JPH0930898A

JPH0930898A - Ｂｉ置換鉄ガーネット膜育成用メルトの組成調整方法

Info

Publication number: JPH0930898A
Application number: JP20735195A
Authority: JP
Inventors: Hiromitsu Umezawa; 浩光梅澤; Yasuhiro Yasuma; 康浩安間
Original assignee: FDK Corp
Current assignee: FDK Corp
Priority date: 1995-07-24
Filing date: 1995-07-24
Publication date: 1997-02-04

Abstract

(57)【要約】【課題】所望のＢｉ置換鉄ガーネット膜を製造するた
めに適した過飽和温度ΔＴを得るためのメルト組成を少
ない回数で決定する調整方法を提供すること【解決手段】Ｒ_３＝ＰｂＯ／Ｂ₂Ｏ₃，Ｒ_Bi＝Ｂｉ₂
Ｏ₃／（Ｔｂ₂Ｏ₃＋Ｌｕ₂Ｏ₃）とした場合、Ｒ_３が
一定であると、Ｒ_Biが大きいほどΔＴが小さくなり、ま
たＲ_Biが一定であるとＲ_３が大きいほどΔＴが大きくな
る。そこで、ある組成のメルトを生成し、それを用いて
基板表面に膜を育成し、その時の前記基板と前記膜の格
子定数が一致する育成温度Ｔ0 と飽和温度Ｔｓの差であ
るΔＴを求め、そのΔＴが所定の温度範囲内にない場合
に、Ｒ_３とＲ_Biの２つのパラメータのうち少なくとも一
方を増加または減少させることにより、ΔＴが所定温度
範囲内になるようにする。両パラメータとΔＴの相関が
既知であるので、ΔＴを増減させるに必要なパラメータ
の変更方向がわかり、調整が容易になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信や光情報処
理分野に用いられ光アイソレータ，光スイッチ，光サー
キュレータ等の構成要素の一つである磁気光学素子を製
造する際に必要な条件を求め、メルトの組成の調整を行
うＢｉ置換鉄ガーネット膜育成用メルトの組成調整方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】磁気光学素子として、液相エピタキシャ
ル成長させたＢｉ置換鉄ガーネット膜を用いて構成され
たものがある。よく知られているように、係るＢｉ置換
鉄ガーネット膜は、ＬＰＥ法により製造され、その具体
的な製造方法は、ガーネット原料とＰｂＯ，Ｂｉ
₂Ｏ₃，Ｂ₂Ｏ₃のフラックス原料を白金るつぼに入れ
高温で融解してメルトを生成し、その後温度を下げて過
飽和状態に保つ。その状態で種結晶（ガーネット基板）
をメルトの液面に対して水平に保持し、回転させながら
浸す。すると、その種結晶の下面に所定の組成からなる
膜がエピタキシャル成長する。そして、その成長にした
がって回転させることにより、所定厚さの膜を形成す
る。

【０００３】ところで、係る成長した膜は、基板の性質
を引き継ぐため、高品質の膜を形成するためには、基板
自体に高品質なものを用いることが必要であるが、それ
に加えてメルト組成及び育成条件（温度条件や引き上げ
速度）も重要なファクターの一つとなる。そして、最適
な条件を決定するために、従来はメルト中の各原料のモ
ル比や、温度条件を替えて実験を行い、所望の条件を決
定するようにしている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】メルトの温度に対する
成長状態及び格子定数差の関係の一例を示すと、図１に
示すようになっている。図示の例では、基板は一般に使
用される（ＧｄＣａ）₃（ＭｇＺｒＧａ）₅Ｏ₁₂（格子
定数ａ＝１．２４９６ｎｍ）を用い、その基板に（Ｔｂ
Ｌｕ）_1.8Ｂｉ_1.2Ｆｅ₅Ｏ₁₂を育成した時の実験結果
であり、このメルトの飽和温度Ｔｓは８５５℃である。

【０００５】そして、図から明らかなように、温度と成
長速度との関係では飽和温度に近いと成長速度が遅く育
成に時間がかかるので好ましくない。逆に、飽和温度よ
りも低いと成長速度が速くなり、短時間で膜を育成する
ことができるものの、育成中にメルト中に自然核生成
（析出）が生じてしまい、メルトの成分が変化するので
好ましくない。

【０００６】さらに、温度が低くなると膜のＢｉ量が増
え、膜の格子定数が増加する。そして、室温で基板と同
じ格子定数になるように膜を成長させるのが高品質の膜
を得るのに好ましく、実験の結果この例では、８２２℃
で育成すると格子定数が基板と膜とで一致する。従っ
て、その後同一組成の膜を成長させる際の育成温度Ｔ0
は、８２２℃となる。そして、上記育成温度Ｔ0 と、飽
和温度Ｔｓとの差が、過飽和度ΔＴとなり、この例では
３３℃となる。

【０００７】従って、上記育成時間と育成中での析出の
問題を同時に解決するために、過飽和度ΔＴが一定の温
度範囲内（例えば１０〜５０℃）になるように、メルト
の組成を決定する必要があり、従来特開昭６１−１７９
４１５，特開昭６２−７０２８８，特開平３−６０４９
９，特開平３−６５５９８等にて、各種の膜を製造する
に適した条件についての発明が開示されている。

【０００８】しかしながら、上記各種の条件は、例えば
下記式１に示すように６つのパラメータ（本明細書では
「Ｒパラメータ」と称する）により決定され、各パラメ
ータを決定するための原料も重複して使用されるので、
あるＲパラメータを調整すると、それにともない他のＲ
パラメータも変動してしまうことがあるため、調整が煩
雑となる。

【０００９】

【数２】さらに、所定のＲパラメータの増減による上記Ｔ0 とＴ
ｓの変更の傾向はある程度わかっているものの、係るＴ
0 とＴｓは同時に変動するため、各Ｒパラメータの変更
により与えるΔＴへの影響が不明確であった。そのた
め、新たな組成の膜を育成する場合には、経験と試行錯
誤によって組成や温度条件等を替えながら実際に膜の育
成を行う実験を繰り返し行い、所望の条件（メルト組
成）を決めているので、決定するまでに非常に時間を要
するばかりでなく、必ずしも目的のメルト組成が得られ
るとも限らなかった。

【００１０】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題を解決
し、実験を行わないか、或いは仮に実験を行ったとして
も少ない回数で所望のΔＴを得るためのメルト組成を決
定することができるＢｉ置換鉄ガーネット膜育成用メル
トの組成調整方法を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、本発明に係るＢｉ置換鉄ガーネット膜育成用メル
トの組成調整方法では、Ｂｉ置換鉄ガーネットを液相エ
ピタキシャル成長させる際に使用するメルトの組成を決
定するために行う調整方法であって、ある組成のメルト
を生成し、それを用いて所定の基板表面にＢｉ置換鉄ガ
ーネットの膜を育成し、その時の前記基板と前記膜の格
子定数が一致する育成温度Ｔ0 と飽和温度Ｔｓの差であ
る過飽和温度ΔＴを求め、そのΔＴが所定の温度範囲内
にない場合に、Ｒ_３＝ＰｂＯ／Ｂ₂Ｏ₃ Ｒ_Bi＝Ｂｉ₂Ｏ₃／ΣＲ₂Ｏ₃ 但しＲはＹおよび希土類元素（実施例ではＴｂ，Ｌｕ）で規定されるＲ_３とＲ_Biの２つのパラメータのうち少な
くとも一方を増加または減少させることにより、ΔＴが
所定温度範囲内になるようにした（請求項１）。

【００１２】ここで所定の温度範囲は、例えば仕様を満
たすための温度条件であり、一例を示すと１０〜５０℃
でより好ましくは２０〜４０℃となる。そして、本明細
書でいう温度範囲とは、下限温度をＡ℃とし上限温度を
Ｂ℃とした場合に、Ａ≦Ｂの関係にあるものをいい、Ａ
＝Ｂすなわち、温度範囲が０も含む概念である。係る場
合には、過飽和温度を所定の温度になるように調整する
ことになる。

【００１３】そして各種実験を繰り返し行ったところ、
ΔＴに影響を与えるのは図４に示すように、Ｒパラメー
タのうちのＲ_３とＲ_Biだけであることが分かった。すな
わち、Ｒ_３，Ｒ_Biが一定であれば、Ｒ_３，Ｒ_Biに関係な
い組成のモル比を変更してもΔＴは変化しない（Ｔｓ，
Ｔ0 が同一量だけシフトする）。しかも、Ｒ_Biを増加さ
せるとΔＴは減少し、Ｒ_３を増加させるとΔＴは増加す
る傾向にある。

【００１４】従って、実際に所定の組成からなるメルト
を用いて膜を育成し、そのときのΔＴを測定し、目的の
温度との大小関係やそのずれ量を求め、上記したＲ_３，
Ｒ_Biの増減に対するΔＴの増減の関係に基づいて、
Ｒ_３，Ｒ_Biのいずれを増減すれば目的とするΔＴに近づ
くかが容易に推定できる。従って、必要なパラメータ
（Ｒ_３及びまたはＲ_Bi）を規定する組成を変更すること
によりパラメータを増減すると、所望のΔＴとなるメル
トの組成になる。

【００１５】そして、従来は経験に基づき各パラメータ
を変更していたが、本発明では対象となるパラメータは
２つとなり、しかも、一方を固定していても調整が可能
となるので、多くても数回程度の実験により調整が完了
する。しかも、係る調整はＲ_３，Ｒ_Biの増減とΔＴの増
減の対応が明確であるので、経験がさほどなくても容易
にパラメータの変更の指針を求めることができる。

【００１６】そして、上記調整方法を具体的に示すと、
前記Ｒ_３とＲ_Biの調整が、ΔＴが所定の温度範囲よりも
小さい場合に、Ｒ_Biを一定にしてＲ_３を増加させる；Ｒ_３を一定にしてＲ_Biを減少させる；Ｒ_Biを減少させるとともにＲ_３を増加または減少させ
る；Ｒ_３を増加させるとともにＲ_Biを増加または減少させ
る；のうちのいずれかの方法を採ることができる（請求項
２）。

【００１７】一方、ΔＴが所定の温度範囲よりも大きい
場合には、 ′Ｒ_Biを一定にしてＲ_３を減少させる； ′Ｒ_３を一定にしてＲ_Biを増加させる； ′Ｒ_Biを増加させるとともにＲ_３を増加または減少さ
せる； ′Ｒ_３を減少させるとともにＲ_Biを増加または減少さ
せる；のうちのいずれかの方法を採ることができる（請求項
３）。

【００１８】そして、実際に使用する場合には、請求項
２，３に規定する方法を適宜に組み合わせて調整を行う
ことになり、その組み合わせの方法は、と′という
ように対応する番号同士（この場合には、例えば変更対
象がＲ_３のみ等となり、変更後のΔＴが予測しやすいと
ともに、仮に１回の調整で目的とするΔＴが得られない
場合にも、前回のパラメータの変更量と実際のΔＴの変
位量から次に行うべきパラメータの変更量も容易に決定
できる）の場合はもちろんのこと、対応しない番号同士
の組み合わせでももちろんよい。さらに、，，
′，′のようにＲ_３とＲ_Biを同時に変更するような
場合には、増減方向を逆にすること（Ｒ_３を増加でＲ_Bi
を減少或いはその逆）により、目的とするΔＴを大きく
変位させることができ、増減方向を同じにすると、Ｒ_３
の変更によるΔＴの変位方向とＲ_Biの変更によるΔＴの
変位方向とが逆向きになり、一部が相殺されるので、微
調整が可能となる。

【００１９】さらに、Ｒ_３またはＲ_Biのうち一方を固定
した状態で他方を変更させてその時のΔＴをプロット
し、そのプロットされた値に基づいて２つのＲパラメー
タとΔＴの相関を示すカーブを求め、そのカーブを用い
てΔＴが所定の温度になるＲパラメータを決定するよう
にしてもよい（請求項４）。

【００２０】すなわち、特性のカーブを求めると、視覚
的に所望のΔＴになるべきパラメータの値が直観的に理
解できるので、より簡単で少ない回数で調整処理が完了
することになる。

【００２１】そして、具体的な膜の育成条件としてはた
とえば前記基板が、（ＧｄＣａ）₃（ＭｇＺｒＧａ）₅
Ｏ₁₂で、育成する前記膜が（ＴｂＬｕ）_1.8Ｂｉ_1.2Ｆ
ｅ₅Ｏ₁₂とすると、

【００２２】

【数３】で規定される各Ｒパラメータが１２≦Ｒ_１≦２３０．１１≦Ｒ_４≦０．１７１．０≦Ｒ_６≦２．３の条件を満たす範囲内で、Ｒ_３とＲ_Biの少なくとも一方
を上記した請求項１〜４のいずれかの方法により調整
し、それら決定されたＲ_１，Ｒ_３，Ｒ_４，Ｒ_６，Ｒ_Biを
満たすモル比で構成されるようにメルトを形成し、その
メルトを用いて膜を育成すると、高品質の膜が育成され
る（請求項５）。

【００２３】ここでＲ_１，Ｒ_４，Ｒ_６の各パラメータの
意義及び上記した範囲内にした理由は、以下に示すよう
になっている。まずＲ_１は、ガーネット相の生成を決め
るパラメータで、小さすぎるとオルソフェライトが生成
され、大きすぎるとマグネトプランバイトが生成する。
従って、上記した範囲内がいずれも生成されない範囲と
なる。

【００２４】Ｒ_４はメルト中のガーネット成分の割合を
表し、Ｒ_４が大きいと飽和温度が上昇し成長速度は大き
くなる。そして、上記範囲内にしたのは、０．１１より
小さいと成長速度が小さすぎて生産性が低く、０．１７
より大きいとＴ0 が高くなりすぎて基板と膜の熱膨脹係
数差に起因する育成時のミスマッチが大きくなり、割れ
やすくなるためである。

【００２５】Ｒ_６はフラックス中のＢｉ₂Ｏ₃の量を決
めるもので、小さいほどメルト中のＢｉ量が増えるの
で、Ｂｉ置換量が増加する。しかし小さくしすぎると膜
との濡れ性が高くなるため、育成終了後にフラックスを
振り切れなくなる、そこで係る問題がない上記範囲内に
設定した。

【００２６】なお、Ｒ_３はフラックス中のＢ₂Ｏ₃の量
を決めるもので、Ｒ_３が小さい（Ｂ₂Ｏ₃が多い）と、
飽和温度が低下しＢｉの偏析係数が大きくなりＢｉ置換
量が増加する一方、成長速度が低下する。一方Ｒ_３が大
きいとＢｉの偏析係数が小さくなり、必要なＢｉ置換量
が得にくくなる。そこで好ましくはＲ_３は２〜１０の範
囲にすることである。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明を、（ＧｄＣａ）₃（Ｍｇ
ＺｒＧａ）₅Ｏ₁₂の基板を用い、ＬＰＥ法により当該基
板に（ＴｂＬｕ）_1.8Ｂｉ_1.2Ｆｅ₅Ｏ₁₂の膜を育成す
る場合に適用した例を説明する。

【００２８】まず新たな組成の膜を形成しようとした場
合には、適当な組成比からなるメルトを生成する。この
時、好ましくは、各Ｒパラメータが、

【００２９】

【数４】１２≦Ｒ_１≦２３２≦Ｒ_３≦１００．１１≦Ｒ_４≦０．１７１．０≦Ｒ_６≦２．３の範囲内におさまるように設定する。

【００３０】上記設定に基づき、所定の組成比になるよ
うに各原料（ガーネット原料，フラックス原料）を秤量
し、白金るつぼに入れ高温で融解してメルトを生成し、
その後所定温度に保ち、基板下面に膜を育成する。そし
てそのときの過飽和温度ΔＴを求める。

【００３１】なお、最初から過飽和温度はわからないの
で、所定の温度で実際に膜を育成し、そのとき得られた
膜の格子定数を測定し、基板の格子定数（１．２４９６
ｎｍ）との差を求める。そして、同一の組成のメルトを
用い、育成温度を替えて膜を育成し、そのときの基板と
の格子定数の差を求める。少なくとも２点以上測定し、
その結果をプロットする。すると、図１に示すように温
度と格子定数の関係は直線性を有するので、上記複数の
プロットした点に基づいて、各点を通る（できるだけ近
づく）ような直線を求め、その直線と格子定数が０の軸
との交点の温度を求め、それを育成温度Ｔ0 とする。さ
らに、その組成からなるメルトの飽和温度Ｔｓを求め
る。そして、Ｔｓ−Ｔ0 を求めることにより、過飽和温
度ΔＴを求める。

【００３２】そして、ΔＴが予め定めた温度範囲（例え
ば１０〜５０℃）を外れている場合には、Ｒ_３またはＲ
_Biの少なくとも一方を変化させてΔＴが温度範囲内にく
るように調整を図る。具体的には、ΔＴが５０℃よりも
大きい場合には例えばＲ_３を一定にしつつＲ_Biを大きく
する。

【００３３】このとき、Ｒ_Biを大きくするには、Ｂｉ₂
Ｏ₃を増加するか、或いは（Ｔｂ₂Ｏ₃とＬｕ₂Ｏ₃）
の総量を減少すればよいが、例えばＢｉ₂Ｏ₃を増加す
ると、そのままでは（Ｂｉ₂Ｏ₃以外は変えない）その
増加にともないＲ_４やＲ_６も変化する。そして、場合に
よってはＲ_４やＲ_６の値が上記した範囲外になるおそれ
もある。したがって、その他のＲパラメータが範囲内に
なるように必要に応じてＢｉ₂Ｏ₃以外の原料のモル比
も調整する。また、（Ｔｂ₂Ｏ₃とＬｕ₂Ｏ₃）の総量
を減少させる場合にも、同様のことがいえる。

【００３４】具体的には記載しないが、ΔＴが１０℃よ
りも小さい場合には上記と逆方向に調整を図ればよい。
さらに、ΔＴが所定の温度範囲を越えた場合の調整方法
としては、Ｒ_Biを一定にしてＲ_３を変更する（必要に応
じてその他のパラメータ調整も行う）ようにしてもよ
く、さらにはＲ_BiとＲ_３を同時に変更してもよい。

【００３５】＊実験結果本発明の作用効果を実証するために、各Ｒパラメータを
変更し、そのときの成長速度と格子定数を求める実験を
行なった。基板及び育成する膜は、上記した実施の形態
で説明したものと同じものとした。さらにＲパラメータ
として、以下に規定するＲ_５を設け、Ｒ_５を４．５で一
定にした。

【００３６】Ｒ_５＝Ｔｂ₂Ｏ₃／Ｌｕ₂Ｏ₃ これにより、膜に含まれるＴｂとＬｕの比がほぼ同じと
考えられるので、基板と膜の格子定数が等しい育成温度
Ｔ0 で育成すると、どのメルトであってもほぼ同一組成
の膜が得られる。さらに基板の直径は１インチで基板回
転速度は５０〜１００ｒｐｍとし、育成膜厚は３〜１０
０μｍとした。

【００３７】各Ｒパラメータを表１に示すように適宜変
更し、その組成のメルトを用いて上記した実施の形態で
も述べた方法によりＴｓ，Ｔ0 を求め、ΔＴを算出し
た。すなわち、図２に示すようにサンプルＡ〜Ｓの各組
成のメルトを用い、それぞれ成長温度を替えて実際に膜
を育成した。その時の格子定数差Δａ（基板の格子定数
と膜の格子定数の差）を求めるとともに成長温度に対す
る格子定数差の相関を求め、その結果を図２に示す。そ
して、同一サンプルについての測定点を結ぶ直線を引
き、その直線と格子定数差＝０の軸の交点の成長温度を
育成温度Ｔ0 とした。

【００３８】また、上記各サンプルに対する各成長温度
により膜を育成した時の成長速度も合わせて測定し、そ
の成長温度に対する成長速度の相関を求め、その結果を
図３に示す。そして、同一サンプルについての測定点を
結ぶ線と成長速度＝０の軸との交点が飽和温度Ｔｓとな
る。

【００３９】

【表１】このようにして求めた表１に示す実験結果に基づき、Ｒ
_３，Ｒ_Bi並びにΔＴの各値を抽出し、Ｒ_３を替えたとき
のΔＴとＲ_Biの関係を図４に示す。そして、同図中に記
載したカーブは同一のＲ_３を結ぶ線であり、同図から明
らかなようにＲ _３が一定であると、Ｒ_Biが大きいほどΔ
Ｔが小さくなり、またＲ_Biが一定であるとＲ_３が大きい
ほどΔＴが大きくなることがわかる。

【００４０】しかも、この図と表１中の他のＲパラメー
タ並びにＴ0 ，Ｔｓを見ると、Ｒ_３，Ｒ_Bi以外のＲパラ
メータやＴｓ，Ｔ0 は様々な値をとっており、ΔＴとの
相関はない。このように、他のＲパラメータなどが様々
な値をとるにもかかわらず、Ｒ_３とＲ_BiがΔＴに対して
与える影響が上記したような傾向にあることから、ΔＴ
がＲ_３及びまたはＲ_Biにより制御できることにほかなら
ず、よって本発明が成り立つといえる。

【００４１】なお、Ｒ_３とＲ_Biのうち一方を固定（図示
の例ではＲ_３を固定）し、他方（Ｒ_Bi）を変化させたと
きのΔＴの値をプロットし、それらを結ぶカーブを求め
ると、目標とするΔＴになるＲ_Biの値が容易にしかも精
度良く求めることができる。したがって、少なくとも２
〜３点の測定点を求めるだけで最終的に必要なＲパラメ
ータの条件を決定することが可能となる。

【００４２】なおまた、上記した例では（ＧｄＣａ）₃
（ＭｇＺｒＧａ）₅Ｏ₁₂の基板を用い、ＬＰＥ法により
当該基板に（ＴｂＬｕ）_1.8Ｂｉ_1.2Ｆｅ₅Ｏ₁₂の膜を
育成する場合について説明したが、本発明はこれに限る
ことなく、Ｂｉ置換鉄ガーネット膜であれば何にでも適
用できる。但し、Ｒパラメータの最適な範囲は適宜変更
される。

【００４３】

【発明の効果】以上のように、本発明に係るＢｉ置換鉄
ガーネット膜育成用メルトの組成調整方法では、Ｒ_３と
Ｒ_Biの少なくとも一方を増減することによりΔＴを精度
良く制御できる。したがって、一度所定の組成比からな
るメルトを用いて膜を育成するとともに、その膜のΔＴ
を求め、そのΔＴが所定の温度範囲内か否かを判定し範
囲外の場合には、ΔＴと温度範囲との大小関係に基づき
Ｒ_３，Ｒ_Biを増減させることによりΔＴを所定温度範囲
に近付ける（或いは範囲内にする）ことができる。すな
わち、調整方向を正しく行うことができ、収束する方向
（目標とするΔＴの値）に向かって調整処理が進むた
め、少ない回数で確実に所望の条件を導き出すことがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】成長温度と成長速度／格子定数差の関係を説明
する図である。

【図２】成長温度に対する格子定数差の関係を示す図で
ある。

【図３】成長温度に対する成長速度の関係を示す図であ
る。

【図４】Ｒ_３，Ｒ_BiとΔＴの相関を示す図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｂｉ置換鉄ガーネットを液相エピタキシ
ャル成長させる際に使用するメルトの組成を決定するた
めに行う調整方法であって、ある組成のメルトを生成し、それを用いて所定の基板表
面にＢｉ置換鉄ガーネットの膜を育成し、その時の前記
基板と前記膜の格子定数が一致する育成温度Ｔ0 と飽和
温度Ｔｓの差である過飽和温度ΔＴを求め、そのΔＴが
所定の温度範囲内にない場合に、Ｒ_３＝ＰｂＯ／Ｂ₂Ｏ₃ Ｒ_Bi＝Ｂｉ₂Ｏ₃／ΣＲ₂Ｏ₃ ＲはＹおよび希土類元素で規定されるＲ_３とＲ_Biの２つのパラメータのうち少な
くとも一方を増加または減少させることにより、ΔＴが
所定温度範囲内になるようにしたことを特徴とするＢｉ
置換鉄ガーネット膜育成用メルトの組成調整方法。
【請求項２】前記Ｒ_３とＲ_Biの調整が、ΔＴが所定の
温度範囲よりも小さい場合に、Ｒ_Biを一定にしてＲ_３を増加させるか、Ｒ_３を一定にしてＲ_Biを減少させるか、Ｒ_Biを減少させるとともにＲ_３を増加または減少させる
か、或いはＲ_３を増加させるとともにＲ_Biを増加または減少
させる方法のうちのいずれかを行うようにしたことを特
徴とする請求項１に記載のＢｉ置換鉄ガーネット膜育成
用メルトの組成調整方法。
【請求項３】前記Ｒ_３とＲ_Biの調整が、ΔＴが所定の
温度範囲よりも大きい場合に、Ｒ_Biを一定にしてＲ_３を減少させるか、Ｒ_３を一定にしてＲ_Biを増加させるか、Ｒ_Biを増加させるとともにＲ_３を増加または減少させる
か、或いはＲ_３を減少させるとともにＲ_Biを増加または減少
させる方法のうちのいずれかを行うようにしたことを特
徴とする請求項１または２に記載のＢｉ置換鉄ガーネッ
ト膜育成用メルトの組成調整方法。
【請求項４】Ｒ_３またはＲ_Biのうち一方を固定した状
態で他方を変更させてその時のΔＴをプロットし、そのプロットされた値に基づいて２つのＲパラメータと
ΔＴの相関を示すカーブを求め、そのカーブを用いてΔＴが所定の温度になるＲパラメー
タを決定するようにした請求項１に記載のＢｉ置換鉄ガ
ーネット膜育成用メルトの組成調整方法。
【請求項５】前記基板が、（ＧｄＣａ）₃（ＭｇＺｒ
Ｇａ）₅Ｏ₁₂で、育成する前記膜が（ＴｂＬｕ）_1.8Ｂ
ｉ_1.2Ｆｅ₅Ｏ₁₂であって、かつ、前記メルトが、【数１】で規定されるＲパラメータが１３≦Ｒ_１≦２３０．１１≦Ｒ_４≦０．１７１．０≦Ｒ_６≦２．７の条件を満たすモル比で構成されることを特徴とする請
求項１〜４のいずれか１項に記載のＢｉ置換鉄ガーネッ
ト膜育成用メルトの組成調整方法。