JP2006216704A - ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 - Google Patents
ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006216704A JP2006216704A JP2005026818A JP2005026818A JP2006216704A JP 2006216704 A JP2006216704 A JP 2006216704A JP 2005026818 A JP2005026818 A JP 2005026818A JP 2005026818 A JP2005026818 A JP 2005026818A JP 2006216704 A JP2006216704 A JP 2006216704A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polysilazane
- solvent
- film
- treatment
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/02087—Cleaning of wafer edges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D9/00—Chemical paint or ink removers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
- C09D7/20—Diluents or solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/24—Hydrocarbons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02219—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen
- H01L21/02222—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and nitrogen the compound being a silazane
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】 テトラリン、p−メンタン、p−シメン、α−ピネン、1,8−シネオール、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる溶剤を含むポリシラザン処理溶剤と、それを用いたポリシラザン処理方法。この溶剤は、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる溶剤をさらに含むこともできる。
【選択図】 なし
Description
本発明におけるポリシラザン処理溶剤は、テトラリン、p−メンタン、p−シメン、α−ピネン、1,8−シネオール、およびそれらの混合物からなる群1から選ばれる溶剤からなるものである。この群から選ばれる溶剤を混合して用いる場合には、その配合比は特に限定されない。
(1)テトラリン、p−メンタン、p−シメン、およびそれらの混合物からなる群から選ばれる処理溶剤。
(2)テトラリンと、α−ピネン、1,8−シネオール、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、デカリン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、イソノナン、イソデカン、イソウンデカン、イソドデカン、イソトリデカン、イソテトラデカン、シクロノナン、シクロデカン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデカン、シクロテトラデカンからなる群から選ばれる単一または混合溶剤とを含んでなる処理溶剤。
(3)p−メンタンと、α−ピネン、1,8−シネオール、ヘキサン、オクタン、ノナン、デカン、デカリン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、イソノナン、イソデカン、イソウンデカン、イソドデカン、イソトリデカン、イソテトラデカン、シクロノナン、シクロデカン、シクロウンデカン、シクロドデカン、シクロトリデカン、シクロテトラデカンからなる群から選ばれる単一または混合溶剤とを含んでなる処理溶剤。
EBR処理時のコーター回転数: 1000〜6000rpm
処理溶剤をノズルから噴射するときの流量: 2〜100ml/分
処理溶剤をノズルから噴射するときの圧力: 0.01〜1MPa
処理溶剤を噴射する時間: 0.01〜60秒
また、このときに同時に基板の裏面にポリシラザン処理溶剤を噴射してバックリンスを同時に行うこともできる。EBR処理とバックリンスはそれぞれ独立に行うこともできるが、同時に行うことにより工程の省略ができるので好ましい。
表1に記載される各処理溶剤と、ポリシラザンとして特許文献1の参考例1〜3に記載されたペルヒドロポリシラザン、メタノール付加ポリシラザン、およびヘキサメチルジシラザン付加ポリシラザン、ならびに特許文献2の実施例1に記載されたアルミニウム含有ポリシラザンとを用い、それぞれのポリシラザンに対して、ゲル化日数、発生ガス量およびエッジカット特性を、それぞれ以下に示す方法により評価した。
100gのガラス瓶に各ポリシラザン化合物のジn−ブチルエーテル20重量%溶液5gと処理溶剤50gを入れて混合し、蓋を開けた状態で22℃、50%RHの室内に放置し、ゲル化するまでの日数を目視にて観察した。一般にゲル化日数は2日以上であることが好ましく、3日以上がより好ましい。
100gのガラス瓶に各ポリシラザン化合物のジn−ブチルエーテル20重量%溶液5gと処理溶剤50gを入れて混合した後密閉し、1時間後に気相部分をサンプリングしてガスクロマトグラフにて測定した。
東京エレクトロン社製クリ−ントラックMark−8を使用して、各ポリシラザン化合物のジn−ブチルエーテル20重量%溶液を回転数1000rpmで10秒間スピンコートし、引き続いて処理溶剤を基板表面の塗膜周縁部および基板裏面に回転数2000rpmで5秒間噴射してEBR処理とバックリンスとを同時に行った。処理溶剤の噴射は、製膜面に対してはウェハ外周より1mm内部で、裏面に対してはウエハ外周より3mm内部に行った。処理後の基板の断面の模式図は図1に示すとおりである。膜厚の平均値は0.35μmであった。基板1上に形成されたポリシラザンの塗膜2は、エッジカット部3において盛り上がっている。この盛り上がり部分の膜厚4を製膜面のエッジカット形状を大塚電子株式会社製反射分光膜厚計FE−3000にて測定し、エッジカット部の盛り上がりの膜厚を評価した。このエッジカット部の盛り上がりは実用上1μm未満であることが好ましい。裏面の評価は光学顕微鏡で観察し、残差の有無を確認することにより行った。
*1 処理溶剤の項におけるカッコは重量を基準とした配合比である。
*2 処理溶剤中の0.5μmを超えるパーティクルの単位体積当たりの個数
*3、4 エクソンモービル社製脂肪族/脂環式炭化水素混合物:商品名
*5 ジブチルエーテル
*6 プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
*7 プロピレングリコールモノメチルエーテル
処理溶剤として、ノナン、ジペンテン、D−80、ジブチルエーテルまたはデカリンを用いた場合には発生ガス量は少ないものの、ゲル化日数が短く、エッジカット部分の形状についても改良の余地がある。また処理溶剤としてD−80を用いた場合にはポリシラザンに対する溶解性が低いためか、基板裏面に残渣も認められる。
2 ポリシラザン塗膜
3 エッジカット部
4 盛り上がる膜厚
Claims (6)
- テトラリン、p−メンタン、p−シメン、α−ピネン、1,8−シネオール、およびそれらの混合物からなる群1から選ばれる溶剤からなることを特徴とする、ポリシラザン処理溶剤。
- テトラリン、p−メンタン、p−シメン、α−ピネン、1,8−シネオール、およびそれらの混合物からなる群1から選ばれる溶剤と、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、およびそれらの混合物からなる群2から選ばれる溶剤とを含んでなることを特徴とするポリシラザン処理溶剤。
- 前記処理溶剤の1ml中に含まれる0.5ミクロン以上の微粒子が、50個以下である、請求項1または2に記載のポリシラザン処理溶剤。
- 水分含有率が100ppm以下である、請求項1〜3のいずれかに記載のポリシラザン処理溶剤。
- 請求項1〜4に記載のいずれかのポリシラザン処理溶剤をポリシラザン化合物と接触させることを特徴とする、ポリシラザンの処理方法。
- ポリシラザン化合物を基板に塗布した後、基板上に形成されたポリシラザン塗膜のエッジ部分またはポリシラザン塗膜が形成されていない基板裏面に、請求項1〜4に記載のいずれかのポリシラザン処理溶剤を噴射することによりポリシラザン塗膜の処理を行うことを特徴とする、ポリシラザンの処理方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005026818A JP4578993B2 (ja) | 2005-02-02 | 2005-02-02 | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
TW95103289A TWI466929B (zh) | 2005-02-02 | 2006-01-27 | 聚矽氮烷處理溶劑及用此溶劑之聚矽氮烷之處理方法 |
PCT/JP2006/301662 WO2006082848A1 (ja) | 2005-02-02 | 2006-02-01 | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
US11/795,100 US20080102211A1 (en) | 2005-02-02 | 2006-02-01 | Polysilazane-Treating Solvent and Method for Treating Polysilazane by Using Such Solvent |
CN2006800035343A CN101111575B (zh) | 2005-02-02 | 2006-02-01 | 聚硅氮烷处理溶剂及用该溶剂处理聚硅氮烷的方法 |
KR1020077020028A KR101152694B1 (ko) | 2005-02-02 | 2006-02-01 | 폴리실라잔 처리용 용매 및 당해 용매를 사용하는폴리실라잔의 처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005026818A JP4578993B2 (ja) | 2005-02-02 | 2005-02-02 | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006216704A true JP2006216704A (ja) | 2006-08-17 |
JP2006216704A5 JP2006216704A5 (ja) | 2008-01-31 |
JP4578993B2 JP4578993B2 (ja) | 2010-11-10 |
Family
ID=36777232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005026818A Active JP4578993B2 (ja) | 2005-02-02 | 2005-02-02 | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080102211A1 (ja) |
JP (1) | JP4578993B2 (ja) |
KR (1) | KR101152694B1 (ja) |
CN (1) | CN101111575B (ja) |
TW (1) | TWI466929B (ja) |
WO (1) | WO2006082848A1 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007242956A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
WO2009054522A1 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 緻密なシリカ質膜を得ることができるポリシラザン化合物含有組成物 |
KR20100113512A (ko) * | 2007-12-14 | 2010-10-21 | 램 리써치 코포레이션 | 단일-상 및 2-상 매개물에 의한 입자 제거를 위한 재료 |
JP2012184378A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Fukugo Shizai Kk | 噴射式密閉容器入ポリシラザンコーティング液およびポリシラザンコーティング方法 |
US8551651B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-10-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Secondary cell having negative electrode base member |
JP2014514401A (ja) * | 2011-04-06 | 2014-06-19 | トータル・マーケティング・サービシーズ | 特殊流体組成物およびその使用 |
KR20140129996A (ko) * | 2013-04-30 | 2014-11-07 | 제일모직주식회사 | 개질 실리카막의 제조 방법, 도공액 및 개질 실리카막 |
JP2015115550A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社Adeka | ポリシラザンの処理用溶剤およびこれを用いたポリシラザンの処理方法 |
US9312122B2 (en) | 2013-04-18 | 2016-04-12 | Cheil Industries, Inc. | Rinse liquid for insulating film and method of rinsing insulating film |
JP2016115916A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | シリカ薄膜形成用リンス液、これを用いたシリカ前駆体薄膜およびシリカ薄膜の製造方法、ならびにこれらを用いて製造されるシリカ薄膜前駆体およびシリカ薄膜 |
WO2023282106A1 (ja) * | 2021-07-09 | 2023-01-12 | 株式会社スリーボンド | 硬化性組成物、硬化被膜および物品 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3479648B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2003-12-15 | クラリアント インターナショナル リミテッド | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
JP5602346B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2014-10-08 | 株式会社ロッテ | ユーカリ抽出物の調製方法 |
JP4718584B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2011-07-06 | ヤスハラケミカル株式会社 | ポリシラザン溶解用処理液、およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
US8227182B2 (en) * | 2008-08-11 | 2012-07-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming a photosensitive film |
US8084186B2 (en) * | 2009-02-10 | 2011-12-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane |
JP5410207B2 (ja) * | 2009-09-04 | 2014-02-05 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | シリカ質膜製造方法およびそれに用いるポリシラザン塗膜処理液 |
JP5539687B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2014-07-02 | 東レ・ダウコーニング株式会社 | アルキル変性ポリジメチルシロキサン精製品の製造方法、該精製品を含有する化粧料原料および化粧料 |
WO2011078446A1 (en) * | 2009-12-23 | 2011-06-30 | Dnf Co., Ltd. | Polysilazane treating solvent and method for treating polysilazane using the same |
JP5172867B2 (ja) * | 2010-01-07 | 2013-03-27 | AzエレクトロニックマテリアルズIp株式会社 | ポリシラザンを含むコーティング組成物 |
KR101638655B1 (ko) * | 2011-05-24 | 2016-07-11 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 박리용 조성물 및 박리 방법 |
KR101367252B1 (ko) * | 2011-11-10 | 2014-02-25 | 제일모직 주식회사 | 수소화폴리실록사잔 박막용 린스액 및 이를 이용한 수소화폴리실록사잔 박막의 패턴 형성 방법 |
JP2014050803A (ja) | 2012-09-07 | 2014-03-20 | Toshiba Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
JP5985406B2 (ja) | 2013-01-31 | 2016-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
US10020185B2 (en) | 2014-10-07 | 2018-07-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming silica layer, silica layer, and electronic device |
KR101879414B1 (ko) * | 2014-12-16 | 2018-07-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 박막용 린스액, 실리카 박막의 제조방법, 및 실리카 박막 |
KR101837971B1 (ko) | 2014-12-19 | 2018-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막, 및 전자 디바이스 |
KR101833800B1 (ko) | 2014-12-19 | 2018-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막의 제조방법 및 상기 실리카계 막을 포함하는 전자 소자 |
KR20170014946A (ko) | 2015-07-31 | 2017-02-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 |
JP2017200861A (ja) * | 2016-05-02 | 2017-11-09 | アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ | 緻密なシリカ質膜形成用組成物 |
CN106432738B (zh) * | 2016-10-12 | 2019-09-24 | 中国科学院化学研究所 | 一种含氟聚硅氮烷及其制备方法 |
CN110925779A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-03-27 | 大连东泰产业废弃物处理有限公司 | 一种含有全氢聚硅氮烷废有机溶剂用于焚烧炉的利用方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124825A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 半導体ウェーハの処理方法 |
JPH11233510A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Tonen Corp | 裾引き形状を有するSiO2系被膜の形成方法 |
JP2003197611A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Clariant (Japan) Kk | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
JP2004155834A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Clariant Internatl Ltd | ポリシラザン含有コーティング液 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE759281A (fr) * | 1969-11-24 | 1971-05-24 | Dow Corning | Procede et composition facilitant le nettoyage de fours et appareils similaires |
US3983047A (en) * | 1974-11-29 | 1976-09-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Decal removal composition |
US4106901A (en) * | 1976-08-31 | 1978-08-15 | Star Chemical, Inc. | Emulsifier-solvent scour composition and method of treating textiles therewith |
US4664721A (en) * | 1981-12-07 | 1987-05-12 | Intercontinental Chemical Corporation | Printing screen cleaning and reclaiming compositions |
US5151390A (en) * | 1986-06-13 | 1992-09-29 | Toa Nenryo Kogyo Kabushiki Kaisha | Silicon nitride-based fibers and composite material reinforced with fibers |
US5164469A (en) * | 1987-11-17 | 1992-11-17 | Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. | Transparent resin material |
US5151219A (en) * | 1988-01-06 | 1992-09-29 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Use of particular mixtures of ethyl lactate and methyl ethyl ketone to remove undesirable peripheral material (e.g. edge beads) from photoresist-coated substrates |
US5030744A (en) * | 1989-03-23 | 1991-07-09 | Tonen Corporation | Polyborosilazane and process for producing same |
US5354506A (en) * | 1989-09-28 | 1994-10-11 | Albemarle Corporation | Preceramic compositions and ceramic products |
GB2243842B (en) | 1990-04-12 | 1993-09-22 | Electrolube Limited | Method and compositions for circuit board cleaning using ether-containing terpenoid compounds |
US5338475A (en) * | 1991-08-16 | 1994-08-16 | Sterling Drug, Inc. | Carpet cleaning composition with bleach |
JP2704332B2 (ja) * | 1991-10-11 | 1998-01-26 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 炭素繊維強化窒化珪素質ナノ複合材及びその製造方法 |
JP3283276B2 (ja) * | 1991-12-04 | 2002-05-20 | 東燃ゼネラル石油株式会社 | 改質ポリシラザン及びその製造方法 |
US5340493A (en) * | 1992-08-20 | 1994-08-23 | Principato Richard J | Low-volatility cleaning compositions for printing inks |
US5474807A (en) * | 1992-09-30 | 1995-12-12 | Hoya Corporation | Method for applying or removing coatings at a confined peripheral region of a substrate |
KR950034365A (ko) * | 1994-05-24 | 1995-12-28 | 윌리엄 이. 힐러 | 평판 디스플레이의 애노드 플레이트 및 이의 제조 방법 |
JPH08279445A (ja) * | 1995-04-07 | 1996-10-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Sog膜形成方法 |
JPH09125006A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポリシラザン系塗布液及びそれを用いたセラミックス被膜の形成方法 |
JP3740207B2 (ja) * | 1996-02-13 | 2006-02-01 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板表面に形成されたシリカ系被膜の膜溶解方法 |
JPH1098036A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Tonen Corp | シリカ質パターンの形成方法 |
JPH10212114A (ja) * | 1996-11-26 | 1998-08-11 | Tonen Corp | SiO2系セラミックス膜の形成方法 |
JP4053105B2 (ja) * | 1996-12-30 | 2008-02-27 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | シリカ質セラミックス被膜の形成方法及び同方法で形成されたセラミックス被膜 |
JP2000012536A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | シリカ被膜形成方法 |
US6413202B1 (en) * | 1999-01-21 | 2002-07-02 | Alliedsignal, Inc. | Solvent systems for polymeric dielectric materials |
JP5291275B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2013-09-18 | 有限会社コンタミネーション・コントロール・サービス | コーティング膜が施された部材及びコーティング膜の製造方法 |
JP4722269B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2011-07-13 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 低誘電率多孔質シリカ質膜、半導体装置およびコーティング組成物、ならびに低誘電率多孔質シリカ質膜の製造方法 |
JP3722418B2 (ja) * | 2000-12-08 | 2005-11-30 | 信越化学工業株式会社 | 反射防止膜及びこれを利用した光学部材 |
KR100354441B1 (en) * | 2000-12-27 | 2002-09-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Method for fabricating spin-on-glass insulation layer of semiconductor device |
TWI259844B (en) * | 2001-04-27 | 2006-08-11 | Clariant Int Ltd | Anti-fouling coating solution containing inorganic polysilazane |
JP2003100865A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 半導体基板の製造方法および半導体基板 |
JP4128394B2 (ja) * | 2002-05-16 | 2008-07-30 | クラリアント インターナショナル リミテッド | ポリシラザン含有コーティング膜の親水性促進剤及び親水性維持剤 |
EP1388818B1 (en) * | 2002-08-10 | 2011-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for rendering image signal |
-
2005
- 2005-02-02 JP JP2005026818A patent/JP4578993B2/ja active Active
-
2006
- 2006-01-27 TW TW95103289A patent/TWI466929B/zh active
- 2006-02-01 US US11/795,100 patent/US20080102211A1/en not_active Abandoned
- 2006-02-01 WO PCT/JP2006/301662 patent/WO2006082848A1/ja active Search and Examination
- 2006-02-01 KR KR1020077020028A patent/KR101152694B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-01 CN CN2006800035343A patent/CN101111575B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08124825A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 半導体ウェーハの処理方法 |
JPH11233510A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Tonen Corp | 裾引き形状を有するSiO2系被膜の形成方法 |
JP2003197611A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Clariant (Japan) Kk | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 |
JP2004155834A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-06-03 | Clariant Internatl Ltd | ポリシラザン含有コーティング液 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4621613B2 (ja) * | 2006-03-09 | 2011-01-26 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP2007242956A (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US9105929B2 (en) | 2006-12-15 | 2015-08-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Negative electrode base member |
US8927147B2 (en) | 2006-12-15 | 2015-01-06 | Kanto Gakuin School Corporation | Negative electrode base member |
US8551651B2 (en) | 2006-12-15 | 2013-10-08 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Secondary cell having negative electrode base member |
US8263717B2 (en) | 2007-10-26 | 2012-09-11 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Polysilazane-containing composition capable of forming a dense siliceous film |
JP2009111029A (ja) * | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Az Electronic Materials Kk | 緻密なシリカ質膜を得ることができるポリシラザン化合物含有組成物 |
WO2009054522A1 (ja) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | 緻密なシリカ質膜を得ることができるポリシラザン化合物含有組成物 |
JP2011507271A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 単相および二相の媒体による粒子除去のための材料 |
KR20100113512A (ko) * | 2007-12-14 | 2010-10-21 | 램 리써치 코포레이션 | 단일-상 및 2-상 매개물에 의한 입자 제거를 위한 재료 |
JP2011507269A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 単相および二相の媒体による粒子除去のための方法 |
JP2011507270A (ja) * | 2007-12-14 | 2011-03-03 | ラム リサーチ コーポレーション | 単相および二相の媒体による粒子除去のための装置 |
KR101592610B1 (ko) * | 2007-12-14 | 2016-02-18 | 램 리써치 코포레이션 | 단일-상 및 2-상 매개물에 의한 입자 제거를 위한 재료 |
JP2012184378A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Fukugo Shizai Kk | 噴射式密閉容器入ポリシラザンコーティング液およびポリシラザンコーティング方法 |
JP2014514401A (ja) * | 2011-04-06 | 2014-06-19 | トータル・マーケティング・サービシーズ | 特殊流体組成物およびその使用 |
US9312122B2 (en) | 2013-04-18 | 2016-04-12 | Cheil Industries, Inc. | Rinse liquid for insulating film and method of rinsing insulating film |
KR20140129996A (ko) * | 2013-04-30 | 2014-11-07 | 제일모직주식회사 | 개질 실리카막의 제조 방법, 도공액 및 개질 실리카막 |
KR101616164B1 (ko) * | 2013-04-30 | 2016-04-27 | 제일모직주식회사 | 개질 실리카막의 제조 방법, 도공액 및 개질 실리카막 |
JP2015115550A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社Adeka | ポリシラザンの処理用溶剤およびこれを用いたポリシラザンの処理方法 |
JP2016115916A (ja) * | 2014-12-16 | 2016-06-23 | 三星エスディアイ株式会社Samsung SDI Co., Ltd. | シリカ薄膜形成用リンス液、これを用いたシリカ前駆体薄膜およびシリカ薄膜の製造方法、ならびにこれらを用いて製造されるシリカ薄膜前駆体およびシリカ薄膜 |
WO2023282106A1 (ja) * | 2021-07-09 | 2023-01-12 | 株式会社スリーボンド | 硬化性組成物、硬化被膜および物品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070108214A (ko) | 2007-11-08 |
CN101111575A (zh) | 2008-01-23 |
US20080102211A1 (en) | 2008-05-01 |
TW200632006A (en) | 2006-09-16 |
JP4578993B2 (ja) | 2010-11-10 |
KR101152694B1 (ko) | 2012-06-15 |
CN101111575B (zh) | 2010-06-23 |
WO2006082848A1 (ja) | 2006-08-10 |
TWI466929B (zh) | 2015-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4578993B2 (ja) | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 | |
JP3479648B2 (ja) | ポリシラザン処理溶剤およびこの溶剤を用いるポリシラザンの処理方法 | |
EP1035183B1 (en) | Coating fluid for forming low-permittivity silica-based coating film and substrate with low-permittivity coating film | |
JP6322068B2 (ja) | オプトエレクトロニクスデバイス用の組成物、層、及びフィルム、並びにこれらの使用 | |
KR101203225B1 (ko) | 막 형성용 조성물, 막 형성용 조성물의 제조 방법, 절연막형성용 재료, 막의 형성 방법 및 실리카계 막 | |
KR101178215B1 (ko) | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔 처리 방법 | |
KR20030094056A (ko) | 낮은 유전 상수를 갖는 유전 물질의 제조용 조성물 | |
TWI328024B (en) | Composition for forming silica based film | |
JP3998979B2 (ja) | 低誘電率シリカ系被膜の形成方法および低誘電率被膜付半導体基板 | |
TWI425571B (zh) | 含有一耦合介電層及金屬層之半導體裝置,其製造方法及用於半導體裝置之含有多個有機成分的被動耦合材料 | |
TW201441365A (zh) | 用於絕緣層的清洗液以及清洗絕緣層的方法 | |
JP6207995B2 (ja) | ポリシラザンの処理用溶剤およびこれを用いたポリシラザンの処理方法 | |
WO2011078446A1 (en) | Polysilazane treating solvent and method for treating polysilazane using the same | |
KR101400184B1 (ko) | 수소화폴리실록사잔 박막용 린스액 및 이를 이용한 수소화폴리실록사잔 박막의 패턴 형성 방법 | |
JP2014203858A (ja) | ポリシラザンの処理用溶剤およびこれを用いたポリシラザンの処理方法 | |
KR20170107276A (ko) | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법 | |
KR102416225B1 (ko) | 폴리실라잔 처리 용제 및 이를 이용한 폴리실라잔의 처리 방법 | |
KR101367252B1 (ko) | 수소화폴리실록사잔 박막용 린스액 및 이를 이용한 수소화폴리실록사잔 박막의 패턴 형성 방법 | |
JP2005136297A (ja) | シリカ系耐洗浄性加工被膜の形成方法、および該方法により得られるシリカ系耐洗浄性加工被膜 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071004 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071004 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091211 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100727 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100825 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4578993 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |