するセラミックの焼成温度よりも高融点の金属基板を使用し、前記第一積層体製造工程は、前記転写元基板の前記主表面上に、前記セラミック誘電体層の焼成前素材からなる未焼成セラミック素材層を形成する未焼成セラミック素材層形成工程と、
前記未焼成セラミック素材層を前記金属基板とともに焼成する焼成工程とを有する請求項1又は請求項2に記載の配線基板の製造方法。 - 前記第一積層体及び第二積層体に各々形成されたガイド貫通孔に位置決め用のピンを挿通することにより、前記第一積層体及び第二積層体を互いに位置決めしつつ貼り合わせるとともに、前記ガイド貫通孔は前記金属基板に化学エッチングにより形成する請求項3記載の配線基板の製造方法。
- 前記未焼成セラミック素材層は、セラミック原料粉末を結合用高分子材料と混練してシート状に成形したセラミックグリーンシートである請求項3又は請求項4に記載の配線基板の製造方法。
- 前記セラミックグリーンシートを前記金属基板上に貼り合わせ、次いで得るべきセラミック誘電体層の形状に該セラミックグリーンシートをパターニングした後、前記焼成工程を実施する請求項5記載の配線基板の製造方法。
- 前記セラミックグリーンシートを高分子材料からなるキャリアシート上に形成し、貼り合わせ面と反対側にキャリアシートが一体化された状態の該セラミックグリーンシートを前記金属基板上に貼り合わせ、その状態で前記キャリアシートともに該セラミックグリーンシートをレーザーパターニングし、その後前記キャリアシートを除去して前記焼成工程を実施する請求項6記載の配線基板の製造方法。
- 前記セラミックグリーンシートは、焼成により得られる前記セラミック誘電体層の厚さが1μm以上100μm以下となるように厚さ調整される請求項7記載の配線基板の製造方法。
- 前記キャリアシートとして、厚さ20μm以上100μm以下のポリエチレンテレフタレート樹脂フィルムを使用する請求項8記載の配線基板の製造方法。
- 前記転写元基板除去工程において、前記金属基板を化学エッチングすることにより除去する請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
- 前記貼り合わせ工程において、前記第一積層体及び前記第二積層体を積層方向に加圧して貼り合わせる請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の配線基板の製造方法。
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