KR100902150B1 - 발광소자의 제조를 위한 장치 및 방법 - Google Patents

발광소자의 제조를 위한 장치 및 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100902150B1
KR100902150B1 KR1020080097806A KR20080097806A KR100902150B1 KR 100902150 B1 KR100902150 B1 KR 100902150B1 KR 1020080097806 A KR1020080097806 A KR 1020080097806A KR 20080097806 A KR20080097806 A KR 20080097806A KR 100902150 B1 KR100902150 B1 KR 100902150B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gan
laser beam
sapphire substrate
layer
openings
Prior art date
Application number
KR1020080097806A
Other languages
English (en)
Inventor
유병소
Original Assignee
(주)큐엠씨
유병소
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)큐엠씨, 유병소 filed Critical (주)큐엠씨
Application granted granted Critical
Publication of KR100902150B1 publication Critical patent/KR100902150B1/ko
Priority to TW098131475A priority Critical patent/TWI401824B/zh
Priority to CN200980135714.0A priority patent/CN102388436B/zh
Priority to PCT/KR2009/005347 priority patent/WO2010035991A2/en
Priority to US13/049,490 priority patent/US8313961B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/19—Delaminating means
    • Y10T156/1911—Heating or cooling delaminating means [e.g., melting means, freezing means, etc.]
    • Y10T156/1917—Electromagnetic radiation delaminating means [e.g., microwave, uv, ir, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 수직형 발광 소자의 제조에 있어 기판(substrate)으로부터 박막(thin film)을 분리하기 위한 발광소자 제조장치 및 그 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 발광소자 제조장치는, 레이저 빔을 방출하는 레이저 빔 광원; 상기 레이저 빔 광원으로부터 방출된 레이저 빔을 선택적으로 통과시키기 위한 것으로서 다수개의 개구(apertures)가 형성된 메쉬형 마스크(mesh-typed mask); 및 상기 메쉬형 마스크를 통과한 레이저 빔을 목표물에 집중시킴으로써 다수개의 빔 스팟을 형성하는 이미징 렌즈(imaging lens)를 포함한다.
발광소자, 레이저, 마스크

Description

발광소자의 제조를 위한 장치 및 방법{Apparatus and Method for Manufacturing LED}
본 발명은 발광소자의 제조를 위한 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 수직형 발광 소자의 제조에 있어 기판(substrate)으로부터 박막(thin film)을 분리하기 위한 발광소자 제조장치 및 그 방법에 관한 것이다.
발광소자는 전류를 빛으로 변환시키는 주지의 반도체 소자이다. 발광소자는 반도체로 형성된 활성층에서 충만대에 위치한 전자를 밴드 갭을 뛰어 넘어 전도대로 여기시킨 후 이 전자가 다시 충만대로 전이될 때 발산하는 빛을 이용하여 발광한다. 이러한 전자 전이는 밴드 갭의 크기에 의존하는 파장의 빛을 방출한다. 따라서, 발광소자에 의해 방출되는 빛의 파장 또는 색은 활성층의 반도체 물질에 의해 결정된다. 밴드 갭은 물질의 고유 특성 중 하나이기 때문이다.
발광소자는 적색, 녹색, 청색, 황색 등과 같이 다양한 범위의 색을 발광하는데 사용된다. 그러나, 발광소자는 단색 광원이라는 한계를 갖는다. 적색, 녹색, 청색을 모두 포함하는 백색 발광이 요구되는 경우가 있는데, 예를 들면 LCD를 사용하는 노트북은 백색의 백라이트가 필수적이다. 흔히 백색은 백열 전구 또는 형광 램 프에 의해 제공된다. 가격은 저렴하지만 백열 전구는 그 수명이 매우 짧고 발광 효율도 낮다. 형광 램프는 그 효율이 상대적으로 백열 전구에 비해 우수하지만 그 수명이 제한적이라는 단점이 있다. 더욱이, 형광 램프는 안정기와 같은 상대적으로 크고 무겁고 비싼 부가물이 요구된다.
백색 발광소자 광원은 적당한 비율로 빛을 발하는 적색, 녹색, 및 청색 발광소자를 서로 밀접하게 위치하도록 형성함으로써 제조할 수 있다. 그러나, 청색 발광소자는 알맞은 밴드 갭을 갖는 양질의 결정을 제조하기가 어렵기 때문에 그 제조가 상대적으로 어렵다. 특히 인듐인(InP), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP) 등의 화합물 반도체를 이용하는 경우에는 양질의 청색 발광소자를 구현하기 어려웠다.
이러한 어려움에도 불구하고 GaN을 이용한 청색 발광소자가 상업적으로 이용되기 시작하였고, 특히, 1994년에 시장에 소개된 이 후로 GaN에 기초한 발광소자 기술이 급속도로 발전하고 있고 현재에는 조명 분야에서 백열등이나 형광등을 월등히 능가하는 효율을 나타내고 있다.
한편, 인듐인(InP), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP) 계열의 발광소자의 경우에는 반도체 층이 도전성 기판 위에 성장되기 때문에 p-n접합 구조를 갖는 수직형 발광소자를 만드는 것은 어려운 것이 아니었다. 그러나, GaN에 기초한 발광소자의 경우에는 에피텍셜 성장시 결정 결함이 발생하는 것을 줄이기 위하여 사파이어(Al2O3)를 기판으로 사용한다. 그런데 사파이어는 절연체이기 때문에 제1 전극과 제2 전극 모두를 에피층의 상면 측에 형성시키는 수평형 구조가 일반적이었다.
도 1 및 도 2는 사파이어 기판을 이용한 종래의 수평형 발광소자의 개략적인 구조를 나타낸다.
종래의 전형적인 발광소자(10)의 단면도인 도 1에 도시되어 있는 바와 같이, 사파이어 기판(11) 상에 n-GaN층(12), 다중 양자 우물(multiple quantum wells)을 갖는 활성층(13), p-GaN층(14) 및 투명 도전층(15)이 순차적으로 적층된다. 이어서 투명 도전층(15)의 특정 부분 상에 제1 전극(16)이 형성된다.
그리고, 제1 전극(16)이 형성되지 않은 부분의 투명 도전층(15)의 일부분이 노출되도록 제1 전극(16)을 포함한 투명 도전층(15) 상에 포토리소그래피 공정을 통해 포토레지스트 패턴(미도시)을 형성한다. 이 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 투명 도전층(15), p-GaN층(14) 및 활성층(13)을 선택적으로 식각한다. 이 때, n-GaN층(12)의 일부도 얇게 식각된다. GaN는 그 식각의 어려움 때문에 습식 식각보다는 건식 식각이 주로 이용된다.
이어서, 포토레지스트 패턴을 스트립 공정을 통해 제거한 후 노출된 n-GaN층(12) 상에 제2 전극(17)을 형성한다.
종래 발광소자(10)를 위에서 내려다 본 상면도인 도 2에 도시되어 있는 바와 같이, 이와 같은 수평형 구조에서는 두 전극(16, 17) 모두에 와이어 본딩이 필요하기 때문에 전극 면적의 확보를 위해 발광소자(10)의 칩 면적도 일정 크기 이상이 될 것이 요구되었다. 이는 웨이퍼의 단위 면적당 칩 생산량을 향상시키는데 제한으로 작용하였을 뿐만 아니라 패키징 공정에서 와이어 본딩의 복잡성으로 인해 제조 비용이 증가하였다.
더욱이, 절연체인 사파이어를 기판(11)으로 사용하기 때문에 외부로부터 유입되는 정전기를 방출하기 어려워 정전기로 인한 불량 유발 가능성이 컸고, 이는 소자의 신뢰성을 현저히 저하시켰다. 또한, 사파이어는 열전도도가 낮기 때문에 발광소자(10) 구동 중에 발생하는 열을 외부로 방출하는데 어려움이 있어서 발광소자(10)의 고출력을 위한 대전류 인가에도 제약이 따랐다.
위와 같은 수평형 구조의 발광소자(10)의 단점 및 사파이어 기판(11)을 사용함으로써 야기되는 단점들을 보완하기 위하여 수직형 구조의 발광소자, 특히 최종 산물이 사파이어 기판을 포함하지 않는 수직형 구조의 발광소자에 대하여 활발한 연구가 진행되고 있다.
도 3 내지 도 7은 수직형 구조의 발광소자를 제조하는 일련의 공정들을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판(20) 상에 통상의 반도체 공정 기술, 예를 들면 MOCVD(Metal Oxide Chemical Vapor Depositon) 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 방법에 의해 GaN 버퍼층(31), N형의 GaN 층(32), 다중 양자 우물을 갖는 InGaN/GaN/AlGaInN 활성층(33), 및 P형 GaN 층(34)을 포함하는 일련의 GaN 층들(30)을 순차적으로 형성시킨다. (001) 결정 구조를 갖는 사파이어(Al2O3) 기판 상에 GaN로 이루어지는 박막을 성장시킬 경우 격자 부정합이 생겨 박막의 평면이 불균일할 우려가 있기 때문에, 사파이어 기판(20) 상에 먼저 버퍼층(31)을 형성하고 그 버퍼층(31) 위에 GaN 박막들을 형성하는 것이 바람직하다. 통상적으로 사파이어 기판(20)은 약 330-430 ㎛의 두께를 갖으며 상기 일련의 GaN 계열의 층들(30)은 그 전체 두께가 약 10 ㎛ 이하이다.
이어서, 도 4에 도시되어 있는 바와 같이, ICP RIE(Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching) 방법을 사용하여 상기 일련의 GaN 계열의 층들(30)을 관통하는 다수의 트렌치(trench)(30b)를 형성한다. 상기 트렌치(40)는 개별 LED 소자를 정의하며 각 개별 LED 소자가 예를 들면 가로 세로의 길이가 약 200 ㎛인 정사각형이 되도록 트렌치(30b)가 형성된다. 트렌치(30b) 자체의 폭은 약 10 ㎛ 이하이다. 상기 일련의 GaN 계열의 층들(30)은 그 경도가 강하기 때문에 RIE 방식, 특히 ICP RIE 방식에 의해 트렌치(30b)를 형성하는 것이 바람직하다. 트렌치(30b) 형성을 위하여 감광막(미도시)을 스핀 코팅에 의해 GaN 계열의 층들(30) 상에 도포한다. 이후 도포된 감광막의 선택적 노광 및 현상 공정을 거쳐 감광막 패턴(미도시)을 형성한다. 이렇게 형성된 감광막 패턴을 에칭 마스크로 이용하여 ICP RIE 방식에 의해 GaN 계열의 층들(30) 일부를 에칭함으로써 트렌치(30b)를 형성하게 된다.
한편, 빔 스팟의 에너지 밀도에 비해 빔 스팟의 사이즈가 상대적으로 커서 빔 스팟의 에지부에 집중된 응력이 GaN 계열의 에피층에 균열을 일으킬 정도로 컸기 때문에 이러한 트렌치(30b) 형성 공정은 필수적이었다. 즉, 사파이어 기판(20)을 GaN 계열의 층들(30a)로부터 분리하기 위하여 레이저 리프트-오프 공정을 수행할 때 GaN 계열의 층들(30a)의 균열(fracture) 또는 결함(crack)을 야기하는 응력이 이들 트렌치(30b)를 통해 빠져나가도록 하여야 했기 때문에, 레이저 리프트-오 프 공정 전에 이러한 트랜치(30b) 형성 공정은 필수불가결한 것으로 인식되었다.
트랜치(30b)를 형성한 후에, 도 5에 도시되어 있는 바와 같이, GaN 계열의 층들(30a) 상에 도전성 지지층(40)을 형성한다.
이어서, 사파이어 기판(20)을 GaN 계열의 층들(30a)로부터 분리한다. 상기 분리는 사파이어 기판(20) 및 도전성 지지층(40) 상에 진공 척(vacuum chuck)(미도시)을 부착시키고 서로 반대 방향으로 힘을 준 상태에서 빔 균일제(beam homogenizer)(미도시)를 통과한 레이저 빔을 단일 펄스 방식으로 사파이어 기판(20)을 통해 GaN 계열의 층들(30a)에 조사함으로써 수행된다. 이때, 레이저 빔 스팟(A)의 에지 부분에 응력이 집중되기 때문에 상기 에지 부분이 트랜치(30b) 영역에 조사되도록 한다. 이를 위해 레이저 빔 펄스의 조사 및 웨이퍼가 안착된 스테이지의 이동이 정밀하게 제어되어야 한다는 어려움이 있었다.
이와 같은 방식으로 레이저 빔 펄스를 사파이어 기판(20)의 전영역에 순차적으로 조사함으로써 사파이어 기판(20)을 GaN 계열의 에피층(30a)로부터 분리하면 잔존하는 에피층(30a)은 사파이어 기판(20)과 접촉하였던 GaN 버퍼층(31)을 포함하고 있다. 따라서, GaN 버퍼층(31)을 제거하는 공정을 추가로 실시하여야 한다.
이어서, 도 6에 도시되어 있는 바와 같이, GaN 버퍼층(31)이 제거된 상태에서 각각의 N형 GaN 층들(32a) 상에 콘택층(50)을 형성한다.
이와 같이 콘택층(50)을 형성시킨 후에는, 다이싱(dicing) 공정을 통하여 각각의 개별 LED 소자로 분리한다. 다이싱 공정은 다양한 기계적 또는 화학적 방법을 통해 수행될 수 있다. 도 7은 이와 같이 개별 LED 소자로 분리된 최종 제품의 단면 도이다.
따라서, 본 발명은 위와 같은 관련 기술의 제한 및 단점들에 기인한 문제점들을 방지할 수 있는 발광소자의 제조장치 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명의 이점은 사파이어 기판을 GaN 계열의 에피층으로부터 분리하기 이전에 상기 에피층에 트랜치를 형성하여야 하는 공정상의 번거로움을 제거함으로써 생산성을 향상시킬 수 있는 발광소자의 제조장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 이점은 사파이어 기판을 GaN 계열의 에피층으로부터 분리하기 위한 레이저 리프트-오프 공정시 빔 스팟의 에지부가 GaN 계열의 에피층에 형성된 트랜치에 정확히 정렬되지 않음으로 인해 발생하는 에피층의 손상을 방지함으로써 공정의 용이성을 향상시킬 수 있는 발광소자의 제조장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 이점은 사파이어 기판을 GaN 계열의 에피층으로부터 분리한 후 GaN 버퍼층을 제거하기 위한 후속공정을 생략할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있는 발광소자의 제조장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술된 것이고, 부분적으로는 그러한 기술로부터 자명할 것이다. 또는, 본 발명의 실시를 통해 본 발명의 또 다른 특징 및 이점들이 학습되어질 수 있을 것이다. 본 발명의 목적들 및 다른 이점들은 첨부된 도면은 물론이고 발명의 상세한 설명 및 특허청구범위에서 특정된 구조에 의해 실현되고 달성될 것이다.
위와 같은 이점들을 달성하기 위하여, 그리고 본 발명의 목적에 따라, 레이저 빔을 방출하는 레이저 빔 광원; 상기 레이저 빔 광원으로부터 방출된 레이저 빔을 선택적으로 통과시키기 위한 것으로서 다수개의 개구(apertures)가 형성된 메쉬형 마스크(mesh-typed mask); 및 상기 메쉬형 마스크를 통과한 레이저 빔을 목표물에 집중시킴으로써 다수개의 빔 스팟을 형성하는 이미징 렌즈(imaging lens)를 포함하는 발광소자 제조장치가 제공된다.
본 발명의 다른 측면으로서, 사파이어 기판 상에 GaN 계열의 에피층을 형성하는 단계; 상기 GaN 계열의 에피층 상에 도전성 지지층을 형성하는 단계; 및 상기 사파이어 기판을 상기 GaN 계열의 에피층으로부터 분리하는 단계를 포함하되, 상기 사파이어 기판의 분리 단계는, 단일 펄스의 레이저 빔을 다수개의 개구가 형성된 메쉬형 마스크를 통과시킴으로써 다수개의 빔 스팟을 상기 사파이어 기판 상에 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법이 제공된다.
위와 같은 일반적 서술 및 이하의 상세한 설명 모두는 본 발명을 예시하거나 설명하기 위한 것일 뿐으로서, 특허청구범위의 발명에 대한 더욱 자세한 설명을 제공하기 위한 것으로 이해되어야 한다.
위와 같은 본 발명의 발광소자의 제조장치 및 그 방법에 의하면, 사파이어 기판을 GaN 계열의 에피층으로부터 분리하기 이전에 상기 에피층에 트랜치를 형성하여야 하는 공정상의 번거로움을 제거함으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.
또한, 사파이어 기판을 GaN 계열의 에피층으로부터 분리하기 위한 레이저 리프트-오프 공정시 빔 스팟의 에지부가 GaN 계열의 에피층에 형성된 트랜치에 정확히 정렬되지 않음으로 인해 발생하는 에피층의 손상을 방지함으로써 정확한 정렬을 요구하지 않기 때문에 공정의 용이성을 향상시킬 수 있다.
더욱이, 사파이어 기판을 GaN 계열의 에피층으로부터 분리한 후 GaN 버퍼층을 제거하기 위한 후속공정을 생략할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 사상 및 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명의 다양한 변경 및 변형이 가능하다는 점은 당업자에게 자명할 것이다. 따라서, 본 발명은 특허청구범위에 기재된 발명 및 그 균등물의 범위 내에 드는 변경 및 변형을 모두 포함한다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 발광소자의 제조장치 및 그 방법의 일 실시예를 상세하게 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판(100) 상에 통상의 반도체 공정 기술, 예를 들면 MOCVD(Metal Oxide Chemical Vapor Depositon) 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy) 방법에 의해 GaN 버퍼층(210), N형의 GaN 층(220), 다중 양자 우물을 갖는 InGaN/GaN/AlGaInN 활성층(230), 및 P형 GaN 층(240)을 포함하는 일련의 GaN 계열의 에피층(200)을 순차적으로 형성시킨다.
(001) 결정 구조를 갖는 사파이어(Al2O3) 기판 상에 GaN로 이루어지는 박막을 성장시킬 경우 격자 부정합이 생겨 박막의 평면이 불균일할 우려가 있기 때문에, 사파이어 기판(100) 상에 먼저 GaN 버퍼층(210)을 먼저 형성하고 그 버퍼층(210) 위에 GaN 박막들(220, 230, 240)을 순차적으로 형성하는 것이 바람직하다. 통상적으로 사파이어 기판(100)은 약 330-430 ㎛의 두께를 갖으며 상기 GaN 계열의 에피층(200)은 그 전체 두께가 약 10 ㎛ 이하이다.
이어서, 도 9에 도시된 바와 같이, GaN 계열의 에피층(200) 상에 도전성 지지층(300)을 형성한다. 도전성 지지층(300)은 물리증착방법(physical vapor deposition), 전기도금법, 또는 본딩(bonding) 등의 방법에 의해 형성될 수 있다. 도전성 지지층(300)은 약 100 ㎛ 이하의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 도전성 지지층(300)의 물질로는 Cu, Au, 또는 Al 등의 금속이 바람직하나 Si와 같이 전기 전도성을 갖는 물질이라면 그 어느 것이라도 가능하다.
한편, GaN 계열의 에피층(200)과 도전성 지지층(300) 사이의 접착력을 향상시키기 위하여 그 사이에 Cr 또는 Au를 포함하는 접착층(미도시)을 더 형성시킬 수도 있다.
이어서, 레이저 리프트-오프 공정을 통해 사파이어 기판(100)을 GaN 계열의 에피층(200)로부터 분리한다. 상기 분리는 레이저 빔을 단일 펄스 방식으로 사파이어 기판(100)을 통해 GaN 계열의 에피층(200)에 조사함으로써 수행된다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 사파이어 기판(100)의 분리 단계는, 단 일 펄스의 레이저 빔을 다수개의 개구가 형성된 메쉬형 마스크(mesh-typed mask)를 통과시킴으로써 다수개의 빔 스팟(B)을 상기 사파이어 기판(100) 상에 형성하는 단계를 포함한다.
도 13은 본 발명의 제1 실시예에 의한 레이저 리프트-오프 장치(500a)를 개략적으로 도시하고 있고, 도 14에는 본 발명의 일 실시예에 의한 메쉬형 마스크(520)가 도시되어 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 레이저 리프트-오프 장치(500a)는, 레이저 빔을 방출하는 레이저 빔 광원(510), 상기 레이저 빔을 선택적으로 통과시키기 위한 것으로서 다수개의 개구(apertures)(521)가 형성된 메쉬형 마스크(mesh-typed mask)(520), 및 상기 메쉬형 마스크(520)의 개구들(521)을 통과한 레이저 빔을 목표물에 집중시킴으로써 다수개의 빔 스팟(B)을 형성하는 이미징 렌즈(imaging lens)(530)를 포함한다.
상기 레이저 빔 광원(510)은 KrF 엑시머 레이저 또는 ArF 엑시머 레이저이다.
상기 목표물은 GaN 계열의 에피층(200)이 형성된 사파이어 기판(100)이며, 상기 다수의 빔 스팟(B)은 GaN 계열의 에피층(200)이 형성된 면의 반대 면에 형성된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 다수의 빔 스팟(B) 각각은 반지름이 r인 원형의 형상을 가지며, 상기 r은 1.67×103(N/m)×t(m)×[Ed(J/cm2)]-1 < r < 20 ×103(N/m)×t(m)×[Ed(J/cm2)]-1의 식 - 여기서, t(m)는 상기 일련의 GaN 계열의 에피층의 두께이고, Ed(J/cm2)는 상기 목표물에 조사되는 빔 스팟(B)의 에너지 밀도임 -을 만족하도록 조절된다. 일반적으로, GaN 계열의 에피층의 두께는 약 5 내지 10 ㎛이고, 빔 스팟의 적절한 에너지 밀도는 0.6 내지 2 J/cm2이므로, 상기 다수의 빔 스팟 각각은 약 0.4 내지 32 ㎛의 반경을 가지며, 더욱 바람직하게는 약 5 내지 20 ㎛의 반경을 갖는다.
GaN 계열의 에피층(200)에 가해지는 응력이 균일하게 분산되도록 하기 위하여 상기 빔 스팟(B)은 원형의 형상을 갖는 것이 바람직하다. 또한, 빔 스팟(B)의 반지름이 상기 범위에 미치지 못할 경우에는 빔 스팟(B)의 사이즈가 지나치게 작아져 공정의 효율 및 생산성이 저하된다. 반대로 빔 스팟(B)의 반지름이 상기 범위를 초과할 경우에는 빔 스팟(B)의 에너지 밀도에 비해 그 사이즈가 지나치게 커서 빔 스팟(B)의 에지부에 과도한 응력이 집중되고, 이러한 과도한 응력은 GaN 계열의 에피층(200)에 균열 또는 결함을 야기하게 된다.
즉, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 단일 펄스의 레이저 빔을 사파이어 기판(100)에 조사함에 있어서 사파이어 기판(100) 상에 형성된 GaN 계열의 에피층(200)의 두께에 비례하고 빔 스팟의 에너지 밀도에 반비례하도록 빔 스팟(B)의 크기를 조절함으로써 빔 스팟(B)의 에지부에서의 응력 집중으로 인한 GaN 계열의 에피층(200)의 균열 또는 결함을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면, 사파이어 기판(100)을 GaN 계열의 에피층(200)으로부터 분리하기 위한 레이저 리프트-오프 공정 이전에 상기 GaN 계열의 에피층(200)에 트랜치(빔 스팟의 에지부에 집중되는 응력이 빠져나갈)를 형성할 필요가 없을 뿐만 아니라, 단일 펄스의 레이저 빔으로부터 적절한 크기의 빔 스팟(B)을 다수개 형성하기 때문에 공정의 효율성 및 생산성을 극대화할 수 있다.
빔 스팟(B)의 크기 조절은 상기 메쉬형 마스크(520)의 위치를 변경함으로써 조절될 수 있지만, 이 경우 다른 광학 요소들도 모두 다시 정렬되어야 하는 불편함이 있을 뿐만 아니라 가공물(100)에 조사되는 빔 스팟(B)의 에너지 밀도가 변하게 되기 때문에 빔 스팟(B)의 크기 조절은 메쉬형 마스크(520)에 형성된 개구(521)의 크기를 조절함으로써 수행되는 것이 바람직하다.
상기 다수개의 개구(521)의 지름을 d라 할 경우, 서로 이웃하는 개구의 중심들 사이의 거리(pitch: p)는 2d 이하인 것이 공정의 효율 및 생산성 면에서 바람직하다.
한편, 도 9에 도시된 바와 같이, 단일 펄스의 레이저 빔에 의해 사파이어 기판(100)에 형성되는 다수개의 빔 스팟(B)은 그 에지부가 개별 발광소자들(C) 사이에 위치할 필요가 없기 때문에 레이저 빔 조사와 웨이퍼의 이동의 타이밍을 정확하게 제어할 필요가 없어 공정이 수월할 뿐만 아니라 공정 오차를 최소화할 수 있다.
또한, 도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 웨이퍼를 x축 방향으로 이동하면서 다수개의 빔 스팟(B1)을 형성하기 위한 제1 펄스, 다수개의 빔 스팟(B2)을 형성하기 위한 제2 펄스, 다수개의 빔 스팟(B3)을 형성하기 위한 제3 펄스를 순차적으 로 조사함으로써 개별 발광소자들(C)의 전영역에 걸쳐 사파이어 기판(100)의 분리가 일어나도록 할 수 있다. 선택적으로, 웨이퍼가 안치된 스테이지를 y축 방향 또는 x-y축 방향으로 이동하면서 레이저 빔 펄스를 조사할 수도 있다.
이와 같은 방식으로 레이저 빔 펄스를 조사할 경우 사파이어 기판(100)의 전영역에 걸쳐 중복 조사가 이루어지게 되고, 이러한 중복 조사로 인해 사파이어 기판(100)과 접촉하였던 GaN 버퍼층(210)이 레이저 리프트-오프 공정 중에 완전히 제거될 수 있다. 따라서, 본 발명에 의하면, 레이저 리프트-오프 공정 후에 GaN 버퍼층(31)을 제거하는 별도의 공정을 추가로 실시할 필요가 없어 공정의 효율성 및 생산성을 극대화할 수 있다.
한편, 빔 스팟이 원형일 경우에는 에피층(200)에 가해지는 응력의 균일 분산으로 인해 그 에지 부분에 집중되는 응력을 최소화할 수 있는 장점이 있는 반면, 원형의 기하학적 배치의 한계로 인해 중복 조사 횟수가 영역 별로 달라질 수 있다. 즉, 레이저 조사 횟수가 사파이어 기판(100) 상의 각 위치별로 달라질 수 있다.
따라서, 선택적으로, 사파이어 기판(100) 상의 모든 영역에 걸쳐 동일한 횟수의 레이저 조사가 이루어지기 위하여 빔 스팟이 사각형의 형상을 갖도록 할 수 있다. 빔 스팟이 사각형의 형상을 갖도록 하기 위한 본 발명의 메쉬형 마스크는 사각형의 개구를 갖는다. 이 경우 빔 스팟의 에지 부분에 집중되는 응력으로 인해 에피층(200)에 손상이 야기되는 것을 방지하기 위하여, 상기 사각형의 빔 스팟의 면적은 빔 스팟이 원형일 때의 스팟 면적보다 같거나 작은 것이 바람직하다.
레이저 리프트 오프 공정에 이어서, N형 GaN층(220) 상에 콘택층(400)을 형 성한 후 다이싱 공정을 통해 개별 발광소자로 분리한다. 다이싱 공정은 다양한 기계적 또는 화학적 방법을 통해 수행될 수 있다. 도 12는 이와 같이 개별 발광소자로 분리된 최종 제품의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자의 제조장치(500b)의 구성을 개략적으로 나타낸다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자의 제조장치(500b)는 레이저 빔 광원(510)과 메쉬형 마스크(520) 사이에 빔 확장 망원경(540)을 더 포함하고 있다는 것을 제외하고는 제1 실시예에 따른 발광소자의 제조장치(500a)와 동일한 광학 구성들(optical elements)을 갖는다.
빔 확장 망원경(540)은 레이저 빔 광원(510)으로부터 방출된 레이저 빔을 확장함으로써 레이저 빔의 조사 면적을 키울 수 있다. 이렇게 확장된 레이저 빔은 제1 실시예의 경우에 비하여 메쉬형 마스크(520)의 더 많은 개구들(521)을 통과함으로써 가공물(100) 상에 더 많은 수의 빔 스팟들(B)을 형성하기 때문에 제조공정의 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 16 내지 도 19는 본 발명의 빔 확장 망원경(BET)(540)의 다양한 실시예들을 나타낸다.
도 16에 도시된 빔 확장 망원경(540)은 순차적으로 배치된 실린더형 오목 렌즈(cylindrical concave lens: 541)와 실린더형 볼록 렌즈(cylindrical convex lens: 542)를 포함하고 있어, 빔 확장 망원경(540)에 입사되는 레이저 빔을 단일 축(y축)에 대해서만 확장시킨다. 한편, 단일 축(single axis)에 대해서만 레이저 빔을 확장하기 위하여 빔 확장 망원경(540)이 2개의 실린더형 볼록 렌즈로 구성될 수도 있는데, 이 경우에는 2개의 실린더형 볼록 렌즈들 사이의 광 경로에서 포커싱(focusing)이 이루어진다.
도 17에 도시된 빔 확장 망원경(540)은 순차적으로 배치된 구형 오목 렌즈(spherical concave lens: 543)와 구형 볼록 렌즈(spherical convex lens: 544)를 포함하고 있어, 빔 확장 망원경(540)에 입사되는 레이저 빔을 양 축(both axis)(x-y 축) 모두에 대해서 확장시킨다.
도 18에 도시된 빔 확장 망원경(540)의 경우에는 구형 오목 렌즈(545) 및 2개의 실린더형 볼록 렌즈들(546, 547)이 순차적으로 배치되되 상기 2개의 실린더형 볼록 렌즈들(546, 547)의 만곡(curvature) 방향이 서로 직교함으로써 빔 확장 망원경(540)에 입사되는 레이저 빔이 양 축 모두에 대하여 확장된다.
도 19에 도시된 빔 확장 망원경(540)의 경우에는 2개의 실린더형 오목 렌즈들(548a, 548b)과 2개의 실린더형 볼록 렌즈들(549a, 549b)이 순차적으로 배치되되, 각 렌즈의 만곡 방향이 이웃하는 렌즈(들)의 만곡 방향과 서로 직교함으로써 빔 확장 망원경(540)에 입사되는 레이저 빔이 양 축 모두에 대하여 확장된다.
도 20 내지 도 23은 본 발명의 제3 내지 제6 실시예에 의한 발광소자의 제조장치의 구성을 각각 나타낸다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 발광소자의 제조장치(500c)는, 도 20에 도시된 바와 같이, 레이저 빔 광원(510)과 메쉬형 마스크(520) 사이에 필드 렌즈(550)를 더 포함하고 있다는 것을 제외하고는 제1 실시예에 따른 발광소자의 제조장 치(500a)와 동일한 광학 구성들을 갖는다. 필드 렌즈(550)는 오목 렌즈 또는 볼록 렌즈일 수 있다. 필드 렌즈(550)가 오목 렌즈일 경우에는 필드 렌즈(550)를 투과한 레이저 빔이 제1 실시예의 경우에 비하여 메쉬형 마스크(520)의 더 많은 개구들(521)을 통과함으로써 가공물(100) 상에 더 많은 수의 빔 스팟들(B)을 형성할 수는 있으나 각 빔 스팟(B)의 에너지 밀도는 낮다. 이에 반해, 필드 렌즈(550)가 볼록 렌즈일 경우에는 필드 렌즈(550)를 투과한 레이저 빔이 가공물(100) 상에 형성할 수 있는 빔 스팟(B)의 수는 적으나 각 빔 스팟(B)의 에너지 밀도는 높다.
본 발명의 제4 실시예에 의한 발광소자의 제조장치(500d)는, 도 21에 도시된 바와 같이, 레이저 빔 광원(510)과 필드 렌즈(55) 사이에 빔 확장 망원경(540)을 더 포함하고 있다는 것을 제외하고는 제3 실시예에 따른 발광소자의 제조장치(500c)와 동일한 광학 구성들을 갖는다. 앞에서 설명한 바와 같이, 본 발명의 빔 확장 망원경(540)은 단일 축 또는 양 축에 대하여 레이저 빔을 확장할 수 있다. 이러한 빔 확장 망원경(540)의 존재로 인해 더 많은 가공물(100) 상에 더 많은 수의 빔 스팟들(B)을 형성할 수 있어 발광소자의 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 제5 실시예에 의한 발광소자의 제조장치(500e)는, 도 22에 도시된 바와 같이, 빔 확장 망원경(540)과 메쉬형 마스크(520) 사이에 빔 균일제(beam homogenizer: 560)를 더 포함하고 있다는 것을 제외하고는 제2 실시예에 따른 발광소자의 제조장치(500b)와 동일한 광학 구성들을 갖는다. 빔 균일제(560)는 빔 확장 망원경(540)에 확장된 레이저 빔의 에너지 세기의 균일도를 향상시킴으로써 균일한 에너지 세기 프로파일(energy intensity profile)을 갖는 빔 스팟(B)이 가공 물(100) 상에 형성될 수 있도록 한다.
본 발명의 제6 실시예에 의한 발광소자의 제조장치(500f)는, 도 23에 도시된 바와 같이, 빔 균일제(560)와 메쉬형 마스크(520) 사이의 간격을 조절하기 위하여 이들 사이에 위치하는 필드 렌즈(550)를 더 포함하고 있다는 것을 제외하고는 제5 실시예에 의한 발광소자의 제조장치(500e)와 동일한 광학 구성들을 갖는다.
첨부된 도면은 본 발명의 이해를 돕고 본 명세서의 일부를 구성하기 위한 것으로서, 본 발명의 실시예들을 예시하며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 원리들을 설명한다.
도 1 및 도 2는 종래의 수평형 발광소자의 개략적 구조를 나타내고,
도 3 내지 도 7은 수직형 구조의 발광소자를 제조하는 종래의 공정들을 나타내고,
도 8 내지 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 수직형 구조의 발광소자를 제조하는 공정들을 나타내고,
도 13은 본 발명의 제1 실시예에 따른 발광소자의 제조장치의 구성을 개략적으로 나타내고,
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 메쉬형 마스크를 개략적으로 나타낸 도면이고,
도 15는 본 발명의 제2 실시예에 따른 발광소자의 제조장치의 구성을 개략적으로 나타내고,
도 16 내지 도 19는 본 발명의 빔 확장 망원경(BET)의 다양한 실시예들을 나타내며,
도 20 내지 도 23은 본 발명의 제3 내지 제6 실시예에 의한 발광소자의 제조장치의 구성을 각각 나타낸다.
<도면의 부호에 대한 간략한 설명>
10 : 발광소자 11, 20, 100 : 사파이어 기판
30, 200 : GaN 계열의 에피층 40, 300 : 도전성 지지층
50, 400 : 콘택층 500a ~ 500f : LLO 장치
510 : 레이저 빔 광원 520 : 메쉬형 마스크
521 : 개구(aperture)
530 : 이미징 렌즈 540 : 빔 확장 망원경(BET)
550 : 필드 렌즈 560 : 빔 균일제

Claims (20)

  1. 레이저 빔을 방출하는 레이저 빔 광원;
    상기 레이저 빔 광원으로부터 방출된 레이저 빔을 선택적으로 통과시키기 위한 것으로서, 가변 크기를 갖는 다수개의 개구(apertures)가 형성된 메쉬형 마스크(mesh-typed mask); 및
    상기 메쉬형 마스크를 통과한 레이저 빔을 목표물에 집중시킴으로써 다수개의 빔 스팟을 형성하는 이미징 렌즈(imaging lens)를 포함하되,
    상기 목표물은 일련의 GaN 계열의 에피층이 형성된 사파이어 기판이고,
    상기 다수개의 빔 스팟은 상기 일련의 GaN 계열의 에피층이 형성된 상기 사파이어 기판의 면의 반대 면에 형성되고,
    상기 다수개의 빔 스팟 각각은 반지름이 r인 원형의 형상을 가지며,
    상기 r이 1.67×103(N/m)×t(m)×[Ed(J/cm2)]-1 < r < 20×103(N/m)×t(m)×[Ed(J/cm2)]-1의 식 - 여기서, t(m)는 상기 일련의 GaN 계열의 에피층의 두께이고, Ed(J/cm2)는 상기 목표물에 조사되는 빔 스팟의 에너지 밀도임 -을 만족하도록, 상기 다수개의 개구의 크기가 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 빔 광원 및 상기 메쉬형 마스크 사이에 빔 확장 망원경(Beam Expanding Telescope: BET)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 빔 확장 망원경과 상기 메쉬형 마스크 사이에 필드 렌즈(field lens)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 빔 확장 망원경과 상기 필드 렌즈 사이에 빔 균일제(beam homogenizer)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조장치.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 빔 확장 망원경과 상기 메쉬형 마스크 사이에 빔 균일제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 빔 광원과 상기 메쉬형 마스크 사이에 필드 렌즈(field lens)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조장치.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 다수개의 개구 중 서로 이웃하는 개구의 중심들 사이의 거리(pitch)는 2d 이하가 되도록, - 여기서 d는 상기 다수개의 개구 각각의 지름임 - 상기 다수개의 개구 크기가 조절되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 빔은 KrF 엑시머 레이저 빔 또는 ArF 엑시머 레이저 빔인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조장치.
  13. 사파이어 기판 상에 GaN 계열의 에피층을 형성하는 단계;
    상기 GaN 계열의 에피층 상에 도전성 지지층을 형성하는 단계; 및
    상기 사파이어 기판을 상기 GaN 계열의 에피층으로부터 분리하는 단계를 포함하되,
    상기 사파이어 기판의 분리 단계는,
    단일 펄스의 레이저 빔을 가변 크기를 갖는 다수개의 개구가 형성된 메쉬형 마스크를 통과시킴으로써 반지름이 r인 원형의 형상을 갖는 다수개의 빔 스팟을 상기 사파이어 기판 상에 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 r이 1.67×103(N/m)×t(m)×[Ed(J/cm2)]-1 < r < 20×103(N/m)×t(m)×[Ed(J/cm2)]-1의 식 - 여기서, t(m)는 상기 일련의 GaN 계열의 에피층의 두께이고, Ed(J/cm2)는 상기 사파이어 기판 상에 형성되는 빔 스팟의 에너지 밀도임 -을 만족하도록, 상기 다수개의 개구의 크기가 조절되는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 사파이어 기판의 분리 단계는 상기 사파이어 기판이 안치되어 있는 스테이지를 이동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
  19. 제 13 항에 있어서,
    상기 GaN 계열의 에피층은 상기 사파이어 기판의 바로 위에 형성되는 버퍼층 을 포함하며,
    상기 사파이어 기판의 분리 단계는 상기 버퍼층을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
  20. 제 13 항에 있어서,
    상기 다수개의 개구 각각은 지름이 d인 원형의 형상을 가지며, 서로 이웃하는 개구의 중심들 사이의 거리(pitch)는 2d 이하인 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법.
KR1020080097806A 2008-09-23 2008-10-06 발광소자의 제조를 위한 장치 및 방법 KR100902150B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW098131475A TWI401824B (zh) 2008-09-23 2009-09-18 用於製造發光二極體的裝置與方法
CN200980135714.0A CN102388436B (zh) 2008-09-23 2009-09-21 发光二极管的制造设备与方法
PCT/KR2009/005347 WO2010035991A2 (en) 2008-09-23 2009-09-21 Apparatus and method for manufacturing light-emitting diode
US13/049,490 US8313961B2 (en) 2008-09-23 2011-03-16 Apparatus and method for manufacturing light-emitting diode

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080093223 2008-09-23
KR20080093223 2008-09-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100902150B1 true KR100902150B1 (ko) 2009-06-10

Family

ID=40982594

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080097806A KR100902150B1 (ko) 2008-09-23 2008-10-06 발광소자의 제조를 위한 장치 및 방법
KR1020090033107A KR100925768B1 (ko) 2008-09-23 2009-04-16 발광소자의 제조를 위한 장치 및 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090033107A KR100925768B1 (ko) 2008-09-23 2009-04-16 발광소자의 제조를 위한 장치 및 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8313961B2 (ko)
KR (2) KR100902150B1 (ko)
CN (1) CN102388436B (ko)
TW (1) TWI401824B (ko)
WO (1) WO2010035991A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110132549A1 (en) * 2009-12-07 2011-06-09 J.P. Sercel Associates, Inc. Laser lift off systems and methods
KR20160066449A (ko) * 2014-12-02 2016-06-10 주식회사 이오테크닉스 다분할 광학부품 및 이를 적용하는 레이저 장치

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8382943B2 (en) * 2009-10-23 2013-02-26 William George Clark Method and apparatus for the selective separation of two layers of material using an ultrashort pulse source of electromagnetic radiation
US9669613B2 (en) 2010-12-07 2017-06-06 Ipg Photonics Corporation Laser lift off systems and methods that overlap irradiation zones to provide multiple pulses of laser irradiation per location at an interface between layers to be separated
KR101139333B1 (ko) 2010-06-25 2012-04-26 (주)큐엠씨 발광소자의 제조장치 및 그 제조방법
CN103824905A (zh) * 2014-02-24 2014-05-28 无锡晶凯科技有限公司 一种氮化镓led蓝宝石衬底柔性电子应用的激光剥离方法
CN103887157B (zh) * 2014-03-12 2021-08-27 京东方科技集团股份有限公司 光学掩膜板和激光剥离装置
CN105436710B (zh) * 2015-12-30 2019-03-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 一种硅晶圆的激光剥离方法
CN107256916B (zh) * 2017-06-30 2019-01-08 圆融光电科技股份有限公司 发光二极管led的制备方法及led
CN107490897A (zh) * 2017-08-09 2017-12-19 青岛海信电器股份有限公司 一种液晶显示装置
CN109530936A (zh) * 2018-12-27 2019-03-29 北京中科镭特电子有限公司 一种激光加工晶圆的方法及装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH071172A (ja) * 1993-04-22 1995-01-06 Omron Corp 薄材メッシュ、その製造方法及びその製造装置
JPH1177344A (ja) * 1997-09-04 1999-03-23 Mitsubishi Electric Corp 光加工装置
KR20060041383A (ko) * 2004-11-08 2006-05-12 엘지전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조방법
KR20060097512A (ko) * 2005-03-11 2006-09-14 김성진 질화물 반도체 수직 전극형 발광 다이오드 및 그 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19640594B4 (de) * 1996-10-01 2016-08-04 Osram Gmbh Bauelement
US6864158B2 (en) * 2001-01-29 2005-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing nitride semiconductor substrate
KR100593536B1 (ko) 2004-03-08 2006-06-28 엘지전자 주식회사 발광 다이오드의 제조 방법
JP4839692B2 (ja) * 2005-06-28 2011-12-21 三菱電機株式会社 エレベータ釣合いおもりの上部足場装置
KR20070109127A (ko) * 2006-05-09 2007-11-15 삼성전자주식회사 순차적 측면 고상화용 마스크 및 이를 이용한 순차적 측면고상화 방법
US8563431B2 (en) * 2006-08-25 2013-10-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
TW200816508A (en) 2006-09-18 2008-04-01 Univ Nat Central Fabrication methods of patterned sapphire substrate and light emitting diode
KR100724540B1 (ko) * 2006-12-26 2007-06-04 (주)큐엠씨 레이저 빔 전달 시스템 및 그 방법과 레이저 리프트 오프방법
US7727790B2 (en) * 2007-01-30 2010-06-01 Goldeneye, Inc. Method for fabricating light emitting diodes

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH071172A (ja) * 1993-04-22 1995-01-06 Omron Corp 薄材メッシュ、その製造方法及びその製造装置
JPH1177344A (ja) * 1997-09-04 1999-03-23 Mitsubishi Electric Corp 光加工装置
KR20060041383A (ko) * 2004-11-08 2006-05-12 엘지전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조방법
KR20060097512A (ko) * 2005-03-11 2006-09-14 김성진 질화물 반도체 수직 전극형 발광 다이오드 및 그 제조방법

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110132549A1 (en) * 2009-12-07 2011-06-09 J.P. Sercel Associates, Inc. Laser lift off systems and methods
US8986497B2 (en) * 2009-12-07 2015-03-24 Ipg Photonics Corporation Laser lift off systems and methods
US20150179523A1 (en) * 2009-12-07 2015-06-25 Ipg Photonics Corporation Laser lift off systems and methods
KR101818127B1 (ko) * 2009-12-07 2018-01-12 아이피지 마이크로시스템즈 엘엘씨 레이저 리프트 오프 시스템과 방법
US10297503B2 (en) * 2009-12-07 2019-05-21 Ipg Photonics Corporation Laser lift off systems and methods
US11239116B2 (en) 2009-12-07 2022-02-01 Ipg Photonics Corporation Laser lift off systems and methods
KR20160066449A (ko) * 2014-12-02 2016-06-10 주식회사 이오테크닉스 다분할 광학부품 및 이를 적용하는 레이저 장치
KR101725226B1 (ko) * 2014-12-02 2017-04-10 주식회사 이오테크닉스 다분할 광학부품 및 이를 적용하는 레이저 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201014002A (en) 2010-04-01
US8313961B2 (en) 2012-11-20
WO2010035991A2 (en) 2010-04-01
CN102388436B (zh) 2014-01-15
CN102388436A (zh) 2012-03-21
US20110183449A1 (en) 2011-07-28
KR100925768B1 (ko) 2009-11-11
WO2010035991A3 (en) 2013-06-06
TWI401824B (zh) 2013-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100902150B1 (ko) 발광소자의 제조를 위한 장치 및 방법
KR100724540B1 (ko) 레이저 빔 전달 시스템 및 그 방법과 레이저 리프트 오프방법
CN102157644B (zh) 具有垂直结构的发光二极管及其制造方法
KR100649769B1 (ko) 반도체 발광 다이오드 및 그 제조 방법
TWI489016B (zh) Single crystal substrate, single crystal substrate manufacturing method, multi-layer single-crystal substrate manufacturing method and component manufacturing method
KR20110128545A (ko) 발광 소자, 발광 소자의 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR101259483B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5306779B2 (ja) 発光素子及びその製造方法
KR101454821B1 (ko) 결정성막, 디바이스, 및, 결정성막 또는 디바이스의 제조방법
KR20080040359A (ko) 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
KR102661676B1 (ko) 표시장치 제조방법
KR20080017174A (ko) 질화물 반도체 발광소자 제조방법
JPH1032348A (ja) ３族窒化物半導体発光素子の製造方法及びその装置
US10418513B2 (en) Compound semiconductor device and method of fabricating the same
KR102542228B1 (ko) 질화물계 반도체층 및 그 성장 방법
KR20070122120A (ko) 수직형 발광 다이오드의 제조방법
KR101139333B1 (ko) 발광소자의 제조장치 및 그 제조방법
KR100808197B1 (ko) 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
KR102473764B1 (ko) 질화물계 반도체층 및 그 성장 방법
US10707375B2 (en) Light emitting device
KR20100122770A (ko) 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법
KR20120031344A (ko) 발광 다이오드 칩 및 그 제조 방법
KR20120117528A (ko) 수직형 ｌｅｄ 소자 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130401

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140528

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150601

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160527

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180516

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190524

Year of fee payment: 11