JP2006202675A - ヒータミラーの製造方法及びヒータミラー - Google Patents

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Abstract

【課題】抵抗発熱体からの熱伝導により加熱される鏡面の温度分布の均一度を高める。
【解決手段】ヒータミラーの製造方法であって、反射膜が形成された基板11を準備する準備工程と、それぞれの一部が基板の外側へ突出している一対の導体を含む舌片部10’と、一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極である第一電極13a及び第二電極13bとを、基板11の裏面上に形成する電極形成工程と、第一電極13a及び第二電極13bの一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体14を形成する発熱体形成工程とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、ヒータミラーの製造方法及びヒータミラーに関する。
従来、防曇等の目的で抵抗発熱体を設けたヒータミラーが知られている。例えば、鏡面の裏面に面状発熱体を形成した構成が知られている(例えば、特許文献1参照)。この面状発熱体は、第1層に絶縁膜、第2層に電極用導電膜、第3層に発熱用抵抗膜(抵抗発熱体)、第4層に保護用絶縁膜を順次印刷積層して形成される。そして、電極用導電膜のランド部分に電源コードのリード線をハンダ付けした電源入力部に通電し、発熱用抵抗膜にジュール熱を発生させる。また、絶縁基板と電極層とを接着した端子取付部に通電継手で連結部が圧着連結された端子を電源入力部に有する面状発熱体が知られている(例えば、特許文献2参照)。
特開平9−58417号公報 特開平8−222355号公報
ヒータミラーにおいては、鏡面外周から数mmを除く範囲内にて、高い融霜性能の発熱温度が要求される。しかし、従来の構成では、この範囲内に電源入力部を設ける必要があった。そのため、電源入力部の周辺には抵抗発熱体が設けられないこととなり、電源入力部の周辺部が発熱しないという問題や、電源入力部の周辺部では熱伝導による温度分布が不均一になるという問題が生じていた。
そこで、本発明は、上記の問題点を解決できるヒータミラーの製造方法及びヒータミラーを提供することを目的とする。
上記の問題点を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
(構成1)ヒータミラーの製造方法であって、反射膜が形成された基板を準備する準備工程と、それぞれの一部が基板の外側へ突出している一対の導体を含む舌片部と、一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極とを、基板の裏面上に形成する電極形成工程と、一対の電極の一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体を形成する発熱体形成工程とを備える。
このようにすれば、基板から突出している舌片部を用いて電源入力部を形成できる。この場合、抵抗発熱体を形成できる位置に制約が生じないため、鏡面の裏面の広い範囲に抵抗発熱体を設けることができる。また、抵抗発熱体からの熱伝導により加熱される鏡面の温度分布の均一度を高めることができる。
尚、基板の裏面とは、例えば、基板及び反射膜が構成する鏡の裏面である。反射膜及び基板が裏面鏡を構成する場合、反射膜の上に、更に絶縁層を形成するのが好ましい。この場合、舌片部及び電極を、絶縁層の上に形成するのが好ましい。また、このヒーターミラーは、例えば車両用ミラーに用いられる。
(構成2)電極及び抵抗発熱体を絶縁性の保護材により被覆する被覆工程と、保護材を挟むように舌片部を折り曲げる折り曲げ工程とを更に備える。
舌片部が基板の外側へ突出したままであると、ヒータミラーを設置する場合等に問題が生じるおそれがある。しかし、このようにすれば、舌片部を適切に収容できる。
尚、被覆工程の前又は後に、電源接続工程を更に備えるのが好ましい。電源接続工程は、例えば、舌片部における一対の導体と、ヒータミラーに電力を供給するためのリード線又は接続端子とを接続する。このようにすれば、ヒータミラーと電源とを、適切に接続できる。
(構成3)電極形成工程は、一対の金属箔におけるそれぞれの一部を基板の裏面に貼り付けることにより、舌片部における一対の導体を形成し、金属箔の上に一部がかかるように導電性ペーストを線状に吐出することにより、電極を吐出形成し、発熱体形成工程は、導電性ペーストよりも抵抗が高く、かつ温度上昇と共に抵抗が増大する導電性高抵抗ペーストを線状に吐出することにより、抵抗発熱体を吐出形成する。
このようにすれば、舌片部及び電極を適切に形成できる。また、ヒータミラーを、簡単な工程にて、低コストで製造できる。更には、鏡面を構成する基板の裏側に直接抵抗発熱体を形成できるため、鏡面を効率よく加熱できる。
(構成4)準備工程は、舌片形状の突出部を有する可撓性絶縁フィルム基板を更に準備し、電極形成工程は、可撓性絶縁フィルム基板上に金属箔を形成し、金属箔を所定のパターンにエッチング処理することにより、突出部上に舌片部が形成されるように、電極及び舌片部を形成し、電極及び舌片部が形成された可撓性絶縁フィルム基板と、反射膜が形成された基板の裏面とを貼り付ける貼付工程を更に備える。このようにすれば、電極及び電源入力部を適切に形成できる。
(構成5)準備工程は、基板よりも大きな金属箔を更に準備し、電極形成工程は、金属箔を基板の裏面に貼り付け、金属箔を所定のパターンにエッチング処理することにより、電極及び舌片部を形成する。このようにすれば、電極及び電源入力部を適切に形成できる。
(構成6)ヒータミラーであって、反射膜が形成された基板と、それぞれの一部が基板の外側へ突出している一対の導体を含む、基板の裏面上に形成された舌片部と、基板の裏面上に形成され、一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極と、一対の電極の一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体とを備える。このように構成すれば、構成1と同様の効果を得ることができる。
本発明によれば、抵抗発熱体からの熱伝導により加熱される鏡面の温度分布の均一度を高めることができる。
以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図1〜図5は、本発明の第1の実施形態に係るヒータミラー20の一実施例(実施例1)を示す。図1は、ヒータミラー20の一部をなす複合材10の背面を示す。図2は、複合材10における舌片部10’付近の拡大断面を示す。本実施例において、複合材10は、基板11、反射膜12、舌片部10’、第一電極13a、第二電極13b、及び抵抗発熱体14を有する。
基板11は、表面に反射膜12が形成された基板である。基板11及び反射膜12は、表面鏡を構成している。舌片部10’は、第一銅箔13a’、及び第二銅箔13b’を含む部分であり、基板11の裏面上に形成されている。第一銅箔13a’、及び第二銅箔13b’は、それぞれの一部が基板11の外側へ突出している一対の導体である。第一電極13a及び第二電極13bは、基板11の裏面上に形成された正負一対の櫛形状の電極であり、第一銅箔13a’、及び第二銅箔13b’のそれぞれと、それぞれ接続されている。抵抗発熱体14は、第一電極13aと、第二電極13bとを電気的に接続しており、第一電極13aと、第二電極13bとの間に供給される電力に応じて発熱する。
以下、複合材10の製造方法について説明する。この製造方法は、準備工程、電極形成工程、及び発熱体形成工程を備える。最初に、準備工程において、反射膜12が形成された基板11を準備する。反射膜12は、例えばスパッタリング又は蒸着等により形成されている。
次に、電極形成工程において、舌片部10’、第一電極13a、及び第二電極13bを形成する。この工程では、最初に、接着剤13a”接着剤13b”(図示せず)の付いた第一銅箔13a’及び第二銅箔13b’のテープを基板11の裏面に貼り付けることにより、舌片部10’を形成する。本実施例において、第一銅箔13a’、及び第二銅箔13b’の膜厚は35μmである。
続いて、第一銅箔13a’上に一部がかかるように導電性ペーストを線状に吐出することにより、第一電極13aを吐出形成し、第二銅箔13b’上に一部がかかるように導電性ペーストを線状に吐出することにより、第二電極13bを吐出形成する。本実施例において、第一電極13a、第二電極13bの線幅は1.2mmである。また、この吐出は、ディスペンサーにて行う。吐出された導電性ペーストは、170℃で30分加熱して、加熱硬化させる。また、銅フィラー90%入りフェノール系樹脂からなる導電性ペーストを用いる。この導電性ペーストの体積抵抗は1×10−4Ω・cm、粘度は300d・Pa・s(ビスコテスター粘度計)である。
次に、発熱体形成工程において、導電性高抵抗ペーストを線状に吐出することにより、抵抗発熱体を吐出形成する。この導電性高抵抗ペーストは、上記の導電性ペーストよりも抵抗が高く、かつ温度上昇と共に抵抗が増大するPTC特性を有している。
本実施例では、カーボン65%入りポリエステル系樹脂の導電性高抵抗ペーストを用いる。この導電性高抵抗ペーストの体積抵抗は1×10−2Ω・cm、粘度は280d・Pa・s(ビスコテスター粘度計)、である。この導電性高抵抗ペーストを、第一電極13a及び第二電極13bの上にこれらとほぼ直交するようにディスペンサーにて吐出して、ピッチ10mmの格子状に、線幅1.5mmの抵抗発熱体14を形成する。吐出された導電性高抵抗ペーストは、120℃で15分加熱して、加熱硬化させる。以上の工程により、複合材10が製造される。
尚、本実施例は、基板11の裏面側に反射膜12がない表面鏡を用いる場合を示している。表面鏡に代えて、基板11の裏面側に反射膜12がある裏面鏡を用いる場合、反射膜12の上に絶縁膜を形成し、その上に舌片部10’、第一電極13a及び第二電極13b、及び抵抗発熱体14を形成するのが好ましい。
図3は、複合材10を用いてヒータミラー20を組み立てる工程の一部である被覆工程を説明する図である。被覆工程は、絶縁性の保護材15により、舌片部10’の一部、第一電極13a、第二電極13b、及び抵抗発熱体14を被覆する工程である。本実施例において、被覆工程は、保護材15をスプレー塗装により形成する。また、保護材15として、無溶剤型低粘度絶縁用シリコーンゴムコーティング材を用いる。保護材15の厚さは600μmであり、常温硬化される。
尚、保護材15としては、柔軟性のあるオレフィン系、アクリル系、シリコーン系、ウレタン系、ポリエステル系、フッ素系の塗料やシート等を用いることもできる。保護材15は、刷毛塗装、ロール塗装、スクリーン印刷、パッド印刷等により形成することもできる。
ヒータミラー20の組み立てにおいては、被覆工程に続いて、電源接続工程及び折り曲げ工程が行われる。電源接続工程は、舌片部10’における第一銅箔13a’及び第二銅箔13b’と、一対のリード線である第一リード線16a及び第二リード線16bとを、ハンダ付けにより接続する工程である。
折り曲げ工程は、保護材15を挟むように舌片部10’を折り曲げる工程であり、第一銅箔13a’及び第二銅箔13b’を折り曲げて、保護材15側に押し当てる。折り曲げられた舌片部10’は防水絶縁材17で被覆される。本実施例においては、防水絶縁材17として、粘着性ブチルゴムシートを用いる。防水絶縁材17としては、シリコーンコーティング材、接着剤付き樹脂フィルム等を用いることもできる。
図4は、組み立て後のヒータミラー20を示す斜視図である。図5は、ヒータミラー20における電源入力部20’付近の拡大断面図である。本実施例において、防水絶縁材17は、折り曲げられた第一銅箔13a’及び第二銅箔13b’と、ハンダ付けされた第一リード線16a及び第二リード線16bとを覆う。防水絶縁材17に被覆された部分は、電源入力部20’を構成する。
このヒータミラー20に対し、第一リード線16a及び第二リード線16bを介して電源入力部20’に12Vの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板11表面の20箇所の平均温度は59℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は4℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラー20を具現できる。
図6は、第1の実施形態の他の実施例(実施例2)における電源入力部30’付近の拡大断面図である。尚、本実施例において、電源入力部30’は、防水絶縁材27に被覆された部分である。また、以下に説明する点を除き、実施例2の構成は、実施例1と同一又は同様である。例えば、実施例2における基板21、反射膜22、第一電極23a、第一銅箔23a’、接着剤23a”、第二電極23b(図示せず)、第二銅箔23b’(図示せず)、接着剤23b”(図示せず)、抵抗発熱体24、保護材25、及び防水絶縁材27は、実施例1における基板11、反射膜12、第一電極13a、第一銅箔13a’、接着剤13a”、第二電極13b、第二銅箔13b’、接着剤13b”、抵抗発熱体14、保護材15、及び防水絶縁材17と同一又は同様の構成を有する。
本実施例においては、実施例1における第一リード線16a及び第二リード線16bに代えて、第一接続端子26a及び第二接続端子26b(図示せず)を用いる。そして、第一銅箔23a’は、第一接続端子26aと、第一カシメ継手26a’によりカシメ接続される。第二銅箔23b’は、第二接続端子26bと、第二カシメ継手26b’(図示せず)によりカシメ接続される。
本実施例において、第一接続端子26a及び第二接続端子26bを介して電源入力部30’に12Vの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板11表面の20箇所の平均温度は57℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は3℃であった。このように、本実施例によっても、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラー20を具現できる。
図7〜図11は、本発明の第2の実施形態に係るヒータミラー50の一実施例(実施例3)を示す。図7は、ヒータミラー50の一部をなす複合材40の背面を示す。図8は、複合材40における舌片部40’付近の拡大断面を示す。尚、以下に説明する点を除き、実施例3の構成は、実施例1又は2と同一又は同様である。
本実施例において、複合材40は、可撓性絶縁フィルム基板301、第一電極33a、第二電極33b、及び舌片部40’を有する。また、複合材40は、準備工程、電極形成工程、及び電源接続工程を経て製造される。準備工程は、ヒータミラー50の製造に必要な部材を準備する工程であり、舌片形状の突出部を有する可撓性絶縁フィルム基板301を準備する。可撓性絶縁フィルム基板301は、例えばPETフィルム又はポリイミドフィルム等で形成された基板である。本実施例において、可撓性絶縁フィルム基板301の厚さは25μmである。
電極形成工程は、第一電極33a、第二電極33b、及び舌片部40’を形成する工程である。本実施例において、電極形成工程は、可撓性絶縁フィルム基板301の片面に、圧延銅箔35μmを形成する。そして、この銅箔を所定のパターンにエッチング処理して、第一電極33a、第二電極33b、及び舌片部40’を形成する。第一電極33a及び第二電極33bは、電極幅5mm、電極間隔は2mmの櫛形状の電極である。舌片部40’は、第一電極33a及び第二電極33bのそれぞれから延伸して可撓性絶縁フィルム基板301の突出部上に突出する一対の導体を含む部分である。
尚、本実施例において、可撓性絶縁フィルム基板301に形成される銅箔は電解銅箔である。この銅箔に代えて、蒸着、又はスパッタリング等により成膜された金属箔を用いることもできる。
電源接続工程は、第一電極33a及び第二電極33bと、第二接続端子36b及び第二接続端子36bとを接続する工程である。電源接続工程は、舌片部40’における第一電極33aから延伸している部分を、第一接続端子36aと、第一カシメ継手36a’によりカシメ接続する。また、第二電極33bから延伸している部分を、第二接続端子36bと、第二カシメ継手36b’によりカシメ接続する。
図9は、複合材40を用いてヒータミラー50を組み立てる工程の一部である発熱体形成工程、被覆工程、及び貼付工程を説明する図である。発熱体形成工程は、複合材40の上に面状の抵抗発熱体34をスクリーン印刷する工程であり、実施例1で用いた導電性高抵抗ペーストを用いて行われる。これにより、第一電極33a及び第二電極33bの一方及び他方を電気的に接続してなる抵抗発熱体34が形成される。本実施例において、抵抗発熱体34の膜厚は20μmである。
被覆工程は、絶縁性の保護材である可撓性絶縁フィルム39により、第一電極33a、第二電極33b、及び舌片部40’を被覆する工程である。本実施例において、被覆工程は、可撓性絶縁フィルム39に印刷した接着剤38により、複合材40と可撓性絶縁フィルム39とを圧着する。尚、可撓性絶縁フィルム39としては、例えば、可撓性絶縁フィルム基板301と同一物を用いることができる。また、可撓性絶縁フィルム39は、可撓性絶縁フィルム基板301と同様に、舌片形状の突出部を有しており、この突出部により、舌片部40’を被覆する。尚、舌片部40’は、後のポッティング工程で、防水絶縁材37により更に被覆される。
貼付工程は、第一電極33a、第二電極33b、及び舌片部40’が形成された可撓性絶縁フィルム基板301と、反射膜32が形成された基板31の裏面とを貼り付ける工程である。本実施例において、基板31及び反射膜32は裏面鏡を構成しているため、可撓性絶縁フィルム基板301は、反射膜32を挟んで、基板31の裏面に貼り付けられる。また、この貼り付けは、接着剤305を用いて行われる。接着剤305としては、アクリル系、ポリオレフィン系、ウレタン系、ビニル系、シリコーン系等の接着剤を用いることができる。
図10は、組み立て後のヒータミラー50を示す斜視図である。図11は、ヒータミラー50における電源入力部50’付近の拡大断面図である。本実施例においては、貼付工程の後、折り曲げ工程及びポッティング工程が行われる。折り曲げ工程は、可撓性絶縁フィルム39を挟むように舌片部40’(図9参照)を折り曲げる工程である。ポッティング工程は、第一接続端子36a、第二接続端子36b、第一カシメ継手36a’、第二カシメ継手36b’を被覆するように防水絶縁材37をポッティングする工程である。防水絶縁材37に被覆された部分は、電源入力部50’を構成する。
本実施例において、第一接続端子36a及び第二接続端子36bを介して電源入力部50’に12Vの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板31表面の20箇所の平均温度は60℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は3℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラー50を具現できる。
図12は、第2の実施形態の他の実施例(実施例4)における電源入力部60’付近の拡大断面図である。尚、以下に説明する点を除き、実施例4の構成は、実施例3と同一又は同様である。例えば、実施例4における基板41、反射膜42、第一電極43a、第二電極43b、抵抗発熱体44、第一接続端子46a、第一カシメ継手46a’第二接続端子46b(図示せず)、第二カシメ継手46b’(図示せず)、防水絶縁材47、接着剤48、可撓性絶縁フィルム49、可撓性絶縁フィルム基板401、接着剤405は、実施例3における基板31、反射膜32、第一電極33a、第二電極33b、抵抗発熱体34、第一接続端子36a、第一カシメ継手36a’、第二接続端子36b、第一カシメ継手36a’、防水絶縁材37、接着剤38、可撓性絶縁フィルム39、可撓性絶縁フィルム基板301、接着剤305と同一又は同様の構成を有する。
本実施例において、可撓性絶縁フィルム基板401等により構成される複合材等は、実施例3と比べて裏返した向きで、基板41に貼り付けられる。この場合、貼付工程は、可撓性絶縁フィルム基板401と基板41との間に可撓性絶縁フィルム49等が挟まる向きで、接着剤405により、可撓性絶縁フィルム49と反射膜42とを貼り付ける。そのため、本例においては、可撓性絶縁フィルム基板401が、保護材として機能する。
また、本実施例において、折り曲げ工程は、可撓性絶縁フィルム基板401を挟むように舌片部を折り曲げる。ポッティング工程は、第一接続端子46a、第二接続端子46b、第一カシメ継手46a’、第二カシメ継手46b’を被覆するように防水絶縁材47をポッティングして、電源入力部60’を形成する。
本実施例において、第一接続端子46a及び第二接続端子46bを介して電源入力部60’に12Vの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板41表面の20箇所の平均温度は58℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は4℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラー50を具現できる。
図13〜図15は、本発明の第3の実施形態に係るヒータミラーの一実施例(実施例5)を示す。図13は、ヒータミラーの一部をなす複合材70の背面を示す。図14は、複合材70における舌片部70’付近の拡大断面を示す。尚、以下に説明する点を除き、実施例5の構成は、実施例1〜4と同一又は同様である。
本実施例において、複合材70は、基板51、反射膜52、第一電極53a、第二電極53b、及び舌片部70’を有し、準備工程及び電極形成工程を経て製造される。準備工程は、ヒータミラーの製造に必要な部材を準備する工程であり、反射膜52が形成された基板51と、基板51よりも大きな金属箔を準備する。本実施例では、この金属箔として、銅箔を準備する。
電極形成工程は、第一電極53a、第二電極53b、及び舌片部70’を形成する工程であり、この銅箔を基板51の裏面に貼り付け、所定のパターンにエッチング処理する。本実施例においては、基板51の裏面に印刷した接着剤505により、銅箔を貼り付ける。
また、エッチング処理により、櫛形状の第一電極53a及び第二電極53bと、舌片部70’とを同時に形成する。舌片部70’は、第一電極53a及び第二電極53bのそれぞれから延伸して基板51の外側に突出する一対の導体を含む部分である。
図15は、複合材70を用いて組み立てられたヒータミラーにおける電源入力部80’付近の拡大断面図である。このヒータミラーは、複合材70を用いて、発熱体形成工程、電源接続工程、被覆工程、及び折り曲げ工程を経て製造される。発熱体形成工程は、複合材70の上に抵抗発熱体54をスクリーン印刷する工程である。これにより、第一電極53a及び第二電極53bの一方及び他方を電気的に接続してなる抵抗発熱体54が形成される。電源接続工程は、舌片部70’における第一電極53a及び第二電極53bのそれぞれと繋がる部分に第一リード線56a及び第二リード線56b(図示せず)をハンダ付けする工程である。
被覆工程は、基板51裏面側における舌片部70’を除くミラー範囲部分をスプレー塗装により覆い、保護材55を形成する工程である。ミラー範囲部分とは、基板51の表面側に反射膜52が形成されている部分である。
折り曲げ工程は、保護材55を挟むように舌片部70’を折り曲げる工程であり、舌片部70’における第一電極53a及び第二電極53bのそれぞれから延伸する部分を折り曲げて、保護材55側に押し当てる。折り曲げられた舌片部70’は防水絶縁材57で被覆される。防水絶縁材57は。第一電極53a及び第二電極53bのそれぞれから延伸する部分、及びハンダ付けされた第一リード線56a及び第二リード線56bを被覆する。防水絶縁材57に被覆された部分は、電源入力部80’を構成する。
本実施例において、第一リード線56a及び第二リード線56bを介して電源入力部80’に12Vの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板51表面の20箇所の平均温度は62℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は4℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラーを具現できる。
図16〜図18は、第3の実施形態の他の実施例(実施例6)を示す。図16は、ヒータミラーの一部をなす複合材90の背面を示す。図17は、複合材90における舌片部90’付近の拡大断面を示す。尚、以下に説明する点を除き、実施例6の構成は、実施例5と同一又は同様である。例えば、実施例6における基板61、反射膜62、第一電極63a、第二電極63b、抵抗発熱体64、及び舌片部90’は、実施例5における基板51、反射膜52、第一電極53a、第二電極53b、抵抗発熱体54、及び舌片部70’と同一又は同様の構成を有する。
本実施例において、準備工程は、可撓性絶縁フィルム基板601を更に準備する。可撓性絶縁フィルム基板601は、実施例3における可撓性絶縁フィルム基板301(図7参照)と同一又は同様の構成を有する。
電極形成工程は、実施例3における電極形成工程と同様にして、可撓性絶縁フィルム基板601の片面に銅箔を形成し、これをエッチング処理して、櫛形状の第一電極63a、第二電極63b、及び舌片部90’を形成する。
また、電源接続工程は、舌片部90’における第一電極63aから延伸している部分を、第一接続端子66aと、第一カシメ継手66a’によりカシメ接続する。また、第二電極63bから延伸している部分を、第二接続端子66bと、第二カシメ継手66b’によりカシメ接続する。
図18は、複合材90を用いて組み立てられたヒータミラーにおける電源入力部100’付近の拡大断面図である。本実施例において、このヒータミラーは、複合材90を用いて、発熱体形成工程、貼付工程、及び折り曲げ工程を経て製造される。
発熱体形成工程は、複合材90の上に抵抗発熱体64をスクリーン印刷する工程である。これにより、第一電極63a及び第二電極63bの一方及び他方を電気的に接続してなる抵抗発熱体64が形成される。
貼付工程は、抵抗発熱体64が印刷された複合材90と、反射膜62が形成された基板61の裏面とを貼り付ける工程であり、接着剤605を用いた圧着を行う。本実施例において、基板61及び反射膜62は、裏面鏡を構成しており、複合材90は、抵抗発熱体64及び反射膜62を間に挟んで、基板61の裏面に貼り付けられる。また、本実施例において、貼付工程は、被覆工程を兼ねており、この向きで複合材90を貼り付けることにより、可撓性絶縁フィルム基板601を絶縁性の保護材として用いて、第一電極63a、第二電極63b、及び抵抗発熱体64に対する被覆として機能させる。
折り曲げ工程は、可撓性絶縁フィルム基板601を内側に挟むように舌片部90’を折り曲げる工程である。折り曲げられた舌片部90’は、防水絶縁材67及び防水絶縁材67’で被覆される。防水絶縁材67及び防水絶縁材67’は、舌片部90’の上下から、第一電極63a及び第二電極63bから延伸する部分、第一接続端子66a、第二接続端子66b、第一カシメ継手66a’、及び第二カシメ継手66b’を被覆する。防水絶縁材67及び防水絶縁材67’に被覆された部分は、電源入力部100’を構成する。
本実施例において、第一接続端子66a及び第二接続端子66bを介して電源入力部100’に12Vの電圧を印加したところ、鏡面を構成する基板61表面の20箇所の平均温度は60℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は3℃であった。このように、本実施例によれば、鏡面の温度分布の均一度が高いヒータミラーを具現できる。
比較例として従来技術により作られた舌片部のないヒータミラーを入手した。このヒータミラーは、高い融霜性能の発熱温度が要求される鏡面外周から数mmを除く範囲内に電源入力部が設けられている。そのため、この部分には抵抗発熱体が形成されていない。
比較例において、電源入力部に12Vの電圧を印加したところ、鏡面の20箇所の平均温度は59℃であった。また、鏡面内における最高温度と最低温度との差は10℃であった。最低温度は51°であった。
比較例との比較から、実施例1〜6においては、鏡面外に突出する舌片部を用いて電源入力部を形成しているため、高い融霜性能の発熱温度が要求される範囲内で十分な発熱が実現できていることがわかる。また、この範囲内において、熱伝導による温度分布の均一度が高まっていることがわかる。
以上、本発明を実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
本発明は、例えばヒータミラーに好適に利用できる。
実施例1においてヒータミラー20の一部をなす複合材10の背面を示す図である。 複合材10における舌片部10’付近の拡大断面を示す図である。 複合材10を用いてヒータミラー20を組み立てる工程の一部である被覆工程を説明する図である。 組み立て後のヒータミラー20を示す斜視図である。 ヒータミラー20における電源入力部20’付近の拡大断面図である。 実施例2における電源入力部30’付近の拡大断面図である。 実施例3においてヒータミラー50の一部をなす複合材40の背面を示す図である。 複合材40における舌片部40’付近の拡大断面を示す図である。 複合材40を用いてヒータミラー50を組み立てる工程の一部である発熱体形成工程、被覆工程、及び貼付工程を説明する図である。 組み立て後のヒータミラー50を示す斜視図である。 ヒータミラー50における電源入力部50’付近の拡大断面図である。 実施例4における電源入力部60’付近の拡大断面図である。 実施例5においてヒータミラーの一部をなす複合材70の背面を示す図である。 複合材70における舌片部70’付近の拡大断面を示す図である。 複合材70を用いて組み立てられたヒータミラーにおける電源入力部80’付近の拡大断面図である。 実施例6においてヒータミラーの一部をなす複合材90の背面を示す図である。 複合材90における舌片部90’付近の拡大断面を示す図である。 複合材90を用いて組み立てられたヒータミラーにおける電源入力部100’付近の拡大断面図である。
符号の説明
10・・・複合材、10’・・・舌片部、11・・・基板、12・・・反射膜、13a・・・第一電極、13a’・・・第一銅箔、13a”・・・接着剤、13b・・・第二電極、13b’・・・第二銅箔、14・・・抵抗発熱体、15・・・保護材、16a・・・第一リード線、16b・・・第二リード線、17・・・防水絶縁材、20・・・ヒータミラー、20’・・・電源入力部、21・・・基板、22・・・反射膜、23a・・・第一電極、23a’・・・第一銅箔、23a”・・・接着剤、24・・・抵抗発熱体、25・・・保護材、26a・・・第一接続端子、26a’・・・第一カシメ継手、27・・・防水絶縁材、30’・・・電源入力部、31・・・基板、32・・・反射膜、301・・・可撓性絶縁フィルム基板、33a・・・第一電極、33b・・・第二電極、34・・・抵抗発熱体、305・・・接着剤、36a・・・第一接続端子、36a’・・・第一カシメ継手、36b・・・第二接続端子、36b’・・・第二カシメ継手、37・・・防水絶縁材、38・・・接着剤、39・・・可撓性絶縁フィルム、40・・・複合材、40’・・・舌片部、41・・・基板、42・・・反射膜、43a・・・第一電極、43b・・・第二電極、401・・・可撓性絶縁フィルム基板、405・・・接着剤、44・・・抵抗発熱体、46a・・・第一接続端子、46a’・・・第一カシメ継手、47・・・防水絶縁材、48・・・接着剤、49・・・可撓性絶縁フィルム、50・・・ヒータミラー、50’・・・電源入力部、51・・・基板、52・・・反射膜、505・・・接着剤、53a・・・第一電極、53b・・・第二電極、54・・・抵抗発熱体、55・・・保護材、56a・・・第一リード線、57・・・防水絶縁材、60’・・・電源入力部、61・・・基板、62・・・反射膜、63a・・・第一電極、63b・・・第二電極、601・・・可撓性絶縁フィルム基板、605・・・接着剤、66a・・・第一接続端子、66a’・・・第一カシメ継手、66b・・・第二接続端子、66b’・・・第二カシメ継手、64・・・抵抗発熱体、67・・・防水絶縁材、67’・・・防水絶縁材、70・・・複合材、70’・・・舌片部、80’・・・電源入力部、90・・・複合材、90’・・・舌片部、100’・・・電源入力部

Claims (6)

  1. ヒータミラーの製造方法であって、
    反射膜が形成された基板を準備する準備工程と、
    それぞれの一部が前記基板の外側へ突出している一対の導体を含む舌片部と、前記一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極とを、前記基板の裏面上に形成する電極形成工程と、
    前記一対の電極の一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体を形成する発熱体形成工程と
    を備えることを特徴とするヒータミラーの製造方法。
  2. 前記電極及び前記抵抗発熱体を絶縁性の保護材により被覆する被覆工程と、
    前記保護材を挟むように前記舌片部を折り曲げる折り曲げ工程と
    を更に備えることを特徴とする請求項1に記載のヒータミラーの製造方法。
  3. 前記電極形成工程は、
    一対の金属箔におけるそれぞれの一部を前記基板の裏面に貼り付けることにより、前記舌片部における前記一対の導体を形成し、
    前記金属箔の上に一部がかかるように導電性ペーストを線状に吐出することにより、前記電極を吐出形成し、
    前記発熱体形成工程は、前記導電性ペーストよりも抵抗が高く、かつ温度上昇と共に抵抗が増大する導電性高抵抗ペーストを線状に吐出することにより、前記抵抗発熱体を吐出形成することを特徴とする請求項1又は2に記載のヒータミラーの製造方法。
  4. 前記準備工程は、舌片形状の突出部を有する可撓性絶縁フィルム基板を更に準備し、
    前記電極形成工程は、
    前記可撓性絶縁フィルム基板上に金属箔を形成し、
    前記金属箔を所定のパターンにエッチング処理することにより、前記突出部上に前記舌片部が形成されるように、前記電極及び前記舌片部を形成し、
    前記電極及び前記舌片部が形成された前記可撓性絶縁フィルム基板と、前記反射膜が形成された基板の裏面とを貼り付ける貼付工程を更に備えることを特徴とする請求項1又は2に記載のヒータミラーの製造方法。
  5. 前記準備工程は、前記基板よりも大きな金属箔を更に準備し、
    前記電極形成工程は、
    前記金属箔を前記基板の裏面に貼り付け、
    前記金属箔を所定のパターンにエッチング処理することにより、前記電極及び前記舌片部を形成することを特徴とする請求項1又は2に記載のヒータミラーの製造方法。
  6. ヒータミラーであって、
    反射膜が形成された基板と、
    それぞれの一部が前記基板の外側へ突出している一対の導体を含む、前記基板の裏面上に形成された舌片部と、
    前記基板の裏面上に形成され、前記一対の導体のそれぞれとそれぞれ接続された少なくとも一組の正負一対の電極と、
    前記一対の電極の一方及び他方を電気的に接続してなる少なくとも一つの抵抗発熱体と
    を備えることを特徴とするヒータミラー。
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