JP2006135321A

JP2006135321A - 発光素子及びその製造方法

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Publication number: JP2006135321A
Application number: JP2005316839A
Authority: JP
Inventors: Hyun Jae Lee; ヒュンヤエリー; Jun Seok Ha; ジンセオハ
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Electronics Inc
Priority date: 2004-11-08
Filing date: 2005-10-31
Publication date: 2006-05-25
Anticipated expiration: 2025-10-31
Also published as: US20060097274A1; DE602005018433D1; ATE453214T1; EP1662587B1; CN1790757A; EP1662587A2; KR20060041383A; KR100667508B1; US8053795B2; EP1662587A3; JP4565391B2

Abstract

【課題】クラックの発生率を減少できる発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】傾斜した側壁を有する共に、Ｎ型半導体層、活性層およびＰ型半導体層を含んでいる素子構造物111と、該素子構造物上に形成されたＰ電極パッド層120と、該Ｐ電極パッド層上に形成された反射金属膜130と、前記素子構造物111、Ｐ電極パッド層120、反射金属膜130、および該反射金属膜上部の一部を取り囲むパッシベーション層140と、該パッシベーション層を取り囲むシード金属層150と、該シード金属層と前記反射金属膜とを取り囲む金属層160と、前記素子構造物の下部に形成されたＮ電極パッド層170とを含むことを特徴としている。
【選択図】図４h

Description

本発明は、発光素子及びその製造方法に関する。

一般に、窒化ガリウムを成長させるための基板として使われているサファイア(Al₂O₃)は、窒化ガリウムを用いた素子製作においてサファイア自体の非導電性と低い熱伝導度により素子製作及び素子駆動において多数の問題を引き起こす。

このような問題点を解決するためにLLO(Laser Lift Off)方法を用いてサファイア基板を取り除き素子を製作するが、サファイア基板を取り除くためには、まず窒化ガリウム薄膜を一次的に高導電性と熱伝導度が優れたシリコン(Si)とガリウム砒素(GaAs) などのウェーハやメタルプレートに接合しなければならない。

前述したように、ウェハやメタルプレートを窒化ガリウムに接合する場合、窒化ガリウムの一部が破壊されるかまたは多数のクラックが発生する。
このような、窒化ガリウム膜の破壊及びクラックの転移を減らすための方法として窒化ガリウム膜の一部をサファイア面までエッチングして接合する方法が最近広く使われている。

しかし、エッチングの後に自然的に発生する段差により、接合の際、ボイドが発生するようになり、このようなボイドを多様な物質で埋め込んだ後、接合する工程が多用されている。

図１aないし図１eは、従来の技術による窒化ガリウム素子の製造工程を説明する概略的な断面図で、図１aに示したように、サファイア基板１０上にＮ型GaN層、活性層およびＰ型GaN層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層１１を形成する。
ここで、複数個の素子は、発光ダイオードのような素子である。

その後、複数個の素子１１ａは、各々が分離されるように薄膜層１１を選択的にエッチングする(図１b)。
この際、エッチング工程で、素子１１ａの間が除去された領域は素子１１ａで囲まれて形成されたトレンチ２０になる。

その後、複数個の素子１１ａは、それぞれの上部にＰメタル層１２を形成する(図１c)。
引き続き、複数個の素子１１ａ上にあるＰメタル層１２にボンディング物質１３を用いてキャリア基板１４をボンディングする(図１d)。
キャリア基板１４は、シリコンとGaＡsとＣuとＡlとの中から選択されたいずれか一つの物質で形成された基板である。

続いて、レーザーリフトオフ工程を行い、サファイア基板１０を離脱させる(図１e)。
ここで、トレンチ２０には、ボンディング物質１３を埋め込めない問題が発生し、レーザーリフトオフ工程を行うために入射されるレーザーの熱によって膨脹する空気成分が窒化ガリウムとの熱膨脹係数の差によって、図１eに示したように、素子にクラック２５が発生する。

図２aないし図２hは、従来の技術による窒化ガリウム素子の他の製造工程を説明する概略的な断面図で、サファイア基板１０上に、Ｎ型GaN層、活性層およびＰ型GaN層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層１１を形成する(図２a)。
ここで、複数個の素子は、発光ダイオードのような素子である。

その後、複数個の素子１１ａは、各々が分離されるように、薄膜層１１を選択的にエッチングして、除去された素子１１ａ間にトレンチ２０を作る(図２b)。
その後、複数個の素子１１ａのそれぞれの上部にＰメタル層１２を形成し、トレンチ２０の内部に取り除き易い物質３０を充填する(図２c)。
ここで、取り除き易い物質３０は、エポキシ、フォトレジスト、ポリイミド、誘電体のうちいずれか一つである。

引き続き、複数個の素子１１ａは、各々の上部にあるＰメタル層１２にボンディング用の金属層３３を蒸着し、キャリア基板３５にボンディング用の金属層３４を蒸着した後、ボンディング用の金属層３３、３４のボンディング力によって、Ｐメタル層１２とキャリア基板３５をボンディングする(図２d)。

ここで、ボンディング用の金属層３３、３４は、融点が約３5０℃であるAuSn等の物質を使い、Ｐメタル層１２の上部にキャリア基板３５を載置してボンディング用の金属層３３、３４の融点より高い温度の雰囲気下でボンディング用の金属層３３、３４を溶かしてボンディングさせることである。

続いて、レーザーリフトオフ工程を行い、サファイア基板１０を離脱させ、トレンチ２０に充填された物質３０を取り除く(図２e)。
その後、複数個の素子１１ａとトレンチ２０をクリーニングし、エッチング工程を行って複数個の素子１１ａの一部領域を取り除く(図２f)。
ここで、複数個の素子１１ａで除去される領域はＰメタル層１２が形成された素子領域から反対側の領域である。

その除去された複数個の素子１１ａの上部の一部領域を除いて、複数個の素子１１ａを取り囲み、トレンチ２０の内部に充填するパッシベーション膜１８を形成し、このパッシベーション膜１８が形成されていない複数個の素子１１ａのそれぞれの上部にＮメタル層１５を形成する(図２)。
引き継き、スクライビング(Scribing)工程及びブレーキング(Breaking)工程を行い、それぞれの素子１１ａを一個ずつ分離する(図２h)。

図３aないし図３hは、従来の技術による窒化ガリウム素子のさらに他の製造工程を説明する概略的な断面図で、サファイア基板１０上にＮ型GaN層、活性層およびＰ型GaN層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層１１を形成する(図３a)。

その後、複数個の素子１１ａは、各々が分離されるように、薄膜層１１を選択的にエッチングして、除去された素子１１ａの間にトレンチ２０を作る(図３b)。
それから、複数個の素子１１ａの上部にＰメタル層１２を形成し、トレンチ２０の内部に取り除き易い物質３０を充填する(図３c)。
ここで、取り除き易い物質３０は、エッチング工程で取り除き易い物質である。

前述した図３aないし図３cは、図２aないし図２cの工程と同様である。
引き続き、複数個の素子１１ａ上にあるＰメタル層１２と充填物質３０の上面にシード金属層４０を蒸着し、シード金属層４０の上面にキャリア用金属層４１を蒸着する(図３d)。

続いて、レーザーリフトオフ工程を行って、サファイア基板１０を離脱させ、トレンチ２０に充填された物質３０を取り除く(図３e)。
その後、複数個の素子１１ａとトレンチ２０をクリーニングし、エッチング工程を行って複数個の素子１１ａの一部領域を取り除く(図３f)。

ここで、複数個の素子１１ａで除去される領域は、Ｐメタル層１２が形成された素子領域から反対側領域である。

その除去された複数個の素子１１ａの各々の上部の一部領域を除いて、複数個の素子１１ａを取り囲み、トレンチ２０の内部に充填するパッシベーション膜１８を形成し、パッシベーション膜１８が形成されていない複数個の素子１１ａの上部にＮメタル層１５を形成する(図３g)。
引き継ぎ、スクライビング工程及びブレーキング工程を行い、それぞれの素子５０を一個ずつ分離する(図３h)。

前述した図２aないし図２hの二番目の方法と図３aないし図３hの三番目の方法は、ほぼ全ての工程が似ており、図１aないし図１eの一番目の方法に比べてトレンチに取り除き易い物質を充填し、金属にボンディングして接合を堅固にすることができ、かつ接合によって発生する微細なボイドによってクラックの発生頻度を著しく減少できるが、相変らずクラックが存在するという問題点がある。

本発明は、前述したような問題点を解決するために、成長工程を通じて成長された厚い金属を用いてLLO工程を行い、緻密な金属間の接合でボイドの発生割合を著しく低くしてクラックの発生率を減少できる発光素子及びその製造方法を提供することを目的としている。

本発明の他の目的は、素子の離隔工程で形成されたトレンチ領域に金属を埋め込むことにより、素子を保護するだけでなく、熱の放出に優れた発光素子及びその製造方法を提供するところにある。

本発明のさらに他の目的は、素子薄膜層の傾いた側壁に反射膜が形成されることにより、素子側面への光損失を減らすこができて光特性を改善することができる発光素子及びその製造方法を提供するところにある。

上述した本発明の目的を達成するために望ましい第１の構成は、傾斜した側壁を有する共に、Ｎ型半導体層、活性層およびＰ型半導体層を含んでいる素子構造物と、該素子構造物上に形成されたＰ電極パッド層と、該Ｐ電極パッド層上に形成された反射金属膜と、
前記素子構造物、Ｐ電極パッド層、反射金属膜、および該反射金属膜上部の一部を取り囲むパッシベーション層と、該パッシベーション層を取り囲むシード金属層と、該シード金属層と前記反射金属膜とを取り囲む金属層と、前記素子構造物の下部に形成されたＮ電極パッド層とを含むことを特徴としている。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第２の構成は、金属層と、該金属層上に形成された反射金属膜と、該反射金属膜上に形成された第１電極パッド層と、前記第１電極パッド層上に形成され、Ｎ型ＧＡＮ層、活性層およびＰ型ＧＡＮ層を備えている素子薄膜と、該素子薄膜上の一部に形成された第２電極パッド層と、前記第２電極パッド層の側面と前記素子薄膜を取り囲むパッシベーション層とを含んでいることを特徴としている。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第３の構成は、基板上にＮ型半導体層、活性層およびＰ型半導体層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層を形成する段階と、前記複数個の素子の各々が離隔され、かつ前記基板に対して所定の角度で傾斜した側壁を有するように、前記薄膜層を選択的にエッチングする段階と、前記複数個の素子の各々の上部にＰ電極パッド層と反射金属膜を順次に形成する段階と、前記反射金属膜の上部の一部を除いて、素子とＰ電極パッド層と反射金属膜と基板上部とを取り囲むパッシベーション層を形成し、前記パッシベーション層により露出された反射金属膜及びパッシベーション層の上部にシード金属層を形成する段階と、前記シード金属層上に金属層を蒸着する段階と、レーザーリフトオフ工程を行い、前記基板を前記素子から離脱させる段階と、前記基板に接触していた素子、パッシベーション層およびシード金属層の一部をエッチングして取り除く段階と、前記それぞれの素子にＮ電極パッド層を形成する段階と、切断工程を行い、前記それぞれの素子を一個ずつ分離する段階よりなる発光素子の製造方法を特徴としている。

前述した本発明の目的を達成するための望ましい第４の構成は、基板上にＮ型ＧＡＮ層、活性層およびＰ型ＧＡＮ層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層を形成する段階と、前記薄膜層上にＰメタル層、反射金属膜および金属層とを順次に蒸着する段階と、レーザーリフトオフ工程を行い、前記基板を薄膜層から離脱させる段階と、前記複数個の素子のそれぞれが離隔され、前記薄膜層を選択的にエッチングする段階と、前記複数個の素子それぞれの上部にＮメタル層を形成し、前記複数個の素子を取り囲むパッシベーション層を形成する段階と、切断工程を行い、前記それぞれの素子を一個ずつ分離する段階とを含んでいることを特徴とする。

以上述べたように、本発明は、素子の離隔工程で形成されたトレンチ領域に金属を埋め込むことにより素子を保護するだけでなく、熱放出に優れた効果がある。

また、素子薄膜層の傾いた側壁に反射膜が形成されることにより、素子側面への光損失を減らして光学的特性を改善することができる。

以下、添付した図面に基づいて本発明の望ましい実施形態を説明する。
図４aないし図４iは、本発明の望ましい第１様態による発光素子の製造工程を説明する概略的な断面図で、サファイア基板１００上にＮ型GaN層、活性層およびＰ型GaN層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層１１０を形成する(図４a)。
ここで、薄膜層１１０は、Ｎ型GaN層、活性層およびＰ型GaN層が順次に積層された発光素子の構造物のようなものである。

そして、Ｎ型GaN層、活性層およびＰ型GaN層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層１１０は、サファイア基板１００だけではなく、他の物質よりなる基板も使うことができる。
その後、図４bに示されたように、複数個の素子１１１は、各々が離隔されるように、薄膜層１１０を選択的にエッチングして、サファイア基板１００に対して所定の角度(α)で傾斜した側面を有する。(図４b)。

この図４bの離隔工程で、それぞれの複数個の素子たちは離隔され、エッチングされた領域はトレンチになる。
ここで、上記角度(α)は４５°〜６５°が望ましい。

このような素子の傾斜したへき開面は、垂直したへき開面より物質膜の成長を容易にする。

また、反射膜が、光学的な面において、素子の傾斜したエッチング面上に形成されていると、この傾斜したエッチング面に沿って反射膜が形成されて、傾いた反射膜を備えることができる。
それゆえ、素子から放出された光は、反射膜で反射され、素子の上方に出射される。
したがって、本発明は、側面への光損失を減らすことができるので光学的特性を改善することができる。

すなわち、図４bに示されたように、素子は、Ｐ型半導体層の幅よりＮ型半導体層の幅が大きい構造物であることが望ましい。
引き続き、複数個の素子１１１の各々の上部に、Ｐ電極パッド層１２０と反射金属膜１３０を順次に形成する(図４c)。
ここで、Ｐ電極パッド層１２０は、薄膜層１１０のＰ型GaN層上に形成されるものである。

この際、Ｐ電極パッド層１２０は、オーミック接触のためにNi/Au、Ru/Au、ITO、Ｐd/Au、Ｐd/Niの中から選択されたいずれか一つで形成する。
ここで、Ni/AuはNi層とAu層が順次に積層された電極パッドである。
そして、反射金属膜１３０は、Al、AG、Au、Cu、Rhの少なくとも１つが含まれる合金である。

その後、反射金属膜１３０の上部の一部を除いて、素子１１１、Ｐ電極パッド層１２０、反射金属膜１３０およびサファイア基板１００の上面を取り囲んで、パッシベーション層１４０を形成し、パッシベーション層１４０により露出された反射金属膜１３０及びパッシベーション層１４０上にシード金属層１５０を形成する(図４d)。
ここで、パッシベーション層１４０は、SiO₂またはSi₃N₄で形成されるか、またはTiO₂、SiN、Al₂O₃、Ta₂O₃ 等のようなHR(高反射)膜で形成される。

HR膜でパッシベーションすれば、素子を保護することができるだけでなく、絶縁と同時に光を反射させて光素子の光損失を減らすことができる。
そして、シード金属層１５０は、Ta、TiW、TaW、Cu、Al、Ti、Pt、Au、Crのうちのいずれか一つで形成する。
また、シード金属層１５０の厚さ(t)は、レーザーリフトオフ工程で発生するストレスから分離された素子を保護し、熱放出を容易にするため、３０〜３００μｍで相対的に他の金属層より厚く成長させる。

続いて、シード金属層１５０上に金属層１６０を蒸着する(図４e)。
その後、レーザーリフトオフ工程を行い、サファイア基板１００を素子から離脱させる(図４f)。
結局、図４fの工程で、素子の間に存在する凹み領域、すなわち、トレンチ領域に金属層１６０が埋め込まれるようになる。

引き続き、サファイア基板１００に接触していた素子１１１、パッシベーション層１４０、反射金属膜１５０および金属層１６０の一部をエッチングして取り除く(図４G)。
続いて、それぞれの素子１１１にＮ電極パッド層１７０を形成する(図４h)。
最後に、スクライビング工程及びブレーキング工程などの切断工程を行い、それぞれの素子を一個ずつ分離する(図４i)。

図５に示されたように、本発明の第１実施例の発光素子は、傾斜した側壁を有するとともに、Ｎ型半導体層、活性層およびＰ型半導体層を含んでいる素子構造物１１２と、素子構造物１１２上に形成されたＰ電極パッド層１２０と、Ｐ電極パッド層１２０上に形成された反射金属膜１３０と、素子構造物１１２、Ｐ電極パッド層１２０、反射金属膜１３０および該反射金属膜１３０の上部の一部を取り囲むパッシベーション層１４０と、パッシベーション層１４０を取り囲むシード金属層１５０と、シード金属層１５０と反射金属膜１３０を取り囲む金属層１６０と、素子構造物１１２の下部に形成されたＮ電極パッド層１７０とからなる前述した工程を行うことにより製造される。

半導体層は、窒化ガリウム層であるのが望ましい。
そして、パッシベーション層１４０は、素子構造物の側面、シード金属層および反射用の金属膜の各側面から一定の厚さを有するように形成されているのが望ましい。

図６aないし図６fは、本発明の第２実施例による発光素子の製造工程を説明する概略的な断面図であって、サファイア基板１００上にＮ型GaN層、活性層およびＰ型GaN層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層１１０を形成する(図6a)。
その後、薄膜層１１０上にＰ電極パッド層であるＰメタル層２１０、反射用の金属膜２２０、金属層２３０を順次に蒸着する(図6b)。

引き続き、レーザーリフトオフ工程を行い、サファイア基板１００を薄膜層１１０から離脱させる(図6c)。
その後、複数個の素子１１１のそれぞれが離隔できるように、薄膜層１１０を選択的にエッチングする(図6d)。
この際、図６cと図６dとの間に、クリーニング工程を行うのが望ましい。

続いて、複数個の素子１１１の上部にＮ電極パッド層であるＮメタル層１７０を形成し、複数個の素子１１１を包むパッシベーション層１８０を形成する(図6e)。
ここで、パッシベーション層１８０は、Ｎメタル層１７０に露出された領域に形成されるもので、Ｎメタル層１７０は、パッシベーション層１８０によって露出される。

最後に、スクライビング工程及びブレーキング工程を行い、それぞれの素子１１１を一個ずつ分離する(図6f)。
サファイア基板１００上にＮ型GaN層、活性層およびＰ型GaN層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層１１０を形成する(図6a)。
その後、薄膜層１１０の上部にＰ電極パッド層であるＰメタル層２１０、反射用の金属膜２２０、金属層２３０を順次に蒸着する(図6b)。

従って、前述した工程で製造された本発明の第２実施例による発光素子は、金属層２３０と、金属層の上部に形成された反射用の金属膜２２０と、反射用の金属膜２２０上に形成された第１電極パッド層と、第１電極パッド層の上部に形成され、Ｎ型GaN層、活性層およびＰ型GaN層を有する素子薄膜と、素子薄膜の上部の一部に形成された第２電極パッド層と、第２電極パッド層の側面と素子薄膜を取り囲むパッシベーション層１８０で構成される。

前述したように、本発明の発光素子は、下記のような長所がある。
１) 素子の離隔)工程で形成されたトレンチ領域に金属を充填することで素子を保護するだけでなく、熱放出において既存の方法より非常に優れる。
２) 異種の基板を接合するのではなく、成長工程を通じて成長された厚い金属を用いてLLO工程を行うので、緻密な金属間の接合でボイドの発生の割合を著しく低くしてクラック発生率を減少させることができる。
３) 素子分離工程で素子の薄膜層側壁を傾くように形成させ、素子の薄膜層側壁に追加的な物質の成長が容易にでき、傾いた素子の薄膜層のへき開面で光損失を著しく減少させることができる。
４) 接合工程が追加的に要求されないので、工程が単純化する。
５) 素子と素子とのエッチングされた領域に他の物質を充填する必要がないので、工程を単純化することができる。

従来の技術による窒化ガリウム素子の製造工程の第１段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の製造工程の第２段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の製造工程の第３段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の製造工程の第４段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の製造工程の第５段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の他の製造工程の第１段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の他の製造工程の第２段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の他の製造工程の第３段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の他の製造工程の第４段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の他の製造工程の第５段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の他の製造工程の第６段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の他の製造工程の第７段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子の他の製造工程の第８段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子のさらに他の製造工程の第１段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子のさらに他の製造工程の第２段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子のさらに他の製造工程の第３段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子のさらに他の製造工程の第４段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子のさらに他の製造工程の第５段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子のさらに他の製造工程の第６段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子のさらに他の製造工程の第７段階を説明する概略的な断面図である。従来の技術による窒化ガリウム素子のさらに他の製造工程の第８段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の製造工程の第１段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の製造工程の第２段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の製造工程の第３段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の製造工程の第４段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の製造工程の第５段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の製造工程の第６段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の製造工程の第７段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の製造工程の第８段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の製造工程の第９段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第１実施例による発光素子の断面図である。本発明の第２実施例による発光素子の製造工程の第１段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第２実施例による発光素子の製造工程の第２段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第２実施例による発光素子の製造工程の第３段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第２実施例による発光素子の製造工程の第４段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第２実施例による発光素子の製造工程の第５段階を説明する概略的な断面図である。本発明の第２実施例による発光素子の製造工程の第６段階を説明する概略的な断面図である。

符号の説明

１００ : サファイア基板
１１０ : 薄膜層
１１１ : 素子
１１２ : 素子構造物
１２０ : Ｐ電極パッド層
１３０、２２０ : 反射金属膜
１４０、１８０ : パッシベーション層
１５０ : シード金属層
１６０、２３０ : 金属層
１７０ : Ｎ電極パッド層
２１０ : Ｐメタル層
２５０ : Ｎメタル層

Claims

傾斜した側壁を有する共に、Ｎ型半導体層、活性層およびＰ型半導体層を含んでいる素子構造物と、
該素子構造物上に形成されたＰ電極パッド層と、
該Ｐ電極パッド層上に形成された反射金属膜と、
前記素子構造物、Ｐ電極パッド層、反射金属膜、および該反射金属膜上部の一部を取り囲むパッシベーション層と、
該パッシベーション層を取り囲むシード金属層と、
該シード金属層と前記反射金属膜とを取り囲む金属層と、
前記素子構造物の下部に形成されたＮ電極パッド層とを含むことを特徴とする発光素子。
前記素子構造物の側壁の傾斜角度は、４５°〜６５°であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
前記Ｐ電極パッド層は、Ｎi/Ａu、Ｒu/Ａu、ITO、Ｐd/Ａu、Ｐd/Ｎiのうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
前記反射金属膜は、Ａl、ＡＧ、Ａu、Ｃu、Ｒhのうちの少なくとも１つを含む合金で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
前記素子構造物は、前記Ｐ型半導体層の幅より前記Ｎ型半導体層の幅が大きい構造物であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
前記パッシベーション層は、SiO₂、Si₃N4、TiO₂、SiN、Al₂O₃、TA₂O₃のうちのいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
前記パッシベーション層は、前記素子構造物の側面、Ｐ電極パッドおよび反射金属膜の側面から一定の厚さに形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
前記シード金属層の厚さ(t)は、３０〜３００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
金属層と、
該金属層上に形成された反射金属膜と、
該反射金属膜上に形成された第１電極パッド層と、
前記第１電極パッド層上に形成され、Ｎ型ＧＡＮ層、活性層およびＰ型ＧＡＮ層を備えている素子薄膜と、
該素子薄膜上の一部に形成された第２電極パッド層と、
前記第２電極パッド層の側面と前記素子薄膜を取り囲むパッシベーション層とを含んでいることを特徴とする発光素子。
基板上にＮ型半導体層、活性層およびＰ型半導体層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層を形成する段階と、
前記複数個の素子の各々が離隔され、かつ前記基板に対して所定の角度で傾斜した側壁を有するように、前記薄膜層を選択的にエッチングする段階と、
前記複数個の素子の各々の上部にＰ電極パッド層と反射金属膜を順次に形成する段階と、
前記反射金属膜の上部の一部を除いて、素子とＰ電極パッド層と反射金属膜と基板上部とを取り囲むパッシベーション層を形成し、前記パッシベーション層により露出された反射金属膜及びパッシベーション層の上部にシード金属層を形成する段階と、
前記シード金属層上に金属層を蒸着する段階と、
レーザーリフトオフ工程を行い、前記基板を前記素子から離脱させる段階と、
前記基板に接触していた素子、パッシベーション層およびシード金属層の一部をエッチングして取り除く段階と、
前記それぞれの素子にＮ電極パッド層を形成する段階と、
切断工程を行い、前記それぞれの素子を一個ずつ分離する段階よりなる発光素子の製造方法。
前記素子構造物は、前記Ｐ型半導体層の幅より前記Ｎ型半導体層の幅が大きい構造物であることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子の製造方法。
前記素子構造物の傾斜角度は、45°〜65°であることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子の製造方法。
前記半導体は、窒化ガリウム(ＧＡＮ)であることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子の製造方法。
前記基板は、サファイア基板であることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子の製造方法。
基板上にＮ型ＧＡＮ層、活性層およびＰ型ＧＡＮ層を有する複数個の素子が含まれた薄膜層を形成する段階と、
前記薄膜層上にＰメタル層、反射金属膜および金属層とを順次に蒸着する段階と、
レーザーリフトオフ工程を行い、前記基板を薄膜層から離脱させる段階と、
前記複数個の素子のそれぞれが離隔され、前記薄膜層を選択的にエッチングする段階と、
前記複数個の素子それぞれの上部にＮメタル層を形成し、前記複数個の素子を取り囲むパッシベーション層を形成する段階と、
切断工程を行い、前記それぞれの素子を一個ずつ分離する段階とを含んでいることを特徴とする発光素子の製造方法。