JP2006120719A - 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板内に形成されたチャネル領域と、チャネル領域上に、電荷保持絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第1の方向にチャネル領域を挟んで配置された第1のソース/ドレイン領域対と、第1の方向と交差する第2の方向にチャネル領域を挟んで配置された第2のソース/ドレイン領域対とを有し、第1のソース/ドレイン領域対を有する第1のメモリセルトランジスタと、第2のソース/ドレイン領域対を有する第2のメモリセルトランジスタとが、チャネル領域及びゲート電極を共用している。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1実施形態による不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法について図1乃至図36を用いて説明する。
DSI=2・WISO・sinθ
次に、素子分離領域102上にあるコントロールゲート104の基本菱形パターン104aの頂点がトータルオーバーレイにより制限される場合について説明する。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記チャネル領域上に、電荷保持絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記チャネル領域を挟んで配置された複数のソース/ドレイン領域対と
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
前記チャネル領域上に、電荷保持絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記半導体基板内に形成され、第1の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された第1のソース/ドレイン領域対と、
前記半導体基板内に形成され、前記第1の方向と交差する第2の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された第2のソース/ドレイン領域対とを有し、
前記第1のソース/ドレイン領域対を有する第1のメモリセルトランジスタと、前記第2のソース/ドレイン領域対を有する第2のメモリセルトランジスタとが、前記チャネル領域及び前記ゲート電極を共用している
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
前記活性領域の前記格子状パターンの格子点に一つおきに設けられた複数のチャネル領域と、
前記チャネル領域が形成された前記格子点以外の格子点に一つおきに設けられた複数のソース/ドレイン領域と、
複数の前記チャネル領域上に、電荷保持絶縁膜を介してそれぞれ形成された複数のゲート電極とを有し、
前記チャネル領域が形成された前記格子点のそれぞれに、第1の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された一対の前記ソース/ドレイン領域を有する第1のメモリセルトランジスタと、前記第1の方向と交差する第2の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された一対の前記ソース/ドレイン領域を有する第2のメモリセルトランジスタとが形成されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
前記格子状パターンの一の対角方向である第3の方向における前記ゲート電極と前記素子分離領域との間のトータルオーバーレイは、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間に最小限必要な前記第3の方向におけるオーバーレイと、前記素子分離領域について前記第3の方向に見積もられるサイズのばらつきと、前記ゲート電極について前記第3の方向に見積もられるサイズのばらつきとに基づいて規定され、
前記格子状パターンの他の対角方向である第4の方向における前記ゲート電極と前記素子分離領域との間のトータルオーバーレイは、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間に最小限必要な前記第4の方向におけるオーバーレイと、前記素子分離領域について前記第4の方向に見積もられるサイズのばらつきと、前記ゲート電極について前記第4の方向に見積もられるサイズのばらつきとに基づいて規定されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
前記ゲート電極は、菱形の基本パターンに基づいて構成されており、
前記基本パターンの各辺は、所望のチャネル長を確保するとともに、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第3の方向におけるオーバーレイの値が前記第3の方向におけるトータルオーバーレイの値を下回らず、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第4の方向におけるオーバーレイの値が前記第4の方向におけるトータルオーバーレイの値を下回らないようにレイアウトされている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
前記ゲート電極は、前記基本パターンの前記第4の方向の角部を除去した六角形のパターンにより構成されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
チャネル長をL、チャネル幅をW、前記第1の方向と前記第3の方向との間の角度をθ、前記チャネル領域の前記第3の方向の対角線の長さをDLC、前記第4の方向の対角線の長さをDSC、前記ゲート電極の前記第3の方向の対角線の長さをDLW、前記ゲート電極の前記第4の方向の対角線の長さをDSW、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間における前記第3の方向におけるトータルオーバーレイをWLOVX、前記第4の方向におけるトータルオーバーレイをWLOVYとして、
前記ゲート電極の前記基本パターンの各辺は、前記第3の方向の対角線の長さDLWと前記第4の方向の対角線の長さDSWとが、以下の式A及び式Bで表される範囲に設定されている
前記素子分離領域の一辺の長さは、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第3の方向におけるトータルオーバーレイの値及び前記第4の方向におけるトータルオーバーレイの値に基づいて規定されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
前記第1の方向と前記第3の方向との間の角度をθ、前記チャネル領域の前記第3の方向の対角線の長さをDLC、前記第4の方向の対角線の長さをDSC、前記ゲート電極の前記第3の方向の対角線の長さをDLW、前記ゲート電極の前記第4の方向の対角線の長さをDSW、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間における前記第3の方向のトータルオーバーレイをWLOVX、前記第4の方向のトータルオーバーレイをWLOVYとして、前記素子分離領域の一辺の長さの前記第3の方向の最小値WISOX及び前記第4の方向の最小値WISOYは、
前記格子状パターンの一の対角方向である第3の方向に並ぶ前記ゲート電極が電気的に接続されてなる複数のワード線と、
前記格子状パターンの他の対角方向である第4の方向に並ぶ前記ソース/ドレイン領域を電気的に接続する複数のビット線とを更に有する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
前記格子状パターンの一の対角方向である第3の方向における前記ゲート電極と前記素子分離領域との間のトータルオーバーレイを、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間に最小限必要な前記第3の方向におけるオーバーレイと、前記素子分離領域について前記第3の方向に見積もられるサイズのばらつきと、前記ゲート電極について前記第3の方向に見積もられるサイズのばらつきとに基づいて規定し、
前記格子状パターンの他の対角方向である第4の方向における前記ゲート電極と前記素子分離領域との間のトータルオーバーレイを、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間に最小限必要な前記第4の方向におけるオーバーレイと、前記素子分離領域について前記第4の方向に見積もられるサイズのばらつきと、前記ゲート電極について前記第4の方向に見積もられるサイズのばらつきとに基づいて規定する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
前記ゲート電極は、菱形の基本パターンに基づいて構成し、前記基本パターンの各辺を、所望のチャネル長を確保するとともに、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第3の方向におけるオーバーレイの値が前記第3の方向におけるトータルオーバーレイの値を下回らず、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第4の方向におけるオーバーレイの値が前記第4の方向におけるトータルオーバーレイの値を下回らないようにレイアウトする
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
前記素子分離領域の一辺の長さを、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第3の方向におけるトータルオーバーレイの値及び前記第4の方向におけるトータルオーバーレイの値に基づいて規定する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
12,28,32,50…シリコン酸化膜
14,30,52…シリコン窒化膜
16,40…反射防止膜
18,42…フォトレジスト膜
20,22…マスクパターン
24…素子分離溝
26…素子分離膜
34…電荷保持絶縁膜
36…ポリシリコン膜
38…ハードマスク膜
44,54…スペーサ膜
46…コントロールゲート
48,56…不純物拡散領域
58…コバルトシリサイド膜
60…エッチングストッパ膜
62,68,74…層間絶縁膜
64,70…コンタクトホール
66…引き出し電極
72…プラグ
76…配線溝
78…ビット線
100…チャネル領域
102…素子分離領域
104…コントロールゲート
104a…基本菱形パターン
106…長方形形状のパターン
Claims (10)
- 半導体基板内に形成されたチャネル領域と、
前記チャネル領域上に、電荷保持絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記チャネル領域を挟んで配置された複数のソース/ドレイン領域対と
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体基板内に形成されたチャネル領域と、
前記チャネル領域上に、電荷保持絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記半導体基板内に形成され、第1の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された第1のソース/ドレイン領域対と、
前記半導体基板内に形成され、前記第1の方向と交差する第2の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された第2のソース/ドレイン領域対とを有し、
前記第1のソース/ドレイン領域対を有する第1のメモリセルトランジスタと、前記第2のソース/ドレイン領域対を有する第2のメモリセルトランジスタとが、前記チャネル領域及び前記ゲート電極を共用している
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体基板に形成された複数の素子分離領域により画定された格子状パターンの活性領域と、
前記活性領域の前記格子状パターンの格子点に一つおきに設けられた複数のチャネル領域と、
前記チャネル領域が形成された前記格子点以外の格子点に一つおきに設けられた複数のソース/ドレイン領域と、
複数の前記チャネル領域上に、電荷保持絶縁膜を介してそれぞれ形成された複数のゲート電極とを有し、
前記チャネル領域が形成された前記格子点のそれぞれに、第1の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された一対の前記ソース/ドレイン領域を有する第1のメモリセルトランジスタと、前記第1の方向と交差する第2の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された一対の前記ソース/ドレイン領域を有する第2のメモリセルトランジスタとが形成されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項3記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記格子状パターンの一の対角方向である第3の方向における前記ゲート電極と前記素子分離領域との間のトータルオーバーレイは、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間に最小限必要な前記第3の方向におけるオーバーレイと、前記素子分離領域について前記第3の方向に見積もられるサイズのばらつきと、前記ゲート電極について前記第3の方向に見積もられるサイズのばらつきとに基づいて規定され、
前記格子状パターンの他の対角方向である第4の方向における前記ゲート電極と前記素子分離領域との間のトータルオーバーレイは、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間に最小限必要な前記第4の方向におけるオーバーレイと、前記素子分離領域について前記第4の方向に見積もられるサイズのばらつきと、前記ゲート電極について前記第4の方向に見積もられるサイズのばらつきとに基づいて規定されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項4記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記ゲート電極は、菱形の基本パターンに基づいて構成されており、
前記基本パターンの各辺は、所望のチャネル長を確保するとともに、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第3の方向におけるオーバーレイの値が前記第3の方向におけるトータルオーバーレイの値を下回らず、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第4の方向におけるオーバーレイの値が前記第4の方向におけるトータルオーバーレイの値を下回らないようにレイアウトされている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項5記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記ゲート電極は、前記基本パターンの前記第4の方向の角部を除去した六角形のパターンにより構成されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項5又は6記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記素子分離領域の一辺の長さは、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第3の方向におけるトータルオーバーレイの値及び前記第4の方向におけるトータルオーバーレイの値に基づいて規定されている
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体基板に形成された複数の素子分離領域により画定された格子状パターンの活性領域と、前記活性領域の前記格子状パターンの格子点に一つおきに設けられた複数のチャネル領域と、前記チャネル領域が形成された前記格子点以外の格子点に一つおきに設けられた複数のソース/ドレイン領域と、複数の前記チャネル領域上に、電荷保持絶縁膜を介してそれぞれ形成された複数のゲート電極とを有し、前記チャネル領域が形成された前記格子点のそれぞれに、第1の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された一対の前記ソース/ドレイン領域を有する第1のメモリセルトランジスタと、前記第1の方向と交差する第2の方向に前記チャネル領域を挟んで配置された一対の前記ソース/ドレイン領域を有する第2のメモリセルトランジスタとが形成された不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
前記格子状パターンの一の対角方向である第3の方向における前記ゲート電極と前記素子分離領域との間のトータルオーバーレイを、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間に最小限必要な前記第3の方向におけるオーバーレイと、前記素子分離領域について前記第3の方向に見積もられるサイズのばらつきと、前記ゲート電極について前記第3の方向に見積もられるサイズのばらつきとに基づいて規定し、
前記格子状パターンの他の対角方向である第4の方向における前記ゲート電極と前記素子分離領域との間のトータルオーバーレイを、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間に最小限必要な前記第4の方向におけるオーバーレイと、前記素子分離領域について前記第4の方向に見積もられるサイズのばらつきと、前記ゲート電極について前記第4の方向に見積もられるサイズのばらつきとに基づいて規定する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項8記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記ゲート電極は、菱形の基本パターンに基づいて構成し、前記基本パターンの各辺を、所望のチャネル長を確保するとともに、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第3の方向におけるオーバーレイの値が前記第3の方向におけるトータルオーバーレイの値を下回らず、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第4の方向におけるオーバーレイの値が前記第4の方向におけるトータルオーバーレイの値を下回らないようにレイアウトする
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 請求項9記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記素子分離領域の一辺の長さを、前記ゲート電極と前記素子分離領域との間の前記第3の方向におけるトータルオーバーレイの値及び前記第4の方向におけるトータルオーバーレイの値に基づいて規定する
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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