JP2006183037A - 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 - Google Patents
研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006183037A JP2006183037A JP2005338037A JP2005338037A JP2006183037A JP 2006183037 A JP2006183037 A JP 2006183037A JP 2005338037 A JP2005338037 A JP 2005338037A JP 2005338037 A JP2005338037 A JP 2005338037A JP 2006183037 A JP2006183037 A JP 2006183037A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive
- polishing
- acid
- silica sol
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 113
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 56
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 54
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 34
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 claims abstract description 18
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 13
- -1 metal compound ions Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 34
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 24
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 9
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 7
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 33
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 90
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 37
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 5
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 239000003729 cation exchange resin Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 3
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 3
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-[bis(carboxymethyl)amino]-2-hydroxypropyl]-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O WYMDDFRYORANCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N N-(2-hydroxyethyl)iminodiacetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CC(O)=O JYXGIOKAKDAARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- CKJBFEQMHZICJP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;1,3-diaminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.NCC(O)CN CKJBFEQMHZICJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N aluminum;sodium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Na+].[Al+3] ANBBXQWFNXMHLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical group [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001388 sodium aluminate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 2
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229960001124 trientine Drugs 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(2-hydroxyethyl)amino]acetic acid Chemical compound OCCN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O URDCARMUOSMFFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[bis(carboxymethyl)amino]propyl-(carboxymethyl)amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCCN(CC(O)=O)CC(O)=O DMQQXDPCRUGSQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- QJSFUOBKBXVTMN-UHFFFAOYSA-N C=C.P(O)(O)=O Chemical compound C=C.P(O)(O)=O QJSFUOBKBXVTMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 229940120146 EDTMP Drugs 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N dtpmp Chemical compound OP(=O)(O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(=O)O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O DUYCTCQXNHFCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N edtmp Chemical compound OP(O)(=O)CN(CP(O)(O)=O)CCN(CP(O)(O)=O)CP(O)(O)=O NFDRPXJGHKJRLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007518 final polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- WJLUBOLDZCQZEV-UHFFFAOYSA-M hexadecyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)C WJLUBOLDZCQZEV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N nitrilotriacetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CC(O)=O MGFYIUFZLHCRTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QVOFCQBZXGLNAA-UHFFFAOYSA-M tributyl(methyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](C)(CCCC)CCCC QVOFCQBZXGLNAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JAJRRCSBKZOLPA-UHFFFAOYSA-M triethyl(methyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(CC)CC JAJRRCSBKZOLPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】シリカ粒子を水溶液中に分散させた研磨剤を製造する方法であって、少なくとも、用意したシリカゾル中の金属化合物イオンをイオン交換により除去する工程(B)と、該イオン交換後のシリカゾルをさらに高純化する工程(D)と、該高純化されたシリカゾルにアルカリ金属水酸化物を添加する工程(F)と、該アルカリ金属水酸化物が添加されたシリカゾルに酸を添加する工程(G)とを含むことを特徴とする研磨剤の製造方法。
【選択図】図1
Description
なお、上記の各工程の他に熱処理等の工程が加わったり、工程順が入れ換えられたり、同じ工程を複数回に分けて行う場合もある。
近年ではアルミナコーティングされたシリカゾルが汎用されている。このようなアルミナコーティッドシリカゾルを含む研磨剤を製造するには、一般的に、イオン交換等により高純化したシリカゾルに対し、アルミン酸ソーダゾルを混合した後、加熱滅菌処理を行う。これによりシリカ粒子がアルミナコーティングされ、分散性の良い研磨剤が得られる。
特に、硫酸、硝酸、塩酸等の強酸を用いれば、Cu等の金属汚染を抑制する効果が加わった研磨剤を製造することができる。
このように4級アンモニウム塩、特にテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)を添加すればシリカ粒子の凝集を効果的に防ぐことができ、高純度である上、分散性が高い安定した研磨剤を製造することができる。
このように有機キレート剤、特に、ポリアミノポリカルボン酸誘導体あるいはその塩を添加すれば、研磨剤中のCu等の金属イオンを捕獲し、シリコンウエーハ等への金属汚染の抑制効果がより一層加わった研磨剤とすることができる。
すなわち、シリカゾルに対し、最初のイオン交換後、再度イオン交換を行えば、シリカゾル中に残留する金属イオン等を一層確実に除去することができ、さらに高純化させることができる。
上記のようなシリカゾルを用いれば、特にシリコンウエーハの研磨に適した研磨剤を製造し易い。
各工程において上記のようなpHに調整すれば、シリコンウエーハに対してより好適なメカノケミカル作用を有するシリカゾルを確実に製造することができる。
本発明の方法により製造された研磨剤は、シリカ粒子の表面に付着したCu等の金属不純物濃度が極めて少なく、特にシリコンウエーハ等の半導体ウエーハの研磨に適したものとなる。
本発明の方法により製造された研磨剤を用いてシリコンウエーハの研磨を行えば、シリカ粒子の表面に付着したCu等の金属不純物が極めて少なく、近年のデバイス製造における品質要求を満たす鏡面ウエーハに仕上げることができる。
本発明者らは、シリコンウエーハの研磨剤について研究を行った。
コロイダルシリカを含有する研磨剤を用いてシリコンウエーハを研磨すると、研磨剤に含まれる金属不純物によりウエーハが金属汚染される場合がある。このような金属汚染の原因として、シリカ粒子の表面に存在するCu等の金属不純物が研磨中の発熱やその他の要因によりウエーハの内部に拡散し、バルク中に取り込まれることが考えられる。
本発明者らはさらに研究を重ねたところ、研磨剤を製造する際、イオン交換等によりある程度高純化を行った後、従来のようなアルミン酸ソーダの添加及びその後の加熱滅菌処理は行わず、最終段階で酸を添加すれば、シリカ粒子の表面に付着しているCu等の金属不純物を効果的に除去することができ、シリカ粒子の変形もない高品質の研磨剤を製造することができることを見出し、本発明の完成に至った。
シリカ(SiO2)を1−6重量%含む珪酸ナトリウム水溶液に対し、脱ナトリウム処理を行う。例えば、水素型陽イオン交換樹脂を充填したカラムに上記珪酸ナトリウム水溶液を通すことにより、ナトリウムイオン等の金属イオンを除去することができる。これにより、特にアルカリ金属イオンが除かれた活性珪酸の水溶液が得られる。このときのシリカ粒子の粒径は1−5nm程度、特に2nm程度とすることが好ましい。
なお、この高純化工程後も、pH2−4の範囲内の酸性シリカゾル(II)とすることが好ましい(図1(E))。
そこで、強酸、例えば硫酸を添加すれば、硫酸はシリカ(珪酸)よりも酸性が強く、シリカ粒子の表面に吸着した金属水酸化物を剥ぎ取って強く吸着することになる。結果として強酸の添加によってシリカ粒子の表面から金属水酸化物を遠ざける効果を奏し、ウエーハに対する金属汚染を抑制することができると考えられる。
なお、上記のような4級アンモニウム塩は、前記アルカリ金属水酸化物を添加した後、酸を添加する前もしくは後で添加しても良い。
上記のような有機キレート剤も、前記硫酸等の酸とともに添加することができ、あるいは、前記アルカリ金属水酸化物を添加した後、酸を添加する前もしくは後で添加しても良い。このような有機キレート剤を添加することにより、キレート剤がCu等の金属イオンを捕獲し、ウエーハへの金属汚染を抑制することができる。
ただし、いずれにせよ、最終的に酸を添加した後のシリカゾルのpHを10−12の範囲内にすることが好ましい(図1(H))。この範囲内のアルカリ性であれば、シリコンウエーハに対して適度なエッチング性を有し、好適なメカノケミカル作用を示すものとなる。
研磨装置は特に限定されるものではなく、例えば図2に示したような片面研磨装置1を用いることができる。シリコンウエーハWの研磨を行う場合、研磨ヘッド2によりウエーハWを保持し、定盤3とヘッド2をそれぞれ所定の方向に回転させる。ノズル5から研磨剤6を所定の流量で研磨布4に供給し、ウエーハWを所定の荷重で研磨布4に押し付ける。これによりウエーハWは、研磨布4との間に研磨剤が介在した状態で研磨布4に摺接され、アルカリ性によるエッチング作用とともに、研磨剤に含まれるシリカ粒子がウエーハWの表面と接触して研磨が進行する。このとき、本発明では、上記本発明の方法により製造された研磨剤を研磨布に供給するようにする。
(実施例1)
pH10のアルカリ性シリカゾル(平均粒径:約11nm)に対し、水素型陽イオン交換樹脂を充填したカラムを用いてイオン交換を行い、さらに高純化するため再度イオン交換を行った。この2回のイオン交換によりpH2.5の酸性シリカゾルとした。次いで、高純度のNaOH水溶液を混合することによりpH12まで上昇させた後、リン酸を添加して研磨剤(pH11.5)を製造した。
このようにして製造した研磨剤を用いてシリコンウエーハの研磨を行った。シリコンウエーハは、直径200mm、結晶軸<100>、P型、抵抗率0.01〜0.1Ωcmであり、ラッピング後にエッチングしたシリコンウエーハ(CW)を用いた。研磨は、図2のような片面研磨装置を用い、1次、2次、仕上げの3工程に分けて行った。研磨代は合計10μm程度とした。
アルミナコーティングしたシリカゾルに対しイオン交換を1回行って研磨剤とした。この研磨剤を用いてシリコンウエーハの研磨を行った。研磨剤以外は実施例1と同様の条件で研磨及び洗浄を行い、その後、実施例1と同様にウエーハのバルク中のCu濃度を測定した。
実施例1及び比較例1におけるCu濃度の測定結果を表1及び図4に示した。
実施例1と同様にアルカリ性シリカゾル(平均粒径:約11nm)に対し、イオン交換を行い、さらに高純化するため再度イオン交換を行った。次いで、高純度NaOH水溶液を混合した後、硫酸を添加して研磨剤(pH11)を製造した。
この研磨剤を用いてシリコンウエーハの研磨を行った。研磨剤以外は実施例1と同様の条件で研磨及び洗浄を行い、ウエーハのバルク中のCu濃度を測定した。
実施例2で測定したバルク中のCu濃度を前記実施例1の測定結果とともに表2及び図 5に示した。
実施例2と同様のイオン交換等の工程を経て高純度NaOH水溶液を混合した後、硫酸とともにTMAHを添加して研磨剤(pH11)を製造した(実施例3)。
また、実施例3と同様の工程により硫酸とともにTMAHを添加した後、さらに有機キレート剤として2−ヒドロキシ−1,3−ジアミノプロパン4酢酸を添加して研磨剤を製造した(実施例4)。
実施例3、4の研磨剤のイオン交換の回数、添加酸、キレート剤の有無等について、比較例1の研磨剤とともに表3に示した。
図6は各研磨剤を用いた場合の研磨速度(2枚のウエーハの平均値)を示している。実施例3又は実施例4の研磨剤を用いた場合は、従来の研磨剤(比較例1)を用いた場合よりも研磨速度が20%以上向上したことがわかる。これはTMAHの添加による効果と考えられる。
図7は比較例1の平均値を1.0としたときの表面欠陥数(2枚のウエーハの平均値)を示している。実施例3及び実施例4の研磨剤を用いた場合は、研磨後のウエーハの表面欠陥密度は、従来の研磨剤(比較例1)を用いた場合の半分以下であり、特にキレート剤を添加した実施例4の研磨剤では比較例1の30%程度であった。
また、研磨対象はシリコンウエーハに限定されず、他の半導体ウエーハあるいは石英基板等、高い平坦度とともに金属汚染の防止が求められる各種精密基板の研磨に好適に使用できる。
Claims (13)
- シリカ粒子を水溶液中に分散させた研磨剤を製造する方法であって、少なくとも、用意したシリカゾル中の金属化合物イオンをイオン交換により除去する工程と、該イオン交換後のシリカゾルをさらに高純化する工程と、該高純化されたシリカゾルにアルカリ金属水酸化物を添加する工程と、該アルカリ金属水酸化物が添加されたシリカゾルに酸を添加する工程とを含むことを特徴とする研磨剤の製造方法。
- 前記酸として、強酸を用いることを特徴とする請求項1に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記アルカリ金属水酸化物を添加した後、前記酸とともに、又は、前記酸を添加する前もしくは後で、4級アンモニウム塩を添加することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記4級アンモニウム塩として、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを用いることを特徴とする請求項3に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記アルカリ金属水酸化物を添加した後、前記酸とともに、又は、前記酸を添加する前もしくは後で、有機キレート剤を添加することを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記有機キレート剤として、ポリアミノポリカルボン酸誘導体及びポリアミノポリカルボン酸誘導体の塩からなる群から選ばれる少なくとも1種を用いることを特徴とする請求項5に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記高純化工程として、イオン交換を行うことを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記用意するシリカゾルとして、pH8−13の範囲内のアルカリ性シリカゾルを用いることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記用意するシリカゾルとして、平均粒径が11−13nmの範囲内の球状シリカ粒子を含むものを用いることを特徴とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記イオン交換を行う場合、該イオン交換後のシリカゾルのpHを2−4の範囲内にすることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記酸を添加した後のシリカゾルのpHを10−12の範囲内にすることを特徴とする請求項1ないし請求項10のいずれか1項に記載の研磨剤の製造方法。
- 前記請求項1ないし請求項11のいずれか1項に記載の方法により製造された研磨剤。
- 少なくとも研磨工程を含むシリコンウエーハの製造方法において、前記研磨工程として、前記請求項1ないし11のいずれか1項に記載の方法により製造された研磨剤を用い、該研磨剤を研磨布に供給しながら前記ウエーハを前記研磨布に摺接させて研磨を行うことを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005338037A JP4852302B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-11-24 | 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004348171 | 2004-12-01 | ||
JP2004348171 | 2004-12-01 | ||
JP2005338037A JP4852302B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-11-24 | 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006183037A true JP2006183037A (ja) | 2006-07-13 |
JP4852302B2 JP4852302B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=36564971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005338037A Expired - Fee Related JP4852302B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-11-24 | 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080125016A1 (ja) |
EP (1) | EP1837901A4 (ja) |
JP (1) | JP4852302B2 (ja) |
KR (1) | KR101156722B1 (ja) |
CN (1) | CN100470731C (ja) |
WO (1) | WO2006059537A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007326916A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Nitta Haas Inc | 研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法 |
JP2009206125A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | 研磨液および研磨方法 |
EP2100666A1 (en) * | 2006-12-04 | 2009-09-16 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Method for purifying chemical added with chelating agent |
JP2013505584A (ja) * | 2009-09-16 | 2013-02-14 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | バルクシリコンの研磨組成物および方法 |
JP2013527985A (ja) * | 2010-04-16 | 2013-07-04 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | バルクシリコンの研磨組成物及び研磨方法 |
JP2015193772A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
JP2015196691A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8697576B2 (en) * | 2009-09-16 | 2014-04-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for polishing polysilicon |
CN102583406B (zh) * | 2012-01-19 | 2014-03-19 | 深圳市力合材料有限公司 | 一种高纯硅溶胶的纯化方法 |
CN113004804B (zh) * | 2021-03-01 | 2022-04-19 | 深圳清华大学研究院 | 大尺寸硅片边缘的抛光液、抛光液制备方法及抛光方法 |
CN114853025B (zh) * | 2022-04-11 | 2023-04-25 | 成都理工大学 | 一种以硅灰为原料制备高纯二氧化硅的方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49130896A (ja) * | 1973-04-23 | 1974-12-14 | ||
JPH03256665A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-11-15 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの研磨液及び研磨方法 |
JPH0597422A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-20 | Nissan Chem Ind Ltd | 高純度の水性シリカゾルの製造方法 |
JPH0616414A (ja) * | 1992-02-27 | 1994-01-25 | Nissan Chem Ind Ltd | 高純度の水性シリカゾルの製造法 |
JPH11186201A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体シリコンウエーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
JP2001072409A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-21 | Kyokado Eng Co Ltd | 高純度シリカの製造方法および利用方法 |
JP2003089786A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 研磨剤用高純度コロイダルシリカ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2508713B2 (ja) * | 1987-05-15 | 1996-06-19 | 日産化学工業株式会社 | 高純度大粒子径シリカゾルの製造法 |
DK0464289T3 (da) * | 1990-07-02 | 1995-04-03 | Nalco Chemical Co | Fremstilling af silicasoler |
JPH11302635A (ja) | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及びそれを使用した研磨方法 |
WO2000024842A1 (en) * | 1998-10-23 | 2000-05-04 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | A chemical mechanical polishing slurry system having an activator solution |
JP4132432B2 (ja) * | 1999-07-02 | 2008-08-13 | 日産化学工業株式会社 | 研磨用組成物 |
US6471735B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-29 | Air Liquide America Corporation | Compositions for use in a chemical-mechanical planarization process |
JP3494102B2 (ja) | 2000-01-26 | 2004-02-03 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハ中の金属不純物濃度評価方法 |
US6454820B2 (en) * | 2000-02-03 | 2002-09-24 | Kao Corporation | Polishing composition |
JP2001269859A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-02 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
ATE302830T1 (de) * | 2000-03-31 | 2005-09-15 | Poliermittel und verfahren zur herstellung planarer schichten | |
JP4435391B2 (ja) * | 2000-08-04 | 2010-03-17 | 扶桑化学工業株式会社 | コロイド状シリカスラリー |
US7005382B2 (en) * | 2002-10-31 | 2006-02-28 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, chemical mechanical polishing process, production process of semiconductor device and material for preparing an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
-
2005
- 2005-11-24 JP JP2005338037A patent/JP4852302B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-25 US US11/791,837 patent/US20080125016A1/en not_active Abandoned
- 2005-11-25 CN CNB200580041234XA patent/CN100470731C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-11-25 EP EP05809744A patent/EP1837901A4/en not_active Withdrawn
- 2005-11-25 KR KR1020077012359A patent/KR101156722B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-11-25 WO PCT/JP2005/021646 patent/WO2006059537A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS49130896A (ja) * | 1973-04-23 | 1974-12-14 | ||
JPH03256665A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-11-15 | Nippon Steel Corp | シリコンウェハの研磨液及び研磨方法 |
JPH0597422A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-20 | Nissan Chem Ind Ltd | 高純度の水性シリカゾルの製造方法 |
JPH0616414A (ja) * | 1992-02-27 | 1994-01-25 | Nissan Chem Ind Ltd | 高純度の水性シリカゾルの製造法 |
JPH11186201A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体シリコンウエーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
JP2001072409A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-21 | Kyokado Eng Co Ltd | 高純度シリカの製造方法および利用方法 |
JP2003089786A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 研磨剤用高純度コロイダルシリカ |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007326916A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Nitta Haas Inc | 研磨用組成物および研磨用組成物の製造方法 |
EP2100666A1 (en) * | 2006-12-04 | 2009-09-16 | Nomura Micro Science Co., Ltd. | Method for purifying chemical added with chelating agent |
EP2100666A4 (en) * | 2006-12-04 | 2013-03-27 | Nomura Micro Science Kk | PROCESS FOR PURIFYING A CHEMICAL ADDITIONED WITH A CHELATING AGENT |
JP2009206125A (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-10 | Fujifilm Corp | 研磨液および研磨方法 |
JP2013505584A (ja) * | 2009-09-16 | 2013-02-14 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | バルクシリコンの研磨組成物および方法 |
KR101503127B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2015-03-16 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 벌크 규소를 연마하기 위한 조성물 및 방법 |
JP2013527985A (ja) * | 2010-04-16 | 2013-07-04 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | バルクシリコンの研磨組成物及び研磨方法 |
JP2015193772A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
JP2015196691A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
US10077380B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-09-18 | Nitta Haas Incorporated | Polishing composition |
US10344184B2 (en) | 2014-03-31 | 2019-07-09 | Nitta Haas Incorporated | Polishing composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100470731C (zh) | 2009-03-18 |
EP1837901A4 (en) | 2011-07-27 |
KR20070085597A (ko) | 2007-08-27 |
KR101156722B1 (ko) | 2012-06-14 |
CN101069271A (zh) | 2007-11-07 |
WO2006059537A1 (ja) | 2006-06-08 |
EP1837901A1 (en) | 2007-09-26 |
US20080125016A1 (en) | 2008-05-29 |
JP4852302B2 (ja) | 2012-01-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4852302B2 (ja) | 研磨剤の製造方法及びそれにより製造された研磨剤並びにシリコンウエーハの製造方法 | |
KR101092884B1 (ko) | 웨이퍼 연마방법 | |
TWI718998B (zh) | 研磨用組成物 | |
US7452481B2 (en) | Polishing slurry and method of reclaiming wafers | |
KR102346305B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼의 연마방법 | |
US20110223840A1 (en) | Polishing Composition and Polishing Method Using The Same | |
JP5967370B2 (ja) | シリコンウェーハ用研磨組成物及びシリコンウェーハの研磨方法 | |
US20080038996A1 (en) | Polishing composition for semiconductor wafer, production method thereof, and polishing method | |
JP2010034509A (ja) | 半導体用濡れ剤、それを用いた研磨用組成物および研磨方法 | |
JP2008532329A (ja) | シリコンウエハの表面品質を改善する研磨用スラリー組成物、及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法 | |
JP2012079964A (ja) | 半導体ウェーハ用研磨液組成物 | |
JP2005347737A (ja) | シリコンウェハー用研磨組成物 | |
WO2013073025A1 (ja) | 半導体ウェーハ用研磨液組成物 | |
KR102612276B1 (ko) | 실리콘 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 | |
JP5598607B2 (ja) | シリコンウェーハの研磨方法及び研磨剤 | |
JPWO2019043890A1 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
JP6747376B2 (ja) | シリコンウエーハの研磨方法 | |
EP3916061A1 (en) | Cation-containing polishing composition for eliminating protrusions at periphery of laser mark | |
JP5803601B2 (ja) | 研磨スラリーの供給方法及び供給装置、並びに研磨装置 | |
WO2012176377A1 (ja) | シリコンウェーハの研磨方法 | |
WO2023063213A1 (ja) | シリコンウェハーの1次研磨後に用いられる後研磨用組成物 | |
JP2011129569A (ja) | 半導体ウェーハ製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111024 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4852302 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |