JP2006146233A - プラズマディスプレイ装置及びその駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高温環境下で安定した放電を行い、1つ以上の走査タイプで走査してドライバ集積回路の電気的ダメージを防止するプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】プラズマディスプレイ装置は、複数の走査電極と、複数の維持電極と、走査電極及び維持電極に交差する複数のデータ電極と、を備えるPDPと、サブフィールドでは、アドレス期間中に、走査電極を走査する順序の異なるいずれかの走査タイプで走査電極を走査し、1つの走査タイプに対応してデータパルスをデータ電極に印加し、アドレス期間以後の維持期間中に、走査電極または維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くする制御部とを含む。
【選択図】図9a
【解決手段】プラズマディスプレイ装置は、複数の走査電極と、複数の維持電極と、走査電極及び維持電極に交差する複数のデータ電極と、を備えるPDPと、サブフィールドでは、アドレス期間中に、走査電極を走査する順序の異なるいずれかの走査タイプで走査電極を走査し、1つの走査タイプに対応してデータパルスをデータ電極に印加し、アドレス期間以後の維持期間中に、走査電極または維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くする制御部とを含む。
【選択図】図9a
Description
本発明は、プラズマ表示装置に係り、特に、複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極を走査し、走査電極または維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスを制御するプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法に関する。
一般に、プラズマディスプレイパネルは、前面基板と背面基板との間に形成された隔壁が1つの単位セルをなし、各セル内にはネオン(Ne)、ヘリウム(He)またはネオン及びヘリウムの混合ガス(Ne+He)のような主放電気体と、少量のキセノンを含む不活性ガスとが充填されている。高周波電圧によって放電が行われると、不活性ガスは真空紫外線を発生させ、隔壁間に形成された蛍光体を発光させて画像を実現する。このようなプラズマディスプレイパネルは薄くて軽いので、次世代表示装置として脚光を浴びている。
図1は、一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示す図である。
図1に示すように、プラズマディスプレイパネルは、画像が表示される表示面としての前面基板ガラス101上に対をなす走査電極102及び維持電極103よりなる複数の維持電極対が配列された前面基板100と、背面を形成する背面ガラス111上に複数の維持電極対と交差する方向に複数のアドレス電極113が配列された背面基板110と、を備える。前面基板100と背面基板110は、一定の間隔をおいて平行に配置される。
図1に示すように、プラズマディスプレイパネルは、画像が表示される表示面としての前面基板ガラス101上に対をなす走査電極102及び維持電極103よりなる複数の維持電極対が配列された前面基板100と、背面を形成する背面ガラス111上に複数の維持電極対と交差する方向に複数のアドレス電極113が配列された背面基板110と、を備える。前面基板100と背面基板110は、一定の間隔をおいて平行に配置される。
前面基板100は、一つの放電セルで相互放電を起こしかつセルの発光を維持するための走査電極102及び維持電極103を備える。この走査電極102及びサステイン電極103のそれぞれは、透明なインジウムスズ酸化物(ITO)よりなる透明電極aと、金属よりなるバス電極bとからなる。前記走査電極102及び維持電極103は放電電流を制限し、電極対間を絶縁する1以上の上部誘電体層104によって覆われる。上部誘電体層104上に、放電条件を容易に実現するための酸化マグネシウム(MgO)が蒸着された保護層105が形成される。
背面基板110には、複数の放電空間、すなわち放電セルを形成するためのストライプタイプ(またはウェルタイプ)の隔壁112が並列に配列される。また、アドレス放電を行い真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極113が、隔壁112に対して並んで配置される。背面基板110の上面にはサステイン放電時に画像を表示するための可視光を放出するR,G,B蛍光体114が塗布される。アドレス電極113と蛍光体114との間には、アドレス電極113を保護するための下部誘電体層115が形成される。
このような構造のプラズマディスプレイパネルは、電極がマトリックス状に形成される。 これを図2を参照して説明すると、次のとおりである。
図2は、従来の3電極交流面放電型プラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」という)の電極配置を概略的に示す。
図2は、従来の3電極交流面放電型プラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」という)の電極配置を概略的に示す。
図2を参照すれば、従来の3電極交流面放電型PDPは、上板に形成された走査電極Y1〜Yn及び維持電極Zと、下板に形成されて走査電極Y1〜Yn及び維持電極Zと直交するアドレス電極X1〜Xmと、を備える。
走査電極Y1〜Yn、維持電極Z及びアドレス電極X1〜Xmの交差部には、赤色、緑及び青色のうちいずれか1つを表示するための放電セル200がマトリックス状に配置される。
走査電極Y1〜Yn、維持電極Z及びアドレス電極X1〜Xmの交差部には、赤色、緑及び青色のうちいずれか1つを表示するための放電セル200がマトリックス状に配置される。
走査電極Y1〜Ynと維持電極Zが形成された上板上に、図示しない誘電体層とMgO保護層が積層される。
隣接した放電セル200間に光学的、電気的混乱を防止するための隔壁が、アドレス電極X1〜Xmを形成した下板上に形成する。下板と隔壁表面には、紫外線によって励起されて可視光を放出する蛍光体が形成される。
隣接した放電セル200間に光学的、電気的混乱を防止するための隔壁が、アドレス電極X1〜Xmを形成した下板上に形成する。下板と隔壁表面には、紫外線によって励起されて可視光を放出する蛍光体が形成される。
このようなPDPの上板と下板との間に設けられた放電空間には、He+Xe、Ne+Xe、He+Xe+Neのような不活性混合ガスが注入される。
このようなプラズマディスプレイ装置における画像階調を実現する方法は、図3のとおりである。
このようなプラズマディスプレイ装置における画像階調を実現する方法は、図3のとおりである。
図3は、従来のプラズマディスプレイ装置の画像階調を実現する方法を示す図である。
図3に示すように、従来のプラズマディスプレイ装置における画像階調の表現方法では、1フレームを発光回数の異なる複数のサブフィールドに分け、さらに各サブフィールドを放電セルを初期化するさせるためのリセット期間(RPD)と、放電するセルを選択するためのアドレス期間(APD)と、放電回数によって階調を実現するサステイン期間(SPD)と分けられる。例えば、256階調で画像を表示しようとする場合、1/60秒に該当するフレーム期間(16.67ms)は、8つのサブフィールド(SF1〜SF8)に分けられ、さらに8つのサブフィールド(SF1〜SF8)のそれぞれは、リセット期間とアドレス期間とサステイン期間とに分けられる。
図3に示すように、従来のプラズマディスプレイ装置における画像階調の表現方法では、1フレームを発光回数の異なる複数のサブフィールドに分け、さらに各サブフィールドを放電セルを初期化するさせるためのリセット期間(RPD)と、放電するセルを選択するためのアドレス期間(APD)と、放電回数によって階調を実現するサステイン期間(SPD)と分けられる。例えば、256階調で画像を表示しようとする場合、1/60秒に該当するフレーム期間(16.67ms)は、8つのサブフィールド(SF1〜SF8)に分けられ、さらに8つのサブフィールド(SF1〜SF8)のそれぞれは、リセット期間とアドレス期間とサステイン期間とに分けられる。
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は、各サブフィールド毎に同一である。放電するセルを選択するためのアドレス放電は、アドレス電極と走査電極の透明電極との間の電圧差により生じる。維持期間は、図3に示すように、各サブフィールドで2n(ただし、n=0,1,2,3,4,5,6,7)の割合で増加する。このように各サブフィールドで維持期間が変わるので、各サブフィールドの維持期間、すなわち維持放電回数を調節することにより画像の階調を表現する。
図4は、プラズマディスプレイパネルの等価キャパシタンスCについて説明するための図である。
図4を参照すれば、プラズマディスプレイパネルの等価キャパシタンスCは、X1データ電極とX2データ電極間等のデータ電極間の等価キャパシタンスCm1と、X1データ電極とY1走査電極間等のデータ電極と走査電極間の等価キャパシタンスCm2と、X1データ電極とZ1維持電極間等のデータ電極と維持電極間の等価キャパシタンスCm2と、を含む。
図4を参照すれば、プラズマディスプレイパネルの等価キャパシタンスCは、X1データ電極とX2データ電極間等のデータ電極間の等価キャパシタンスCm1と、X1データ電極とY1走査電極間等のデータ電極と走査電極間の等価キャパシタンスCm2と、X1データ電極とZ1維持電極間等のデータ電極と維持電極間の等価キャパシタンスCm2と、を含む。
一方、アドレス期間で走査電極Yに走査パルスを印加して走査電極Yを駆動するための、走査ドライブ集積回路等のドライブ集積回路と、アドレス期間でデータ電極Xにデータパルスを印加してデータ電極Xを駆動するための、データドライバ集積回路等のドライブ集積回路とに含まれるスイッチング素子の動作により、走査電極Yまたはデータ電極Xに印加される電圧の状態が変わることから、等価キャパシタンスCm1と等価キャパシタンスCm2によって発生した変位電流(displacement current)Idが、データ電極Xを介してデータドライバ集積回路に流れる。
上記のように、プラズマディスプレイパネルの等価キャパシタンスが増加すれば、データドライバ集積回路に流れる変位電流Id量が増加し、データドライバ集積回路のスイッチング回数が増加すれば、変位電流Id量が増加する。このとき、前記データドライバ集積回路のスイッチング回数は入力される映像データによって変わる。
特に、映像データが論理値1と0を繰り返すなどの特定のパターンである場合、データドライバ集積回路に流れる変位電流量が過剰になり、このため、データドライバー集積回路が焼ききれてしまうなどの電気的ダメージを被るという問題点がある。
図5は、通常のプラズマディスプレイパネルの駆動波形の一例を示す波形図であり、図6a〜図6eは、図5の如き駆動波形によって変わる放電セル内の壁電荷分布を段階的に示す図である。
図5の駆動波形について図6a〜図6eの壁電荷分布に関連付けて説明する。
図5の駆動波形について図6a〜図6eの壁電荷分布に関連付けて説明する。
図5を参照すれば、それぞれのサブフィールドSFn−1,SFnは、全画面の放電セルを初期化するためのリセット期間RPと、放電セルを選択するためのアドレス期間APと、選択済み放電セルの放電を維持させるための維持期間SPと、放電セル内の壁電荷を消去するための消去期間EPと、を含む。
n−1番目サブフィールドSFn−1の消去期間EPには、維持電極Zに消去ランプ波形ERRが印加される。この消去期間EPにおいて、走査電極Yとアドレス電極Xには、0Vが印加される。消去ランプ波形ERRは、電圧が0Vから正の維持電圧Vsまで次第に立ち上がる正ランプ波形である。この消去ランプ波形ERRによって維持放電が生じたオンセル(on-cells)内で、走査電極Yと維持電極Zとの間で消去放電が起こる。この消去放電によってオンセル内の壁電荷が消去される。その結果、各放電セルは、消去期間EPの直後に図6aのような壁電荷分布を有するようになる。
n番目サブフィールドSFnが始まるリセット期間RPのセットアップ期間SUには、すべての走査電極Yに正ランプ波形PRが印加され、維持電極Zとアドレス電極Xに、0Vが印加される。セットアップ期間UPの正ランプ波形PRにより、走査電極Y上の電圧は、正の維持電圧Vsからそれより高いリセット電圧Vrまで次第に上昇する。この正ランプ波形PRにより、全画面の放電セル内で走査電極Yとアドレス電極Xとの間で、光がほとんど発生しない暗放電が発生すると共に、走査電極Yと維持電極Zとの間でも、暗放電が生じる。このような暗放電の結果、セットアップ期間SU直後に、図6bのように、アドレス電極Xと維持電極Z上に、正の壁電荷が残留し、走査電極Y上に、負の壁電荷が残留する。セットアップ期間SUにおいて、暗放電が発生する間、走査電極Yと維持電極Zとの間のギャップ電圧(Vg)と、走査電極Yとアドレス電極Xとの間のギャップ電圧とは、放電を起こせる放電点火電圧(Vf)に近い電圧に初期化される。
セットアップ期間SUに次いで、リセット期間RPのセットダウン期間SDにおいて、負ランプ波形NRが走査電極Yに印加される。同時に、維持電極Zに、正の維持電圧Vsが印加され、アドレス電極Xに、0Vが印加される。負ランプ波形NRにより、走査電極Y上の電圧は、正の維持電圧Vsから負の消去電圧Veまで次第に低下する。この負ランプ波形NRにより、全画面の放電セル内において、走査電極Yとアドレス電極Xとの間で暗放電が発生すると共に、走査電極Yと維持電極Zとの間でも暗放電が生じる。このセットダウン期間SDの暗放電の結果、各放電セル内の壁電荷分布は、図6cのように、最適のアドレス条件に変わる。このとき、各放電セル内において、走査電極Yとアドレス電極X上に、アドレス放電に不要な余剰壁電荷が消去され、所定量の壁電荷が残留する。そして、維持電極Z上の壁電荷は、走査電極Yから移動される負の壁電荷が蓄積されるにつれて、その極性が正負に変わる。リセット期間RPのセットダウン期間SDにおいて、暗放電が発生する間、走査電極Yと維持電極Zとの間のギャップ電圧と、走査電極Yとアドレス電極Xとの間のギャップ電圧とは、放電点火電圧Vfに近づく。
アドレス期間APにおいて、負の走査パルス(−SCNP)が走査電極Yに順次に印加されると共に、その走査パルス(−SCNP)に同期して、アドレス電極Xに正のデータパルスDPが印加される。走査パルス(−SCNP)の電圧は、0Vやそれに近い負の走査バイアス電圧Vybから負の走査電圧(−Vy)まで低くなる走査電圧Vscである。データパルスDPの電圧は、正のデータ電圧Vaである。このアドレス期間APにおいて、維持電極Zに、正極性維持電圧Vsよりも低い正のZバイアス電圧Vzbが印加される。リセット期間RP直後に、ギャップ電圧が放電点火電圧Vf近くに調整された状態で、走査電圧Vscとデータ電圧Vaが印加されるオンセル内では、走査電極Yとアドレス電極Xとの間のギャップ電圧が、放電点火電圧Vfを超過することにより、その電極Y,Xの間でアドレス放電が発生する。走査電極Yとアドレス電極Xとの間で生じる1次アドレス放電は、放電セル内のプライミング(priming)荷電粒子を発生させて、図6dのように走査電極Yと維持電極Zとの間における2次放電を誘導する。アドレス放電が発生したオンセル内における壁電荷分布は、図6eのとおりである。
一方、アドレス放電が発生しないオフセル内における壁電荷分布は、実質的に図6cの状態を維持する。
維持期間SPには、走査電極Yと維持電極Zに正極性維持電圧Vsの維持パルスSUSPが、交互に印加される。すると、アドレス放電によって選択されたオンセルは、図6eの壁電荷分布の助けを借りて、維持パルスSUSP毎に走査電極Yと維持電極Zとの間で維持放電が起こる。これに対し、オフセルでは、維持期間中に放電が起こらない。これは、オフセルの壁電荷分布が図6cの状態に保持されて、最初の正の維持電圧Vsが走査電極Yに印加されるとき、走査電極Yと維持電極Zとの間のギャップ電圧が、放電点火電圧Vfを超過することができないからである。
維持期間SPには、走査電極Yと維持電極Zに正極性維持電圧Vsの維持パルスSUSPが、交互に印加される。すると、アドレス放電によって選択されたオンセルは、図6eの壁電荷分布の助けを借りて、維持パルスSUSP毎に走査電極Yと維持電極Zとの間で維持放電が起こる。これに対し、オフセルでは、維持期間中に放電が起こらない。これは、オフセルの壁電荷分布が図6cの状態に保持されて、最初の正の維持電圧Vsが走査電極Yに印加されるとき、走査電極Yと維持電極Zとの間のギャップ電圧が、放電点火電圧Vfを超過することができないからである。
ところが、従来のプラズマ表示装置は、n−1番目サブフィールドSFn−1の消去期間EPとn番目のサブフィールドSFnのリセット期間RPを経ながら、放電セルの初期化と壁電荷制御のために多数の放電が起きるので、暗室コントラスト値が低くなり、このため、コントラスト比が低下するという不具合がある。
また、従来のプラズマ表示装置では、n−1番目サブフィールドSFn−1の消去期間EPにおいて壁電荷が十分に消去できずに走査電極Y上に負の壁電荷が余剰蓄積される場合、n番目サブフィールドSFnのセットアップ期間SUにおいて、暗放電が発生しない。このようにセットアップ期間SUにおいて、暗放電が正常に発生しなければ、放電セルの初期化ができなくなる。この場合、セットアップ期間中に放電を行わせるために、リセット電圧Vrをさらに高める必要がある。セットアップ期間SU中に、暗放電が発生しなければ、リセット期間直後の放電セル内の条件が最適のアドレス条件にならないため、異常放電や誤放電が発生する。また、n−1番目のサブフィールドSFn−1の消去期間EP直後に、走査電極Y上に正の壁電荷が余剰蓄積される場合、n番目のサブフィールドSFnのセットアップ期間SUにおいて、正のランプPRの開始電圧である正の維持電圧Vsが走査電極Yに印加されるときに強い放電が生じ、このため、全セルで初期化が均一に進まない。このような問題点についても図7を参照して説明する。
図7は、図5の如き駆動波形によってプラズマディスプレイパネルが駆動されるとき、セットアップ期間で走査電極と維持電極との間の外部印加電圧と放電セル内のギャップ電圧の変化を示す図である。
図7は、セットアップ期間SUにおける走査電極Yと維持電極Z間の外部印加電圧Vyz及び放電セル内のギャップ電圧Vgを示す。図7で実線で示される外部印加電圧Vyzは、走査電極Yと維持電極Zのそれぞれに印加される外部電圧であって、維持電極Zに0Vが印加されることから、実質的に正ランプ波形PRの電圧と同じである。図7において、(1)、(2)、(3)の点線は放電セル内の壁電荷によって放電ガスに形成されるギャップ電圧Vgである。ギャップ電圧Vgは、以前サブフィールドにおける放電発生の有無により放電セル内の壁電荷ヤングが変わるので、(1)、(2)、(3)の点線のように変わる。走査電極Yと維持電極Z間の外部印加電圧Vyzと放電セル内の放電ガスに形成されたギャップ電圧Vgとの関係は、下記の式1で表わされる。
Vyz=Vg+Vw 式1
図7の(1)のギャップ電圧Vgの場合は、放電セル内で壁電荷が十分に消去されて十分に少量の壁電荷を有する場合であり、そのギャップ電圧Vgは、外部印加電圧Vyzに比例して増加しており、放電点火電圧Vfに到逹すると暗放電が発生する。この暗放電により、放電セル内のギャップ電圧は、放電点火電圧Vfに初期化される。
図7の(1)のギャップ電圧Vgの場合は、放電セル内で壁電荷が十分に消去されて十分に少量の壁電荷を有する場合であり、そのギャップ電圧Vgは、外部印加電圧Vyzに比例して増加しており、放電点火電圧Vfに到逹すると暗放電が発生する。この暗放電により、放電セル内のギャップ電圧は、放電点火電圧Vfに初期化される。
図7の(2)のギャップ電圧Vgの場合は、n−1番目サブフィールドSFの消去期間EP中に放電が発生し、これにより、放電セル内の壁電荷分布において、壁電荷の極性が変わった場合である。このとき、消去期間EP直後に走査電極Y上に蓄積されている壁電荷の極性は、強放電が原因で正に変わる。これは、PDPが大型である場合、放電セルの低い均一性や温度変化によって、消去ランプ波形ERRの勾配が変わることにより発生する。この場合、初期ギャップ電圧Vgが、図7の(2)のように高くなり過ぎるので、セットアップ期間SU中に、正極性維持低圧Vsが走査電極Yに印加されると共に、ギャップ電圧Vgが、放電点火電圧Vfを超えて強放電が生じる。この強放電のために、セットアップ期間SUとセットダウン期間SDにおいて、放電セルが最適のアドレス条件の壁電荷分布、すなわち、図4cの壁電荷分布に初期化できなくなり、よって、消えるべきオフセルでアドレス放電が発生可能になる。すなわち、リセット期間に先立つ消去期間で、消去放電が強く生じると誤放電が起こる可能性がある。
図7の(3)のギャップ電圧Vgの場合は、n−1番目サブフィールドSFの消去期間EP中に、消去放電が発生しないかまたは極めて弱くしか発生しないので、消去放電直前に生じた維持放電の結果により形成された放電セル内の壁電荷分布をそのまま保持する。具体的には、図3のように、最後の維持放電は、走査電極Yへの維持パルスSUSPの印加時に発生する。この最後の維持放電の結果、走査電極Y上に、負の壁電荷が残留し、維持電極Z上に、正の壁電荷が残留する。しかし、この壁電荷は、次のサブフィールドで初期化が正常に行われるために消去される必要があるが、消去放電が発生しないか極めて弱くしか発生しなければ、その極性をそのまま保持する。このように消去放電が発生しないか極めて弱くしか発生しない理由は、PDPで放電セルの低い均一性や温度変化により消去ランプ波形ERRの勾配が変わるからである。この場合、初期ギャップ電圧Vgが、図7の(3)のように極めて低い負の電圧を有するため、セットアップ期間において、正ランプ波形PRがリセット電圧Vrまで立ち上がるとしても、放電セル内のギャップ電圧Vgが放電点火電圧Vfに到逹しないので、セットアップ期間SUとセットダウン期間SDにおいて、暗放電は起こらない。その結果、リセット期間に先立つ消去期間において、消去放電が発生するか極めて弱くしか発生しない場合、初期化が正常に行われないことから、誤放電や異常放電が発生する。
図7の(2)のような場合にギャップ電圧Vgと放電点火電圧Vfの関係は、下記の式2で表わされ、図7の(3)のような場合に、ギャップ電圧Vgと放電点火電圧Vfの関係は、下記の式3で表わされる。
Vgini+Vs>Vf 式2
Vgini+Vr<Vf 式3
式中、Vginiは、図7から明らかなように、セットアップ期間SUが始まる直前の初期ギャップ電圧を示す。
Vgini+Vr<Vf 式3
式中、Vginiは、図7から明らかなように、セットアップ期間SUが始まる直前の初期ギャップ電圧を示す。
上記事情を考慮に入れ、消去期間EPとリセット期間RPで初期化を正常に行うためのギャップ電圧条件(または壁電圧条件)は、下記の式2と式3をとぢらも満たす下記の式4で表わされる。
Vf−Vr<Vgini<Vf−Vs 式4
Vf−Vr<Vgini<Vf−Vs 式4
結果として、セットアップ期間SU前に、初期ギャップ電圧Vginiが式4の条件を満足しなければ、従来のプラズマ表示装置は、誤放電、ミス放電または異常放電が発生し、動作マージンが狭くなる。いわば、従来のプラズマ表示装置は、動作信頼性と動作マージンを確保するためには、消去期間EPにおける消去動作が正常に行われる必要があるが、前述のように、PDPの放電セルの均一性や使用温度により異常になるおそれがある。
また、従来のプラズマ表示装置は、高温環境下で発生する余剰空間電荷とその空間電荷に活発な運動量が原因で壁電荷分布が不安定になり、このため、誤放電、ミス放電または異常放電が発生し、さらに動作マージンの狭くなるおそれがある。これを、図8a〜図8cを参照して詳しく説明する。
図8a〜図8cは、図5のような駆動波形によってプラズマディスプレイパネルが高温環境下で駆動されるときに、空間電荷とその空間電荷の挙動を示す図である。
図8a〜図8cは、図5のような駆動波形によってプラズマディスプレイパネルが高温環境下で駆動されるときに、空間電荷とその空間電荷の挙動を示す図である。
高温環境下では、放電時に発生する空間電荷の量と運動量が室温や低温に比べて増加する。よって、n−1番目のサブフィールドSFn−1の維持放電時に、多くの空間電荷が発生し、n番目のサブフィールドSFnのセットアップ期間SU直後にも、図8aのように、放電空間内に活発に運動する多くの空間電荷300が存在する。
図8aのように活発に運動する空間電荷300が放電空間内に存在している状態で、アドレス期間中、アドレス電極Xにデータ電圧Vaが印加され、走査電極Yに走査電圧−Vyが印加されると、図8bのように、正の空間電荷300はセットアップ期間SUのセットアップ放電結果により、走査電極Y上に蓄積されている負の壁電荷と再結合され、負の空間電荷300は、セットアップ放電の結果により、アドレス電極Y上に蓄積されている正の壁電荷と再結合される。
その結果、図8cのように、セットアップ放電により形成された走査電極Y上の負の壁電荷とアドレス電極X上の正の壁電荷が消去されて、データ電圧Vaと走査電圧−Vyがアドレス電極Xと走査電極Yに印加されるとしても、ギャップ電圧Vgが放電点火電圧Vfに到逹できないため、アドレス放電が起こらない。このため、図5のような駆動波形を高温環境下で用いられるPDPに適用すれば、オンセルの書き込みミスがよく発生する。
図8dは、従来の駆動方法による駆動波形により動作するプラズマディスプレイ装置における温度による誤放電を説明するための図である。
図8dを参照すれば、従来の駆動方法による駆動波形により動作されるプラズマディスプレイ装置は、パネル周辺の温度が相対的に高温である場合、放電セル内の空間電荷401と壁電荷400の再結合の割合が増加して、放電に参加する壁電荷の絶対量が減少することにより、誤放電が発生する。ここで、空間電荷401は、放電セル内の空間に存在する電荷であって、前記壁電荷400とは異なって放電に参加しないものである。
図8dを参照すれば、従来の駆動方法による駆動波形により動作されるプラズマディスプレイ装置は、パネル周辺の温度が相対的に高温である場合、放電セル内の空間電荷401と壁電荷400の再結合の割合が増加して、放電に参加する壁電荷の絶対量が減少することにより、誤放電が発生する。ここで、空間電荷401は、放電セル内の空間に存在する電荷であって、前記壁電荷400とは異なって放電に参加しないものである。
例えば、アドレス期間で空間電荷401と壁電荷400の再結合の割合が増加すれば、アドレス放電に参加する壁電荷400の量が減少し、このため、アドレス放電が不安定になる。この場合には、アドレス順序が後の方であるほど、空間電荷401と壁電荷400が再結合する時間が、十分に確保できるため、アドレス放電がさらに不安定になる。これにより、アドレス期間中にONになった放電セルが、維持期間中にOFFになるなどの高温誤放電が発生する。
さらに、パネル周辺の温度が相対的に高い場合に、維持期間に維持放電が発生すれば、放電時空間電荷401の速度が速くなり、これにより空間電荷401と壁電荷400の再結合の割合が増加する。その結果、いずれか1つの維持放電以後に空間電荷401と壁電荷400の再結合によって、維持放電に参加する壁電荷400の量が減少する。このため、次の維持放電が発生しないなど高温誤放電が発生する問題点がある。
したがって、本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、高温環境下で安定した放電を行い、複数の走査タイプのうちから選ばれたいずれか1つ以上の走査タイプで走査を行うことにより、ドライバ集積回路の電気的ダメージを防止するプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法を提供することにある。
本発明に係るプラズマディスプレイ装置は、複数の走査電極と、複数の維持電極と、前記複数の走査電極及び前記維持電極に交差する複数のデータ電極とを備えるプラズマディスプレイパネルと、
フレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドでは、アドレス期間中に、前記複数の走査電極を走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで前記走査電極を走査し、前記いずれか1つの走査タイプに対応してデータパルスを前記データ電極に印加し、前記アドレス期間以後の維持期間において前記走査電極または前記維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間において前記走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの前記維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くする制御部とを含むことを特徴とする。
フレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドでは、アドレス期間中に、前記複数の走査電極を走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで前記走査電極を走査し、前記いずれか1つの走査タイプに対応してデータパルスを前記データ電極に印加し、前記アドレス期間以後の維持期間において前記走査電極または前記維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間において前記走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの前記維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くする制御部とを含むことを特徴とする。
また、複数の走査電極と、複数の維持電極と、前記複数の走査電極及び前記維持電極と交差する複数のデータ電極と、を備える本発明のプラズマディスプレイ装置駆動方法は、
フレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドでは、アドレス期間中に、前記複数の走査電極を走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで前記走査電極を走査し、前記いずれか1つの走査タイプに対応してデータパルスを前記データ電極に印加し、前記アドレス期間以後の維持期間において前記走査電極または前記維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間において前記走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの前記維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くすることを特徴としている。
フレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドでは、アドレス期間中に、前記複数の走査電極を走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで前記走査電極を走査し、前記いずれか1つの走査タイプに対応してデータパルスを前記データ電極に印加し、前記アドレス期間以後の維持期間において前記走査電極または前記維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間において前記走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの前記維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くすることを特徴としている。
本発明は、ノイズの発生を低減し且つ高温環境下で安定したPDP放電を実現することにより、温度による誤放電の発生を抑えることができる。
以下、添付図を参照しつつ、本発明の実施例をより詳細に説明する。
図9a〜図9bは、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を説明するための図である。
図9a〜図9bは、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を説明するための図である。
先に、図9aを参照すれば、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、前述したように、1フレームがリセット期間、アドレス期間及び維持期間に分けられた駆動波形でプラズマディスプレイ装置を駆動する。
リセット期間において、セットアップ期間には、走査電極Yに立上りランプ波形Ramp-upが印加される。この立上りランプ波形によって、全画面の放電セル内には弱い暗放電が発生する。このセットアップ放電によって、データ電極Xと維持電極Z上に、正の壁電荷が蓄積され、走査電極Y上に、負の壁電荷が蓄積される。
セットダウン期間に走査電極Yに立上りランプ波形が印加された後、立上りランプ波形のピーク電圧よりも低い正電圧から立ち下がり始め、接地電圧レベル以下の特定の電圧レベルまで立ち下がる立下りランプ波形Ramp-downが、放電セル内に微弱な消去放電を起こすことにより、放電セル内に形成された余剰壁電荷を充分に消去する。このセットダウン放電により、安定したデータ放電を実現するほどの壁電荷が放電セル内に均一に残留する。
アドレス期間では、走査基準電圧Vscから立ち下がる負の走査パルスが走査電極Yに印加されて走査電極Yが走査されると共に、走査パルスに対応してデータ電極Xに正のデータパルスが印加される。
このような走査パルスとデータパルス間の電圧差とリセット期間に生成された壁電圧が加えられることにより、データパルスが印加される放電セル内では、アドレス放電が発生される。アドレス放電によって選択された放電セル内には、維持電圧Vsの印加時に放電が発生できるほどの壁電荷が形成される。
この場合、アドレス期間で複数の走査電極Yを走査するとき、複数の走査電極Yを走査する順序の相異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yを走査する。
この場合、アドレス期間で複数の走査電極Yを走査するとき、複数の走査電極Yを走査する順序の相異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yを走査する。
例えば、図9aに示すように、複数の走査電極のうちY1走査電極に先に第1の走査パルスSP1を印加することで、Y1走査電極を走査し、その次のY2走査電極に第2の走査パルスSP2を印加することで、Y2走査電極を走査し、その次のY3走査電極に第3の走査パルスSP3を印加することで、Y3走査電極を走査する。これについては、詳しく後述する。
アドレス期間以後の維持期間では、走査電極Yと維持電極Zのうちいずれか1つ以上に維持パルスSusが交互に印加される。アドレス放電によって選択された放電セルでは、放電セル内の壁電圧と維持パルスが加えられることにより、維持パルスが印加される毎に走査電極Yと維持電極Z間で、維持放電、すなわち表示放電が起こる。
維持期間において、フレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドの維持期間では、走査電極Yに印加される維持パルスのうち最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差Ws1を、2つの維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに大きくなるように設定される。
図9aでは、最後の維持パルスSUSLが走査電極Yに印加される場合のみを示しているが、これとは異なって、最後の維持パルスSUSLは、維持電極Zにも印加することができる。
図9aでは、最後の維持パルスSUSLの印加が終了した後に、走査電極Yの電圧を接地電圧レベルに保持することにより、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差Ws1を、相対的に長くする。これとは異なり、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に、走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、他の方法で相対的に長く設定することもでき、これは、図9bに示されている。
図9aでは、最後の維持パルスSUSLの印加が終了した後に、走査電極Yの電圧を接地電圧レベルに保持することにより、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差Ws1を、相対的に長くする。これとは異なり、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に、走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、他の方法で相対的に長く設定することもでき、これは、図9bに示されている。
図9bを参照すれば、最後の維持パルスSUSLのパルス幅が長くなることにより、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差が、相対的に長くなる。
最後の維持パルスSUSLの印加時点と次サブフィールドのリセット期間で印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を相対的に長くすることについては、以下でより詳しく説明する。
最後の維持パルスSUSLの印加時点と次サブフィールドのリセット期間で印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を相対的に長くすることについては、以下でより詳しく説明する。
次に、上記のアドレス期間中に複数の走査電極Yを走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yを走査する方法を、より詳しく説明すする。
前記複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプを決める重要な要因は、映像データによる変位電流(Displacement Current:ID)の大小にあり、これを、図10を参照して説明すると、次のとおりである。
図10は、入力される映像データによる変位電流の大きさを説明するための図である。
図10は、入力される映像データによる変位電流の大きさを説明するための図である。
図10を参照すれば、(a)のように2番目の走査電極Y2が走査されるとき、すなわち2番目の走査電極Y2に走査パルスが印加されるとき、データ電極、例えばX1データ電極〜Xmデータ電極には、論理値1(High)と0(Low)が交互に示される映像データが印加される。また、3番目の走査電極Y3が走査されるとき、データ電極Xには、論理値0が維持される。論理値1は、該当データ電極Xにデータパルスの電圧、すなわちデータ電圧Vdが印加された状態であり、論理値0は、該当データ電極に0Vが印加された状態、すなわちデータ電圧が印加されていない状態である。
すなわち、いずれかの走査電極Y上の放電セルに論理値1と0が交互に変わる映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルには、論理値0が維持される映像データが印加される場合のことである。このとき、各データ電極Xに流れる変位電流Idは、下記の式1で表わされる。
Id=1/2(Cm1+Cm2)Vd 式5
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm1:データ電極X間の等価キャパシタンス
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加されるデータパルスの電圧
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm1:データ電極X間の等価キャパシタンス
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加されるデータパルスの電圧
次に、(b)のように2番目の走査電極Y2が走査されるとき、データ電極X1〜Xmには、論理値1が維持される映像データが印加される。また、3番目の走査電極Y3が走査されるとき、データ電極X1〜Xmには、論理値0が維持される映像データが印加される。論理値0は、前述したように、該当X電極に0Vが印加された状態、すなわちデータ電圧Vdが印加されていない状態である。
すなわち、いずれかの走査電極Y上の放電セルに1が維持される映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルには、論理値0が維持される映像データが印加される場合である。また、いずれかの走査電極Y上の放電セルに0が維持される映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルには、論理値1が維持される映像データが印加される場合も同様である。このとき、各データ電極Xに流れる変位電流Idは、下記の式6で表わされる。
Id=1/2(Cm2)Vd 式6
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加されるデータパルスの電圧
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加されるデータパルスの電圧
次に、(c)のように2番目の走査電極Y2が走査されるとき、データ電極X1〜Xmには、論理値1と0が交互に変わる映像データが印加される。また、3番目の走査電極Y3が走査されるとき、2番目の走査電極Y2上の放電セルに印加された映像データと位相が180°ずれるように、論理値0と1が交互に変わる映像データが印加される。
すなわち、いずれかの走査電極Y上の放電セルに論理値1と0が交互に変わる映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルに、前記いずれかの走査電極Y上の放電セルに印加された映像データと位相が180°ずれるように、論理値0と1が交互に変わる映像データが印加されるのである。このとき、各データ電極に流れる変位電流Idは、下記の式3で表わされる。
Id=1/24(Cm1+Cm2)Vd 式7
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加される電圧
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加される電圧
次に、(d)のように2番目の走査電極Y2が走査されるとき、データ電極X1〜Xmには論理値1と0が交互に変わる映像データが印加される。また、3番目の走査電極Y3が走査されるとき、2番目の走査電極Y2上の放電セルに印加された映像データと位相が同一になるように論理値1と0が交互に変わる映像データが印加される。
すなわち、いずれかの走査電極上の放電セルに論理値1と0が交互に変わる映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルには前記いずれかの走査電極Y上の放電セルに印加された映像データと位相が同一になるように論理値1と0が交互に変わる映像データが印加されるのである。このとき、各データ電極Xに流れる変位電流Idは、下記式4で表わされる。
Id=0 式8
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加される電圧
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加される電圧
次に、(e)のように2番目の走査電極Y2が走査されるとき、データ電極X1〜Xmには論理値0が維持される映像データが印加される。また、3番目の走査電極Y3が走査されるとき、3番目の走査電極Y3には、論理値0が維持される映像データが印加される。
すなわち、いずれかの走査電極Y上の放電セルには、論理値0が維持される映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルにも、論理値0が維持される映像データが印加される。
また、いずれかの走査電極Y上の放電セルには、論理値1が維持される映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルには、論理値1が維持される映像データが印加される場合も同様である。このとき、各データ電極Xに流れる変位電流Idは、下記の式9で表わされる。
また、いずれかの走査電極Y上の放電セルには、論理値1が維持される映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルには、論理値1が維持される映像データが印加される場合も同様である。このとき、各データ電極Xに流れる変位電流Idは、下記の式9で表わされる。
Id=0 式9
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加される電圧
Id:各データ電極Xに流れる変位電流
Cm2:データ電極Xと走査電極Yまたはデータ電極Xと維持電極Z間の等価キャパシタンス
Vd:各データ電極Xに印加される電圧
前記式5〜式9から明らかなように、いずれかの走査電極Y上の放電セルに、論理値1と0が交互に変わる映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルに、前記いずれかの走査電極Y上の放電セルに印加された映像データと位相が180°ずれるように、論理値1と0が交互に変わる映像データが印加される場合、データ電極Xに最大の変位電流が流れる。
一方、いずれかの走査電極Y上の放電セルに、論理値1と0が交互に変わる映像データが印加され、次の走査電極Y上の放電セルに、前記いずれかの走査電極Y上の放電セルに印加された映像データと位相が同一になるように、論理値1と0が交互に変わる映像データが印加される場合、或いはいずれかの走査電極Y上の放電セルと次の走査電極Y上の全放電セルに論理値0が持続する映像データが印加される場合、データ電極Xに最小の変位電流が流れる。
以上、図10の説明から、図10の(c)のように相違なる論理の映像データが交互に印加される場合に最大の変位電流が流れ、この場合、データドライバー集積回路が電気的ダメージを被る可能性が最も高いということがわかる。
換言すると、いずれかのデータ電極Xを担当するデータドライバ集積回路の観点から、図10の(c)のような映像データは、データドライバ集積回路のスイッチング(切り換え)回数が最大である場合に該当するものなので、データドライバ集積回路のスイッチング動作回数が多いほど、データドライバ集積回路に流れる変位電流が大きくなり、これにより、データドライバー集積回路が電気的ダメージを被る可能性が高くなることがわかる。
次に、このような映像データとそれによる変位電流の大きさとを考慮して、走査順序を変更する方法の一例を、図11a〜図11bを参照して説明する。
図11a〜図11bは、映像データとそれによる変位電流を考慮した走査順序を変更する方法の一例を説明するための図である。
図11a〜図11bは、映像データとそれによる変位電流を考慮した走査順序を変更する方法の一例を説明するための図である。
図11aと図11bを参照すれば、図11aと図11bは、両方とも映像データであることがわかる。ただし、その走査順序、すなわち走査を行う順序が異なるだけである。
先に、図11aを参照すれば、(b)のようなパターンの映像データが印加される場合、(a)のような順序で走査電極Yを走査すると、映像データの論理値が走査電極Yの配列方向に変わる頻度が相対的に高いため、相対的に大量の変位電流が発生する。
その結果、このようなパターンの映像データを、図11bの(a)のように走査電極Yの走査順序を再調整すれば、映像データが図11bの(b)のように配列されるようになる。すると、映像データの論理値が走査電極Yの配列方向に変わる頻度が低くなり、これにより変位電流の発生も少なくなる。
結論として、図11bのように、映像データによって走査電極Yの走査順序を調節すると、データドライバ集積回路に流れる変位電流量が少なくなり、データドライバー集積回路が電気的ダメージを被る可能性が低くなる。
このような図11a〜図11bの原理に基づいて、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法が開発された。以下、この本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法における他の適用例を、図12を参照して説明する。
図12は、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法における他の適用例を説明するための図である。
図12を参照すれば、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、図12に示すように、総4つの走査タイプ、すなわち第1タイプtype1、第2のタイプtype2、第3のタイプtype3、第4のタイプtype4の走査順序から選択されたいずれかの走査タイプで走査を行うことができる。
図12を参照すれば、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、図12に示すように、総4つの走査タイプ、すなわち第1タイプtype1、第2のタイプtype2、第3のタイプtype3、第4のタイプtype4の走査順序から選択されたいずれかの走査タイプで走査を行うことができる。
第1の走査タイプtype1の走査は、Y1−Y2−Y3−……のように走査電極Yの配列順に従って走査を行う。
第2の走査タイプtype2の走査は、第1のグループに属する走査電極Yを順次に走査し、その後、第2のグループに属する走査電極Yを順次に走査する。すなわち、Y1−Y3−Y5−……Yn−1走査電極を走査し、その後、Y2−Y4−Y6−…..Yn走査電極を走査する。
第2の走査タイプtype2の走査は、第1のグループに属する走査電極Yを順次に走査し、その後、第2のグループに属する走査電極Yを順次に走査する。すなわち、Y1−Y3−Y5−……Yn−1走査電極を走査し、その後、Y2−Y4−Y6−…..Yn走査電極を走査する。
第3の走査タイプtype3の走査は、第1のグループに属する走査電極Yを順次に走査し、第2のグループに属する走査電極Yを順次に走査し、その後、第3のグループに属する走査電極Yを順次に走査する。すなわち、Y1−Y4−Y7−……Yn−2走査電極を走査し、Y2−Y5−Y8−……Yn−1走査電極を走査し、その後、Y3−Y6−Y9−……Yn走査電極を走査する。
第4の走査タイプtype4の走査は、第1のグループに属する走査電極Yを順次に走査し、第2のグループに属する走査電極Yを順次に走査し、第3のグループに属する走査電極Yを順次に走査し、その後、第4のグループに属する走査電極Yを順次に走査する。すなわち、Y1−Y5−Y9−……Yn−3走査電極を走査し、Y2−Y6−Y10−……Yn−2走査電極を走査し、Y3−Y7−Y11−……Yn−1走査電極を走査し、その後、Y4−Y8−Y12−……Yn走査電極を走査する。
図12では、総4種の走査タイプがあり、この4種の走査タイプのうちいずれかの走査タイプを選択して走査電極Yを走査する方法についてのみ説明したが、これとは異なり、2種の走査タイプ、3種の走査タイプ、5種の走査タイプなど様々な個数の走査タイプを想定し、このような走査タイプのうちいずれかの走査タイプを選択して走査電極Yを走査することも可能である。
このように複数の走査タイプを想定し、このような複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yを走査するための走査駆動部のより詳細な構成を、図13を参照して説明すると、次のとおりである。
図13は、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を実現するための走査駆動部の構成及び動作をより詳しく説明するための図である。
図13を参照すれば、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を実現するための走査駆動部は、データ比較部1000と走査順序決定部1001を備えている。
図13を参照すれば、本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を実現するための走査駆動部は、データ比較部1000と走査順序決定部1001を備えている。
データ比較部1000は、サブフィールドマッピング部504がマッピングした映像データを印加され、特定の走査電極Yライン上に位置するいずれか1つ以上の放電セルよりなるセル束の映像データと、複数の走査タイプのそれぞれによって、このようなセル束の垂直及び水平方向に位置したセル束の映像データとを比較することにより、変位電流の大きさを算出する。
このとき、セル束とは、1以上のセルを束ねて1つの単位にまとめたことを意味する。例えば、R,G,Bに該当するセルが集まって1つのピクセルを構成することから、ピクセルはセル束に該当することがわかる。
このとき、セル束とは、1以上のセルを束ねて1つの単位にまとめたことを意味する。例えば、R,G,Bに該当するセルが集まって1つのピクセルを構成することから、ピクセルはセル束に該当することがわかる。
走査順序決定部1001は、データ比較部1000が算出した変位電流の大小についての情報を用いて、小変位電流を有する走査タイプ順に走査順序を決める。
このように、走査順序決定部1001が決めた走査順序についての情報は、データ整列部505に印加される。ここで、データ整列部505は、走査順序決定部1001が決めた走査順序に従って前記サブフィールドマッピング部504がサブフィールドマッピングした映像データを再整列し、この再整列済み映像データをデータ電極Xに印加する。
このように、走査順序決定部1001が決めた走査順序についての情報は、データ整列部505に印加される。ここで、データ整列部505は、走査順序決定部1001が決めた走査順序に従って前記サブフィールドマッピング部504がサブフィールドマッピングした映像データを再整列し、この再整列済み映像データをデータ電極Xに印加する。
このような図13の走査駆動部502の構成を、図12の場合と関連して説明すると、図12における4種の走査タイプに対する変位電流の大小を、図13のデータ比較部1000がそれぞれ算出し、このような4種の走査タイプに対する変位電流の大小の情報を走査順序決定部1001に印加すると、走査順序決定部1001は、前記4種の走査タイプに対するそれぞれの変位電流の大小を互いに比較した上、最小の変位電流を有する1つの走査タイプを選択する。例えば、第1の走査タイプに対する変位電流の大きさを10、第2の走査タイプに対する変位電流の大きさを15、第3の走査タイプに対する変位電流の大きさを11、第4の走査タイプに対する変位電流の大きさを8と仮定すると、走査順序決定部1001は第4の走査タイプを選択し、この第4の走査タイプに応じて走査電極Yの走査順序を決める。
一方、前記総4種の走査タイプのうち第2の走査タイプを除いたすべての走査タイプ、すなわち第1,3,4の走査タイプに対する変位電流の大きさが、データドライバ集積回路に電気的ダメージを与えないほど充分に小さければ、走査順序決定部1001は、第1,3,4走査タイプのうちいずれのタイプも選択することができる。
ここで、前記データドライバ集積回路に電気的ダメージを与えないほどの充分に小さな電流に対する情報は、予め設定できる。すなわち、データドライバ集積回路に電気的ダメージを与えないほど充分に小さな電流の最大値を、予め臨界電流と設定しておき、この臨界電流以下の変位電流が発生する走査タイプを選択することもできる。
次に、図13における符号1000のデータ比較部を、図14を参照してより詳しく説明する。
図14は、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置のデータ比較部1000に含まれる基本回路ブロックの構成図である。
図14は、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置のデータ比較部1000に含まれる基本回路ブロックの構成図である。
図14に示すように、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置における走査駆動部のデータ比較部1000に含まれる基本回路ブロックは、メモリ部731、第1のバッファーbuf1、第2のバッファーbuf2、第1の判断部〜第3の判断部734−1,734−2,734−3、デコーダ部735、第1〜第3の合算部736−1,736−2,736−3、第1〜第3の電流算出部737−1,737−2,737−3及び電流合算部738を含む。
i−1番目の走査電極、すなわちi−1番目の走査電極ラインに対応する映像データがメモリ部731に保存され、i番目の走査電極、すなわちi番目の走査電極ラインに対応する映像データが入力される。
第1のバッファーbuf1は、i番目の走査電極ラインに対応する放電セルのうちq−1番目の放電セルの映像データを臨時保存する。
第1のバッファーbuf1は、i番目の走査電極ラインに対応する放電セルのうちq−1番目の放電セルの映像データを臨時保存する。
第2のバッファーbuf2は、メモリ部731に保存されているi−1番目の走査電極ラインに対応する放電セルのうちq−1番目の放電セルの映像データを臨時保存する。
第1の判断部734−1は、排他的論理和ゲート素子(exclusive OR gate)を含み、i番目の走査電極ラインのq番目の放電セルの映像データと、第1のバッファーbuf1に保存されているi番目の走査電極ラインのq−1番目の放電セルの映像データとを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
第1の判断部734−1は、排他的論理和ゲート素子(exclusive OR gate)を含み、i番目の走査電極ラインのq番目の放電セルの映像データと、第1のバッファーbuf1に保存されているi番目の走査電極ラインのq−1番目の放電セルの映像データとを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
第2の判断部734−2は、排他的論理和ゲート素子を含み、i−1番目の走査電極ラインのq番目の放電セルの映像データと、第2のバッファーbuf2に保存されているi−1番目の走査電極ラインのq−1番目の放電セルの映像データとを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
第3の判断部734−3は、排他的論理和ゲート素子を含み、第1のバッファーbuf1に保存されているi番目の走査電極ラインのq−1番目の放電セルの映像データと、第2のバッファーbuf2に保存されているi−1番目の走査電極ラインのq−1番目の放電セルの映像データとを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
このような構成を有するデータ比較部1000の基本回路ブロックに含まれた第1〜第3の判断部の動作を、図15を参照して説明すると、次のとおりである。
このような構成を有するデータ比較部1000の基本回路ブロックに含まれた第1〜第3の判断部の動作を、図15を参照して説明すると、次のとおりである。
図15は、データ比較部の第1の判断部〜第3の判断部の動作をより詳しく説明するための図である。ここで、(1),(2)及び(3)のそれぞれは、第1の判断部734−1、第2の判断部734−2及び第3の判断部734−3の動作に対応するものである。
図15を参照すれば、本発明の第1の実施例によるデータ比較部1000は、第1の判断部734−1〜第3の判断部734−3を介して、いずれかのセルの水平方向と垂直方向にある隣接セルの映像データを比較してその変化を判断する。
デコーダ735は、第1の判断部〜第3の判断部734−1,734−2,734−3それぞれの出力信号に対応する3ビット信号を出力する。
図15を参照すれば、本発明の第1の実施例によるデータ比較部1000は、第1の判断部734−1〜第3の判断部734−3を介して、いずれかのセルの水平方向と垂直方向にある隣接セルの映像データを比較してその変化を判断する。
デコーダ735は、第1の判断部〜第3の判断部734−1,734−2,734−3それぞれの出力信号に対応する3ビット信号を出力する。
図16は、本発明の第1の実施例によるデータ比較部の基本回路ブロックに含まれた第1〜第3の判断部734−1,734−2,734−3の出力信号による映像データのパターン内容を示す図である。
図16において、第1の判断部〜第3の判断部734−1,734−2,734−3のそれぞれの出力信号が(0,0,0)であれば、これは、図10の(e)に示された映像データのパターンの状態と同様である。したがって、出力信号が(0,0,0)であれば、変位電流Idは0である。
図16において、第1の判断部〜第3の判断部734−1,734−2,734−3のそれぞれの出力信号が(0,0,0)であれば、これは、図10の(e)に示された映像データのパターンの状態と同様である。したがって、出力信号が(0,0,0)であれば、変位電流Idは0である。
第1〜第3の判断部734−1,734−2,734−3のそれぞれの出力信号が(0,0,1)であれば、これは、図10のbに示された映像データのパターン状態と同様である。。したがって、出力信号が(0,0,1)であれば、変位電流IdはCm2に比例する。
第1〜第3の判断部734−1,734−2,734−3のそれぞれの出力信号が(0,1,0)、(0,1,1)、(1,0,0)及び(1,0,1)のうちいずれかであれば、図10のaに示された映像データのパターンの状態と同様である。したがって、出力信号が(0,1,0)、(0,1,1)、(1,0,0)及び(1,0,1)のうちいずれかであれば、変位電流Idは(Cm1+Cm2)に比例する。
第1〜第3の判断部734−1,734−2,734−3のそれぞれの出力信号が(0,1,0)、(0,1,1)、(1,0,0)及び(1,0,1)のうちいずれかであれば、図10のaに示された映像データのパターンの状態と同様である。したがって、出力信号が(0,1,0)、(0,1,1)、(1,0,0)及び(1,0,1)のうちいずれかであれば、変位電流Idは(Cm1+Cm2)に比例する。
第1〜第3の判断部734−1,734−2,734−3のそれぞれの出力信号が(1,1,0)であれば、これは図10の(d)に示された映像データのパターンの状態と同様である。したがって、出力信号が(1,1,0)であれば、変位電流Idは0である。
第1〜第3の判断部734−1,734−2,734−3のそれぞれの出力信号が(1,1,1)であれば、これは図10のcに示された映像データのパターンの状態と同様である。したがって、出力信号が(1,1,1)であれば、変位電流Idは、4(Cm1+Cm2)に比例する。
第1〜第3の判断部734−1,734−2,734−3のそれぞれの出力信号が(1,1,1)であれば、これは図10のcに示された映像データのパターンの状態と同様である。したがって、出力信号が(1,1,1)であれば、変位電流Idは、4(Cm1+Cm2)に比例する。
また、第1〜第3の合算部736−1,736−2,736−3は、デコーダ735から出力された特定の3ビット信号の出力回数を合算して出力する。
すなわち、第1の合算部736−1は、デコーダ735が(0,1,0)、(0,1,1)、(1,0,0)及び(1,0,1)のうちいずれか1つを出力する回数を合算C1する。第2の合算部736−2は、デコーダ735が(0,0,1)を出力する回数を合算C2する。第3の合算部736−3は、デコーダ735が(1,1,1)を出力する回数を合算C3する。
すなわち、第1の合算部736−1は、デコーダ735が(0,1,0)、(0,1,1)、(1,0,0)及び(1,0,1)のうちいずれか1つを出力する回数を合算C1する。第2の合算部736−2は、デコーダ735が(0,0,1)を出力する回数を合算C2する。第3の合算部736−3は、デコーダ735が(1,1,1)を出力する回数を合算C3する。
第1〜第3の電流算出部737−1,737−2,737−3のそれぞれは、第1の合算部736−1、第2の合算部736−2及び第3の合算部736−3からC1,C2及びC3を入力されて変位電流の大きさを算出する。
電流合算部738は、第1〜第3の電流算出部737−1,737−2,737−3のそれぞれから算出済み変位電流の大きさを合算する。
電流合算部738は、第1〜第3の電流算出部737−1,737−2,737−3のそれぞれから算出済み変位電流の大きさを合算する。
図17は、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置における走査駆動部のデータ比較部1000と走査順序決定部1001のブロック構成図である。
図17に示すように、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置における走査駆動部のデータ比較部1000は、図17に示された基本回路ブロック4つが連結されている構造であり、走査順序決定部1001は、4つの基本回路ブロックの出力を比較して最小の変位電流を発生する走査順序を決める。図17の場合は、前記図16のように、総4つの走査タイプを含む。すなわち、図17は、総4つの走査タイプから1つの走査タイプに走査電極Yを走査する場合に、該当するデータ比較部1000と走査順序決定部1001の構成を示す。
図17に示すように、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置における走査駆動部のデータ比較部1000は、図17に示された基本回路ブロック4つが連結されている構造であり、走査順序決定部1001は、4つの基本回路ブロックの出力を比較して最小の変位電流を発生する走査順序を決める。図17の場合は、前記図16のように、総4つの走査タイプを含む。すなわち、図17は、総4つの走査タイプから1つの走査タイプに走査電極Yを走査する場合に、該当するデータ比較部1000と走査順序決定部1001の構成を示す。
データ比較部1000は、第1〜第4のメモリ部2001,2003,2005,2007及び第1の電流判別部〜第4の電流判別部2010,2030,2050,2070を含む。
第1〜第4のメモリ部2001,2003,2005,2007は、シリアルに接続されていて、4つの走査電極Yラインに対応する映像データが保存される。すなわち、第1のメモリ部2001は、i−4番目の走査電極Yラインに対応する映像データを、第2のメモリ部2003は、i−3番目の走査電極Yラインに対応する映像データを、第3のメモリ部2005は、i−2番目の走査電極Yラインに対応する映像データを、第4のメモリ部907はi−1番目の走査電極Yラインに対応する映像データを、それぞれ保存する。
第1〜第4のメモリ部2001,2003,2005,2007は、シリアルに接続されていて、4つの走査電極Yラインに対応する映像データが保存される。すなわち、第1のメモリ部2001は、i−4番目の走査電極Yラインに対応する映像データを、第2のメモリ部2003は、i−3番目の走査電極Yラインに対応する映像データを、第3のメモリ部2005は、i−2番目の走査電極Yラインに対応する映像データを、第4のメモリ部907はi−1番目の走査電極Yラインに対応する映像データを、それぞれ保存する。
第1の電流判別部2010は、i番目の走査電極Yラインの映像データと、第1のメモリ部2001に保存されているi−4番目の走査電極Yラインの映像データとを入力される。このような映像データを入力された第1の電流判別部2010の電流が第2〜第4の電流判別部2030,2050,2070の電流よりも小さければ、走査順序は図16の第4の走査タイプType4と同様である。すなわち、Y1−Y5−Y9−……、Y2−Y6−Y10−……、Y3−Y7−Y11−……、Y4−Y8−Y12−……順に走査しなければならない。
第1の電流判別部2010の動作は前述した基本回路ブロックの動作と同じである。i−4番目の走査電極Yラインに対応する映像データが第1のメモリ部2001に保存され、L番目の走査電極Yラインに対応する映像データが入力される。
第1のバッファーbuf1は、i番目の走査電極Yラインに対応する放電セルのうちq−1番目の放電セルの映像データを臨時保存する。
第2のバッファーbuf2は、第1のメモリ部2001に保存されているi−4番目の走査電極Yラインに対応する放電セルのうちq−1番目の放電セルの映像データを臨時保存する。
第1のバッファーbuf1は、i番目の走査電極Yラインに対応する放電セルのうちq−1番目の放電セルの映像データを臨時保存する。
第2のバッファーbuf2は、第1のメモリ部2001に保存されているi−4番目の走査電極Yラインに対応する放電セルのうちq−1番目の放電セルの映像データを臨時保存する。
第1の判断部XOR1は、排他的論理和ゲート素子(exclusive OR gate)を含み、i番目の走査電極Yラインのq番目の放電セルの映像データ(i,q)と、第1のバッファーbuf1に保存されているi番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データ(i,q−1)とを比較し、その結果、互いに異なるとValue=1を出力し、互いに同じであればValue=0を出力する。
第2の判断部XOR2は、排他的論理和ゲート素子を含み、i番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データ(i,q−1)と、第2のバッファーbuf2に保存されているi−4番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データ(i−4,q−1)とを比較し、その結果、互いに異なるとValue=1を出力し、互いに同じであればValue=0を出力する。
第3の判断部XOR3は、排他的論理和ゲート素子を含み、第2のバッファーbuf2に保存されているi−4番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi−4,q−1と、第1のメモリ部901から出力されるi−4番目の走査電極Yラインのq番目の放電セルの映像データ(i−4,q)とを比較し、その結果、互いに異なるとValue=1を出力し、互いに同じであればValue=0を出力する。
第1のデコーダDec1は、第1の判断部〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3のそれぞれの出力信号をパラレルに入力されて3ビット信号を出力する。
第1のデコーダDec1は、第1の判断部〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3のそれぞれの出力信号をパラレルに入力されて3ビット信号を出力する。
図18は、本発明の第1の実施例によるデータ比較部に含まれた第1〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3の出力信号による映像データのパターン内容を示す図である。
図18を参照すれば、第1〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3の出力信号Value1,Value2,Value3によって変位電流の大小を決定するキャパシタンスの大きさが変わる。
図18を参照すれば、第1〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3の出力信号Value1,Value2,Value3によって変位電流の大小を決定するキャパシタンスの大きさが変わる。
第1の合算部〜第3の合算部Int1,Int2,Int3は第1のデコーダDec1から出力された特定の3ビット信号の出力回数を合算して出力する。
すなわち、第1の合算部Int1は、第1のデコーダDec1が(0,0,1)、(0,1,1)、(1,0,0)及び(1,1,0)のうちいずれか1つを出力する回数を合算する(C1)。第2の合算部Int2は、第1のデコーダDec1が(0,1,0)を出力する回数を合算する(C2)。第3の合算部Int3は第1のデコーダDec1が(1,1,1)を出力する回数を合算する(C3)。
すなわち、第1の合算部Int1は、第1のデコーダDec1が(0,0,1)、(0,1,1)、(1,0,0)及び(1,1,0)のうちいずれか1つを出力する回数を合算する(C1)。第2の合算部Int2は、第1のデコーダDec1が(0,1,0)を出力する回数を合算する(C2)。第3の合算部Int3は第1のデコーダDec1が(1,1,1)を出力する回数を合算する(C3)。
第1〜第3の電流算出部Cal1,Cal2,Cal3のそれぞれは、第1の合算部Int1、第2の合算部Int2及び第3の合算部Int3からC1,C2及びC3を入力されて変位電流の大きさを算出する。
すなわち、第1の電流算出部Cal1は、第1の合算部Int1の出力C1とCm1+Cm2を掛け算して電流の大きさを算出する。第2の電流算出部Cal2は、第2の合算部Int2の出力C2とCm2を掛け算して電流の大きさを算出する。第3の電流算出部Cal3は、第3の合算部Int3の出力C3と4Cm1+Cm2を掛け算して電流の大きさを算出する。
すなわち、第1の電流算出部Cal1は、第1の合算部Int1の出力C1とCm1+Cm2を掛け算して電流の大きさを算出する。第2の電流算出部Cal2は、第2の合算部Int2の出力C2とCm2を掛け算して電流の大きさを算出する。第3の電流算出部Cal3は、第3の合算部Int3の出力C3と4Cm1+Cm2を掛け算して電流の大きさを算出する。
第1の電流合算部Add1は、第1〜第3の電流算出部Cal1,Cal2,Cal3のそれぞれから算出された変位電流の大きさを合算する。
このような第1の電流判別部の動作と同様に、また第2〜第4の電流判別部2030,2050,2070は合算された変位電流の大きさを算出する。
このような第1の電流判別部の動作と同様に、また第2〜第4の電流判別部2030,2050,2070は合算された変位電流の大きさを算出する。
このとき、第2の電流判別部2030の第1の判断部XOR1は、排他的論理和ゲート素子(exclusive OR gate)を含み、i番目の走査電極Yラインのq番目の放電セルの映像データi,qと、第1のバッファーbuf1に保存されているi番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi,q−1とを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
第2の電流判別部2030の第2の判断部XOR2は、排他的論理和ゲート素子を含み、i番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi,q−1と、第2のバッファーbuf2に保存されているi−3番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi−3,q−1とを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
第2の電流判別部2030の第3の判断部XOR3は、排他的論理和ゲート素子を含み、第2のバッファーbuf2に保存されているi−3番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi−3,q−1と、第2のメモリ部2003から出力されるi−3番目の走査電極Yラインのq番目の放電セルの映像データi−3,qとを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
また、第3の電流判別部2050の第1の判断部XOR1は、排他的論理和ゲート素子を含み、i番目の走査電極Yラインのq番目の放電セルの映像データi,qと、第1のバッファーbuf1に保存されているi番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi,q−1とを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
第3の電流判別部2050の第2の判断部XOR2は、排他的論理和ゲート素子を含み、i番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi,q−1と第2のバッファーbuf2に保存されているi−2番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi−2,q−1とを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
第3の電流判別部2050の第3の判断部XOR3は、排他的論理和ゲート素子を含み、第2のバッファーbuf2に保存されているi−2番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi−2,q−1と、第3のメモリ部2005から出力されるi−2番目の走査電極Yラインのq番目の放電セルの映像データi−2,qとを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
最後に、第4の電流判別部2070の第1の判断部XOR1は、排他的論理和ゲート素子を含み、i番目の走査電極Yラインのq番目の放電セルの映像データi,qと、第1バッファーbuf1に保存されているi番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi,q−1とを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
第4の電流判別部2070の第2の判断部XOR2は、排他的論理和ゲート素子を含み、i番目の走査電極Yラインのq−1番目セルの映像データi,q−1と、第2のバッファーbuf2に保存されているi−1番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi−1,q−1とを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
第4の電流判別部2070の第3の判断部XOR3は、排他的論理和ゲート素子を含み、第2のバッファーbuf2に保存されているi−1番目の走査電極Yラインのq−1番目の放電セルの映像データi−1,q−1と、第4のメモリ部2007から出力されるi−1番目の走査電極Yラインのq番目の放電セルの映像データi−1,qとを比較し、その結果、互いに異なると1を出力し、互いに同じであれば0を出力する。
走査順序決定部1001は、第1〜第4の電流判別部2010,2030,2050,2070のそれぞれが算出した変位電流の大きさを入力され、そのうち最小の変位電流を出力した電流判別部によって走査順序を決める。または、予め設定した臨界電流以下の変位電流が発生する走査タイプのうちいずれかの走査タイプによって走査電極Yの走査順序を決める。
例えば、走査順序決定部1001は、第2の電流判別部2030から入力された変位電流の大きさが最小であると判断すれば、図12の第3の走査タイプType3のようにY1−Y4−Y7−……、Y2−Y5−Y8−……、Y3−Y6−Y9−……順に走査順序を決める。
また、走査順序決定部1001は、第3の電流判別部2050から入力された変位電流の大きさが最小であると判断すれば、図12の第2の走査タイプType2のようにY1−Y3−Y5−……、Y2−Y4−Y6−……順に走査順序を決める。
また、走査順序決定部1001は、第3の電流判別部2050から入力された変位電流の大きさが最小であると判断すれば、図12の第2の走査タイプType2のようにY1−Y3−Y5−……、Y2−Y4−Y6−……順に走査順序を決める。
最後に、走査順序決定部1001は、第4の電流判別部2070から入力された変位電流の大きさが最小であると判断すれば、図12の第1の走査タイプType1のようにY1−Y2−Y3−Y4−Y5−Y6−……順に走査順序を決める。
一方、図14で説明した本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置における走査駆動部のデータ比較部1000に含まれる基本回路ブロックを、図14の構成とは異ならせることができる。これを、図19を参照して説明すると、次のとおりである。
図19は、本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の走査駆動部に備えるデータ比較部1000に含まれる基本回路ブロックの他の構成を説明するための構成図である。
図19を参照すれば、図19の基本回路ブロックは、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルとq−1番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データの変化と、i−1番目の走査ライン上のq番目のピクセルとq−1番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データの変化と、L番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルとi−1番目の走査電極ライン上のq−1番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データの変化とを通じて変位電流の大きさを算出する。
図19を参照すれば、図19の基本回路ブロックは、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルとq−1番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データの変化と、i−1番目の走査ライン上のq番目のピクセルとq−1番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データの変化と、L番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルとi−1番目の走査電極ライン上のq−1番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データの変化とを通じて変位電流の大きさを算出する。
第1のメモリ部〜第3のメモリ部Memory1,Memory2,Memory3は、i−1番目の走査電極ラインのRセルに対応する映像データ、Gセルに対応する映像データ、及びBセルに対応する映像データをそれぞれ臨時に保存する。
第1の判断部〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3は、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データ間の変化を判断する。
第1の判断部〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3は、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データ間の変化を判断する。
すなわち、第1の判断部XOR1は、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのRセルに対応する映像データi,qRと、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのGセルに対応する映像データi,qGとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
第2の判断部XOR2は、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのGセルに対応する映像データi,qGと、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのBセルに対応する映像データi,qBとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
第3の判断部XOR3は、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのBセルに対応する映像データi,qBと、i番目の走査電極ライン上のq−1番目のピクセルのRセルに対応する映像データi,q−1Rとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
第3の判断部XOR3は、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのBセルに対応する映像データi,qBと、i番目の走査電極ライン上のq−1番目のピクセルのRセルに対応する映像データi,q−1Rとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
第4の判断部〜第6判断部XOR4,XOR5,XOR6は、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データ間の変化を判断する。
すなわち、第4の判断部XOR4は、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのRセルに対応する映像データi−1,qRと、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのGセルに対応する映像データi−1,qGとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
すなわち、第4の判断部XOR4は、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのRセルに対応する映像データi−1,qRと、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのGセルに対応する映像データi−1,qGとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
第5判断部XOR5は、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのGセルに対応する映像データi−1,qGと、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのBセルに対応する映像データi−1,qBとを比較し、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
第6判断部XOR6は、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのBセルに対応する映像データi−1,qBと、i−1番目の走査電極ライン上のq−1番目のピクセルのRセルに対応する映像データi−1,q−1Rとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
第7の判断部〜第9の判断部XOR7,XOR8,XOR9は、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データのそれぞれと、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのR,G,Bセルに対応する映像データのそれぞれとを比較することにより、映像データ間の変化を判断する。
すなわち、第7の判断部XOR7はi番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのRセルに対応する映像データi,qRと、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのRセルに対応する映像データi−1,qRとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
すなわち、第7の判断部XOR7はi番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのRセルに対応する映像データi,qRと、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのRセルに対応する映像データi−1,qRとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
第8判断部XOR8は、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのGセルに対応する映像データi,qGと、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのGセルに対応する映像データi−1,qGとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
第9の判断部XOR9は、i番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのBセルに対応する映像データi,qBと、i−1番目の走査電極ライン上のq番目のピクセルのBセルに対応する映像データi−1,qBとを比較し、その結果、同じであれば論理値1を出力し、異なると論理値0を出力する。
デコーダDecは、第1〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3のそれぞれの出力信号Value1,Value2,Value3、第4〜第6判断部XOR4,XOR5,XOR6のそれぞれの出力信号Value4,Value5,Value6、及び第7〜第9の判断部XOR7,XOR8,XOR9のそれぞれの出力信号Value7,Value8,Value9に対応する3ビッドの信号を出力する。
図20は、本発明の第1の実施例による図19の回路ブロックに含まれた第1〜第9の判断部XOR1〜XOR9の出力信号による映像データのパターン内容を示す図である。
図20を参照すれば、第1〜第3の合算部Int1,Int2,Int3のそれぞれは、デコーダDecから第1〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3の出力信号Value1,Value2,Value3に対応する3ビット信号の出力回数を合算(C1,C2,C3)して出力する。
図20を参照すれば、第1〜第3の合算部Int1,Int2,Int3のそれぞれは、デコーダDecから第1〜第3の判断部XOR1,XOR2,XOR3の出力信号Value1,Value2,Value3に対応する3ビット信号の出力回数を合算(C1,C2,C3)して出力する。
第4〜第6の合算部Int4,Int5,Int6のそれぞれは、デコーダDecから第4〜第6判断部XOR4,XOR5,XOR6の出力信号Value4,Value5,Value6に対応する3ビット信号の出力回数を合算(C4,C5,C6)して出力する。
第7〜第9の合算部Int7,Int8,Int9のそれぞれは、デコーダDecから第7〜第9の判断部XOR7,XOR8,XOR9の出力信号Value7,Value8,Value9に対応する3ビット信号の出力回数を合算(C7,C8,C9)して出力する。
第1〜第3の電流算出部Cal1,Cal2,Cal3のそれぞれは、第1の合算部Int1、第2の合算部Int2及び第3の合算部Int3からC1,C2及びC3を入力されて変位電流の大きさを算出する。
第4〜第6電流算出部Cal4,Cal5,Cal6のそれぞれは、第4の合算部Int4、第5の合算部Int5及び第6の合算部Int6からC4,C5及びC6を入力されて変位電流の大きさを算出する。
第4〜第6電流算出部Cal4,Cal5,Cal6のそれぞれは、第4の合算部Int4、第5の合算部Int5及び第6の合算部Int6からC4,C5及びC6を入力されて変位電流の大きさを算出する。
第7〜第9の電流算出部Cal7,Cal8,Cal9のそれぞれは、第7の合算部Int7、第8合算部Int8及び第9の合算部Int9からC7,C8及びC9を入力されて変位電流の大きさを算出する。
第1の電流合算部Add1は、第1〜第3の電流算出部Cal1,Cal2,Cal3のそれぞれから算出された変位電流の大きさを合算する。
第2の電流合算部Add2は、第4〜第6の電流算出部Cal4,Cal5,Cal6のそれぞれから算出された変位電流の大きさを合算する。
第2の電流合算部Add2は、第4〜第6の電流算出部Cal4,Cal5,Cal6のそれぞれから算出された変位電流の大きさを合算する。
第3の電流合算部Add3は、第7〜第9の電流算出部Cal7,Cal8,Cal9のそれぞれから算出された変位電流の大きさを合算する。
かくしてそれぞれのセルに対応する映像データの変化に対する変位電流の大きさを算出することができる。
かくしてそれぞれのセルに対応する映像データの変化に対する変位電流の大きさを算出することができる。
図21は、前記図19〜図20を考慮した本発明の第1の実施例に係るプラズマディスプレイ装置における走査駆動部のデータ比較部1000と走査順序決定部1001のブロック構成図である。
図21を参照すれば、図19〜図20を考慮したデータ比較部1000は、図21に示された基本回路ブロック4つ、すなわち第1〜第4の電流判別部2010',2020',2030',2040'が連結されている構造であり、走査順序決定部1001は、4つの基本回路ブロックの出力を比較し、最小の変位電流を発生する走査順序を決める。
図21を参照すれば、図19〜図20を考慮したデータ比較部1000は、図21に示された基本回路ブロック4つ、すなわち第1〜第4の電流判別部2010',2020',2030',2040'が連結されている構造であり、走査順序決定部1001は、4つの基本回路ブロックの出力を比較し、最小の変位電流を発生する走査順序を決める。
このとき、第1の電流判別部2010'は、映像データi,qRと映像データi,qG、映像データi,qGと映像データi,qB、映像データi,qBと映像データi,q−4R、映像データi−4,qRと映像データi−4,qG、映像データi−4,qGと映像データi−4,qB、映像データi−4,qBとi−4,q−1R、映像データi,qRと映像データi−4,qR、映像データi,qGとi−4,qG及び映像データi,qBと映像データi−4,qBのそれぞれを比較する。
このとき,iとi−4はi番目の走査電極ラインとi−4番目の走査電極ラインを意味する。qR,qG及びqBはq番目のピクセルのR,G,Bセルのそれぞれを意味する。q−1R,q−1G及びq−1Bは、q−1番目のピクセルのR,G,Bセルのそれぞれを意味する。
したがって、第1の電流判別部2010'は、上記のように、映像データを比較してType4の走査順序に対応する変位電流の大きさを算出する。
したがって、第1の電流判別部2010'は、上記のように、映像データを比較してType4の走査順序に対応する変位電流の大きさを算出する。
第2の電流判別部2020'は、映像データi,qRと映像データi,qG、映像データi,qGと映像データi,qB、映像データi,qBと映像データi,q−1R、映像データi−3,qRと映像データi−3,qG、映像データi−3,qGと映像データi−3,qB、映像データi−3,qBと映像データi−3,q−1R、映像データi,qRと映像データi−3,qR、映像データi,qGと映像データi−3,qG及び映像データi,qBと映像データi−3,qBのそれぞれを比較する。このとき,iとi−3はi番目の走査電極ラインとi−3番目の走査電極ラインを意味する。
したがって、第2の電流判別部2020'は、上記のように、映像データを比較してType3の走査順序に対応する変位電流の大きさを算出する。
したがって、第2の電流判別部2020'は、上記のように、映像データを比較してType3の走査順序に対応する変位電流の大きさを算出する。
第3の電流判別部2030'は、映像データi,qRと映像データi,qG、映像データi,qGと映像データi,qB、映像データi,qBと映像データi,q−1R、映像データi−2,qRと映像データi−2,qG、映像データi−2,qGと映像データi−2,qB、映像データi−2,qBと映像データi−2,q−1R、映像データi,qRと映像データi−2,qR、映像データi,qGと映像データi−2,qG及び映像データi,qBと映像データi−2,qBのそれぞれを比較する。このとき,iとi−2はi番目の走査電極ラインとi−2番目の走査電極ラインを意味する。
したがって、第3の電流判別部2030'は、上記のように、映像データを比較してType2の走査順序に対応する変位電流の大きさを算出する。
したがって、第3の電流判別部2030'は、上記のように、映像データを比較してType2の走査順序に対応する変位電流の大きさを算出する。
第4の電流判別部2040'は、映像データi,qRと映像データi,qG、映像データi,qGと映像データi,qB、映像データi,qBと映像データi,q−1R、映像データi−1,qRと映像データi−1,qG、映像データi−1,qGと映像データi−1,qB、映像データi−1,qBと映像データi−1,q−1R、映像データi,qRと映像データi−1,qR、映像データi,qGとi−1,qG及び映像データi,qBと映像データi−1,qBのそれぞれを比較する。このとき,iとi−1はi番目の走査電極ラインとi−1番目の走査電極ラインを意味する。
したがって、第4の電流判別部2040'は、上記のように、映像データを比較してType1の走査順序に対応する変位電流の大きさを算出する。
したがって、第4の電流判別部2040'は、上記のように、映像データを比較してType1の走査順序に対応する変位電流の大きさを算出する。
走査順序決定部1001は、第1〜第4の電流判別部2010',2030',2050',2070'のそれぞれが算出した変位電流入力され、そのうち最小の変位電流を出力した電流判別部によって走査順序を決める。
例えば、走査順序決定部1001は、第2の電流判別部2030'から入力された変位電流が最小であると判断すれば、図12の第3の走査タイプType3のようにY1−Y4−Y7−……、Y2−Y5−Y8−……、Y3−Y6−Y9−……順に走査順序を決める。
例えば、走査順序決定部1001は、第2の電流判別部2030'から入力された変位電流が最小であると判断すれば、図12の第3の走査タイプType3のようにY1−Y4−Y7−……、Y2−Y5−Y8−……、Y3−Y6−Y9−……順に走査順序を決める。
また、走査順序決定部1001は、第3の電流判別部2050'から入力された変位電流が最小であると判断すれば、図12の第2の走査タイプType2のようにY1−Y3−Y5−……、Y2−Y4−Y6−……順に走査順序を決める。
図22は、本発明によるデータ比較部と走査順序決定部が各サブフィールド別に適用される実施例のブロック構成図である。
図22を参照すれば、第1のサブフィールドSF1用データ比較部〜第16のサブフィールドSF16用データ比較部のそれぞれは、複数の走査タイプに対する、該当サブフィールドにおける映像データのパターンによる変位電流の大きさを算出し、臨時保存部800に保存する。
図22を参照すれば、第1のサブフィールドSF1用データ比較部〜第16のサブフィールドSF16用データ比較部のそれぞれは、複数の走査タイプに対する、該当サブフィールドにおける映像データのパターンによる変位電流の大きさを算出し、臨時保存部800に保存する。
このような第1のサブフィールドSF1用データ比較部〜第16のサブフィールドSF16用データ比較部のそれぞれは、図17に示されたデータ比較部のブロック構成と同一であり、複数の走査タイプに対する、各サブフィールドにおける映像データのパターンによる変位電流の大きさを算出し、臨時保存部800に保存する。
走査順序決定部1001は、臨時保存部800から入力された各サブフィールド別映像データのパターンによる変位電流の大小を比較し、最小の変位電流を有する映像データのパターンを把握することにより、走査順序を各サブフィールド毎に決める。
このように本発明に係るプラズマディスプレイ装置及びその駆動方法は、複数の走査タイプのそれぞれに対応する走査電極ライン間の変位電流を算出し、最小の変位電流を有する走査タイプに対応するラインを順次に走査することを特徴とする。
すなわち、図12によれば、それぞれの走査タイプが所定の個数だけ規則的に離れているライン間の変位電流を算出し、最小の変位電流を有する走査タイプを選択する。しかし、勿論、走査タイプが不規則的にあるいは任意の規則に従って離れているライン間の変位電流を算出し、最小の変位電流を有する走査タイプを選択することもできる。また、前記では静電容量Cm1及びCm2の少なくとも1つを含む加重値(Cm2,Cm1+Cm2または4Cm1+Cm2)を用いて変位電流を算出した。しかし、加重値を使用せず、変位電流が流れない場合には、変位電流の大きさを“u0”vとし、変位電流が流れる場合には、変位電流の大きさを“u1”vとし、“u0”vまたは“u1”v値を合計してサブフィールドの変位電流の大きさを求めても構わない。例えば、図14において、第1〜第3の合算部736−1〜736−3を1つの合算部にし、電流算出部737−1〜737−3及び電流合算部738を省略しても良い。この場合、1つの合算部でC1,C2,C3の出力回数をカウントし、カウント値そのものを変位電流として算出する。
一方、複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yを走査するサブフィールドは、1フレーム内で任意に決定できる。これを図23を参照して説明すると、次のとおりである。
図23は、1フレーム内で複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yを走査するサブフィールドを選択する方法の一例を説明するための図である。
図23を参照すれば、1フレームに含まれたサブフィールドのうち最小の階調加重値を有する第1のサブフィールドでのみ前述した図12の第1の走査タイプType1で走査電極Yを走査し、残りのサブフィールドでは通常の方法、すなわち順次走査方法を用いて走査電極Yを走査する。より具体的には、1フレームのサブフィールドから選択されたいずれか1つ以上のサブフィールドで複数の走査タイプに対して変位電流を算出し、前記各サブフィールド毎に前記変位電流が最小となる走査タイプで走査電極Yを走査する。
図23を参照すれば、1フレームに含まれたサブフィールドのうち最小の階調加重値を有する第1のサブフィールドでのみ前述した図12の第1の走査タイプType1で走査電極Yを走査し、残りのサブフィールドでは通常の方法、すなわち順次走査方法を用いて走査電極Yを走査する。より具体的には、1フレームのサブフィールドから選択されたいずれか1つ以上のサブフィールドで複数の走査タイプに対して変位電流を算出し、前記各サブフィールド毎に前記変位電流が最小となる走査タイプで走査電極Yを走査する。
しかし、好ましくは、前記図22のように、1フレームに含まれた各サブフィールド毎に複数の走査タイプに対して変位電流を算出し、各サブフィールド毎に変位電流が最小となる走査タイプで走査電極Yを走査する。
以上の説明から、映像データのパターンが第1のパターンと第2のパターンを含む場合に、このような映像データの第1のパターンにおける走査順序と第2のパターンにおける走査順序が異なりうることがわかる。これを図24を参照して詳しく説明すると、次のとおりである。
図24は、2つの相違なる映像データのパターンにおいて走査順序が異なりうることを示す。
図24を参照すれば、(a)には、上下及び左右方向に論理レベル‘1'と論理レベル‘0'が交互に配置される映像データのパターンが示されており、(b)には左右方向には論理レベル‘1'と‘0'が交互に配置されるが、上下方向には、論理レベルが変わらない映像データのパターンが示されている。
図24を参照すれば、(a)には、上下及び左右方向に論理レベル‘1'と論理レベル‘0'が交互に配置される映像データのパターンが示されており、(b)には左右方向には論理レベル‘1'と‘0'が交互に配置されるが、上下方向には、論理レベルが変わらない映像データのパターンが示されている。
(a)の映像データパターンの場合には、走査電極Yの走査順序がY1−Y3−Y5−Y7−Y2−Y4−Y6順であり、(b)の映像データパターンの場合には、走査電極Yの走査順序がY1−Y2−Y3−Y4−Y5−Y6−Y7の順である。すなわち、映像データが(a)のパターンを有する場合と(b)のパターンを有する場合により、走査電極Yの走査順序がそれぞれ異なる。
このように走査電極Yの走査順序が調節される理由は、既に詳しく前述したので、ここではこれ以上の詳しい説明は省略する。
一方、前述したように映像データのパターンを考慮して走査電極Yの走査順序を調節する場合には、映像データパターンに対するしきい値(臨界値)を設定し、この予め設定されたしきい値によって走査順序を調節することが望ましい。これを、図25を参照して説明すると、次のとおりである。
一方、前述したように映像データのパターンを考慮して走査電極Yの走査順序を調節する場合には、映像データパターンに対するしきい値(臨界値)を設定し、この予め設定されたしきい値によって走査順序を調節することが望ましい。これを、図25を参照して説明すると、次のとおりである。
図25は、映像データパターンによるしきい値を設定して走査順序を調節する方法の一例を説明するための図である。
図25を参照すれば、(a)は、映像データがいずれもハイレベル、すなわち論理レベル‘1'の場合を示し、(b)は、映像データがY1,Y2及びY3の走査電極ライン上ではいずれも論理レベル‘1'であり、Y4の走査電極ライン上ではいずれも論理レベル‘0'の場合を示し、(c)は、Y1及びY2の走査電極ラインの1番目と2番目が論理レベル‘1'であり、Y1及びY2の走査電極ラインの3番目と4番目が、論理レベル‘0'であり、Y3及びY4走査電極ライン上ではいずれも論理レベル‘1'の場合を示し、(d)は、論理レベル‘1'と‘0'が交互に配置される場合を示す。
図25を参照すれば、(a)は、映像データがいずれもハイレベル、すなわち論理レベル‘1'の場合を示し、(b)は、映像データがY1,Y2及びY3の走査電極ライン上ではいずれも論理レベル‘1'であり、Y4の走査電極ライン上ではいずれも論理レベル‘0'の場合を示し、(c)は、Y1及びY2の走査電極ラインの1番目と2番目が論理レベル‘1'であり、Y1及びY2の走査電極ラインの3番目と4番目が、論理レベル‘0'であり、Y3及びY4走査電極ライン上ではいずれも論理レベル‘1'の場合を示し、(d)は、論理レベル‘1'と‘0'が交互に配置される場合を示す。
ここで、(a)では、データドライバ集積回路のスイッチングが発生せず、総スイッチング回数は0であり、(b)では、上下方向に総4回のデータドライバ集積回路のスイッチングが発生し、(c)では、上下方向に総2回及び左右方向に総2回のスイッチングが発生し、(d)では、上下方向に総12回及び左右方向に総12回のスイッチングが発生する。これから、(d)の場合、パターンによるロード(Load)が最大の場合であることがわかる。
ここで、前述したデータのパターンによるロード価格は、既に詳細に説明したように、好ましくは、該当データパターンの横方向のロード値と縦方向のロード値との和である。
このとき、予め設定された臨界ロード値が、上下方向に総10回のスイッチングと左右方向に総10回のスイッチングによるロードであると仮定すれば、前述した(a),(b)(c),(d)のパターンのうち最後の(d)の場合のみが、予め設定された臨界ロード値を越える。
このように臨界ロード値を越えるというのは、データのパターンによる変位電流の大きさが予め設定された臨界電流以上であることを意味する。これは、以上の本発明に関する説明からわかる。
このような場合、(d)のパターンにおける映像データが印加されるとき、走査電極Yの走査順序を調節することができる。このような走査電極Yの走査順序の調節については、既に詳しく説明したので、ここでは、前述と重複する説明を省略する。
一方、以上の説明によれば、それぞれ1ずつの走査電極Yに対応する走査順序を有する走査タイプを決め、このような走査タイプによって、前記1ずつの走査電極Yに対応する走査順序によって走査を行ったが、これとは異なり、複数の走査電極Yを走査電極群に設定し、これに対応する走査順序を決めることもできる。これを、図26を参照して説明すると、次のとおりである。
図26は、それぞれ複数の走査電極Yを含む走査電極群に対応する走査順序を決める方法の一例を説明するための図である。
図26を参照すれば,Y1,Y2,Y3の走査電極を第1の走査電極群に設定し、Y4,Y5,Y6の走査電極を第2の走査電極群に設定し、Y7,Y8,Y9の走査電極を第3の走査電極群に設定し、Y10,Y11,Y12の走査電極を第4の走査電極群に設定する。図26では、それぞれの走査電極群が4つずつの走査電極を含むように設定したが、これとは異なり、2つ、3つ、5つなど多様に設定することができる。
図26を参照すれば,Y1,Y2,Y3の走査電極を第1の走査電極群に設定し、Y4,Y5,Y6の走査電極を第2の走査電極群に設定し、Y7,Y8,Y9の走査電極を第3の走査電極群に設定し、Y10,Y11,Y12の走査電極を第4の走査電極群に設定する。図26では、それぞれの走査電極群が4つずつの走査電極を含むように設定したが、これとは異なり、2つ、3つ、5つなど多様に設定することができる。
また、複数の走査電極群のうちいずれか1つ以上が、他の走査電極群と相違なる個数の走査電極Yを含むように設定することも可能である。例えば、第1の走査電極群に、2つの走査電極Y、第2の走査電極群に、4つの走査電極Yを含むように設定することもできる。
このように、走査電極群に設定した場合、図12の第2のタイプType2を適用すれば、図26のように、第1の走査電極群の走査以後に第3の走査電極群を走査し、次に、第2の走査電極群と第4の走査電極群を順次に走査する。言い換えれば、走査順序がY1,Y2,Y3,Y7,Y8,Y9,Y4,Y5,Y6,Y10,Y11,Y12の順になる。
以上、本発明の第1の実施例では、アドレス期間中に複数の走査電極を走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで、走査電極Yを走査することについて詳しく説明した。
次に、本発明の第2の実施例は、第1の実施例が適用されるアドレス期間以後の維持期間において走査電極Yまたは維持電極Zに印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間において走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの維持パルスの印加時点間の時間差よりもさらに長くすることを特徴とする。
図27は、本発明の第2の実施例により、最後の維持パルスの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を調節する方法について説明するための図である。
図27を参照すれば、(a)は、いずれか1つのサブフィールドの維持期間中に印加される最後の維持パルスSUSLと、次のサブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスとの関係を示す。図27では、最後の維持パルスSUSLが走査電極Yに印加される場合の例を説明している。しかし、図27の場合とは異なり、最後の維持パルスSUSLが維持電極Zにも印加できる。
図27を参照すれば、(a)は、いずれか1つのサブフィールドの維持期間中に印加される最後の維持パルスSUSLと、次のサブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスとの関係を示す。図27では、最後の維持パルスSUSLが走査電極Yに印加される場合の例を説明している。しかし、図27の場合とは異なり、最後の維持パルスSUSLが維持電極Zにも印加できる。
(b)は、最後の維持パルスSUSLを除いた他の一般維持パルスの印加時点間との時間差Ws2を示す。
(a)を参照すれば、このような最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との間には、Ws1の時間差がある。
(a)を参照すれば、このような最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との間には、Ws1の時間差がある。
このように(a)におけるWs1を(b)におけるWs2よりもさらに長く設定する。
このように(a)におけるWs1を(b)におけるWs2よりもさらに長くする理由について、図28を参照して説明すると、次のとおりである。
このように(a)におけるWs1を(b)におけるWs2よりもさらに長くする理由について、図28を参照して説明すると、次のとおりである。
図28は、本発明の第2の実施例により、維持パルスの印加時点を制御する理由を示す図である。
すなわち、図28は、走査電極Yまたは維持電極Zに印加される維持パルスのうち最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くする理由を示す。
すなわち、図28は、走査電極Yまたは維持電極Zに印加される維持パルスのうち最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くする理由を示す。
図28を参照すれば、1セル内における複数の電極、例えば走査電極Y、維持電極Z、データ電極X上に位置する壁電荷2400とセル内の空間に位置する空間電荷2401との関係が示されている。
このような状況下で、パネル周辺の温度が相対的に高温に上昇する場合、セル内での空間電荷2401と壁電荷2400の再結合の割合が増加する。
このような状況下で、パネル周辺の温度が相対的に高温に上昇する場合、セル内での空間電荷2401と壁電荷2400の再結合の割合が増加する。
この場合、放電に参加する壁電荷の絶対量が減少し、このため、放電が発生すべきセルで放電が発生しないなどの誤放電が発生する。ここで、前記空間電荷2401は、セル内の空間に存在する電荷であって、前記壁電荷2400とは異なって放電に参加しない。
例えば、アドレス期間で空間電荷2401と壁電荷2400の再結合の割合が増加すれば、アドレス放電に参加する壁電荷2400の量が減少し、このため、アドレス放電が不安定になる。この場合には、アドレス順序が後の方であるほど、空間電荷2401と壁電荷2400が再結合する時間が十分に確保できるため、アドレス放電がさらに不安定になる。これにより、アドレス期間中にONになったセルが、維持期間中にOFFになるなどの高温誤放電が発生する。
さらに、パネル周辺の温度が相対的に高い場合に、維持期間に維持放電が発生すれば、放電時に空間電荷2401の速度が速くなり、これにより、空間電荷2401と壁電荷2400の再結合の割合が増加する。その結果、いずれか1つの維持放電以後に、空間電荷2401と壁電荷2400の再結合によって、維持放電に参加する壁電荷2400の量が減少する。このため、次のサブフィールドにおける放電が不安定になる。
ここで、維持期間における最後の維持パルスSUSLの印加終了時点から、次のサブフィールドのリセット期間におけるリセットパルスが印加される時点までの期間を充分に長く設定すれば、最後の維持パルスSUSLの印加後に空間電荷2401が低減されるだけの十分な時間が確保される。これにより、セル内での空間電荷2401が減少する。
このようにセル内での空間電荷2401の量が減少することにより、パネル周辺の温度が相対的に高温である場合にも誤放電の発生を抑えることができる。
特に、図10〜図26の説明のように、あるフレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドにおいて、アドレス期間中に複数の走査電極Yを走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yを走査する場合、特定の走査電極Yの走査順序が頻繁に変動できる。この場合、アドレス期間中に形成されるセル内の壁電荷の分布は、一定の走査順序を有する場合に比べて相対的に不安定になるおそれがある。
特に、図10〜図26の説明のように、あるフレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドにおいて、アドレス期間中に複数の走査電極Yを走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yを走査する場合、特定の走査電極Yの走査順序が頻繁に変動できる。この場合、アドレス期間中に形成されるセル内の壁電荷の分布は、一定の走査順序を有する場合に比べて相対的に不安定になるおそれがある。
例えば、図12における第3の走査電極Y3の場合、走査電極Yが第1の走査タイプType1で走査される場合に、前記第3の走査電極Yの走査順序は3番目であり、走査電極Yが第2の走査タイプType2で走査される場合には、第3の走査電極Y3の走査順序は2番目であり、走査電極Yが第3の走査タイプType3で走査される場合には、第3の走査電極Y3の走査順序は7番目である。このように第3の走査電極Y3の走査順序が頻繁に変動すると、第3の走査電極Y3ライン上に位置するセル内での壁電荷の分布が不安定になる。
この場合、走査電極Yまたは維持電極Zに印加される維持パルスのうち最後の維持パルスSUSLの印加時点から次のサブフィールドのリセット期間中に、走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点までの期間を充分に長くすると、すなわち維持期間で最後の維持パルスSUSLの印加の終了時点から次のサブフィールドのリセット期間中に、リセットパルスが印加される時点までの期間を充分に長く設定すると、前記第3の走査電極Y3ライン上に位置するセル内の空間電荷を充分に減少でき、その結果、第3の走査電極Y3ライン上に位置するセル内での放電を安定化させる。
以上で図28の説明を終え、以下、図27について説明する。
ここで、(a)における最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差Ws1は、好ましくは、(b)における2つの一般維持パルスの印加時点間の時間差Ws2の1倍超過ないし1000倍以下にする。すなわち、Ws2<Ws1≦1000Ws2の関係が設定される。
ここで、(a)における最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差Ws1は、好ましくは、(b)における2つの一般維持パルスの印加時点間の時間差Ws2の1倍超過ないし1000倍以下にする。すなわち、Ws2<Ws1≦1000Ws2の関係が設定される。
一方、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を100μs〜1msの範囲にしても良い。
ここで、最後の維持パルスSUSLのパルス幅は、d2であって他の一般の維持パルスのパルス幅d1とほぼ同一に設定される。
ここで、最後の維持パルスSUSLのパルス幅は、d2であって他の一般の維持パルスのパルス幅d1とほぼ同一に設定される。
このようにパルス幅が他の一般の維持パルスの幅と同じ最後の維持パルスSUSLの印加が終了した後、走査電極Yの電圧が 、Ws1の期間においてGNDレベルを維持することにより最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間において印加されるリセットパルスの印加時点との間に時間差を発生させる。
結局、図27では、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差は、最後の維持パルスSUSLの印加が終了した後に、走査電極Yの電圧が接地電圧レベルを保持する期間であることから、好ましくは、走査電極Yの電圧が接地電圧レベルを保持する期間が100μs〜1msの範囲である。
ここで、最後の維持パルスSUSLの印加が終了してから、次サブフィールドのリセット期間時点までの期間を100μs以上にした理由、すなわち下限しきい値を100μsに設定した理由は、プラズマディスプレイパネルの維持放電時に発生した空間電荷を充分に減少させるためであり、最後の維持パルスSUSLの印加が終了した時点から次サブフィールドのリセット期間時点までの期間を1ms以下にした理由、すなわち上限しきい値を1msに設定した理由は、プラズマディスプレイパネルの維持駆動時の維持期間の動作マージンを確保するためである。
また、図27では、いずれか1つのサブフィールドでのみ(a)のWs1を(b)のWs2よりもさらに長く設定することを説明しているが、好ましくは、フレームに含まれたすべてのサブフィールドにおいて、(a)のWs1を(b)のWs2よりもさらに長く設定する。
例えば、1フレームが総12個のサブフィールドを含む場合、この12個のすべてのサブフィールドにおいて走査電極Yまたは維持電極Zに印加される維持パルスのうち最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間において走査電極Yに印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの維持パルスの印加時点間の時間差よりもさらに長くする。
ここで、前記図27の説明における維持パルスの印加時点について、図29を参照してより詳しく説明すると、次のとおりである。
図29は、維持パルスの印加時点についてより詳しく説明するための図である。
図29は、維持パルスの印加時点についてより詳しく説明するための図である。
図29を参照すれば、前記最後の維持パルスの印加時点は、好ましくは、最後の維持パルスSUSLの電圧が最低電圧Vminから上昇しながら平均電圧が最大電圧Vmaxの略10%(Vmax/10)以上になる時点となる。
また、図示しないが、前記最後の維持パルスSUSLの印加が終了するというのは、最後の維持パルスSUSLの電圧が最大電圧の約10%以下になることを意味する。すなわち、最後の維持パルスSUSLの最大電圧が200Vであると仮定すれば、この最後の維持パルスSUSLの電圧が約20V以下になる場合を最後の維持パルスSUSLの印加が終了したという。
また、図示しないが、前記最後の維持パルスSUSLの印加が終了するというのは、最後の維持パルスSUSLの電圧が最大電圧の約10%以下になることを意味する。すなわち、最後の維持パルスSUSLの最大電圧が200Vであると仮定すれば、この最後の維持パルスSUSLの電圧が約20V以下になる場合を最後の維持パルスSUSLの印加が終了したという。
以上、最後の維持パルスSUSLの印加の終了時点から次サブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点までに該当する電極、例えば図27では、走査電極Yの電圧を接地電圧レベルに保持することにより、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を調節した。
しかし、これとは異なり、最後の維持パルスSUSLのパルス幅を調節することにより、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を調節することもできる。これを、図30を参照して説明すると、次のとおりである。
図30は、最後の維持パルスの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を調節する他の方法について説明するための図である。
図30を参照すれば、(a)は、いずれか1つのサブフィールドの維持期間中に印加される最後の維持パルスSUSLと、次のサブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスとの関係を示す。図30は、前記図27と同様に最後の維持パルスSUSLが走査電極Yに印加される場合の例を説明している。しかし、このような図30の場合とは異なり、最後の維持パルスSUSLが、維持電極Zにも印加できることは言うまでもない。
図30を参照すれば、(a)は、いずれか1つのサブフィールドの維持期間中に印加される最後の維持パルスSUSLと、次のサブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスとの関係を示す。図30は、前記図27と同様に最後の維持パルスSUSLが走査電極Yに印加される場合の例を説明している。しかし、このような図30の場合とは異なり、最後の維持パルスSUSLが、維持電極Zにも印加できることは言うまでもない。
(b)は、図27と同様に最後の維持パルスSUSLを除いた、他の一般の維持パルス間の印加時点間の時間差Ws2を示す。
(a)を参照すれば、前記最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との間には、Ws3の時間差がある。
(a)を参照すれば、前記最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との間には、Ws3の時間差がある。
前記(a)におけるWs3は、(b)におけるのWs2よりもさらに長く設定する。
ただし、図30では、前記図27とは異なり、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差が、最後の維持パルスSUSLのパルス幅が増大することから発生する。
ただし、図30では、前記図27とは異なり、最後の維持パルスSUSLの印加時点と、次サブフィールドのリセット期間中に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差が、最後の維持パルスSUSLのパルス幅が増大することから発生する。
換言すると、最後の維持パルスSUSLの幅d3は、他の維持パルスの幅d1よりも長い。
好ましくは、前記最後の維持パルスSUSLの幅は、100μs〜1msの範囲である。
好ましくは、前記最後の維持パルスSUSLの幅は、100μs〜1msの範囲である。
ここで、最後の維持パルスSUSLのパルス幅を100μs以上にした理由、すなわち下限しきい値を100μsに設定した理由は、プラズマディスプレイパネルの維持放電時に発生した空間電荷を充分に減少させるためであり、最後の維持パルスSUSLのパルス幅を1ms以下にした理由、すなわち上限しきい値を1msに設定した理由は、プラズマディスプレイパネルの維持駆動時の維持期間の動作マージンを確保するためである。
このように(a)におけるWs3を(b)におけるWs2よりもさらに長くする理由は、前記図27と同様にセル内の空間電荷を減少させるためである。これについては、図27〜24でより詳しく説明したので、前述と重複する説明を省略する。
図31は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法の一例を示す波形図である。
図31の駆動波形は、3電極交流面放電型PDPに適用される。
図31の駆動波形は、3電極交流面放電型PDPに適用される。
図31を参照すれば、それぞれのサブフィールドSFn−1,SFnは、全画面の放電セルを初期化するためのリセット期間RP、放電セルを選択するためのアドレス期間AP、選択済み放電セルの放電を維持させるための維持期間SP及び放電セル内の壁電荷を消去するための消去期間EPを含む。
リセット期間RP、アドレス期間AP及び維持期間SPは図5の駆動波形と実質的に同一なので、それについての詳細な説明は省力する。
リセット期間RP、アドレス期間AP及び維持期間SPは図5の駆動波形と実質的に同一なので、それについての詳細な説明は省力する。
本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法の一例は、40℃以上の高温環境下で、n−1番目のサブフィールドSFn−1の最後の維持パルスLSTSΜSPの立上り時点と、n番目のサブフィールドSFnのリセット期間RPが始まる正ランプ波形PRの立上り時点の間に、空間電荷の減衰Decayを引き起こすための空間電荷減衰期間TDecayを設定する。
空間電荷減衰期間TDecayは、室温温環境に比べて40℃以上の高温環境下でさらに長く設定され、その時間は、約300μs±50μs程度である。この空間電荷減衰期間中にn−1番目のサブフィールドSFn−1の維持放電時に発生する空間電荷は、これら空間電荷間の再結合と壁電荷との再結合により減衰することになる。このような空間電荷の減衰後に、n番目のサブフィールドSFnのリセット期間RP中に、セットアップ放電とセットダウ放電が連続的に起こり、その結果、N番目のサブフィールドSFnのリセット期間RP直後には、図6cのように空間電荷がほとんどなくなり、アドレス放電の最適の壁電荷分布条件下で、各放電セルが初期化される。
空間電荷の減衰期間内に存在する消去期間EPにおいて、放電セル内に消去放電を誘導するための消去ランプ波形ERRが、維持電極Zに印加される。消去ランプ波形ERRは、電圧が0Vから正の維持電圧Vsまで次第に立ち上がる正ランプ波形である。この消去ランプ波形ERRによって、維持放電が発生したオンセル内では、走査電極Yと維持電極Zとの間で消去放電が発生し、これにより壁電荷が消去される。
図32は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法の他の例を示す波形図である。
図32の駆動波形は、セットアップ放電なしに以前サブフィールドにおける最後の維持放電とそれに続く次サブフィールドでのセットダウ放電だけで放電セルの初期化が可能であるPDP、すなわち放電セルの均一性が高くかつ駆動マージンが広いPDPに適用可能である。
図32の駆動波形は、セットアップ放電なしに以前サブフィールドにおける最後の維持放電とそれに続く次サブフィールドでのセットダウ放電だけで放電セルの初期化が可能であるPDP、すなわち放電セルの均一性が高くかつ駆動マージンが広いPDPに適用可能である。
図32を参照すれば、n−1番目のサブフィールドSFn−1は、リセット期間RP、アドレス期間AP、及び維持期間SPを含む。n番目のサブフィールドSFnは、セットアップ期間なしにセットダウン期間のみを有するリセット期間RP、アドレス期間AP、維持期間SP及び消去期間EPを含む。
アドレス期間APと維持期間SPは、図5の駆動波形及び前記図31の実施例と実質的に同様であるので、これ以上の詳しい説明は省略する。
アドレス期間APと維持期間SPは、図5の駆動波形及び前記図31の実施例と実質的に同様であるので、これ以上の詳しい説明は省略する。
本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法の他の例は、高温環境下で、n−1番目のサブフィールドSFn−1の最後の維持パルスLSTSMSP2の立上り時点と、n番目のサブフィールドSFnのリセット期間RPが始まる負ランプ波形PRの立下り開始時点との間に、空間電荷の減衰を引き起こすための空間電荷減衰期間TDecay2を設定する。
空間電荷減衰期間TDecay2は最後の維持パルスのパルス幅と同じであり、室温環境に比べて40℃以上の高温環境下で長く設定される。この空間電荷減衰期間TDecay2は、高温下で約300μs±50μs程度である。この空間電荷減衰期間TDecay2において、走査電極Yには、維持電圧Vsの最後の維持パルスLSTSUSPが印加され、その維持電圧Vsを維持し、走査電極Yに最後の維持パルスLSTSUSPが印加された時点から、所定の時間Tdが経ってから、維持電極Zには、維持電圧Vsが印加される。この電圧によって空間電荷減衰期間TDecay2中、負の空間電荷は走査電極Y上に蓄積され、正の空間電荷はアドレス電極X上に蓄積される。よって、空間電荷減衰基板TDecay2直後には、既存のセットアップ放電結果と類似の壁電荷の分布、すなわち放電セルのそれぞれで、空間電荷がほとんど消滅して、図6bと類似した壁電荷分布に各放電セルが初期化される。
空間電荷減衰期間TDecay2に引き継ぎ、N番目のサブフィールドSFnのリセット期間RP(SD)には、負ランプ波形NRが走査電極Yに印加される。このリセット期間RP(SD)中、維持電極Zには、正の維持電圧Vsが印加され、アドレス電極Xには0Vが印加される。負ランプ波形NRにより走査電極Y上の電圧は、正の維持電圧Vsから負の消去電圧Veまで徐々に低下する。この負ランプ波形NRにより、全画面の放電セル内において、走査電極Yとアドレス電極Xの間で暗放電が発生し、同時に走査電極Yと維持電極Zとの間で暗放電が起こる。このセットダウン期間SDの暗放電の結果、各放電セル1内の壁電荷分布は、図6cのように、アドレスの最適条件に変わる。
図33は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法のまた他の例であり、図34a〜図34eは、図33のような駆動波形によって変わる放電セル内の壁電荷分布を段階的に示す図である。
図33の駆動波形について、図34a〜図34eの壁電荷分布を関連付けて説明する。
図33の駆動波形について、図34a〜図34eの壁電荷分布を関連付けて説明する。
図33を参照すれば、高温環境下で少なくとも1つのサブフィールド、例えば1番目のサブフィールドを走査電極Y上に正の壁電荷を形成し、維持電極Z上に負の壁電荷を形成するためのプリリセット期間PREPRと、プリリセット期間PREPRに形成された壁電荷分布を用いて、全画面の放電セルを初期化するためのリセット期間RPと、アドレス期間APと、選択済み放電セルの放電を維持するための維持期間SPとに分割して駆動する。維持期間SPと次のサブフィールドのリセット期間との間には、消去期間を含んでいいても良い。
プリリセット期間PREPRには、すべての維持電極Zに、正の維持電圧Vsが印加された後、所定時間Td2が経過した時点からすべての走査電極Yに、0Vや接地電圧GNDから負の−V1電圧まで立ち下がる第1のY負ランプ波形NRY1が印加される。ここで、所定時間Td2は、パネル特性によって変えることができる。維持電極Zの電圧が維持される間、走査電極Yの電圧は低下した後、−V1電圧を所定時間維持する。このプリリセット期間PREPR中に、アドレス電極Xには0Vが印加される。
プリリセット期間PREPRの初期所定時間Td2の間、維持電極Zに印加される維持電圧Vsと走査電極Yに印加される0Vとの電圧差により、放電セル内の負の空間電荷は、走査電極Y上に蓄積されて壁電荷に変わり、その放電セル内の正の空間電荷は、維持電極Y上に蓄積されて壁電荷に変わる。このような空間電荷の消去後、維持電極Zに印加される維持電圧Vsと走査電極Yに印加される第1のY負ランプ波形NRY1は、全放電セルにおける走査電極Yと維持電極Z間、維持電極Zとアドレス電極X間で暗放電を起こす。この放電の結果、プリリセット期間PREPR直後に全放電セル内において、図34aのように走査電極Y上には正の壁電荷が蓄積され、維持電極Z上には負の壁電荷が多量蓄積される。そして、アドレス電極X上には正の壁電荷が蓄積される。図34aの壁電荷分布により全放電セル内には走査電極Yと維持電極Z間に充分大きな正の電圧が形成され、各放電セル内に走査電極Yから維持電極Zへの電界が形成される。
リセット期間RPのセットアップ期間SUでは、すべての走査電極Yに第1のY正ランプ波形PRY1と第2Yの正ランプ波形PRY2が連続的に印加され、維持電極Zとアドレス電極Xには0Vが印加される。第1のY正ランプ波形PRY1の電圧は、0Vから正の維持電圧Vsまで上昇し、第2のY正ランプ波形PRY2の電圧は、正の維持電圧Vsからそれより高い正のYリセット電圧Vryまで上昇する。第2のY正ランプ波形PRY2の勾配は、第1のY正ランプ波形PRY1よりも低い。一方、パネル特性により、第1のY正ランプ波形PRY1と第2のY正ランプ波形PRY2との勾配は、同じく設定しても良い。第1のY正ランプ波形PRY1と放電セル内における走査電極Yと維持電極Z間に形成された電界の電圧とが加えられることにより、放電セルにおける走査電極Yと維持電極Z間、走査電極Yとアドレス電極X間では暗放電が発生する。この放電の結果、セットアップ期間SU直後に前放電セル内において、図34bのように、走査電極Y上には、負の壁電荷が蓄積され、このためにその極性が正から負に変わり、アドレス電極X上には正の壁電荷がさらに蓄積される。そして、維持電極Z上に蓄積されている壁電荷は、走査電極Yの方に負の壁電荷が移動しながら、その一部が減少するが、その極性は負を維持する。
一方、プリリセット期間PREPR直後の壁電荷分布により、セットダウン期間SUで暗放電が発生する前に、全放電セル内における正のギャップ電圧が充分高いので、Yリセット電圧Vrは、図5のように、従来のリセット電圧Vrよりも低くなる。また、プリリセット期間PREPRとセットアップ期間SUを経ながら、アドレス電極X上には、正の壁電荷が充分に蓄積されるので、アドレス放電時に必要な外部印加電圧、すなわちデータ電圧Vaと走査電圧−Vyの絶対値を低めることができる。
セットアップ期間SUに次いで、リセット期間RPのセットダウン期間SDでは、第2のY負ランプ波形NRY2が走査電極Yに印加されると共に、維持電極Zに第2のZ負ランプ波形NRZ2が印加される。第2のY負ランプ波形NRY2の電圧は、正の電圧Vsから負の−V2電圧まで低下する。第2のZ負ランプ波形NRZ2の電圧は、正の維持電圧Vsから0Vや接地電圧まで低下する。−V2電圧の設定は、プリリセット期間PREPRの−V1電圧と同じくまたは異ならせることができる。このセットダウン期間SD中、走査電極Yと維持電極Zの電圧は、同時に低回するため、これら電極間に放電が起こらない反面、走査電極Yとアドレス電極Xとの間で暗放電が発生する。この暗放電により、走査電極Y上に蓄積されている負の壁電荷のうち余剰壁電荷が消去され、アドレス電極X上に蓄積されている正の壁電荷のうち余剰壁電荷が消去される。その結果、全放電セルは、図34cのような均一の壁電荷分布を有するようになる。図34cの壁電荷分布によれば、走査電極Y上に負の壁電荷が充分に蓄積され、アドレス電極X上に正の壁電荷が充分に蓄積されていることから、走査電極Yとアドレス電極X間のギャップ電圧を放電点火電圧Vfの近くにまで上昇させる。よって、全放電セルの壁電荷分布は、セットダウン期間SD直後に最適のアドレス条件に調整される。
アドレス期間APでは、負の走査パルス−SCNPが走査電極Yに順次に印加されると共に、その走査パルス−SCNPに同期してアドレス電極Xに正のデータパルスDPが印加される。走査パルス−SCNPの電圧は、0Vまたはこれに近い負の走査バイアス電圧Vybから負の走査電圧−Vyまで低下する走査電圧Vscである。このアドレス期間中AP、維持電極Zには、正の維持電圧Vsよりも低い正のZバイアス電圧Vzbが供給される。リセット期間RPの直後に全放電セルが最適のアドレス条件に、ギャップ電圧が調整された状態で、走査電圧Vscとデータ電圧Vaが印加されるオンセル内には、走査電極Yとアドレス電極X間のギャップ電圧が放電点火電圧Vfを超過しながら、その電極Y,Xの間でばかりアドレス放電が発生する。アドレス放電が発生したオンセル内の壁電荷分布は図34dのとおりである。アドレス放電が起こった直後、オンセル内の壁電荷分布は、アドレス放電によって走査電極Y上に正の壁電荷が蓄積され、アドレス電極X上に負の壁電荷が蓄積されながら図34eのように変わる。
一方、アドレス電極Xに、0Vや接地電圧が印加されるか走査電極Yに、0Vや走査バイアス電圧Vybが印加されるオフセルは、ギャップ電圧が放電点火電圧未満である。よって、アドレス放電が発生しないオフセルは、その壁電荷分布が実質的に図34cの状態を維持する。
維持期間SPには、走査電極Yと維持電極Zに、正の維持電圧Vsの維持パルスFIRSTSΜSP,SΜSP,LSTSUSPが交互に印加される。維持期間SP中にアドレス電極Xには0Vや接地電圧が供給される。走査電極Yと維持電極Zのそれぞれに最初に印加される維持パルスFSTSUMPは、維持放電開始が安定して行われるようにそのパルス幅が正常の維持パルスSUSPよりも長く設定される。また、最後の維持パルスLSTSUSPは、維持電極Zに印加されるが、セットアップ期間SUの初期状態で維持電極Zに負の壁電荷を充分に蓄積するために、そのパルス幅が正常の維持パルスSUSPよりも長く設定される。この維持期間中、アドレス放電により選択されたオンセルは、図34eの壁電荷分布の助けを借りて、各維持パルスSUSP毎に走査電極Yと維持電極Zとの間で維持放電が起こる。これに対し、オフセルは、維持期間SPの初期の壁電荷の分布が図34cと同様であるため、維持パルスFIRSTSUSP,SUSP,LSTSUSPが印加されるとしてもそのギャップ電圧が放電点火電圧Vf未満に低い状態を維持するため、放電が発生しない。
維持放電時に発生する空間電荷の量を減らすために、各維持パルスFIRSTSUSP,SUSP,LSTSUSPの立上り期間と立下り期間は約340ns±20ns程度に比較的長い。
図33の駆動波形は、最初のサブフィールドにのみ限定されるものではなく、その最初のサブフィールドをはじめとして多数の初期サブフィールドに適用できる。1フレーム期間に含まれた全サブフィールドに適用されることも可能である。
図33の駆動波形は、最初のサブフィールドにのみ限定されるものではなく、その最初のサブフィールドをはじめとして多数の初期サブフィールドに適用できる。1フレーム期間に含まれた全サブフィールドに適用されることも可能である。
図35は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法のまた他の例であって、n−1(ただし、nは2以上の正の整数)番目のサブフィールドSFnの維持期間SPとn番目のサブフィールドSFn期間中の駆動波形を示す。
図36は、図35に示された駆動波形によって維持期間直後に放電セル内に形成される壁電荷分布を示す図であり、図37は、図33及び図35の駆動波形によってセットアップ期間の前に形成される放電セル内の壁電荷分布とギャップ電圧を示す図である。
図36は、図35に示された駆動波形によって維持期間直後に放電セル内に形成される壁電荷分布を示す図であり、図37は、図33及び図35の駆動波形によってセットアップ期間の前に形成される放電セル内の壁電荷分布とギャップ電圧を示す図である。
図35の駆動波形については、図36及び図37の壁電荷分布に関連付けて説明する。
図35を参照すれば,n番目のサブフィールドSFnは、n−1番目のサブフィールドSFn−1、例えば、1番目のサブフィールドにおける維持期間直後に形成された壁電荷分布を利用してPDPの全セルを初期化する。
図35を参照すれば,n番目のサブフィールドSFnは、n−1番目のサブフィールドSFn−1、例えば、1番目のサブフィールドにおける維持期間直後に形成された壁電荷分布を利用してPDPの全セルを初期化する。
n−1番目のサブフィールドSFn−1とn番目のサブフィールドSFnのそれぞれは、維持電極Z上に負の壁電荷が充分に蓄積されている壁電荷分布の助けを借りて、全セルを初期化するためのリセット期間RPと、セルを選択するためのアドレス期間AP及び選択済みセルの放電を維持させるための維持期間SPと、を含む。
n−1番目のサブフィールドSFn−1の維持期間において、最後の維持パルスLSTSUSP3は維持電極Zに印加される。このとき、走査電極Yとアドレス電極Xには、0Vや接地電圧が印加される。最後の維持パルスLSTSUSP3のパルス幅に対応する空間電荷減衰期間TDecay3は、空間電荷が壁電荷に変化できるほどの十分な時間に設定され、オンセル内での維持放電を誘導すると共に、n番目のサブフィールドSFnのリセット期間RPの前に放電セル内の空間電荷を消去させる役割を果す。このために、最後の維持パルスLSTSUSP3が維持電圧Vsを維持する空間電荷減衰期間TDecay3は、約300μs±50μs程度に設定される。
最後の維持パルスLSTSUSP3によって発生する走査電極Yと維持電極Zとの間での放電により、図36のように、空間電荷がほとんどなしに走査電極Y上には、正の壁電荷が充分に蓄積され、維持電極Z上には負の壁電荷が蓄積される。
n番目のサブフィールドSFnのセットアップ期間SUでは、図36の壁電荷分布を用いて全セルに暗放電を起こし、全セルの壁電荷分布を図34bの如き壁電荷分布に全セルを初期化する。このセットアップ期間SUと、その後のセットダウン初期化、アドレス及び維持動作は、図33の駆動波形と実質的に同様である。
本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法のまた他の例では、高温環境下で空間電荷が壁電荷に変わって高温環境下での壁電荷分布の初期化が安定して行われ、以前サブフィールドの維持期間と次のサブフィールドのリセット期間との間に壁電荷の消去期間なしに、以前サブフィールドの最後の維持放電に次いで、即時次のサブフィールドのセットアップ期間が続く。維持放電は強いグロー放電(Glow discharge)であるため、走査電極Yと維持電極Zに壁電荷が充分に蓄積され、走査電極Y上の正の壁電荷と維持電極Z上の負の壁電荷のそれぞれの極性を安定的に維持することができる。
図37は、最後の維持放電やプリリセット期間PREPRの放電により形成されるセルのギャップ電圧状態を示す図である。
図37を参照すれば、最後の維持パルスLSTSUSPやプリリセット期間PREPRの波形NRY1,PRZ,NRZ1によって、走査電極Yと維持電極Zとの間で放電が起こり、セル内には、セットアップ期間SU直前に、走査電極Yから維持電極Zへの電界によるY−Z間の初期ギャップ電圧Vgini−yzが形成されると共に、走査電極Yからアドレス電極XへのY−Z間の初期ギャップ電圧Vgini−Yxが形成される。
図37を参照すれば、最後の維持パルスLSTSUSPやプリリセット期間PREPRの波形NRY1,PRZ,NRZ1によって、走査電極Yと維持電極Zとの間で放電が起こり、セル内には、セットアップ期間SU直前に、走査電極Yから維持電極Zへの電界によるY−Z間の初期ギャップ電圧Vgini−yzが形成されると共に、走査電極Yからアドレス電極XへのY−Z間の初期ギャップ電圧Vgini−Yxが形成される。
放電セルには、セットアップ期間SUの前に既に図37の如き壁電荷分布により、Y−Z間の初期ギャップ電圧Vgini−yzが形成されているので、放電点火電圧VfとY−Z間の初期ギャップ電圧Vgini−yzの電圧差だけ外部から電圧を印加すると、セットアップ期間SU中に、セル内で暗放電が発生する。これは、下記の式5で表わされる。
Vyz≧Vf−(Vgini−yz) 式10
ここで、‘Vyz’は、セットアップ期間SU中に走査電極Yと維持電極Zに印加される外部電圧(以下、「Y−Z間の外部電圧」という)であって、図33及び図35の駆動波形において、走査電極Yに印加される正ランプ波形PRY1,PRY2の電圧と維持電極Zに印加される0Vである。
ここで、‘Vyz’は、セットアップ期間SU中に走査電極Yと維持電極Zに印加される外部電圧(以下、「Y−Z間の外部電圧」という)であって、図33及び図35の駆動波形において、走査電極Yに印加される正ランプ波形PRY1,PRY2の電圧と維持電極Zに印加される0Vである。
図38は、図33及び図35の如き駆動波形によってプラズマディスプレイパネルが駆動されるとき、セットアップ期間において走査電極と維持電極間の外部印加電圧と放電セル内のギャップ電圧の変化を示す図である。
前記式5と図38から明らかなように、セットアップ期間SU中にY−Z間の外部電圧Vyzが、放電点火電圧VfとY−Z間の初期ギャップ電圧Vgini−yzの電圧差以上に充分に高くなると、広い駆動マージンを有することができ、放電セル内で安定した暗放電を実現することができる。
前記式5と図38から明らかなように、セットアップ期間SU中にY−Z間の外部電圧Vyzが、放電点火電圧VfとY−Z間の初期ギャップ電圧Vgini−yzの電圧差以上に充分に高くなると、広い駆動マージンを有することができ、放電セル内で安定した暗放電を実現することができる。
本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法のまた他の例において、各サブフィールド別リセット期間で発生する発光量は、従来に比べて非常に少ない。これは、各サブフィールドのリセット期間中に、セル内で発生する放電の回数が従来に比べて少なく、特に面放電の回数が少ないからである。
図39は、図5の如き従来の駆動波形の一例によって消去期間とリセット期間中に維持電極上の壁電荷極性の変化を示す図である。
図40は、図33及び図35の如き駆動波形によってリセット期間中に維持電極上の壁電荷極性の変化を示す図である。
図40は、図33及び図35の如き駆動波形によってリセット期間中に維持電極上の壁電荷極性の変化を示す図である。
従来のプラズマ表示装置では、図39のように、n−1番目のサブフィールドSFn−1の最後の維持放電直後からn番目のサブフィールドSFnのセットダウン期間SDの暗放電直後まで、維持電極Z上の壁電荷の極性が、順に、正、消去&負(図6a)、正(図6b)、負(図6c)に変わる。これに対し、本発明に係るプラズマ表示装置では、図40のように、n−1番目のサブフィールドSFn−1の最後の維持放電直後からn番目のサブフィールドSFnのセットダウン期間SDの暗放電直後まで、維持電極Z上の壁電荷の極性が負を維持する。すなわち、本発明に係るプラズマ表示装置は、初期化過程で維持電極X上の壁電荷極性を図34a、図34b及び図34cのように負に維持しながら、アドレス期間APを開始する。
図41は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法のまた他の例において、最初のサブフィールド期間の駆動波形を示す。
図42は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法のまた他の例において、n−1(ただし、nは2以上の正の整数)番目のサブフィールドSFnの維持期間SPとn番目のサブフィールドSFn期間中の駆動波形を示す。
図42は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法のまた他の例において、n−1(ただし、nは2以上の正の整数)番目のサブフィールドSFnの維持期間SPとn番目のサブフィールドSFn期間中の駆動波形を示す。
図41及び図42を参照すれば、本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法のまた他の例において、それぞれのサブフィールドは、セットダウン期間SD中に0Vや接地電圧GNDから低下する電圧を走査電極Yに印加し、セットアップ期間SUで初期化された全放電セルの壁電荷分布を均一化する。
最初のサブフィールドは、図41のようにプリリセット期間PREPR、リセット期間RP、アドレス期間AP及び維持期間SPを含み、その以外のサブフィールドSFnは図42のようにリセット期間RP、アドレス棄却AP及び維持期間SPを含む。
最初のサブフィールドにおけるプリリセット期間PREPRは、空間電荷を壁電荷に変わることにより空間電荷を消去すると共に、図34aのような壁電荷分布を各放電セル内に形成するために、すべての維持電極Zに正の維持電圧Vsが印加された後、所定時間Td2が経過した時点からすべての走査電極Yに0Vや接地電圧GNDから負の−V1電圧まで立ち下がる第1のY負ランプ波形NRY1が印加される。
最初のサブフィールドを除いたn番目のサブフィールドのリセット期間RP以前に維持電極Zに印加される最後の維持パルスLSTSUSP3は、約300μs±50μs程度の空間電荷減衰期間TDecay3中に正の維持電圧Vsを維持する。空間電荷減衰期間TDecay3中に空間電荷が壁電荷に変わって消去される。
各サブフィールドSFn−1,SFnにおけるリセット期間RPのセットダウン期間SDでは、第2のY負ランプ波形NRY2が走査電極Yに印加されると共に、維持電極Zに第2のZ負ランプ波形NRZ2が印加される。第2のY負ランプ波形NRY2の電圧は前述した実施例とは異なり、0Vや接地電圧GNDから負の−V2電圧まで低くなる。第2のZ負ランプ波形NRZ2の電圧は、正の維持電圧Vsから0Vや接地電圧まで低くなる。このセットダウン期間SD中に走査電極Yと維持電極Zの電圧は、同時に低くなるので、これら電極間に放電が起こらない反面、走査電極Yとアドレス電極Xとの間では暗放電が発生する。この暗放電により、走査電極Y上に蓄積されている負の壁電荷のうち余剰壁電荷が消去され、アドレス電極X上に蓄積されている正の壁電荷のうち余剰壁電荷が消去される。一方、第2のZ負ランプ波形NRZ2は省略されても良い。
第2のY負ランプ波形NRY2の電圧が0Vや接地電圧から低下すると、前述した実施例に比べてセットダウン期間SDが短くなる。また、第2のY負ランプ波形NRY2の電圧が0Vや接地電圧から低下するとしても走査電極Yと維持電極Y間の電圧差が小さいことから、この実施例のプラズマ表示装置は走査電極Yと維持電極Z間の放電をさらに効率よく抑制しながら初期化をさらに安定して行える。よって、この実施例はセットダウン期間SDの縮小によって駆動時間をさらに確保でき、セットダウン期間SDの初期化動作をより安定化させる。
維持放電時に発生する空間電荷の量を減らすために、各維持パルスFIRSTSUSP,SUSP,LSTSUSPの立上り期間と立下り期間は、約340ns±20ns程度に比較的長くする。
図43は、本発明の第2の実施例に係るプラズマ表示装置駆動方法のまた他の例を示す波形図であって、高温環境に適用される駆動波形の波形図である。
図43を参照すれば、本発明に係るプラズマ表示装置の駆動方法は、n−1番目のサブフィールドSFn−1の後期中に、維持電極Zに約300μs±50μsの空間電荷減衰期間TDecay3間正の維持電圧を維持する最後の維持パルスLSTSUSPを印加した後、その維持電極Zに、0Vや接地電圧GNDを印加する。
図43を参照すれば、本発明に係るプラズマ表示装置の駆動方法は、n−1番目のサブフィールドSFn−1の後期中に、維持電極Zに約300μs±50μsの空間電荷減衰期間TDecay3間正の維持電圧を維持する最後の維持パルスLSTSUSPを印加した後、その維持電極Zに、0Vや接地電圧GNDを印加する。
そして、本発明に係るプラズマ表示装置の駆動方法は、すべての維持電極Zに正の維持電圧Vsをさらに印加した後、所定時間Td2が経過した時点からすべての走査電極Yに0Vや接地電圧GNDから負の−V1電圧まで立ち下がる第1のY負ランプ波形NRY1を印加する。よって、維持電極Zが維持電圧Vsを維持する状態で走査電極Yに第1のY負ランプ波形NRY1が印加される。次いで、本発明に係るプラズマ表示装置の駆動方法は、走査電極Yに0Vや接地電圧GNDを印加した後、維持電極Zに、維持電圧Vsから0Vや接地電圧GNDまで電圧が次第に立ち下がる第1のZ負ランプ波形NRZ1を印加する。
維持放電時に発生する空間電荷の量を減らすために、各維持パルスFIRSTSUSP,SUSP,LSTSUSPの立上り期間と立下り期間は、約340ns±20ns程度に比較的長くする。
このような一連の駆動波形により、高温環境下で発生する空間電荷がn番目のサブフィールドSFn以前にほとんど消去されるか壁電荷に変わり、図34aのような壁電荷分布に各放電セルが初期化される。
このような一連の駆動波形により、高温環境下で発生する空間電荷がn番目のサブフィールドSFn以前にほとんど消去されるか壁電荷に変わり、図34aのような壁電荷分布に各放電セルが初期化される。
図44は、本発明の実施例に係るプラズマ表示装置を説明するためのブロック図である。
図44を参照すれば、本発明の実施例に係るプラズマ表示装置は、PDP900と、PDP900の温度を感知するための温度センサー906と、PDP900のアドレス電極X1〜Xmにデータを印加するためのデータ駆動部902と、PDP900の走査電極Y1〜Ynを駆動するための走査駆動部903と、PDP900の維持電極Zを駆動するための維持駆動部904と、PDP900の温度によって各駆動部902,903,904を制御するための駆動パルス制御部901と、各駆動部902,903,904に必要な駆動電圧を発生するための駆動電圧発生部905と、を備える。
図44を参照すれば、本発明の実施例に係るプラズマ表示装置は、PDP900と、PDP900の温度を感知するための温度センサー906と、PDP900のアドレス電極X1〜Xmにデータを印加するためのデータ駆動部902と、PDP900の走査電極Y1〜Ynを駆動するための走査駆動部903と、PDP900の維持電極Zを駆動するための維持駆動部904と、PDP900の温度によって各駆動部902,903,904を制御するための駆動パルス制御部901と、各駆動部902,903,904に必要な駆動電圧を発生するための駆動電圧発生部905と、を備える。
温度センサー906は、PDPの温度を感知して感知電圧を発生し、その感知電圧をデジタル信号に変換して駆動パルス制御部901に印加する。
データ駆動部902には、図示しない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路などによって逆ガンマ補正及び誤差拡散が行った後、サブフィールドマッピング回路により、予め設定されたサブフィールドパターンにマッピングされたデータが印加される。このデータ駆動部902は、プリリセット期間PREPR、リセット期間RP及び維持期間SP中に、0Vや接地電圧をアドレス電極X1〜Xmに印加する。また、データ駆動部902は、駆動パルス制御部901の制御の下で、各サブフィールドのアドレス期間AP中に、データをサンプリングしてラッチした後、そのデータ電圧Vaをアドレス電極X1〜Xmに印加する。
データ駆動部902には、図示しない逆ガンマ補正回路、誤差拡散回路などによって逆ガンマ補正及び誤差拡散が行った後、サブフィールドマッピング回路により、予め設定されたサブフィールドパターンにマッピングされたデータが印加される。このデータ駆動部902は、プリリセット期間PREPR、リセット期間RP及び維持期間SP中に、0Vや接地電圧をアドレス電極X1〜Xmに印加する。また、データ駆動部902は、駆動パルス制御部901の制御の下で、各サブフィールドのアドレス期間AP中に、データをサンプリングしてラッチした後、そのデータ電圧Vaをアドレス電極X1〜Xmに印加する。
走査駆動部903は、リセット期間中に立上りランプ波形Ramp-upと立下りランプ波形Ramp-downを走査電極Yに印加する。また、走査駆動部903は、アドレス期間中に負の走査電圧−Vyの走査パルスSPを走査電極Yに順次に印加し、維持期間中には、維持パルスSUSを走査電極Yに印加する。
走査駆動部903は、駆動パルス制御部901の制御の下で、プリリセット期間PREPRとリセット期間RPに全放電セルを初期化するために、ランプ波形NRY1,PRY1,PRY2,NRY2を走査電極Y1〜Ynに印加した後、アドレス期間AP中に、データが印加される走査ラインを選択するために走査パルスSCNPを走査電極Y1〜Ynに順次に印加する。そして、走査駆動部903はPDPが高温であるとき、維持期間SPに選択すみオンセル内で維持放電を行わせるために立上り期間と立下り期間が約340ns±60ns程度である維持パルスFSTSUMP,SUSPを走査電極Y1〜Ynに印加する。
維持駆動部904は、立下りランプ波形Ramp−downが発生する期間とアドレス期間中に、正の維持バイアス電圧Vzbを維持電極Zに印加し、維持期間中に、走査駆動部903と交互に動作して維持パルスSUSを維持電極Zに印加する。
維持駆動部904は、駆動パルス制御部901の制御の下で、プリリセット期間PREPRとリセット期間RP中に全放電セルを初期化するために、ランプ波形NRZ1,NRZ2を維持電極Zに印加し、その後、アドレス期間AP中にZバイアース電圧Vzbを維持電極Zに印加する。そして、維持駆動部904は、維持期間SP中に、走査駆動部903と交互に動作して維持パルスFSTSUMP,SUSP,LSTSUSPを維持電極Zに印加する。この維持駆動部904で発生する最後の維持パルスLSTSUSPのパルス幅は、PDPが高温であるときに1μs〜1msになり、各維持パルスFSTSUMP,SUSP,LSTSUSPの立上り期間と立下り期間は、約340ns±60ns範囲になる。
駆動パルス制御部901は、アドレス期間及び維持期間でデータ駆動部902、走査駆動部903または維持駆動部904の動作タイミングと同期化を制御するためのタイミング制御信号を発生し、そのタイミング制御信号をデータ駆動部902、走査駆動部903または維持駆動部904に印加することにより、データ駆動部902、走査駆動部903または維持駆動部904を制御する。特に、前記駆動パルス制御部901は、前記走査駆動部903を制御することにより、走査電極Yの走査順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yが走査される。すなわち、走査駆動部903は、アドレス期間中に複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで走査電極Yを走査し、アドレス期間中に負の走査電圧−Vyの走査パルスSPを走査電極Yに印加する。
駆動パルス制御部901は、垂直/水平同期信号とクロック信号を入力されて各駆動部902,903,904に必要なタイミング制御信号CTRX,CTRY,CTRZを発生し、そのタイミング制御信号CTRX,CTRY,CTRZを、該当駆動部902,903,904に印加することにより、各駆動部902,903,904を制御する。データ駆動部902に印加されるタイミング制御信号CTRXには、データをサンプリングするためのサンプリングクロック、ラッチ制御信号、およびエネルギー回収回路と駆動スィッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。走査駆動部903に印加されるタイミング制御信号CTRYには、走査駆動部903内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。そして、維持駆動部904に印加されるタイミング制御信号CTRZには、維持駆動部904内のエネルギー回収回路と駆動スイッチ素子のオン/オフタイムを制御するためのスイッチ制御信号が含まれる。
そして、駆動パルス制御部901は、温度センサー906の出力電圧を入力され、PDP900の温度が高温であるとき、最後の維持パルスLSTSUSPのパルス幅が約1μs〜1ms程度に長くなるように、走査駆動部903と維持駆動部904を制御し、各維持パルスFSTSUMP,SUSP,LSTSUSPの立上り期間と立下り期間が340ns±60ns程度になるように、走査駆動部903と維持駆動部904を制御する。また、駆動パルス制御部901は、第1のY負ランプ波形NRY1に先立って、維持電極Zに正の維持電圧Vsが印加されるように、走査駆動部903と維持駆動部904を制御する。
駆動電圧発生部905は、PDP900に印加される駆動電圧(Vry,Vs,−V1,−V2,−Vy,Va,Vyb,Vzb)などを発生する。このような駆動電圧は、PDP900の解像度、モデルなどによって変わる放電特性や放電ガス組成により変えることができる。
PDP プラズマディスプレイパネル
RP リセット期間
AP アドレス期間
SP サステイン期間
EP 消去期間
X アドレス電極
Y スキャン電極
Z サステイン電極
SUSP サステインパルス
SCNP スキャンパルス
DP データパルス
RP リセット期間
AP アドレス期間
SP サステイン期間
EP 消去期間
X アドレス電極
Y スキャン電極
Z サステイン電極
SUSP サステインパルス
SCNP スキャンパルス
DP データパルス
Claims (20)
- 複数の走査電極と、複数の維持電極と、前記複数の走査電極及び前記維持電極に交差する複数のデータ電極とを備えるプラズマディスプレイパネルと、
フレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドでは、アドレス期間中に、前記複数の走査電極を走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで前記走査電極を走査し、前記いずれか1つの走査タイプに対応してデータパルスを前記データ電極に印加し、前記アドレス期間以後の維持期間において前記走査電極または前記維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間において前記走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの前記維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くする制御部と、
を備えるプラズマディスプレイ装置。 - 前記制御部は、前記プラズマディスプレイパネルの温度またはパネルの周辺温度が高温であるとき、最後の維持パルスのパルス幅を室温における最後の維持パルスのパルス幅よりもさらに長く設定することを特徴とする請求項1記載のプラズマ表示装置。
- 前記維持電極に正電圧を印加した状態で電圧が徐々に低下する負ランプ波形を前記走査電極に印加することにより放電セルを1次初期化するプリリセット駆動部と、
リセット期間中、前記電圧が次第に立ち上がる正ランプ波形と電圧が徐々に低下する第2の負ランプ波形とを前記走査電極に印加するリセット駆動部と、
アドレス期間中、前記走査電極に走査パルスを印加しかつ前記アドレス電極にデータパルスを印加することにより、前記放電セルを選択するアドレス駆動部と、
維持期間中、前記走査電極及び維持電極に維持パルスを交互に印加して、前記選択済み放電セルに対して放電を引き起こす維持駆動部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1記載のプラズマ表示装置。 - 前記制御部は、前記プラズマディスプレイパネルの温度またはパネルの周辺温度が高温であるとき、最後の維持パルスのパルス幅を他の維持パルス幅よりもさらに長く設定することを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記制御部は、入力される映像データに対応して前記複数の走査タイプのそれぞれに相応する変位電流を演算し、前記複数の走査タイプのうち最小の変位電流を有する走査タイプにおいて、前記走査電極の走査を行うことを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記走査電極は前記走査タイプに応じて所定の個数だけ分けられた第1及び第2の走査電極を含み、
前記データ電極は、第1及び第2のデータ電極を含み、
第1及び第2の放電セルは、前記第1の走査電極と第1及び第2のデータ電極との交差部に配置され、第3の及び第4の放電セルは、前記第2の走査電極と前記第1及び第2のデータ電極との交差部に配置されており、
前記制御部は、前記第1の放電セルのデータと前記第2の放電セルのデータを比較した第1の結果と、前記第1の放電セルのデータと前記第3の放電セルのデータを比較した第2の結果と、前記第3の放電セルのデータと前記第4の放電セルのデータを比較した第3の結果を求め、前記第1〜第3の結果の組み合わせにより前記変位電流の算出式を決定し、決定済み算出式を用いて算出される変位電流を合計して、前記第1の放電セルの総変位電流を算出することを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイ装置。 - 前記制御部は、1フレームの各サブフィールド毎に前記複数の走査タイプに対して変位電流を算出し、前記各サブフィールド毎に前記変位電流が最小となる走査タイプで前記走査電極の走査を行うことを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記制御部は、入力される映像データに対応して前記複数の走査タイプのそれぞれに相応する変位電流を演算し、前記変位電流が臨界変位電流以下の走査タイプのうち少なくとも1つの走査タイプで前記走査電極を走査することを特徴とする請求項4記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記走査タイプは、前記走査電極を複数のグループに分けて走査する第1の走査タイプを含み、前記駆動部は、前記変位電流が最小となる走査タイプが第1の走査タイプである場合、前記第1の走査タイプにおいて、同一のグループに属する各走査電極を連続して走査することを特徴とする請求項5記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記走査電極に、前記最後の維持パルスと前記初期化信号が印加され、前記最後の維持パルスと前記初期化信号との間の期間中、立上りランプ波形を有する消去信号が前記維持電極に印加されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ表示装置。
- 前記消去信号が前記維持電極に印加される間、接地電圧が、前記走査電極に印加されることを特徴とする請求項10記載のプラズマ表示装置。
- 前記最後の維持パルスの印加に続いて、電圧が徐々に低下する立下りランプ波形の信号が、前記走査電極または維持電極に印加されることを特徴とする請求項1記載のプラズマ表示装置。
- 前記最後の維持パルスの終了時点と、次のサブフィールドのリセット期間中に前記走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差は、100μs〜1msの範囲であることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記最後の維持パルスの幅は、1μs〜1msの範囲であることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記走査電極または前記維持電極への前記最後の維持パルスの印加が終了した後、前記走査電極または前記維持電極の電圧は、接地電圧レベル(GND)に保持されることを特徴とする請求項1記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記走査電極または前記維持電極の電圧が接地電圧レベルに保持される期間の長さは、100μs〜1msの範囲であることを特徴とする請求項15記載のプラズマディスプレイ装置。
- 複数の走査電極と、前記走査電極と並列に設けられる複数の維持電極と、前記走査電極及び前記維持電極と交差するデータ電極と、を含むプラズマディスプレイパネルと、
フレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドにおいて、アドレス期間中に入力される映像データのデータパターンのうち第1のデータパターンと異なる第2のデータパターンでは、前記複数の走査電極の走査順序を前記第1のデータパターンの場合と異ならせて前記走査電極を走査し、前記複数の走査電極の走査順序に対応してデータパルスを前記データ電極に印加し、前記アドレス期間以後の維持期間において前記走査電極または前記維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間において前記走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの前記維持パルスの印加時点の時間差よりもさらに長くする制御部と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。 - 前記制御部は、プラズマディスプレイパネルの温度またはパネルの周辺温度が高温であるとき、最後の維持パルスのパルス幅を室温における最後の維持パルスのパルス幅よりもさらに長く設定することを特徴とする請求項17記載のプラズマディスプレイ装置。
- 前記維持電極に正電圧を印加した状態で電圧が徐々に低下する負ランプ波形を前記走査電極に印加することにより、放電セルを1次初期化するプリリセット駆動部と、
リセット期間中、前記電圧が次第に立ち上がる正ランプ波形と電圧が徐々に低下する第2の負ランプ波形を前記走査電極に印加するリセット駆動部と、
アドレス期間中、前記走査電極に走査パルスを印加しかつ前記アドレス電極にデータを印加することにより、前記放電セルを選択するアドレス駆動部と、
維持期間中、前記走査電極及び維持電極に維持パルスを交互に印加して、前記選択済み放電セルに対して放電を引き起こす維持駆動部と、をさらに含むことを特徴とする請求項17記載のプラズマ表示装置。 - 複数の走査電極と、複数の維持電極と、前記複数の走査電極及び前記維持電極と交差する複数のデータ電極と、を備えるプラズマディスプレイ装置駆動方法において、
フレームのサブフィールドのうち少なくとも1つのサブフィールドでは、アドレス期間中に、前記複数の走査電極を走査する順序の異なる複数の走査タイプのうちいずれかの走査タイプで前記走査電極を走査し、前記いずれか1つの走査タイプに対応してデータパルスを前記データ電極に印加し、前記アドレス期間以後の維持期間において前記走査電極または前記維持電極に印加される維持パルスのうち最後の維持パルスの印加時点と、次のサブフィールドのリセット期間において前記走査電極に印加されるリセットパルスの印加時点との時間差を、2つの前記維持パルスの印加時点との時間差よりもさらに長くすることを特徴とするプラズマディスプレイ装置駆動方法。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20090203 |