JP2006193828A - 遮熱コート材料、遮熱部材、遮熱コーティング部材及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】耐熱基材と、該耐熱基材上に形成されたボンドコート層と、該ボンドコート層上に形成されたセラミックス層とを含んでなる遮熱コーティング部材であって、該セラミックス層が一般式A2Zr2O7(式中、Aは希土類元素を表す。)で表されるセラミックスを含み、(a)気孔率1〜30%、(b)厚さ方向に耐熱基材上のボンドコート層を除く全膜の厚さの5〜100%の間隔で亀裂、又は(c)柱状晶、を有する遮熱コーティング部材を提供する。
【選択図】なし
Description
また、本発明は、耐熱基材と、該耐熱基材上に形成されたボンドコート層と、該ボンドコート層上に形成されたセラミックス層とを含んでなる遮熱コーティング部材であって、該セラミックス層が一般式A2Zr2O7(式中、Aは希土類元素を表す。)で表されるセラミックスを含み、(a)気孔率1〜30%、又は(b)厚さ方向に耐熱基材上のボンドコート層を除く全膜の厚さの5〜100%の間隔で縦割れ、又は(c)柱状晶、を有する遮熱コーティング部材を提供する。ボンドコート層とセラミックス層との間には、好ましくはジルコニア含有層を含み、ジルコニア含有層が好ましくは(a)気孔率1〜30%、又は(b)厚さ方向にボンドコート層を除く耐熱基材上の全膜の厚さの5〜100%の間隔で縦割れを有する。
本発明は、この遮熱コーティング部材を備えるガスタービンを提供する。
本発明は、耐熱基材上にボンドコート層を形成するステップと、該ボンドコート層上にSm2Zr2O7を含むセラミックス層を形成するステップを含む遮熱コーティング部材の製造方法を提供する。
また、本発明は、耐熱基材上にボンドコート層を形成するステップと、該ボンドコート層上にA2Zr2O7のセラミックス層を形成するステップを含む遮熱コーティング部材の製造方法を提供する。ボンドコート層形成ステップと、セラミックス層形成ステップの間には、好ましくはジルコニア含有層を形成するステップを含む。セラミックス層形成ステップ、又は該当する場合にはジルコニア含有層形成ステップは、好ましくは(a)気孔を導入する段階又は(b)厚さ方向に縦割れを導入する段階を含む。
本発明は、耐熱基材上にボンドコート層を形成するステップと、該ボンドコート層上に電子ビーム物理蒸着法を用いて一般式A2Zr2O7(式中、Aは希土類元素を表す。)の柱状晶のセラミックス層を形成する遮熱コーティング部材の製造方法を提供する。
ボンドコート層は、高い耐酸化性を有するとともに、耐熱基材とセラミックス層、又は耐熱基材とジルコニア含有層との熱膨張係数差を小さくして熱応力を緩和することができる。従って、高い耐酸化性による長時間耐久性と優れた熱サイクル耐久性を得ることができ、セラミックス層やジルコニア含有層のボンドコート層からの剥離を防止できる。また、ボンドコート層は、耐熱基材とセラミックス層、又は耐熱基材とジルコニア含有層をより強固に接合させ、遮熱コーティング材の強度の向上にも寄与できる。
ボンドコート層としては、耐食性及び耐酸化性に優れたMCrAlY合金(「M」は金属元素を表す。)が好ましい。「M」は、好ましくは、NiやCo、Fe等の単独の金属元素又はこれらのうち2種以上の組み合わせである。
ボンドコート層の形成方法は、特に限定されず、低圧プラズマ溶射法や、電子ビーム物理蒸着法等を用いることができる。
一般式A2Zr2O7で表されるセラミックとしては、好ましくは、La2Zr2O7、Nd2Zr2O7、Sm2Zr2O7、Gd2Zr2O7、Dy2Zr2O7、Er2Zr2O7、Yb2Zr2O7、Lu2Zr2O7が挙げられ、800℃以上における熱伝導率の低さから特に好ましくはSm2Zr2O7である。
A2Zr2O7として、例えばSm2Zr2O7を含んでなる遮熱コート用材料は、施工法として溶射法を用いる場合には、好ましくは10〜200μmの粒径に分級し、溶射に適した粒度に調整して用いる。また、電子ビーム物理蒸着法を用いる場合には、焼結インゴットをターゲット材料に用いることができる。
大気圧プラズマ溶射法を用いてA2Zr2O7層を形成する方法として、例えば、スルザーメテコ社製溶射ガン(例えばF4ガン)を用いて、上述の溶射法に用いる粉末を溶射電流600(A)、溶射距離150(mm)、粉末供給量60(g/min)、Ar/H2量;35/7.4(l/min)の代表的条件により成膜することが可能である。
電子ビーム物理蒸着法を用いてA2Zr2O7層を形成する方法として、例えば、アルデンヌ社製電子ビーム蒸着装置(例えば、TUBA150)を用いて、上述のインゴットをターゲット材料に用い、電子ビーム出力50kW、雰囲気10−4torrの減圧環境、耐熱基材1,000℃の代表的条件で成膜することが可能である。
柱状晶は、ボンドコート表面上で核生成した結晶が優先結晶成長方向に、単結晶状態で成長したもので、耐熱基材に歪が作用した場合にも、結晶が互いに分離することから、高い耐久性を示す。
セラミックス層としてSm2Zr2O7を用いる場合は、熱伝導率が低下することから膜厚を下げることができる。S. Bose, Journal of Thermal Spray Technology, vol.6(1), Mar. 1997 pp.99-104には、膜厚が下がると熱サイクル耐久性が向上すると報告されており、同じ遮熱効果を保持しながら薄膜化できるSm2Zr2O7の高い熱サイクル耐久性を裏付けるものである。このように、Sm2Zr2O7は低い熱伝導性だけでなく、高い熱サイクル耐久性の点からも好ましい。
気孔率が1%未満では、緻密であるためヤング率が高くなり、熱応力が高くなった場合に剥離が生じやすくなる。また、気孔率が30%を超えると、ボンドコート又はジルコニア含有層との密着性が不足し、耐久性が低下する場合がある。
溶射電流は、例えば、通常の600(A)から400(A)に低下することにより気孔率を5%程度から8%程度にまで増加できる。また、電流を増加することにより気孔率を低下することもできる。
プラズマガス流は、例えば、通常のAr/H2量である35/7.4(l/min)から37.3/5.1(l/min)に水素流量割合を増加することにより、気孔率を5%程度から8%程度にまで増加できる。また、水素量を増加すると、気孔率を低下することができる。
溶射距離は、例えば、通常の150mmから210mmに増加させることにより、気孔率を5%程度から8%にまで増加できる。また、溶射距離を短くすることにより、気孔率を低下させることも可能である。更に、これらの組み合わせにより、気孔率を1%程度から最大30%程度の気孔率まで可変することができる。
耐熱基材やボンドコート層に比して熱膨張係数の小さいセラミックス層は、タービンの発停等に伴う熱サイクルが印加された際に、耐熱基材やボンドコート層との熱膨張係数の差による応力が作用するが、セラミックス層に作用する応力を、縦割れがその幅を拡大又は縮小することにより緩和するようになっている。
従って、熱サイクルに伴う膨張収縮による応力はセラミックス層自体にはほとんど作用せず、セラミックス層の剥離が極めて起こり難くなり、熱サイクル耐久性に優れる。
セラミックス層に生じた亀裂は、従来の構成の遮熱コーティング材においては、セラミックス層に剥離を生じさせる原因となっていたが、本発明よるセラミックス層に導入された縦割れは、剥離の原因とはならない。これは、縦割れと、熱サイクルにより生じたセラミックス層の亀裂とでは、その周辺の結晶構造が異なることによる。すなわち、熱サイクルにより生じる亀裂は、高温中でZrO2の結晶相がt’相(準安定正方晶相)からt相(正方晶相)及びC相(立方晶)へ変化し、遮熱コーティング材の温度が低下した場合に高温相で安定であるt相が温度の低下によりm相(単斜晶相)及びC相(立方晶)となり、m相が生成される際に体積変化が生じる。この体積変化により形成された亀裂の周辺部には、m相が観測される。従って、熱サイクルによりm相とt相との相転移が繰り返されるため、亀裂は徐々に進展し、最終的にはセラミックス層を剥離させる。
これに対して、本発明によりセラミックス層に導入される縦割れにおいては、その周辺部にm相がほとんど存在しないため、熱サイクル中にセラミックス層内で相転移に伴う体積変化がほとんどなく、熱サイクルに伴う温度変化により縦割れが進展することはほとんどない。従って、この縦割れの導入によりセラミックス層の寿命が短くなることはないものと考えられる。
縦割れの延在方向の好ましい範囲は、セラミックス層の膜面の法線方向に対して±20°以下の範囲である。
ピッチが5%未満であると、下地のボンドコート層又はジルコニア含有層と接着面積が小さくなり、密着力が不足して剥離しやすくなる場合がある。間隔が100%を超えると、亀裂先端での剥離方向への特異応力が増大して剥離を誘発する場合がある。
溶射法により縦割れを備えたセラミックス層を形成する場合、溶射距離(溶射ガンと耐熱基材との距離)を従来ジルコニア層の成膜に用いられていた溶射距離の1/4〜2/3程度にまで近づけるか、あるいは、溶射距離は従来と同程度とし、溶射ガンに入力する電力を従来用いられていた電力の2倍〜25倍程度にまで高めることによりセラミックス層に縦割れを導入することができる。すなわち、溶射によりボンドコート層又はジルコニア含有層を有する耐熱基材に飛来する溶融又は半溶融状態の粒子の温度を高くすることで、耐熱基材上で急冷凝固される際の温度勾配を大きくし、凝固時の収縮により縦割れを導入することができる。この方法によれば、溶射距離及び/又は溶射ガンへの入力電力を調整することで、容易に縦割れの間隔や頻度(縦割れの面積密度)を制御することができ、所望の特性を備えたセラミックス層を形成することができる。これにより、優れた耐剥離性、熱サイクル耐久性を備えた遮熱コーティング部材を容易に形成することができる。
電子ビーム物理蒸着法により縦割れを備えたセラミックス層を形成する場合、例えば、アルデンヌ社製電子ビーム蒸着装置(例えば、TUBA150)を用いて、上述のインゴットをターゲット材料に用い、電子ビーム出力50kW、雰囲気10−4torrの減圧環境、耐熱基材温度1,000℃の代表的条件で、縦割れを備えたセラミック層を容易に形成することができる。
部分安定化ジルコニアとしては、好ましくは、Yb2O3とY2O3とDy2O3とEr2O3からなる選ばれる一以上で安定化されたジルコニアである。
Yb2O3で安定化されたジルコニアの場合、安定化剤であるYb2O3の含有量は、熱サイクル耐久性の点から、好ましくは8〜27重量%である。
Yb2O3とEr2O3とで安定化されたジルコニアの場合、好ましくは、安定化剤であるYb2O3含有量は0.1〜25重量%、安定化剤であるEr2O3含有量は0.1〜25重量%であり、Yb2O3とEr2O3の含有量の合計が10〜30重量%である。
また、ジルコニア含有層の成膜法として電子ビーム物理蒸着法を用いる場合には、所定の組成を有する原料を焼結又は電融固化して得られるインゴットを使用する。
また、Yb2O3及びEr2O3により安定化されたジルコニアを用いる場合には、ZrO2粉末と、所定の添加割合のYb2O3粉、及びEr2O3粉を用意し、上記と同様の方法でZrO2−(Yb2O3+Er2O3)複合粉を作製し、この複合粉を用いて溶射又は電子ビーム物理蒸着を行うことで、ボンドコート層上にYb2O3及びEr2O3により安定化されたジルコニア層を形成することができる。
気孔率が1%未満では、緻密であるためヤング率が高くなり、熱応力が高くなった場合に剥離が生じやすくなる。また、気孔率が30%を超えると、ボンドコートとの密着性が不足し、耐久性が低下する場合がある。
溶射電流は、例えば、通常の600(A)から400(A)に低下することにより気孔率を5%程度から8%程度にまで増加できる。また、電流を増加することにより気孔率を低下することもできる。
プラズマガス流は、例えば、通常のAr/H2量である35/7.4(l/min)から37.3/5.1(l/min)に水素流量割合を増加することにより、気孔率を5%程度から8%程度にまで増加できる。また、水素量を増加すると、気孔率を低下することができる。
溶射距離は、例えば、通常の150mmから210mmに増加させることにより、気孔率を5%程度から8%にまで増加できる。また、溶射距離を短くすることにより、気孔率を低下させることも可能である。更に、これらの組み合わせにより、気孔率を1%程度から最大30%程度の気孔率まで可変することができる。
耐熱基材やボンドコート層に比して熱膨張係数の小さいジルコニア含有層は、タービンの発停等に伴う熱サイクルが印加された際に、耐熱基材やボンドコート層との熱膨張係数の差による応力が作用するが、縦割れがその幅を拡大又は縮小することによりジルコニア含有層に作用する応力を緩和するようになっている。
従って、熱サイクルに伴う膨張収縮による応力はジルコニア含有層自体にはほとんど作用せず、部分安定化ジルコニア含有層の剥離が極めて起こり難くなり、熱サイクル耐久性に優れる。
ジルコニア含有層に生じた亀裂は、従来の構成の遮熱コーティング材においては、ジルコニア含有層に剥離を生じさせる原因となっていたが、本発明よるジルコニア含有層に導入された縦割れは、剥離の原因とはならない。これは、縦割れと、熱サイクルにより生じたジルコニア含有層の亀裂とでは、その周辺の結晶組織が異なることによる。すなわち、熱サイクルにより生じる亀裂は、高温中でZrO2の結晶相がt’相(準安定正方晶相)からt相(正方晶相)及びC相(立方晶)へ変化し、遮熱コーティング材の温度が低下した場合に高温相において安定であるt相が温度の低下によりm相(単斜晶相)及びC相(立方晶)となり、m相が生成される際に体積変化が生じる。この体積変化により形成された亀裂の周辺部には、m相が観測される。従って、熱サイクルによりm相とt相との相転移が繰り返されるため、亀裂は徐々に進展し、最終的にはジルコニア含有層を剥離させる。
これに対して、本発明によりジルコニア含有層に導入される縦割れにおいては、その周辺部にm相がほとんど存在しないため、熱サイクル中にジルコニア含有層内で相転移に伴う体積変化がほとんどなく、熱サイクルに伴う温度変化により縦割れが進展することはほとんどない。従って、この縦割れの導入によりジルコニア含有層の寿命が短くなることはないものと考えられる。
縦割れの延在方向の好ましい範囲は、ジルコニア含有層の膜面の法線方向に対して±20°以内の範囲である。
溶射法により縦割れを備えたジルコニア含有層を形成する場合、溶射距離(溶射ガンと耐熱基材との距離)を従来ジルコニア含有層の成膜に用いられていた溶射距離の1/4〜2/3程度にまで近づけるか、あるいは、溶射距離は従来と同程度とし、溶射ガンに入力する電力を従来用いられていた電力の2倍〜25倍程度にまで高めることによりジルコニア含有層に縦割れを導入することができる。すなわち、溶射によりボンドコート層を有する耐熱基材に飛来する溶融又は半溶融状態の粒子の温度を高くすることで、耐熱基材上で急冷凝固される際の温度勾配を大きくし、凝固時の収縮により縦割れを導入することができる。この方法によれば、溶射距離及び/又は溶射ガンへの入力電力を調整することで、容易に縦割れの間隔や頻度(縦割れの面積密度)を制御することができ、所望の特性を備えたジルコニア含有層を形成することができる。これにより、優れた耐剥離性、熱サイクル耐久性を備えた遮熱コーティング部材を容易に形成することができる。
電子ビーム物理蒸着法により縦割れを備えたジルコニア含有層を形成する場合は、例えば、アルデンヌ社製電子ビーム蒸着装置(例えば、TUBA150)を用いて、上述のインゴットをターゲット材料に用い、電子ビーム出力50kW、雰囲気10−4torrの減圧環境、耐熱基材温度1,000℃の代表的条件で、縦割れを備えたジルコニア含有層を容易に形成することができる。
第1の実施形態は、一般式A2Zr2O7で表されるセラミックスを用いて焼結体を作成するものである。一般式A2Zr2O7で表されるセラミックスとしては、Sm2Zr2O7が好ましい。後述の実験例に示すように、800℃以上では熱伝導率が非常に低くなるためである。焼結体は、好ましくはガスタービン部品に用いられる。
一般式A2Zr2O7で表されるセラミックスを用いることにより、YSZと略同等な線膨張率でありながら、YSZに比べて低熱伝導率となる。例えば、YSZ溶射被膜の熱伝導率は0.74〜2.02W/mKであるが、A2Zr2O7では、通常0.3〜1.15W/mKである。
第2の実施形態によれば、低熱伝導の遮熱コーティング部材が得られる。
第3の実施形態によれば、ポーラスなジルコニア含有層とセラミックス層により遮熱性が良好であり、コスト的にも有利である。ジルコニア含有層の靱性も期待できる。
第4の実施形態によれば、ポーラスなセラミックス層により遮熱の効果が得られ、ジルコニア含有層の縦割れ組織により熱サイクル耐久性が得られる。ジルコニア含有層の靱性も期待できる。
第5の実施形態によれば、セラミックス層の縦割れ組織により熱サイクル耐久性が向上される。
第6の実施形態によれば、ジルコニア含有層とセラミックス層の縦割れ組織により熱サイクル耐久性が強化され、ジルコニア含有層の靱性も期待できる。
第7の実施形態によれば、セラミックス層の柱状組織の存在により熱サイクル耐久性を向上できる。この場合、熱伝導率は溶射コーティングに比べ劣るが、EB−PVDによって得られるYSZに比べると、20%以上熱伝導率を低減できる。
本発明の遮熱コーティング部材は、ガスタービンに限らず、デーゼルエンジンのピストンクラウンや、ジェットエンジン部品等にも適用可能である。
実施例1〜2
バルク体での熱伝導率を調査するため、A2Zr2O7のうちSm2Zr2O7、Gd2Zr2O7又はDy2Zr2O3焼結体を、ZrO2粉(日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2)とともにSm2O3粉、Gd2O3粉又はDy2O3(日本イットリウム製微粉3CシリーズSm2O3粉、Gd2O3粉又はDy2O3粉)を原料とし、常圧焼結法により、焼結温度1600℃、焼結時間を5時間として製作した。その後、1mm程度の寸法に切り出し、焼結体での熱伝導率をJIS R1611で規定されるレーザーフラッシュ法により測定した。その結果を図10に示す。
バルク体での比較のため、Y2O3を8重量%含有するYSZ焼結体を実施例1と同様な方法により焼結温度1600℃で製作した。その後、1mm程度の寸法に切り出し、焼結体での熱伝導率をJIS R1611で規定されるレーザーフラッシュ法により測定した。その結果を図10に示す。図10によれば、A2Zr2O7の結晶構造を持つ材料は、いずれもYSZに比べて熱伝導率が低く、25%以上低減されていることがわかる。
試料を作製し、熱サイクル寿命の測定を行った。耐熱基材としてNi基耐熱合金を用いたが、その合金組成は、16重量%のCr、8.5重量%のCo、1.75重量%のMo、2.6重量%のW、1.75重量%のTa、0.9重量%のNb、3.4重量%のAl、3.4重量%のTi、及び残部Niであった。耐熱基材の寸法は、厚さ5mmで、直径30mmの円板とした。
耐熱基材の表面をAl2O3粒でグリッドブラストした後、その上に32重量%のNi、21重量%のCr、8重量%のAl、0.5重量%のY、及び残部Coからなる組成のCoNiCrAlY合金からなるボンドコート層を低圧プラズマ溶射法により0.1mmの厚さで形成した。
このCoNiCrAlYのボンドコート層上に、Sm2Zr2O7又はGd2Zr2O7を気孔率が10%のポーラス組織となるように、大気プラズマ溶射法により0.5mmの厚さで成膜した。なお、大気圧プラズマ溶射法は、スルザーメテコ社製溶射ガン(F4ガン)を使用し、Sm2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズSm2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)又はGd2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズGd2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)の溶射粉末を用いて溶射電流600(A)、溶射距離150(mm)、粉末供給量60(g/min)、Ar/H2量;35/7.4(l/min)の条件により、気孔が含まれた成膜を行った。
成膜したトップコート層の気孔率は、断面ミクロ組織観察の結果を画像解析により、気孔部とセラミックス部とを2値化することにより求めた。
ボンドコート層の形成までは、実施例3〜4と同様であった。その後、YSZ溶射粉末(スルザーメテコ社製204NS−G、8質量%イットリアと92質量%ジルコニアの配合比)を用いて0.25mmの厚さでYSZ層を気孔率10%のポーラス組織で成膜した。気孔が含まれたYSZ層は、大気圧プラズマ溶射法により、スルザーメテコ社製溶射ガン(F4ガン)を用いて、YSZの溶射粉末を用いて溶射電流600(A)、溶射距離150(mm)、粉末供給量60(g/min)、Ar/H2量;35/7.4(l/min)の条件により成膜した。
その後、Sm2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズSm2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)又はGd2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズGd2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)を気孔率が10%のポーラス組織となるよう大気圧プラズマ溶射法で0.25mm成膜した。全体のトップコート層の膜厚は0.5mmであった。気孔が含まれたSm2Zr2O7及びGd2Zr2O7層は、スルザーメテコ社製溶射ガン(例えばF4ガン)を用いて、Sm2Zr2O7又はGd2Zr2O7の溶射粉末を用いて溶射電流600(A)、溶射距離150(mm)、粉末供給量60(g/min)、Ar/H2量;35/7.4(l/min)の条件により成膜した。
ボンドコート層の形成までは、実施例3〜4と同様であった。その後、YSZ溶射粉末(スルザーメテコ社製204NS−G、8質量%イットリアと92質量%ジルコニアの配合比)を用いて0.5mmの厚さでYSZ層を気孔率10%のポーラス組織となるように、大気圧プラズマ溶射法により成膜した。気孔が含まれたYSZ層は、大気圧プラズマ溶射法により、スルザーメテコ社製溶射ガン(F4ガン)を用いて、YSZの溶射粉末を用いて溶射電流600(A)、溶射距離150(mm)、粉末供給量60(g/min)、Ar/H2量;35/7.4(l/min)の条件により成膜した。
ボンドコート層の形成までは、実施例3〜4と同様であった。その後、YSZ溶射粉末(スルザーメテコ社製204NS−G、8質量%イットリアと92質量%ジルコニアの配合比)を用いて0.25mmの厚さでYSZ層を高い入熱条件を用いた大気圧プラズマ溶射法により縦割れ組織で成膜した。YSZ層に縦割れの導入は、溶射距離(溶射ガンと耐熱基材との距離)を従来ジルコニア含有層の成膜に用いられていた溶射距離の150mmから50mmに近づけるか、あるいは、溶射距離は従来と同程度とし、溶射ガン電流を600(A)から700(A)に高めることにより行った。縦割れ間隔は、断面ミクロ組織観察により、0.2mmであった。
その後、Sm2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズSm2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)又はGd2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズGd2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)を気孔率が10%のポーラス組織となるよう大気圧プラズマ溶射法で0.25mm成膜した。全体のトップコートの膜厚は0.5mmであった。気孔が含まれたSm2Zr2O7及びGd2Zr2O7層は、スルザーメテコ社製溶射ガン(F4ガン)を用いて、Sm2Zr2O7又はGd2Zr2O7の溶射粉末を用いて溶射電流600(A)、溶射距離150(mm)、粉末供給量60(g/min)、Ar/H2量;35/7.4(l/min)の条件により成膜した。
ボンドコート層の形成までは、実施例3〜4と同様であった。その後、Sm2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズSm2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)又はGd2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズGd2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)を用いて0.5mmの厚さでSm2Zr2O7層又はGd2Zr2O7層を高い入熱条件を用いた大気圧プラズマ溶射法により縦割れ組織で成膜した。Sm2Zr2O7層又はGd2Zr2O7層への縦割れの導入は、溶射距離(溶射ガンと耐熱基材との距離)を従来ジルコニア含有層の成膜に用いられていた溶射距離の150mmから100mmに近づけるか、あるいは、溶射距離は従来と同程度とし、溶射ガン電流を600(A)から650(A)に高めることにより行った。縦割れ間隔は、断面ミクロ組織観察により、0.2mmであった。
ボンドコート層の形成までは、実施例3〜4と同様であった。その後、YSZ溶射粉末(スルザーメテコ社製204NS−G、8質量%イットリアと92質量%ジルコニアの配合比)を用いて0.25mmの厚さでYSZ層を高い入熱条件を用いた大気圧プラズマ溶射法により縦割れ組織で成膜した。YSZ層に縦割れの導入は、溶射距離(溶射ガンと耐熱基材との距離)を従来ジルコニア含有層の成膜に用いられていた溶射距離の150mmから50mmに近づけるか、あるいは、溶射距離は従来と同程度とし、溶射ガン電流を600(A)から700(A)に高めることにより行った。縦割れ間隔は、断面ミクロ組織観察により、0.2mmであった。
その後、Sm2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズSm2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)又はGd2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズGd2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)を用いてSm2Zr2O7層もしくはGd2Zr2O7層を同様に高い入熱条件を用いた大気圧プラズマ溶射法により0.25mmの厚さで縦割れ組織で成膜した。Sm2Zr2O7層又はGd2Zr2O7層への縦割れの導入は、溶射距離(溶射ガンと耐熱基材との距離)を従来ジルコニア含有層の成膜に用いられていた溶射距離の150mmから100mmに近づけるか、あるいは、溶射距離は従来と同程度とし、溶射ガン電流を600(A)から650(A)にまで高めることにより行った。縦割れ間隔は、断面ミクロ組織観察により、0.2mmであった。全体のトップコートの膜厚は0.5mmであった。
ボンドコート層の形成までは、実施例3〜4と同様であった。その後、YSZ溶射粉末(スルザーメテコ社製204NS−G、8質量%イットリアと92質量%ジルコニアの配合比)を用いて0.5mmの厚さでYSZ層を高い入熱条件を用いた大気圧プラズマ溶射法により縦割れ組織で成膜した。YSZ層に縦割れの導入は、溶射距離(溶射ガンと耐熱基材との距離)を従来ジルコニア含有層の成膜に用いられていた溶射距離の150mmから50mmに近づけるか、あるいは、溶射距離は従来と同程度とし、溶射ガン電流を600(A)から700(A)にまで高めることにより行った。縦割れ間隔は、断面ミクロ組織観察により、0.2mmであった。
ボンドコート層の形成までは、実施例3〜4と同様であった。その後、0.5mmの厚さでSm2Zr2O7層又はGd2Zr2O7層を電子ビーム物理蒸着法により柱状組織で成膜した。電子プラズマ物理蒸着法は、アルデンヌ社製電子ビーム蒸着装置(例えば、TUBA150)を用いて、Sm2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズSm2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)又はGd2Zr2O7(日本イットリウム製微粉3CシリーズGd2O3と日本イットリウム製微粉TZ−0であるZrO2を用いて粉末混合法により合成)の焼結インゴットをターゲット材料に用い、電子ビーム出力50kW、雰囲気10−4torrの減圧環境、耐熱基材温度1,000℃の条件で行った。柱状晶は、直径が50μm以下の柱状晶であった。
ボンドコート層の形成までは、実施例3〜4と同様であった。その後、0.5mmの厚さでYSZを電子ビーム物理蒸着法により柱状晶組織で成膜した。電子プラズマ物理蒸着法は、アルデンヌ社製電子ビーム蒸着装置(例えば、TUBA150)を用いて、YSZ粉(スルザーメテコ社製204NS−G、8質量%イットリアと92質量%ジルコニアの配合比)を1600℃で5時間の条件で常圧焼結したインゴットをターゲット材料に用い、電子ビーム出力50kW、雰囲気10−4torrの減圧環境、耐熱基材温度1,000℃の条件で行った。柱状晶は、直径が50μm以下の柱状晶であった。
以上により得られた各試料について熱伝導率の測定を行った。熱伝導率は、JIS R 1611に規定されるレーザーフラッシュ法により測定した。
以上により得られた各試料について熱サイクル耐久性の評価を行った。図11は、本実施例において熱サイクル耐久性の評価に用いたレーザ式熱サイクル試験装置の模式断面図である。この図に示すレーザ式熱サイクル試験装置は、本体部133上に配設された試料ホルダ132に、耐熱基材131A上に遮熱コーティング膜131Bが形成された試料131を、遮熱コーティング膜131Bが外側となるように配置し、この試料131に対して炭酸ガスレーザ装置130からレーザ光Lを照射することで試料131を、遮熱コーティング膜131B側から加熱するようになっている。また、レーザ装置130による加熱と同時に本体部133を貫通して本体部133の内部の試料131裏面側と対向する位置に配設された冷却ガスノズル134の先端から吐出されるガス流Fにより試料131をその裏面側から冷却するようになっている。
従って、例えば、遮熱コーティング膜131Bの表面を1200℃以上の高温とし、遮熱コーティング膜131Bと耐熱基材131Aとの界面の温度を800〜1000℃とすることで、実機ガスタービンと同様の温度条件とすることができる。なお、本試験装置による加熱温度と温度勾配は、レーザ装置130の出力とガス流Fとを調整することで、容易に所望の温度条件とすることができる。
22 ボンドコート層
24 セラミックス層
24P 気孔
31 耐熱基材
32 ボンドコート層
33 ジルコニア含有層
33P 気孔
34 セラミックス層
34P 気孔
41 耐熱基材
42 ボンドコート層
43 ジルコニア含有層
43C 縦割れ
44 セラミックス層
44P 気孔
51 耐熱基材
52 ボンドコート層
54 セラミックス層
54C 縦割れ
61 耐熱基材
62 ボンドコート層
63 ジルコニア含有層
63C 縦割れ
64 セラミックス層
64C 縦割れ
71 耐熱基材
72 ボンドコート層
74 セラミックス層
74L 柱状晶
140 動翼(タービン部材)
141 タブテイル
142 プラットフォーム
143 翼部
150 静翼(タービン部材)
151 内シュラウド
152 外シュラウド
153 翼部
154 冷却孔
155 スリット
160 ガスタービン
161 圧縮機
162 タービン
163 燃焼器
164 主軸
165 回転軸
130 CO2レーザ装置
131 試料
131A 耐熱基材
131B 遮熱コーティング膜
132 試料ホルダ
133 本体部
134 冷却ガスノズル
Claims (18)
- Sm2Zr2O7を含んでなる、耐熱基材を対象とする遮熱コート材料。
- 上記耐熱基材が、ガスタービン用部品に用いられる基材である請求項1に記載の遮熱コート材料。
- Sm2Zr2O7又はGd2Zr2O7の焼結体を含んでなる遮熱部材。
- 耐熱基材と、該耐熱基材上に形成されたボンドコート層と、該ボンドコート層上に形成されたセラミックス層とを含んでなる遮熱コーティング部材であって、該セラミックス層がSm2Zr2O7を含む遮熱コーティング部材。
- 耐熱基材と、該耐熱基材上に形成されたボンドコート層と、該ボンドコート層上に形成されたセラミックス層とを含んでなる遮熱コーティング部材であって、該セラミックス層が一般式A2Zr2O7(式中、Aは希土類元素を表す。)で表されるセラミックスを含み気孔率1〜30%を有する遮熱コーティング部材。
- 耐熱基材と、該耐熱基材上に形成されたボンドコート層と、該ボンドコート層上に形成されたセラミックス層とを含んでなる遮熱コーティング部材であって、該セラミックス層が一般式A2Zr2O7(式中、Aは希土類元素を表す。)で表されるセラミックスを含み厚さ方向に該耐熱基材上のボンドコート層以外の全層の厚さの5〜100%の間隔で縦割れを有する遮熱コーティング部材。
- 耐熱基材と、該耐熱基材上に形成されたボンドコート層と、該ボンドコート層上に形成されたセラミックス層とを含んでなる遮熱コーティング部材であって、該セラミックス層が一般式A2Zr2O7(式中、Aは希土類元素を表す。)で表される柱状晶である遮熱コーティング部材。
- 上記Aが、LaとNdとSmとGdとDyとErとYbとLuからなる一群から選ばれる請求項5〜7のいずれかに記載の遮熱コーティング部材。
- 上記Aが、Smである請求項5〜7のいずれかに記載の遮熱コーティング部材。
- 上記ボンドコート層と上記セラミックス層との間に、気孔率1〜30%のジルコニア含有層を更に含んでなる請求項5〜9のいずれかに記載の遮熱コーティング部材。
- 上記ボンドコート層と上記セラミックス層との間に、厚さ方向に上記耐熱基材上のボンドコート層以外の全層の厚さの5〜100%の間隔で縦割れを有するジルコニア含有層を更に含んでなる請求項5〜9のいずれかに記載の遮熱コーティング部材。
- 請求項5〜9のいずれかに記載の遮熱コーティング部材を備えるガスタービン。
- 耐熱基材上にボンドコート層を形成するステップと、該ボンドコート層上にSm2Zr2O7を含むセラミックス層を形成するステップを含む遮熱コーティング部材の製造方法。
- 耐熱基材上にボンドコート層を形成するステップと、該ボンドコート層の上にA2Zr2O7(式中、Aは希土類元素を表す。)のセラミックス層を形成するステップを含む遮熱コーティング部材の製造方法。
- 上記ボンドコート層形成ステップと、上記セラミックス層形成ステップの間に、ジルコニア含有層を形成するステップを含む請求項14に記載の遮熱コーティング部材の製造方法。
- 上記セラミックス層形成ステップ、又は該当する場合にはジルコニア含有層形成ステップが、気孔を導入する段階を含む請求項14又は請求項15に記載の遮熱コーティング部材の製造方法。
- 上記セラミックス層形成ステップ、又は該当する場合にはジルコニア含有層形成ステップが、厚さ方向の縦割れを導入する段階を含む請求項14又は請求項15に記載の遮熱コーティング部材の製造方法。
- 耐熱基材上にボンドコート層を形成するステップと、該ボンドコート層の上に電子ビーム物理蒸着法を用いて一般式A2Zr2O7(式中、Aは希土類元素を表す。)の柱状晶のセラミックス層を形成する遮熱コーティング部材の製造方法。
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