TWI401824B - 用於製造發光二極體的裝置與方法 - Google Patents

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Description

用於製造發光二極體的裝置與方法
本發明是有關於一種用來製造發光二極體的裝置與方法，且特別是一種製造發光二極體的裝置與方法，此裝置與方法可從基板分隔薄膜以製造一立式的發光二極體。
發光二極體(簡稱為LED)是一種眾所皆知用以轉換電能成光能的半導體裝置。當位於半導體製造的發光層(active layer)的電子從共價帶(valence band)經由能帶隙(band gap)激發到傳導帶(conduction band)，則LED發光。電子的傳送是根據能帶隙能量使光源發送。因此，既然能帶隙是對應金屬的特定特徵之一，所以LED發射光源的波長或顏色是基於半導體發光層來決定。
LED是被用來發射各種頻率範圍的有色光，例如是紅光、綠光、藍光，以及黃光。然而，LED具有一限制，即它是單色光源。所以存在一種用來發射包括紅光、綠光和藍光的白光的需求。例如，使用液晶顯示器(liquid crystal display，簡稱為LCD)的筆記型電腦必然的需要背光單位發射白光。基本上，白光是藉由白熾燈或螢光燈來提供。以白熾燈的例子來說，它的優點是便宜，但它的壽命非常短，且發光效率較低。而螢光燈較白熾燈具有較高的發光效率，但螢光燈的缺點是它的壽命是受限的。除此之外，螢光燈需要相對較大、較重且昂貴的附加元件，例如是安定器。
白光LED的光源可藉由緊密的放置紅光、綠光和藍光LED來製造，而紅光、綠光和藍光LED是以適當的比例各自發光。然而因為難以製造高品質並帶有適當能帶隙的晶體，所以製造藍光LED的製造流程是複雜的。特別是若使用InP、GaAs和GaP的化合物半導體，獲得高品質藍光LED是相當困難的。
排除這些困難，商業上常使用GaN系藍光LED。特別是GaN系藍光LED於1994引進市場後，GaN系藍光LED的技術急速發展，使得在照明領域中GaN系藍光LED的發光效率上勝過熾光燈或螢光燈。
在InP系、GaAs系和GaP系的LED例子中，半導體層生長在傳導基板上，使得製造具有p-n接面結構的立式LED是不因難的。然而，GaN系LED使用藍寶石(Al2 O3 )製成的基板以減少GaN在磊晶生長過程中影響晶格的可能性。在這個例子中，既然藍寶石是絕緣體，則具有形成在磊晶層(epi layer)上表面的第一和第二電極之水平式結構被廣泛的採用。
第1圖和第2圖說明使用藍寶石基板的水平式LED之習知技藝。
如第1圖所繪示，其為說明習知技藝LED 10疊積在藍寶石基板11上的n-GaN層12、具有多層量子井的發光層13、p-GaN層14以及透明導電層15之截面圖。此外第一電極16形成在透明導電層15上的預先定義部分。
此外，藉由光蝕刻法在包括第一電極16的透明導電層15上所形成之光阻圖形(沒有繪示)，其中提供光阻圖形(沒有繪示)以曝光透明導電層15預先定義的部分，此時第一電極16還沒形成。透明導電層15、p-GaN層14以及發光層13在這種光阻圖形被用為光罩的環境下進行選擇性的蝕刻。此時，些微的蝕刻n-GaN層12中的一部分。且既然GaN層較難蝕刻，則使用溼式蝕刻較乾式蝕刻為佳。
在藉由去除步驟移除光阻圖形之後，第二電極17形成在n-GaN層12的上表面。
如第2圖所繪示，其為習知技藝LED 10的上視圖。在這個水平式結構的例子中，第一電極16和第二電極17皆需要銲線。LED 10的晶片應該要有足夠大的面積以確保有電極面積的空間，而LED 10的晶片面積卻也是妨礙改善發光二極體磊晶片單位面積輸出的因子。除此之外，製造成本將因為封裝處理中銲線的複雜度而提高。
此外，使用絕緣性藍寶石基板11較難將外部產生的靜電釋出，由此將提高失敗機率且降低裝置穩定性。既然藍寶石基板11熱傳導能力較低，則將LED 10運作所產生的熱傳導至外部也是困難的，其作用像是LED 10的高輸出功率而應用高電流的限制。
為了克服使用藍寶石基板11的水平式LED 10的問題，將主動的研讀和研究立式LED，特別是最終成品不具有藍寶石基板的立式LED。
第3圖到第7圖說明製造立式LED的連續步驟。
如第3圖所繪示，GaN系層30包括GaN緩衝層31、n-GaN層32、具有多重量子井的InGaN/GaN/AlGaInN發光層33以及p-GaN層34，並藉由基本半導體處理技術連續的形成在藍寶石基板20上，半導體處理技術例如是金屬氧化物化學蒸汽沈積法(Metal Oxide Chemical Vapor Deposition，MOCVD)或分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy，MBE)。若GaN的薄膜直接的生長在藍寶石(Al2 O3 )(001)基板上，可能會因為晶格不連續而對薄膜表面的一致性有不利的影響。在這方面下，最好先形成GaN緩衝層31於藍寶石基板20上，之後再形成另一種GaN系層於GaN緩衝層31上。基本上，藍寶石基板20的厚度約330um至430um，而GaN系層30的所有厚度係小於約10um。
此外如第4圖所繪示，一些溝30b藉由感應耦合電漿離子蝕刻技術(Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching，ICP RIE)經由GaN系層30來形成。每個溝30b定義個別的LED。此溝30b也被設計成使得每一個LED以約200um的長和200um的寬的正方形來被形成。既然GaN系層30的硬度高，則溝30b只能藉由活性離子蝕刻(Reactive Ion Etching，RIE)來製成，特別是感應耦合電漿離子蝕刻技術(Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching，ICP RIE)。形成溝30b的順序，先藉由旋轉塗布的方法將光阻劑(沒有繪示)上膠在GaN系層30上，且在選擇性曝光和培養處理後，將形成光阻圖形(沒有繪示)。則GaN系層30使用做為蝕刻光罩的光阻圖形並藉由ICP RIE來做部分蝕刻，因此形成一些溝30b。
比較光點的能量密度，具有大面積的光點因為集中在光點邊緣的壓力將導致GaN系磊晶層的破裂或爆裂。然而，形成溝30b的處理是不可避免的。也就是說，當執行雷射剝離處理以從GaN系層30a分割藍寶石基板20時，導致GaN系層30a的破裂或爆裂的壓力應該經由溝30b洩壓。然而，眾所皆知形成溝30b的處理是不可避免的得在雷射剝離處理前處理。
在形成溝30b後，如第5圖所繪示，導電支撐層40a是形成在GaN系層30a上。
則藍寶石基板20從GaN系層30a中被分割出來。為了從GaN系層30中分割藍寶石基板20，在藍寶石基板20和導電支撐層40經由使用真空吸盤(沒有繪示)吸附其上而被拉至相反方向的環境下，通過光束均勻器(沒有繪示)的雷射光束經過藍寶石基板20被投射至GaN系層30a。此時既然壓力是集中在雷射光點(A)的邊緣，則雷射光點(A)的邊緣應該被投射至溝30b。精確的調整用於電射脈衝波的投射和晶片附載其上的平台之移動是困難的。
倘若經由藍寶石基板20連續的發射雷射光束至介於藍寶石基板20和GaN系層30a間之接合面的完整區域，以分割GaN系磊晶層30a與藍寶石基板20。在這個例子中，剩餘的GaN系磊晶層30a包括GaN緩衝層31，其用於接觸藍寶石基板20。因此需要額外的執行處理以移除GaN緩衝層31。
如第6圖所繪示，在移除GaN緩衝層31後，接觸層50形成於各別的n-GaN層32a上。
在形成接觸層50後，各別的LED藉由切塊處理被分割。切塊處理可藉由各種機械或化學方法來執行。第7圖圖解說明被分割為各別LED的最終成品之截面圖。
因此，本發明是應用至用來製造LED的裝置和方法，此裝置和方法本質上排除一個或多個由於習知技藝的限制和缺點的問題。
本發明的一方面是提供用來製造LED的裝置和方法，此裝置和方法在從GaN系磊晶層中分割藍寶石基板的處理之前，藉由省略在GaN系磊晶層中形成溝的處理，可改善產出。
本發明的另一方面是提供用來製造LED的裝置和方法，此裝置和方法可避免損壞GaN系磊晶層，此損壞導因於不精確的排列光點的邊緣與GaN系磊晶層的溝，此GaN系磊晶層的溝係用來從GaN系磊晶層中分割藍寶石基板的雷射剝離處理之用，以使處理簡單化和容易化。
本發明的另一方面是提供用來製造LED的裝置和方法，此裝置和方法在從GaN系磊晶層中分隔藍寶石基板後，藉由省略用來移除GaN緩衝層的處理，可改善產出。
本發明額外的特徵和觀點將於下述描述中提出，且從描述中某種程度上是顯而易見的，或可藉由本發明的實施來了解。本發明的目標和其它優點藉由特別地於書面描述和本發明專利範圍以及附圖中指出，將被了解和達到。
為了達成上述及其它優點且依照實施例所廣義描述之本發明的目的，提供用來製造LED的裝置包括用來發射雷射光束的雷射光束源；具有選擇性傳遞雷射光束的一些孔之網狀式遮罩；以及藉由聚焦通過網狀式遮罩的雷射光束以形成一些光點的成像透鏡，以從形成在基板上的半導體層中分隔基板。
本發明的另一方面，提供一種用來製造LED的方法，其包括形成一半導體層在基板的上方；形成一導電支撐層在半導體層的上方；形成一些單位光束，其藉由傳遞雷射光束經過具有一些孔的網狀式遮罩來形成；以及形成一些光點，其介於半導體層和基板之間的表面，其中此些光點藉由傳遞此些單位光束經過成像透鏡所形成。
可明瞭的是，上述一般描述和下述詳細描述兩者都只是示範和解釋，並預期將提供本發明進一步的解釋。
下面將詳細的說明本發明實施例，且本發明的範例於伴隨圖示中說明。
根據本發明用來製造LED的裝置和方法將參考伴隨圖示來敘述。
根據本發明的一實施例，如第8圖所繪示，GaN系磊晶層200包括GaN緩衝層210、n-GaN層220、具有多重量子井的InGaN/GaN/AlGaInN發光層230以及p-GaN層240，上述藉由基本半導體處理技術連續的形成在藍寶石基板100上，半導體處理技術例如是金屬氧化物化學蒸汽沈積法(Metal Oxide Chemical Vapor Deposition，MOCVD)或分子束磊晶(Molecular Beam Epitaxy，MBE)。
若GaN的薄膜直接的生長在藍寶石(Al2 O3 )(001)基板上，可能因為晶格不連續而對薄膜表面的一致性有不利的影響。在這方面下，最好先形成GaN緩衝層210於藍寶石基板100上，之後再形成另一種GaN系層220、230以及240於GaN緩衝層210上。基本上，藍寶石基板100的厚度約330um至430um，而GaN系層200的所有厚度係小於約10um。
此外，如第9圖所繪示，導電支撐層300係形成在GaN系磊晶層200上。此導電支撐層300可藉由蒸氣沉澱、電鍍或原子鍵結形成。導電支撐層300最好具有約500um的厚度或更少，但這不是必需的。導電支撐層300是由金屬所形成，例如是銅、金或鋁。然而，導電支撐層300也可為各種具有導電性的材料，例如是矽，所形成。
為了加強介於GaN系磊晶層200和導電支撐層300之間的黏著強度，包括鉻或金的黏著層(沒有繪示)可被另外提供至上述兩層之間。
此外，藉由雷射剝離處理從GaN系磊晶層200分割藍寶石基板100。此分割動作可藉由發射雷射光束經過藍寶石基板100至GaN系磊晶層200來執行。
根據本發明的一實施例，分割藍寶石基板100的處理動作包括藉由將雷射光束通過具有一些孔的網狀式遮罩，以在介於GaN系磊晶層200和導電支撐層300的表面上形成一些光點(B)的步驟。
第13圖說明根據本發明的第一實施例用來製造LED的裝置500a，且第14圖是根據本發明的實施例來說明網狀式遮罩520。
裝置500a根據本發明的第一實施例可為雷射剝離裝置，其包括用來發射雷射光束的雷射光束源510；網狀式遮罩520，其提供具有選擇性傳遞雷射光束的一些孔521，而雷射光束係從雷射光束源510所發射的；和成像透鏡530，其藉由聚焦通過網狀式遮罩520中此些孔521的雷射光束以形成一些光點(B)在目標上。
雷射光束的波長可介於約150nm和約1100nm之間。雷射光束源510可為KrF準分子電射或ArF準分子雷射。
該目標係對應於形成在藍寶石基板100上之GaN系磊晶層200。此些光點(B)形成在介於GaN系磊晶層200和藍寶石基板100之間的表面上。也就是說，雷射光束首先藉由通過網狀式遮罩520中此些孔521而分成一些單元光束，所分成的單元光束藉由成像透鏡530聚焦，且所聚焦的光束經由藍寶石基板100被投射至GaN系磊晶層200，因而形成一些光點(B)在介於GaN系磊晶層200和藍寶石基板100之間的表面上。
根據本發明的一實施例，每個光點(B)是以滿足下列公式的圓形來形成：
1.67×103 ×T×Ed -1 <R<20×103 ×T×Ed -1
其中R代表圓形的半徑(m)，T代表GaN系磊晶層200的厚度(m)，以及Ed 代表的是光點(B)的能量密度(J/cm2 )。一般來說，GaN系磊晶層200的厚度(m)是約5um至10um，且光點(B)的適當能量密度是約0.6至2J/cm2 。如此每個光點(B)具有約0.4um至32um的半徑，且最好是5um至20um，但不是必需。
為了均勻分散投射至GaN系磊晶層200的壓力，光點(B)最好為圓形，但不是必需。此外，若光點(B)的半徑係小於上述範圍，光點(B)的面積變的過分的小，則由此降低發光效率和產出。若光點(B)的半徑係大於上述範圍，光點(B)的面積與光點(B)的電量密度相較下變的過分的大，使得壓力過度集中在此光點(B)的邊緣上，則可能導致GaN系磊晶層200的破裂或爆裂。
根據本發明的一實施例，當投射雷射光束至藍寶石基板100，則光點(B)的範圍係根據在藍寶石基板100上的GaN系磊晶層200的厚度做等比例調整，且光點(B)的範圍與光點(B)的能量密度成反比，因此藉由壓力集中在光點(B)的邊緣以避免破裂或爆裂發生在GaN系磊晶層200上。
根據本發明，在用來從GaN系磊晶層200中分割藍寶石基板100的雷射剝離處理動作之前，不需要形成溝(壓力經此溝可集中在光點的邊緣而被排至外部)。既然此些具有適當大小的光點(B)也是從雷射光束形成，則可最大化效率和產出。
光點(B)的大小可藉由改變網狀式遮罩520的位置來調整。在這個例子中，所有光學元件可基於網狀式遮罩520的位置變化來再被分配，且投射至藍寶石基板100的光點(B)之能量密度被改變。因此，光點(B)的大小最好藉由改變網狀式遮罩520中孔521的大小來被調整，但這不是必需的。
若每一孔521的直徑係’D’，以效率和輸出的觀點來看，則介於鄰近孔521間的間距最好小於’2D’。
如第9圖所繪示，不必精確的排列此些光點(B)的各自邊緣，而此些光點(B)係經由使用雷射光束來形成在GaN系磊晶層200和藍寶石基板100之間。因此，不需要準確控制雷射光束發光和晶片移動的時間，使得可最少錯誤地簡單和輕鬆的完成處理動作。
如第10圖和第11圖所繪示，當晶片在X軸的方向上移動，用於形成一些雷射光束(B1)的第一脈衝，用於形成一些雷射光束(B2)的第二脈衝，以及用於形成一些雷射光束(B3)的第三脈衝被連續的投射至晶片，以將藍寶石基板100分割成各自的LED(C)。當晶片裝載其上的平台在Y軸方向或X-Y軸方向移動時，雷射光束選擇性的投射至此平台。
倘若雷射光束脈衝根據上述方法投射，介於GaN系磊晶層200和藍寶石基板100之間接面的全部區域可重覆的被雷射光束照亮。在這個例子中，直接接觸藍寶石基板100的GaN緩衝層210可用雷射剝離處理來完全地移除。根據本發明，在雷射剝離處理後不需要使用額外的移除GaN緩衝層210的處理，使得最大化效率和產出。
圓形的光點(B)能使投射到GaN系磊晶層200的壓力能均勻的散開，以致於集中在光點邊緣的壓力能最小化。然而，圓形光點(B)的幾何配置可根據藍寶石基板100的各自位置導致不同數目的雷射光束發光應用。也就是說，此些數目的雷射光束發光應用根據藍寶石基板100各自區域的對應位置可為不同。
藉由相同數目的雷射光束的發光應用，以讓雷射光束相同地投射至藍寶石基板100的全部區域，光點可形成為矩形。為了提供矩形光點，網狀式遮罩520可擁有矩形孔。在這個例子中，矩形光點的大小可相同或小於圓形光點的大小，以避免GaN系磊晶層200因集中在光點邊緣的壓力而受到損害。
在雷射剝離處理後，形成接觸層400於n-GaN層220上，且藉由切割處理分割成各別的LED。切割處理可藉由各種機械或化學方法來執行。第12圖圖解說明分割成各別的LED的最後產品之截面圖。
第15圖根據本發明的第二實施例說明製造LED的裝置500b。
此裝置500b根據本發明的第二實施例更包括位於雷射光束源510和網狀式遮罩520之間的光束擴展器(beam expanding telescope，BET)540。除了光束擴展器540之外，提供相同光學元件至裝置500b，此些光學元件為根據本發明的第一實施例包括於裝置500b中。
光束擴展器540擴展從雷射光束源510中所發射的雷射光束，以擴展雷射光束發光面積。倘若相較本發明的第一實施例，已擴展的雷射光束穿過網狀式遮罩520的更多孔52，則將形成更多的光點(B)於藍寶石基板100上，使得產出改善。
第16圖至第19圖根據本發明來說明光束擴展器540的各種實施例。
如第16圖所繪示，光束擴展器540包括按順序排列的柱面凹透鏡541和柱面凸透鏡542。因此入射至光束擴展器540上的雷射光束只沿著單軸(Y軸)擴展。為了使雷射光束沿著單軸擴展，光束擴展器540可包括兩個柱面凸透鏡，其中雷射光束聚焦在兩柱面凸透鏡的光學路徑上。
如第17圖所繪示，光束擴展器540包括按順序排列的球形凹透鏡543和球形凸透鏡544。因此入射至光束擴展器540的雷射光束沿著兩軸(X-Y軸)擴展。
如第18圖所繪示，光束擴展器540包括按順序排列的一球形凹透鏡545和兩個柱面凸透鏡546和547。在這個例子中，兩個柱面凸透鏡546和547係沿著它們的曲率方向正交，以致於入射至光束擴展器540的雷射光束沿著兩軸擴展。
如繪示於第19圖，光束擴展器540包括按順序排列的兩個柱面凹透鏡548a和548b以及兩個柱面凸透鏡549a和549b。倘若每一透鏡的曲率方向正交鄰近透鏡的曲率方向，則入射至光束擴展器540的雷射光束將沿著兩軸擴展。
第20至第23圖根據本發明的第三至第六個實施例說明用於製造LED的裝置。
如第20圖所繪示，根據本發明的第三實施例用於製造LED的裝置500c更包括位於雷射光束源510和網狀式遮罩520之間的物鏡550。除此之外，根據本發明第三實施例的裝置500c被提供相同的光學元件，而此些相同的光學元件係包括於根據本發明第一實施例的裝置500a。物鏡550可為凸透鏡或凹透鏡。若物鏡550是凹透鏡的話，則穿過物鏡550的雷射光束相較本發明第一實施例穿過更多網狀式遮罩520中的孔521，使得形成在藍寶石基板100上的光點(B)的數目相對較多，但是每一個光點(B)的能量密度變的較低。若物鏡550是凸透鏡的話，則形成在藍寶石基板100上的光點(B)的數目相對較少，但是每一個光點(B)的能量密度變的較高。
如第21圖所繪示，根據本發明第四實施例用於製造LED的裝置500d更包括位於雷射光束源510和物鏡550之間的光束擴展器540。除此之外，根據本發明第四實施例的裝置500d被提供相同的光學元件，此些光學元件為包括於根據本發明第三實施例的裝置500c。如上所述，光束擴展器540可沿著單軸或雙軸來擴展雷射光束。此光束擴展器540能夠形成更多的光點(B)於藍寶石基板100上，使得產出改善。
如第22圖所繪示，根據本發明第五實施例用於製造LED的裝置500e更包括位於光束擴展器540和網狀式遮罩520之間的光束均勻器560。除此之外，根據本發明第五實施例的裝置500e被提供相同的光學元件，此些相同的光學元件為包含於根據本發明第二實施例的裝置500b。光束均勻器560改善光束擴展器540所擴展的雷射光束之能量密度的一致性，使得具有相同能量密度特性的光點(B)形成在藍寶石100上。
如第23圖所繪示，根據本發明第六實施例，用於製造LED的裝置500c更包括位於光束均勻器560和網狀式遮罩520之間的物鏡550，其用來調整介於其間的距離。除此之外，根據本發明第六實施例的裝置500f被提供相同的光學元件，此光學元件為包含於根據本發明第五實施例的裝置500e。
因此，根據本發明用來製造LED的裝置和方法具有下述優點。
在用來從GaN系磊晶層200中分割藍寶石基板100的處理前，藉由省略用於形成GaN系磊晶層200的溝之處理，根據本發明用來製造LED的裝置和方法可改善產出。
根據本發明用來製造LED的裝置和方法也可避免GaN系磊晶層200的損壞，此損壞導因於不精確的排列光點(B)的邊緣與GaN系磊晶層200的溝，此GaN系磊晶層200的溝係用來從GaN系磊晶層200中分割藍寶石基板100的雷射剝離處理之用，以使處理簡單化和容易化。
此外，從GaN系磊晶層200中分割藍寶石基板100的處理後，不需要再做移除GaN緩衝層210的處理，其能改善產出。
該領域中具有通常知識者，在不背離本發明的精神和範圍下，對本發明做各種修改和變動係顯而易見的。因此，預期本發明涵蓋對後述權利範圍和其等效範圍內所做的修改和變動。
10．．．習知技藝LED
11、20、100．．．藍寶石基板
12、32、32a、220、220a．．．n-GaN層
13、33、33a、230、230a．．．發光層
14、34、34a、240、240a．．．p-GaN層
15．．．透明導電層
16．．．第一電極
17．．．第二電極
30、30a．．．GaN系層
30b．．．溝
31、210．．．GaN緩衝層
40、40a、300、300a．．．導電支撐層
50、400．．．接觸層
200．．．GaN系磊晶層
500a、500b、500c、500d、500e、500f．．．裝置
510．．．雷射光束源
520．．．網狀式遮罩
521．．．孔
530．．．成像透鏡
540．．．光束擴展器
541、548a、548b．．．柱面凹透鏡
542、546、547、549a、549b．．．柱面凸透鏡
543、545．．．球形凹透鏡
544．．．球形凸透鏡
550．．．物鏡
560．．．光束均勻器
第1圖和第2圖是說明水平式LED的習知技藝。
第3圖至第7圖是說明製造立式LED的處理的習知技藝。
第8圖至第12圖是根據本發明的一實施例來說明製造立式LED的處理。
第13圖是根據本發明的第一實施例來說明製造LED的裝置。
第14圖是根據本發明的第一實施例來說明網狀式遮罩。
第15圖是根據本發明的第二實施例來說明製造LED的裝置。
第16圖至第19圖是根據本發明來說明光束擴展器(beam expanding telescope，BET)的各種實施例；以及
第20圖至第23圖是根據本發明的第三至第六實施例來說明製造LED的裝置。
100．．．藍寶石基板
200．．．GaN系磊晶層
300．．．導電支撐層

Claims (16)

  1. 一種製造LED之裝置，包括：一雷射光束源，用來發射雷射光束；一網狀式遮罩，具有用於選擇性傳遞雷射光束的一些孔；以及一成像透鏡，藉由聚焦通過該網狀式遮罩的雷射光束以形成一些光點，以便從形成於一基板上的一半導體層分隔該基板，其中該些光點中的每一個光點是以滿足下列公式的一圓形來形成：1.67×103 ×T×Ed -1 <R<20×103 ×T×Ed -1 其中R代表該圓形的半徑(m)，T代表該半導體層的厚度(m)，以及Ed 代表該光點(B)的能量密度(J/cm2 )。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包括位於該雷射光束源和該網狀式遮罩之間的一光束擴展器。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，更包括位於該光束擴展器和該網狀式遮罩之間的一物鏡。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包括位於該雷射光束源和該網狀式遮罩之間的一光束均勻器。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之裝置，更包括位於該光束擴展器和該網狀式遮罩之間的一光束均勻器。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，更包括位於該雷射光束源和該網狀式遮罩之間的一物鏡。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該些光點是形成在介於該半導體層和該基板之間的表面上。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該些孔 中的每一個孔是以半徑為’D’的圓形所形成，且其中介於鄰近孔之間的間距係小於’2D’。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該網狀式遮罩中每個孔的大小是可變的，以便調整該些光點中的每一個光點的大小。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中該雷射光束的波長係介於約150nm和約1100nm之間。
  11. 一種製造LED之方法，包括：形成一半導體層在一基板的上方；形成一導電支撐層在該半導體層的上方；形成一些單位光束，其藉由傳遞一雷射光束經過具有一些孔的一網狀式遮罩來形成；以及形成一些光點，其介於該半導體層和該基板之間的表面，其中該些光點是藉由傳遞該些單位光束經過一成像透鏡所形成，其中該些光點中的每一個光點是以滿足下列公式的一圓形來形成：1.67×103 ×T×Ed -1 <R<20×103 ×T×Ed -1 其中R代表該圓形的半徑(m)，T代表該半導體層的厚度(m)，以及Ed 代表該光點(B)的能量密度(J/cm2 )。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中形成該些光點的步驟包括調整該些光點中的每一個光點的大小。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中調整該些光點中的每一個光點的大小的步驟是藉由改變該網狀式遮罩中的該孔的大小來執行。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之方法，更包括移動該基板置放其上的平台。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該半導體層包括直接地形成在該基板上的一緩衝層，且其中分隔該基板的步驟更包括移除該緩衝層。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之方法，其中該些孔中的每一個孔是以具有一直徑’D’的圓形所形成，且其中距離該鄰近孔的間距係小於’2D’。
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