JP2006133775A - 磁性ガーネット単結晶膜及びその製造方法、及びそれを用いたファラデー回転子 - Google Patents
磁性ガーネット単結晶膜及びその製造方法、及びそれを用いたファラデー回転子 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】Bi置換磁性ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長法を用いて育成する磁性ガーネット単結晶膜の製造方法において、単結晶膜の成長と共に磁性ガーネット単結晶の格子定数を一定、または徐々に減少させ、次いで単結晶膜の成長と共に格子定数を増加させて磁性ガーネット単結晶膜を成膜する。
【選択図】図1
Description
また、本発明の目的は、膜育成中や冷却中あるいは研磨加工中に割れを生じ難い磁性ガーネット単結晶膜を用いて高い歩留まりで作製できるファラデー回転子を提供することにある。
本願発明者達は、磁性ガーネット単結晶膜の育成中、冷却中および研磨加工時における割れを防ぐことを目的として膜成長方向の格子定数制御を検討した。その結果、単結晶膜の成長初期から途中まで膜の格子定数を一定、または徐々に減少させ、その後に膜成長と共に膜の格子定数を増加させて育成することが育成中、冷却中および研磨加工時の割れの抑制に対して大きな効果があることを見出した。
Yb2O3を6.747g、Gd2O3を6.624g、B2O3を43.214g、Fe2O3を144.84g、PbOを1189.6g、Bi2O3を826.4g、GeO2を2.360g秤量してPtるつぼに充填し、約1000℃で融解して撹拌を行い均質化した後、120℃/Hで降温させ820℃の過飽和状態で温度の安定を取った。そして、2インチφ(厚さ500μm)のCaMgZr置換GGG単結晶基板を100r.p.m.で回転させ、0.30℃/Hの速度で降温させながら15時間、基板の片面に磁性ガーネット単結晶膜をエピタキシャル成長させた。次に、0.80℃/Hで降温させながら20時間、単結晶膜を成長させた。
これらの工程でファラデー回転子を作製した場含、約85%の歩留まりが得られた。
Tb2O3を14.110g、B2O3を46.45g、Fe2O3を148.82g、PbOを1054.4g、Bi2O3を965.8g、GeO2を2.522g秤量してPtるつぼに充填し、約1000℃で融解して撹拌を行い均質化した後、120℃/Hで降温させ833℃の過飽和状態で温度の安定を取った。そして、2インチφ(厚さ550μm)のCaMgZr置換GGG単結晶基板を100r.p.m.で回転させ、0.25℃/Hの速度で降温させながら15時間、基板の片面に磁性ガーネット単結晶膜をエピタキシャル成長させた。次に、0.85℃/Hで降温させながら27時間、単結晶膜を成長させた。
これらの工程でファラデー回転子を作製した場合、約80%の歩留まりが得られた。
Yb2O3を6.747g、Gd2O3を6.624g、B2O3を43.214g、Fe2O3を144.84g、PbOを1189.6g、Bi2O3を826.4g、GeO2を2.360g秤量してPtるつぼに充填し、約1000℃で融解して撹拌を行い均質化した後、120℃/Hで降温させ820℃の過飽和状態で温度の安定を取った。そして、2インチφ(厚さ500μm)のCaMgZr置換GGG単結晶基板を100r.p.m.で回転させ、0.30℃/Hの速度で降温させながら35時間、基板の片面に磁性ガーネット単結晶膜をエピタキシャル成長させた。
Yb2O3を6.747g、Gd2O3を6.624g、B2O3を43.214g、Fe2O3を144.84g、PbOを1189.6g、Bi2O3を826.4g、GeO2を2.360g秤量してPtるつぼに充填し、約1000℃で融解して撹拌を行い均質化した後、120℃/Hで降温させ820℃の過飽和状態で温度の安定を取った。そして、2インチφ(厚さ1000μm)のCaMgZr置換GGG単結晶基板を100r.p.m.で回転させ、0.30℃/Hの速度で降温させながら35時間、基板の片面に磁性ガーネット単結晶膜をエピタキシャル成長させた。
Yb2O3を6.747g、Gd2O3を6.624g、B2O3を43.214g、Fe2O3を144.84g、PbOを1189.6g、Bi2O3を826.4g、GeO2を2.360g秤量してPtるつぼに充填し、約1000℃で融解して撹拌を行い均質化した後、120℃/Hで降温させ820℃の過飽和状態で温度の安定を取った。そして、2インチφ(厚さ500μm)のCaMgZr置換GGG単結晶基板を100r.p.m.で回転させ、0.80℃/Hの速度で降温させながら33時間、基板の片面に磁性ガーネット単結晶膜をエピタキシャル成長させた。
Claims (1)
- 液相エピタキシャル成長法により育成した磁性ガーネット単結晶膜で作製されるファラデー回転子であって、
前記磁性ガーネット単結晶膜の光入射面の格子定数Aと、光射出表面の格子定数Bと、前記光入射面及び前記光射出面からほぼ等距離にある前記磁性ガーネット単結晶膜の格子定数Cとの間に、
(A+B)/2>C
の関係が成立すること
を特徴とするファラデー回転子。
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JPH05238895A (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-17 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 磁性ガーネット単結晶膜の製造方法 |
JPH0692796A (ja) * | 1992-03-02 | 1994-04-05 | Tdk Corp | エピタキシャル成長による薄膜の製造法 |
JPH0930898A (ja) * | 1995-07-24 | 1997-02-04 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | Bi置換鉄ガーネット膜育成用メルトの組成調整方法 |
-
2005
- 2005-11-02 JP JP2005319735A patent/JP4572810B2/ja not_active Expired - Lifetime
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