JP2006108639A - 圧電アクチュエータ - Google Patents

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Abstract

【課題】実用性に優れた圧電アクチュエータを提供すること。
【解決手段】圧電セラミックスとその表面の少なくとも一部に形成された電極とを有する圧電素子2と、圧電素子2を保持する保持部材4とを有する圧電アクチュエータである。圧電セラミックスは、下記の要件(a)〜(e)の内、少なくとも一つ以上の要件を満足する。(a)嵩密度が5g/cm3以下であり、かつ共振−反共振法で求めたヤング率Y11 Eが90GPa以上であること。(b)熱伝導率が2Wm-1-1以上であること。(c)−30〜160℃という特定温度範囲において、熱膨張係数が3.0ppm/℃以上であること。(d)−30〜160℃という特定温度範囲において、焦電係数が400μCm-2-1以下であること。(e)−30〜80℃という温度範囲において、共振−反共振法で求めた機械的品質係数Qmが50以下であること。
【選択図】図15

Description

本発明は、大電界での逆圧電効果ならびに電歪効果を利用した積層アクチュエータ、圧電トランス、超音波モータ、バイモルフ圧電素子、超音波ソナー、圧電超音波振動子、圧電ブザー、圧電スピーカ等の圧電アクチュエータに関する。
圧電セラミックス材料を利用した圧電アクチュエータは、逆圧電効果による変位を利用して電気エネルギーを機械エネルギーへ変換する製品であり、広くエレクトロニクスやメカトロニクスの分野で応用されているものである。
上記圧電アクチュエータは、一般に少なくとも1対の電極を設けた圧電セラミックスである圧電素子と該圧電素子を保持する保持部品と、該保持部品に上記圧電素子を保持する接着部材またはバネなどの圧接部材と、上記圧電素子に電圧を印加するためのリード端子と、上記1対の電極間に被覆される樹脂またはシリコーンオイルなどの電気絶縁部材とからなる。上記圧電アクチュエータにおいては、圧電セラミックスからなる圧電素子が接着あるいはモールドあるいはバネ等によって圧接されるため、電圧印加を行わない状態において、すでに機械的な拘束力(プリセット負荷)が与えられている。また、上記圧電アクチュエータにおいては、該圧電アクチュエータに電圧を印加すると、電圧上昇に伴い圧電素子が変位するため、上記の機械的な拘束力が高くなる(負荷上昇)。
従って、上記圧電アクチュエータの変位は、プリセット負荷と負荷上昇により、圧電素子そのものの変位性能とは異なり、より小さな値となる。
また、上記アクチュエータの使用条件および駆動条件は、温度、駆動電界強度、駆動波形、駆動周波数、連続駆動あるいは間欠駆動等がパラメータであり、温度範囲は、製品の使用環境温度により大きく異なるが、下限値は−40℃以上、上限値は160℃以下程度である。また、駆動電界強度の振幅は圧電ブザー、超音波ソナー、圧電スピーカ等では500V/mm以下、超音波モータ、圧電トランス等では1000V/mm以下、積層アクチュエータは3000V/mm以下である。また、駆動波形は共振駆動する場合はsin波、それ以外ではsin波、台形波、三角波、矩形波、パルス波と様々である。また、駆動周波数は超音波モータ、超音波ソナー、圧電超音波振動子等は20kHz以上、それ以外では20KHz未満である。
上記圧電アクチュエータに使用される圧電セラミックスとしては、例えば、Pb(Zr・Ti)O3系(以下、これを「PZT系」という。)などが用いられてきた。PZT系の圧電セラミックスは、高い圧電特性を有しており、実用化されている圧電セラミックスの大部分を占めている。
しかし、PZT系の圧電セラミックスは、蒸気圧の高い酸化鉛(PbO)を含んでいるために、環境に対する負荷が大きいという問題があった。
そこで、鉛を含有しないBaTiO3系の各種圧電セラミックスが開発されている。
具体的には、例えば、共振法で測定した圧電d33定数が300pC/N以上であり、かつ、−30℃から85℃における圧電d33の温度変化率が小さい組成物が開発されている(特許文献1参照)。
また、チタン酸バリウム系の圧電セラミックスと電極とからなり、電界強度1kV/mmを印加したときの素子に歪み率から計算した圧電d31定数の温度変化率が小さい圧電素子が開発されている(特許文献2)。
しかしながら、従来の上記従来の圧電素子を用いた圧電アクチュエータは、実用に充分耐えうるものではなかった。
即ち、圧電アクチュエータには、積層アクチュエータ、圧電トランス、超音波モータ、バイモルフ圧電素子、超音波ソナー、圧電超音波振動子、圧電ブザー、圧電スピーカ等の様々な製品用途に応じて、さまざまな特性が要求される。しかし、実際に積層アクチュエータ、圧電トランス、超音波モータ、バイモルフ圧電素子、超音波ソナー、圧電ブザー、圧電スピーカ等の様々な製品の要求特性を充分に満足できる圧電アクチュエータはなく、さらなる改良が望まれていた。
特開平11−180766号公報 特開2003−128460号公報
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたものであって、実用性に優れた圧電アクチュエータを提供しようとするものである。
本発明は、圧電セラミックスの表面に一対の電極を形成してなる圧電素子と、該圧電素子を保持する保持部材とを有する圧電アクチュエータであって、
上記圧電セラミックスは、下記の要件(a)〜(e)の内、少なくとも一つ以上の要件を満足することを特徴とする圧電アクチュエータにある(請求項1)。
(a)嵩密度が5g/cm3以下であり、かつ共振−反共振法で求めたヤング率Y11 Eが90GPa以上であること
(b)熱伝導率が2Wm-1-1以上であること
(c)−30〜160℃という特定温度範囲において、熱膨張係数が3.0ppm/℃以上であること
(d)−30〜160℃という特定温度範囲において、焦電係数が400μCm-2-1以下であること
(e)−30〜80℃という温度範囲において、共振−反共振法で求めた機械的品質係数Qmが50以下であること
本発明の圧電アクチュエータにおいては、上記圧電セラミックスが上記要件(a)〜(e)の内、少なくとも一つ以上の要件を満足する。そのため、上記圧電アクチュエータは、実用性に優れたものとなる。
以下、上記圧電アクチュエータの作用効果について、各要件ごとに説明する。
上記圧電セラミックスが、少なくとも上記要件(a)を満足する場合には、上記圧電アクチュエータの重量を小さくすることができ、上記圧電アクチュエータの駆動時の騒音を低減することができる。また、上記圧電セラミックスの共振点が高くなるため、上記圧電アクチュエータは、高い駆動周波数でも変位の応答性が良好になるため、高速運転が可能なものとなる。
一般に、圧電アクチュエータは、その駆動時に騒音を発生する場合がある。この騒音は、圧電素子が伸縮することにより、圧電アクチュエータを構成するケース等の保持部材や圧電アクチュエータを取り付ける他の部材と圧電アクチュエータが、共振することにより発生する。そのため、圧電アクチュエータ自体の設計、あるいは圧電アクチュエータを利用した製品の設計において、共振を防止する構造設計を行う必要があった。しかし、例えば、台形波駆動する燃料噴射弁等の圧電アクチュエータにおいては、駆動周波数が高くあるいは電圧立上げ速度が速いことに加え、その構造が複雑であり、構造設計で共振を防止することは困難であった。
本発明において、上記要件(a)を満足する場合には、上記圧電セラミックスの重量が小さくなるためアクチュエータを駆動させたときの運動エネルギーが小さくなり、騒音の発生を低減させることができる。さらに、上記のごとく、高い駆動周波数でも変位の応答性が良好になるため、高速運転が可能になる。そのため、例えば燃料噴射弁等の圧電アクチュエータとして実用性に優れたものとなる。
次に、上記圧電セラミックスが、少なくとも上記要件(b)を満足する場合には、上記圧電アクチュエータの放熱性を向上させることができる。
一般に、圧電アクチュエータにおいては、その駆動により温度が上昇する場合がある。そして、圧電アクチュエータは、その温度上昇に伴って変位等の特性が変化するおそれがある。
本発明において、上記圧電セラミックスが上記要件(b)を満足する場合には、上記のごとく放熱性が向上するため、上記圧電アクチュエータの温度上昇を抑制することができる。それ故、上記圧電セラミックスの温度上昇による変位等の特性の変化を抑制することができ、上記圧電アクチュエータは実用性に優れたものとなる。
また、一般に、圧電アクチュエータを例えば温度120℃以上の環境温度で使用する場合には、圧電アクチュエータの温度上昇が大きいと、圧電アクチュエータが高温になりやすい。そのため、上記圧電アクチュエータ自体あるいは圧電アクチュエータを構成する、例えば樹脂等からなる保持部材等が熱劣化するおそれがある。
上記圧電アクチュエータが上記(b)要件を満足する場合には、上述のごとく、温度上昇を抑制することができるため、上記保持部材の熱劣化を防止することができる。そのためこの場合には、上記圧電アクチュエータは、比較的上記保持部材の熱劣化が起こりやすい例えば超音波モータ、超音波ソナー、超音波振動子等としてより実用性に優れたものとなる。また、超音波モータ、超音波ソナー、超音波振動子においては、上記保持部材の他にも例えば樹脂等からなる接着部材を用いて、上記圧電素子を金属からなる支持体等の他部材に接着させる場合がある。この場合においても、上記(b)要件を満足する場合には、温度上昇を抑制できるため、上記接着部材の熱劣化を防止することができる。
次に、上記圧電セラミックスが、少なくとも上記要件(c)を満足する場合には、上記圧電セラミックスと、該圧電セラミックスと接する電極や保持部材等の他部材との熱膨張差を小さくすることができる。
一般に、圧電アクチュエータにおいては、使用環境温度の変化や、駆動による温度上昇により、その温度が変化する。また、圧電アクチュエータの製造時においても、例えば圧電素子を加熱接着する際等に、温度変化が起こる。温度変化が起こると、圧電セラミックスと、この圧電セラミックスと接する電極や保持部材等の他の部材との間に熱膨張差が生じるおそれがある。その結果、圧電アクチュエータにおいて、熱応力が発生し、圧電アクチュエータが破壊されてしまうおそれがある。
本発明において、上記圧電セラミックスが上記(c)要件を満足する場合には、上述のごとく、熱膨張差を小さくすることができるため、熱応力により上記圧電アクチュエータが破壊されることを防止できる。
また、超音波モータ、超音波ソナー、圧延超音波振動子、圧電ブザー、圧電スピーカ等の圧電アクチュエータにおいては、上記圧電セラミックスを有する上記圧電素子と他部材とを例えば熱硬化性樹脂等によって加熱接着させる場合がある。この場合においても、上記圧電セラミックスが上記(c)要件を満足する場合には、上述のごとく熱膨張差を小さくできるため、加熱接着時の熱応力及び残留熱応力等によって上記圧電アクチュエータが破壊されることを防止することができる。よって、少なくとも上記(c)要件を満足する上記圧電アクチュエータは、例えば超音波モータ、超音波ソナー、圧電超音波振動子、圧電ブザー、圧電スピーカ等としてより実用性に優れたものとなる。
次に、上記圧電セラミックスが、少なくとも上記要件(d)を満足する場合には、上記圧電アクチュエータにおいて、焦電効果を起こり難くすることができる。
一般に、圧電アクチュエータあるいは圧電アクチュエータを組み込んだ製品が、その製造時や、完成後の輸送や保管の際等に、温度変化を受けた場合には、焦電効果により圧電アクチュエータに電圧が発生するおそれがあった。この電圧の発生を回避するために、従来、圧電アクチュエータの電極端子間を金属クリップ治具等で短絡させたり、製品形態を変更して電極端子間に抵抗体を組み付けたりすること等が行われていた。その結果、圧電アクチュエータの作製には本来必要のない工程や金属クリップ治具や抵抗体等の部品が必要となり、製造コストが高くなるおそれがあった。
本発明において、上記圧電セラミックスが上記(d)要件を満足する場合には、上述のごとく、上記圧電アクチュエータの焦電効果を起こり難くすることができる。そのため、従来のごとく、焦電効果を防止するための製造工程や部品を増やす必要がなく、製造コストを削減することができる。そのため、上記圧電アクチュエータは、例えば燃料噴射弁、積層圧電トランス、積層超音波モータ、積層圧電スピーカ等のように、焦電効果による発生電荷の大きな例えば積層型又は大きな厚みの上記圧電素子を有するアクチュエータとして実用性に優れたものとなる。
次に、上記圧電セラミックスが、少なくとも上記要件(e)を満足する場合には、共振点以外における音圧を上昇させることができる。そのため、上記圧電アクチュエータにおいては、共振点と共振点以外との音圧差を小さくすることができ、上記圧電アクチュエータは、例えば圧電ブザー、圧電スピーカ、及び送受信機等の圧電発音部品として実用性に優れたものとなる。
以上のごとく、本発明によれば、実用性に優れた圧電アクチュエータを提供することができる。
次に、本発明の実施の形態について説明する。
上記圧電アクチュエータは、上記圧電素子と、上記保持部材とを有する。上記圧電素子は、圧電セラミックスとその表面の少なくとも一部に形成された電極とを有する。
具体的には、上記圧電素子は、例えば圧電セラミックスと、該圧電セラミックスを挟むように形成された一対の電極等により構成することができる。
また、上記圧電素子としては、複数の圧電セラミックスと複数の電極とを交互に積層してなる積層型の圧電素子を用いることもできる。上記圧電素子として積層型の圧電素子を用いる場合には、上記圧電アクチュエータの変位量を増大させることができる。
上記保持部材は、上記圧電素子を保持するものである。例えば樹脂製の収縮チューブ等を用いることができる。
上記圧電素子において、上記圧電セラミックスは、上記要件(a)〜(e)の内、少なくとも一つ以上の要件を満足する。
上記要件(a)は、嵩密度が5g/cm3以下であり、かつ共振−反共振法で求めたヤング率Y11 Eが90GPa以上であることにある。
上記圧電セラミックスの嵩密度5g/cm3を超える場合には、上記圧電アクチュエータの駆動時の騒音が大きくなるおそれがある。なお、強度を低下させないこと、および、変位を低下させないためには、嵩密度の下限は4.4g/cm3以上がよい。
上記圧電セラミックスの嵩密度は、例えば以下のような方法により、測定することができる。
即ち、セラミックスの乾燥重量をW1[g]、水中重量をW2[g]、湿重量をW3[g]をで測定し、以下の式より求めることが出来る。(アルキメデス法)
嵩密度=(W1×ρw)/(W3−W2)
ここで、ρw:水中重量測定時の水の密度を[g/cm3]。
また、上記共振−反共振法で求めたヤング率Y11 Eが90GPa未満の場合には、上記圧電アクチュエータの駆動周波数が低くなってしまうおそれがある。より好ましくは、ヤング率Y11 Eは、95GPa以上がよく、さらに好ましくは100GPa以上がよい。なお、積層アクチュエータや圧電トランスのように、駆動により変位が発生する圧電活性部と駆動により変位が発生しにくい圧電不活性部が存在する場合は、駆動により内部応力が発生する。この内部応力を低減するという観点からヤング率Y11 Eの上限は120GPa以下がよい。
上記ヤング率Y11 Eは、共振−反共振法により測定することができる。
共振−反共振法によるヤング率Y11 Eについて、説明する。
即ち、共振−反共振法によるY11 Eは、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の試験方法-円板状振動子の径方向振動-、EMAS-6001」、昭和52年7月20日、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の試験方法-材料定数の測定および算出-、EMAS-6007」、昭和61年3月、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の電気的試験方法、EMAS-6100」、平成5年3月、に従い測定することが出来る。
上記要件(b)は、熱伝導率が2Wm-1-1以上であることにある。
熱伝導率が2Wm-1-1未満の場合には、放熱性が低下するおそれがある。その結果、上記圧電アクチュエータは、駆動により温度上昇が起こりやすくなり、変位等の特性にばらつきが起こりやすくなるおそれがある。より好ましくは、熱伝導率は、2.2Wm-1-1以上がよい。
また、上記圧電セラミックスの熱伝導率は、例えば以下のような方法により、測定することができる。
即ち、レーザフラッシュ法により、熱拡散率を測定し、また、DSC(示差走査熱量計)法により、比熱を測定して、以下の式より求めることが出来る。
λ=αρCp
ここで、λ:熱伝導率[Wm-1-1]α:熱拡散率[10-72-1]、ρ:圧電セラミックスの嵩密度[kg/m3]Cp:比熱[Jkg-3-1]
上記要件(c)は、−30〜160℃という特定温度範囲において、熱膨張係数が3.0ppm/℃以上であることにある。
上記特定温度範囲において、上記圧電セラミックスの熱膨張係数が3.0ppm/℃未満の場合には、上記圧電アクチュエータ内に熱応力が発生し易くなるおそれがある。その結果、上記圧電アクチュエータが破壊されやすくなるおそれがある。
より好ましくは、熱膨張係数は、3.5ppm/℃以上がよく、さらに好ましくは4.0ppm/℃以上がよい。なお、アクチュエータを構成するFe等の金属部材などより熱膨張係数が大きいと、熱応力が発生し易くなるという観点から熱膨張係数の上限は11ppm/℃以下がよい。
また、上記圧電セラミックスの熱膨張係数は、例えば以下のような方法により、測定することができる。
即ち、TMA(熱機械分析)法により線熱膨張を測定し、以下の式より求めることができる。
β=(1/L0)・(dL/dT)
ここで、β:線熱膨張係数[10-6/℃]、L0:基準温度(25℃)での試料長さ[m]、dT:温度差[℃]、dL:温度差dTでの膨張長さ[m]である。
上記要件(d)は、−30〜160℃という特定温度範囲において、焦電係数が400μCm-2-1以下であることにある。
上記特定温度範囲において、上記圧電セラミックスの焦電係数が400μCm-2-1を超える場合には、焦電効果が起こり易くなり、温度変化により圧電アクチュエータに電圧が発生してしまうおそれがある。
より好ましくは、上記圧電セラミックスの焦電係数は、−30〜160℃という特定温度範囲において、350μCm-2-1以下がよく、さらに好ましくは、300μCm-2-1以下がよい。
上記焦電係数は、圧電セラミックスを分極させたときの分極量の平均温度係数であり、例えば以下のような方法により、測定することができる。
即ち、焦電係数γは、定義式 γ=dP/dT [Cm-2K-1]
(ここで、Pは分極量、Tは温度。)より、測定可能な、電流I、試料電極面積S、温度変化dT、測定時間間隔dtより、γ=(I/S)・(dt/dT) [Cm-2K-1]、式により求められる。
即ち、圧電素子を恒温槽または電気炉に入れて、一定速度で昇温あるいは降温させたときに、圧電素子の上下面の電極から流れ出る電流I[A]を微小電流計にて測定し、測定間隔t[s] の間に積分することで発生電荷量[C]を計算し、さらに圧電素子の電極面積で徐することで各温度の分極量P(C/cm2)の温度特性を求め、温度係数を計算するものである。(焦電電流法)。
上記要件(e)は、−30〜80℃という温度範囲において、共振−反共振法で求めた機械的品質係数Qmが50以下であることにある。
上記特定温度範囲において、上記圧電セラミックスの機械的品質係数Qmが50を超える場合には、共振点以外における音圧が低下するおそれがある。
より好ましくは、上記圧電セラミックスの機械的品質係数Qmは、−30〜80℃という特定温度範囲において、40以下がよく、さらに好ましくは、35以下がよい。なお、Qmが低すぎると共振振幅が小さく、音圧が低下するため、機械的品質係数Qmの下限は5以上がよい。
上記機械的品質係数Qmは、例えば以下のような方法により、測定することができる。
即ち、共振−反共振法によるQmは、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の試験方法-円板状振動子の径方向振動-、EMAS-6001」、昭和52年7月20日、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の試験方法-材料定数の測定および算出-、EMAS-6007」、昭和61年3月、電子材料工業会 圧電セラミックス技術委員会作成、「電子材料工業会標準規格、圧電セラミックス振動子の電気的試験方法、EMAS-6100」、平成5年3月に従い測定することが出来る。
また、上記圧電セラミックスは、上記要件(a)〜(e)をすべて満足することが好ましい。
この場合には、上記圧電アクチュエータの実用性をより向上させることができる。
また、上記圧電アクチュエータは、該圧電アクチュエータを電界強度100V/mm以上の一定の振幅を有する電界駆動条件で駆動させた場合に、下記の要件(f)及び要件(g)を満足することが好ましい(請求項2)。
(f)上記圧電アクチュエータの電界印加方向の歪みを電界強度で除することによって算出される動的歪量D33が、温度−30〜80℃という特定温度範囲において250pm/V以上であること
(g)下記の式(1)で表される上記動的歪量D33の温度変化による変動幅WD33が、温度−30〜80℃という特定温度範囲において±14%以内であること
D33(%)=[{2×D33max/(D33max+D33min)}−1]×100・・・(1)
(ただし、D33maxは、温度−30〜80℃における動的歪量の最大値、D33minは、温度−30〜80℃における動的歪量の最小値を表す)
この場合には、上記圧電アクチュエータの温度変化による変位のバラツキを小さくすることができる。即ち、この場合には、上記圧電アクチュエータは、温度変化の激しい環境下で用いられた場合においても、略一定の変位を発揮することができる。そのためこの場合には、上記圧電アクチュエータは、例えば自動車部品等の温度変化の激しい環境下で用いられる製品にも好適に用いることができる。
ここで、圧電アクチュエータの変位の温度依存性について、説明する。
定電圧駆動の圧電アクチュエータの変位(ΔL1)は、下記の式A1で表される。
ΔL1=D33×EF×L0・・・・ A1
ここで、D33:動的歪量[m/V]、EF:最大電界強度[V/m]およびL0:電圧を印加する前の圧電セラミックスの長さ[m]である。また、動的歪量は、電界強度0〜3000V/mmであって絶縁破壊しない程度の範囲の高電圧を、一定の振幅で印加して駆動した場合に、電圧印加方向と平行方向に発生する圧電セラミックスの変位量であり、下記の式A2で表される。
D33=S/EF=(ΔL1/L0)/(V/L0)・・・ A2
ここで、S:最大歪量である。また、D33は温度依存性だけではなく、電界強度依存性を有するものである。
上記式(A1)及び(A2)から知られるごとく、圧電アクチュエータ変位(ΔL1)は、印加電界強度に応じた動的歪量D33と印加電界強度の積に比例する。
従って、使用温度範囲におけるアクチュエータの変位変動幅を小さくするには、駆動電界強度に応じたD33の温度依存性が小さいことが望ましいといえる。
また、当然のことながら、変位性能であるD33は大きいことが望ましい。
上記圧電アクチュエータが上記要件(f)を満足しない場合、即ち上記動的歪量D33が、−30〜80℃という特定温度範囲において250pm/V未満の場合、又は上記圧電アクチュエータが上記要件(g)を満足しない場合、即ち上記動的容量D33の温度変化による変動幅WD33が、温度−30〜80℃という特定温度範囲において±14%以内という範囲から外れる場合には、上記圧電アクチュエータの変位が小さくなり、変位の温度依存性が大きくなってしまうおそれがある。
また、上記圧電アクチュエータは、該圧電アクチュエータを電界強度100V/mm以上の一定の振幅を有する電界駆動条件で駆動させた場合に、下記の要件(h)及び要件(i)を満足することが好ましい(請求項3)。
(h)上記圧電アクチュエータの電界印加方向の歪みを電界強度で除することによって算出される動的歪量D33が、温度−30〜160℃という特定温度範囲において250pm/V以上であること
(i)下記の一般式(2)で表される上記動的歪量D33の温度変化による変動幅WD33が、温度−30〜160℃という特定温度範囲において±14%以内であること
D33(%)=[{2×D33max/(D33max+D33min)}−1]×100・・・(2)
(ただし、D33maxは、温度−30〜160℃における動的歪量の最大値、D33minは、温度−30〜80℃における動的歪量の最小値を表す)
上記圧電アクチュエータが、上記要件(h)及び要件(i)を満足する場合には、上記圧電アクチュエータの温度依存性をさらに向上させることができる。即ち、この場合には、温度−30〜160℃というより広い温度範囲において、上記圧電アクチュエータの変位の温度依存性を小さくすることができる。
上記圧電アクチュエータは、燃料噴射弁であることが好ましい(請求項4)。
この場合には、上記圧電アクチュエータの優れた特性を最大限に発揮することができる。
また、上記圧電アクチュエータは、超音波ソナー、超音波モータ、圧電超音波振動子として用いることができる(請求項5)。
また、上記圧電アクチュエータは、圧電発音部品として用いることができる(請求項6)。該圧電発音部品としては、例えば圧電ブザー、及び圧電スピーカ等がある。
また、上記圧電素子は、上記圧電セラミックスと上記電極とを交互に積層してなる積層型圧電素子であることが好ましい(請求項7)。
この場合には、上記(d)による焦電効果を起こり難くすることができるという上述の作用効果をより顕著に発揮することができる。
即ち、一般的に積層型圧電素子を用いた場合には、焦電効果による発生電荷が大きくなり易く、圧電素子の分極劣化が起こり易くなる。また、圧電素子を取り扱う作業者が感電するおそれがある。しかし、本発明においては、上記(d)要件を満足させることにより、積層型圧電素子を用いた場合であっても焦電効果の発生を抑制できる。
上記積層型圧電素子は、上記圧電セラミックスと上記電極とを交互に積層した構造を有する。具体的には、例えば未焼成の圧電セラミックスと電極とを交互に複数積層した積層体を焼成してなる電極一体焼成構造のものや、焼成後の圧電セラミックスに電極を形成してなる圧電素子を複数準備し、これら複数の圧電素子を接着により接合させた構造のもの等がある。
また、上記圧電セラミックスは、鉛を含有しない圧電セラミックスからなることが好ましい(請求項8)。
この場合には、上記圧電アクチュエータの環境に対する安全性を高めることができる。
上記圧電セラミックスは、一般式:{Lix(K1-yNay)1-x}{Nb1-z-wTazSbw}O3(但し、0≦x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦0.4、0≦w≦0.2、x+z+w>0)で表される等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなると共に、該多結晶体を構成する各結晶粒の特定の結晶面が配向している結晶配向圧電セラミックスからなることが好ましい(請求項9)。
この場合には、上記要件(a)〜(e)を満足する圧電アクチュエータや、上記要件(a)〜(i)要件を満足する圧電アクチュエータを容易に実現することができる。
上記結晶配向圧電セラミックスは、等方性ペロブスカイト型化合物の一種であるニオブ酸カリウムナトリウム(K1-yNayNbO3)を基本組成とし、Aサイト元素(K、Na)の一部が所定量のLiで置換され、並びに/又は、Bサイト元素(Nb)の一部が所定量のTa及び/若しくはSbで置換されたものからなる。上記一般式において、「x+z+w>0」は、置換元素として、Li、Ta及びSbの内の少なくとも1つが含まれていればよいことを示す。
また、上記一般式において、「y」は、結晶配向圧電セラミックスに含まれるKとNaの比を表す。本発明に係る結晶配向圧電セラミックスは、Aサイト元素として、K又はNaの少なくとも一方が含まれていればよい。すなわち、KとNaの比yは、特に限定されるものではなく、0以上1以下の任意の値を取ることができる。高い変位特性を得るためには、yの値は、好ましくは、0.05以上0.75以下、さらに好ましくは、0.20以上0.70以下、さらに好ましくは、0.35以上0.65以下、さらに好ましくは、0.40以上0.60以下、さらに好ましくは、0.42以上0.60以下である。
「x」は、Aサイト元素であるK及び/又はNaを置換するLiの置換量を表す。K及び/又はNaの一部をLiで置換すると、圧電特性等の向上、キュリー温度の上昇、及び/又は緻密化の促進という効果が得られる。xの値は、具体的には、0以上0.2以下が好ましい。xの値が0.2を越えると、変位特性が低下するので好ましくない。xの値は、好ましくは、0以上0.15以下であり、さらに好ましくは、0以上0.10以下である。
「z」は、Bサイト元素であるNbを置換するTaの置換量を表す。Nbの一部をTaで置換すると、変位特性等の向上という効果が得られる。zの値は、具体的には、0以上0.4以下が好ましい。zの値が0.4を越えると、キュリー温度が低下し、家電や自動車用の圧電材料としての利用が困難になるので好ましくない。zの値は、好ましくは、0以上0.35以下であり、さらに好ましくは、0以上0.30以下である。
さらに、「w」は、Bサイト元素であるNbを置換するSbの置換量を表す。Nbの一部をSbで置換すると、変位特性等の向上という効果が得られる。wの値は、具体的には、0以上0.2以下が好ましい。wの値が0.2を越えると、変位特性、及び/又はキュリー温度が低下するので好ましくない。wの値は、好ましくは、0以上0.15以下である。
また、上記結晶配向圧電セラミックスは、高温から低温になるにつれて、結晶相が立方晶→正方晶(第1の結晶相転移温度=キュリー温度)、正方晶→斜方晶(第2の結晶相転移温度)、斜方結晶→菱面体晶(第3の結晶相転移温度)と変化する。第1の結晶相転移温度より高い温度領域では立方晶となるため変位特性が消滅し、また、第2の結晶相転移温度より低い温度領域では斜方結晶となり、変位ならびに見かけの動的静電容量の温度依存性が大きくなる。従って、第1の結晶相転移温度は使用温度範囲より高く、第2の結晶相転移温度は使用温度範囲より低くすることで使用温度範囲全域にわたって正方晶であることが望ましい。
ところが、上記結晶配向圧電セラミクスの基本組成であるニオブ酸カリウムナトリウム(K1-yNayNbO3)は、「ジャーナル・オブ・アメリカン・セラミック・ソサイエティ(“Jounal of American Ceramic Society”)」、米国、1959年、第42巻[9]p.438−442、ならびに米国特許2976246号明細書によれば、高温から低温になるにつれて、結晶相が立方晶→正方晶(第1の結晶相転移温度=キュリー温度)、正方晶→斜方晶(第2の結晶相転移温度)、斜方結晶→菱面体晶(第3の結晶相転移温度)と変化する。また、「y=0.5」における第1の結晶相転移温度は約420℃、第2の結晶相転移温度は約190℃、第3の結晶相転移温度は約−150℃である。従って、正方晶である温度領域は190〜420℃の範囲であり、工業製品の使用温度範囲である−40〜160℃と一致しない。
一方、上記結晶配向圧電セラミックスは、基本組成であるニオブ酸カリウムナトリウム(K1-yNayNbO3)に対して、Li,Ta,Sbの置換元素の量を変化させることにより、第1の結晶相転移温度ならびに第2の結晶相転移温度を自由に変えることができる。
圧電特性が最も大きくなるy=0.4〜0.6において、Li,Ta,Sbの置換量と結晶相転移温度実測値の重回帰分析を行った結果を下記の式B1、式B2に示す。
式B1及び式B2から、Li置換量は第1の結晶相転移温度を上昇させ、かつ、第2の結晶相転移温度を低下させる作用を有することがわかる。また、TaならびにSbは第1の結晶相転移温度を低下させ、かつ、第2の結晶相転移温度を低下させる作用を有することがわかる。
第1の結晶相転移温度=(388+9x−5z−17w)±50[℃] ・・・ (式B1)
第2の結晶相転移温度=(190−18.9x−3.9z−5.8w)±50[℃] ・・・ (式B2)
第1の結晶相転移温度は圧電性が完全に消失する温度であり、かつその近傍で動的容量急激に大きくなることから、(製品の使用環境上限温度+60℃)以上が望ましい。第2の結晶相転移温度は単に結晶相転移する温度であり、圧電性は消失しないため変位、あるいは動的容量の温度依存性に悪影響が出ない範囲に設定すればよいため、(製品の使用環境下限温度+40℃)以下が望ましい。
一方、製品の使用環境上限温度は、用途により異なり、60℃、80℃、100℃、120℃、140℃、160℃などである。製品の使用環境下限温度は−30℃、−40℃などである。
従って、上記式B1に示す第1の結晶相転移温度は120℃以上が望ましいため、「x」、「z」、「w」は
(388+9x−5z−17w)+50≧120を満足することが望ましい。
また、式B2に示す第2の結晶相転移温度は、10℃以下が望ましいため、「x」、「z」、「w」は(190−18.9x−3.9z−5.8w)−50≦10を満足することが望ましい。
即ち、上記結晶配向圧電セラミックスにおいては、上記一般式:{Lix(K1-yNay)1-x}{Nb1-z-wTazSbw}O3におけるx、y、及びzが、下記の式(3)及び式(4)の関係を満足することが好ましい(請求項10)。
9x−5z−17w≧−318 ・・・(3)
−18.9x−3.9z−5.8w≦−130 ・・・(4)
上記の動的容量(見かけの動的容量)は、上記圧電アクチュエータとコンデンサとを直列に接続し、上記圧電アクチュエータに電圧を印加して、電界強度100V/mm以上の一定の振幅を有する電界駆動条件で駆動させた場合において、上記コンデンサに蓄積される電荷量Q[C]を上記圧電アクチュエータに印加した電圧V[V]で除すことによって算出されるものである。
なお、上記結晶配向圧電セラミックスは、上記一般式で表される等方性ペロブスカイト型化合物(第1のKNN系化合物)のみからなる場合と積極的に他の元素を添加又は置換させる場合とがある。
前者の場合は、第1のKNN系化合物のみからなることが望ましいが、等方性ペロブスカイト型の結晶構造を維持でき、かつ、焼結特性、圧電特性等の諸特性に悪影響を及ぼさないものである限り、他の元素又は他の相が含まれていても良い。特に、上記結晶配向圧電セラミックスを製造するための原料において、市場で入手可能な純度99%乃至99.9%の工業原料に含まれる不純物は混入が不可避である。例えば、上記結晶配向圧電セラミックスの原料の一つであるNb2O5には、原鉱石あるいは製法に由来する不純物として、最大でTaが0.1wt%未満、Fが0.15wt%未満含まれる場合がある。また、後述の実施例1にて記載するが、製造工程においてBiを使用する場合は、その混入が不可避である。
後者の場合は、例えばMnを添加することにより、見かけの動的容量の温度依存性の低減、変位の上昇の効果があり、加えて誘電損失tanδの低下、機械的品質係数Qmの上昇の効果があることから共振駆動型のアクチュエータとして好ましい特性が得られる。
また、上記結晶配向圧電セラミックスにおいては、上記一般式で表される等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶を構成する各結晶粒の特定の結晶面が配向している。ここで、上記結晶粒において配向する特定の結晶面は、擬立方{100}面であることが好ましい。
なお、「擬立方{HKL}」とは、一般に、等方性ペロブスカイト型化合物は、正方晶、斜方晶、三方晶など、立方晶からわずかに歪んだ構造を取るが、その歪は僅かであるので、立方晶とみなしてミラー指数表示することを意味する。
この場合には、上記圧電アクチュエータの変位をより大きくすることができると共に、見かけの動的容量の温度依存性を小さくすることができる。
また、擬立方{100}面が面配向している場合において、面配向の程度は、次の数1の式で表されるロットゲーリング(Lotgering)法による平均配向度F(HKL)で表すことができる。
Figure 2006108639
なお、数1の式において、ΣI(hkl)は、結晶配向圧電セラミックスについて測定されたすべての結晶面(hkl)のX線回折強度の総和であり、ΣI0(hkl)は、結晶配向圧電セラミックスと同一組成を有する無配向セラミックスについて測定されたすべての結晶面(hkl)のX線回折強度の総和である。また、Σ'I(HKL)は、結晶配向圧電セラミックスについて測定された結晶学的に等価な特定の結晶面(HKL)のX線回折強度の総和であり、Σ'I0(HKL)は、結晶配向圧電セラミックスと同一組成を有する無配向セラミックスについて測定された結晶学的に等価な特定の結晶面(HKL)のX線回折強度の総和である。
従って、多結晶体を構成する各結晶粒が無配向である場合には、平均配向度F(HKL)は0%となる。また、多結晶体を構成するすべての結晶粒の(HKL)面が測定面に対して平行に配向している場合には、平均配向度F(HKL)は100%となる。
一般に、配向している結晶粒の割合が多くなる程、高い特性が得られる。例えば、特定の結晶面を面配向させる場合において、高い圧電特性等を得るためには、上記数1の式で表されるロットゲーリング(Lotgering)法による平均配向度F(HKL)は、30%以上が好ましく、さらに好ましくは、50%以上、さらに好ましくは70%以上である。また、配向させる特定の結晶面は、分極軸に垂直な面が好ましい。例えば、該ペロブスカイト型化合物の結晶系が正方晶の場合において、配向させる特定の結晶面は、擬立方{100}面が好ましい。
即ち、上記結晶配向圧電セラミックスは、ロットゲーリングによる擬立方{100}面の配向度が30%以上であり、かつ10〜160℃という温度範囲おいて、結晶系が正方晶であることが好ましい(請求項11)。
なお、特定の結晶面を軸配向させる場合には、その配向の程度は、面配向と同様の配向度(数1の式)では定義できない。しかしながら、配向軸に垂直な面に対してX線回折を行った場合の(HKL)回折に関するLotgering法による平均配向度(軸配向度)を用いて、軸配向の程度を表すことができる。また、特定の結晶面がほぼ完全に軸配向している成形体の軸配向度は、特定の結晶面がほぼ完全に面配向している成形体について測定された軸配向度と同程度になる。
上述のごとく、上記圧電アクチュエータにおいては、上記圧電セラミックスが上記要件(a)を満足するとき、即ち上記圧電セラミックスの嵩密度を5g/cm3以下にすることにより、上記圧電アクチュエータの駆動時における騒音を低減させることができる。上記要件(a)を満足する上記圧電セラミックスは、上記一般式で表される化合物からなる結晶配向圧電セラミックスを用いることにより容易に実現することができる。
より具体的には、上記圧電セラミックスの嵩密度は、例えば上記一般式で表される化合物からなる上記結晶配向圧電セラミックスを、例えば相対密度95%以上で充分に緻密化させることにより、上記のごとく5.0g/cm3以下にすることができる。
これに対し、PZT系材料は、充分に緻密化させても、嵩密度が7.4〜8.5g/cm3程度である。したがって、上記結晶配向圧電セラミックスを用いたアクチュエータの方が、PZT系材料を用いた場合よりも、騒音を小さくすることが出来る。
次に、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた圧電アクチュエータの共振周波数について説明する。本発明の結晶配向圧電セラミックスの共振−反共振法で測定したヤング率Y11Eは90GPa以上とすることが出来る。嵩密度が小さく、かつ、ヤング率が大きいため、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた圧電アクチュエータの共振周波数を大きくすることが出来る。
次に、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた圧電アクチュエータの放熱性について説明する。上記結晶配向圧電セラミックスの熱伝導率は、2Wm-1-1以上とすることが出来る。従って、上記結晶配向圧電セラミックスを用いることにより、上記要件(b)を容易に実現することができる。その結果、上述のごとく、上記圧電アクチュエータの放熱性を高め、温度上昇を抑制することが出来る。
次に、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた圧電アクチュエータが温度変化を受けた場合に発生する熱応力について説明する。
上記結晶配向圧電セラミックスは、その熱膨張係数が−30〜160℃という特定温度範囲において3.0ppm/℃以上である。そのため、上記要件(c)を容易に実現することができる。その結果、上記のごとく、熱膨張係数が3.0ppm/℃より大きな、金属や樹脂等で構成された保持部材等との熱膨張係数差を小さくすることが出来る。従って、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた上記圧電アクチュエータは、温度変化を受けた場合に発生する熱応力を小さくすることが出来る。
次に、上記結晶配向圧電セラミックスを用いたアクチュエータの焦電特性について説明する。上記結晶配向圧電セラミックスにおいては、その焦電係数が、−30〜160℃という特定温度範囲において、400μCm-2-1以下とすることが出来る。そのため、上記要件(d)を容易に実現することができる。その結果、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた圧電アクチュエータにおいては、上述のごとく、端子間に発生する電圧が小さいため、端子間を金属クリップ冶具等でショートすることを省略させたり、端子間に抵抗体を組付けない製品形態にすることが出来る。
次に、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた圧電アクチュエータの機械的強度について説明する。上記結晶配向圧電セラミックスの2軸曲げ破壊荷重は、PZT系の圧電セラミックスよりも大きくなる。従って、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた圧電アクチュエータは、機械的強度に優れており破壊しにくい。
次に、上記結晶配向圧電セラミックスを用いたアクチュエータのQmについて説明する。上記結晶配向圧電セラミックスにおいては、室温(温度25℃)におけるQmを30以下とすることが出来る。そのため、上記要件(e)を容易に実現することができる。従って、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた圧電アクチュエータにおいては、振動系全体のQmも下げることが出来るため、共振点と共振点以外の音圧差の小さい圧電音響部品とすることができる。
次に、上記結晶配向圧電セラミックスを用いた圧電アクチュエータの変位特性について説明する。
上記結晶配向圧電セラミックスを駆動源を用いた圧電アクチュエータは、−30〜160℃の温度範囲において、電界強度100V/mm以上、かつ、絶縁破壊をしない電界強度以下で、の一定の振幅を有する電界駆動条件下で発生する動的歪量D33を250pm/V以上とすることが出来る。さらに組成およびプロセスを適正化すれば300pm/V以上、さらに350pm/V以上、さらに400pm/V以上、さらに450pm/V以上、さらに500pm/V以上とすることが出来る。
また、変位の変動幅(=動的歪量の変動幅)は、(最大値−最小値)/2を基準値とした場合、±14%以下とすることが出来る。さらに組成およびプロセスを適正化すれば、±12%以下、さらに±10%以下、さらに±8%以下とすることが出来る。
また、−30〜80℃の温度範囲においては、電界強度100V/mm以上の一定の振幅を有する電界駆動条件下で発生する変位の変動幅(=動的歪量の変動幅)は(最大値−最小値)/2を基準値とした場合、±14%以下とすることが出来る。さらに組成およびプロセスを適正化すれば、±12%以下、さらに±9%以下、さらに±7%以下、さらに±5%以下、さらに±4%以下とすることが出来る。従って、定電圧駆動における変位の温度依存性が小さなアクチュエータが得られる。
また、上記圧電アクチュエータは、その変位発生源の全てを上記結晶配向圧電セラミックスにて構成することもできるが、圧電アクチュエータの変位特性に影響がない範囲で、上記一般式(1)で表される圧電セラミックスと他の圧電セラミックスとを組合せて圧電アクチュエータを構成することもできる。例えば、積層アクチュエータの場合、圧電セラミックスのうち、その50%以上の体積を上記一般式(1)で表される結晶配向圧電セラミックスで構成し、残りの50%未満をチタン酸バリウム系圧電セラミックスなどで構成することができる。
次に、本発明の圧電アクチュエータの構成の一例について、図15を用いて説明する。
同図に示すごとく、圧電アクチュエータ1は、例えば圧電セラミックスを有する圧電素子2と、圧電素子を保持する保持部材4と、圧電素子等を収納するハウジング部材3と、圧電素子の変位を伝達する伝達部材5とにより構成することができる。
圧電素子2としては、後述の図17に示すごとく、例えば圧電セラミックス21と内部電極22,23とを交互に複数積層してなる積層型の圧電素子等を用いることができる。
また、圧電素子としては、一枚の圧電セラミックスを2枚の内部電極で挟むことにより構成した単板の圧電素子を用いることもできる(図示略)。
また、圧電素子2の側面には一対に外部電極25,26が形成されており、圧電素子2において隣り合う二つの内部電極22,23は、互いに異なる外部電極25,26に電気的に接続される。
図15に示すごとく、圧電アクチュエータ1においては、圧電素子2の積層方向の一方の端部にピストン等の伝達部材5が配置される。ハウジング3と伝達部材5との間には、皿バネ55が配置され、圧電素子2にプリセット荷重がかかっている。伝達部材5は、圧電素子2の変位に伴って可動であり、その変位を外部に伝えることができる。また、ハウジング3には、動通孔31,32が設けられている。該動通孔31,32には、外部から電荷を供給するための端子(リード線)61,62が挿入されおり、グロメット31,32によりハウジング3内の気密性を保つ構造になっている。端子61,62は、圧電素子2に設けられた外部端子25,26と電気的に接続される。
また、図15に示すごとく、ピストン部材5とハウジング3の間にはOリング35が配置されており、ハウジング3内の気密性を保つとともに、ピストン部材5を伸縮可動な構成にしてある。
上記圧電アクチュエータは、例えば燃料噴射弁などに用いることができる。また、上記圧電アクチュエータとしては、積層アクチュエータ、圧電トランス、超音波モータ、バイモルフ圧電素子、超音波ソナー、超音波振動子、圧電ブザー、圧電スピーカ等がある。
(実施例1)
次に、本発明の実施例について説明する。
本例においては、圧電セラミックスを有する圧電素子を作製し、該圧電素子を用いて圧電アクチュエータを作製する。
本例においては、圧電アクチュエータのモデルとして、図16に示すごとく、治具8を用いた圧電アクチュエータ11を作製する。
即ち、本例の圧電アクチュエータ11は、圧電セラミックスを駆動源とする積層型の圧電素子2を有し、該圧電素子2が治具8に固定されてなる。
治具8は、圧電素子2を収納するためのハウジング81と、圧電素子2に連結され、圧電素子2の変位を伝達するるピストン(連結部材)82とを有している。ピストン82は、皿バネ85を介してガイド83に連結されている。ハウジング81内には、台座部815が設けられており、圧電素子2は台座部815に配置される。台座部815に配置した圧電素子2は、ピストン82のヘッド部821によって固定される。このとき、皿バネ85から圧電素子2にプリセット荷重を加えることができる。また、ピストン82のヘッド部821と反対側の端部(測定部88)は、圧電素子2の変位に伴って動くことができる。
ここでプリセット荷重の印加方法について説明する。プリセット荷重は、ピストン82と押し込みネジ84の空隙に円柱状の押し棒(図示略)を挿入し、アムスラーにて正確な荷重をガイド83に印加することによって得られる。次に、プリセット荷重を維持するために、荷重を印加した状態で、押し込みネジ84とハウジング81を固定する。その後、前記押し棒を取り除くものである。
なお、本例において、圧電アクチュエータのモデルを作製する理由は、圧電アクチュエータの変位の温度特性を評価するためである。その形状を長尺状にすることにより、圧電素子2を恒温槽の内部に設置し、かつ、測定部88を恒温槽の外部(=室温)に設置することが可能となる。後述の温度特性の評価においては、図16に示す圧電アクチュエータ11において、点線よりも下の部分を恒温槽の内部に設置する。このとき、圧電アクチュエータにおいて、点線よりも上の部分への熱の移動を防止するため、圧電アクチュエータには、断熱材86が設けられている。
かかる、圧電アクチュエータのモデルは図15に示すところの圧電アクチュエータと機能上は等価である。
また、図17に示すごとく、本例において、圧電素子2は、圧電セラミックス21と内部電極板22,23とが交互に積層されてなる積層型の圧電素子からなる。また、圧電素子2の積層方向の両端部には、アルミナ板245が配置されている。
また、圧電素子2の側面には圧電素子を挟むように二つの外部電極25,26が形成されており、外部電極25,26はリード線61,62に接続されている。
また、内部電極板22,23と外部電極25,26とは、圧電素子2内において隣り合う二つの内部電極22,23がそれぞれ異なる電位の外部電極25,26に接続するように、電気的に接続されている。
次に、本例の圧電アクチュエータの製造方法につき、説明する。
(1)NaNbO3板状粉末の合成
化学量論比でBi2.5Na3.5Nb518組成となるようにBi23粉末、Na2CO3粉末及びNb25粉末を秤量し、これらを湿式混合した。次いで、この原料に対し、フラックスとしてNaClを50wt%添加し、1時間乾式混合した。
次に、得られた混合物を白金るつぼに入れ、850℃×1hの条件下で加熱し、フラックスを完全に溶解させた後、さらに1100℃×2hの条件下で加熱し、Bi2.5Na3.5Nb518の合成を行った。なお、昇温速度は、200℃/hrとし、降温は炉冷とした。冷却後、反応物から湯洗によりフラックスを取り除き、Bi2.5Na3.5Nb518粉末を得た。得られたBi2.5Na3.5Nb518粉末は、{001}面を発達面とする板状粉末であった。
次に、このBi2.5Na3.5Nb518板状粉末に対し、NaNbO3合成に必要な量のNa2CO3粉末を加えて混合し、NaClをフラックスとして、白金るつぼ中において、950℃×8時間の熱処理を行った。
得られた反応物には、NaNbO3粉末に加えてBi23が含まれているので、反応物からフラックスを取り除いた後、これをHNO3(1N)中に入れ、余剰成分として生成したBi23を溶解させた。さらに、この溶液を濾過してNaNbO3粉末を分離し、80℃のイオン交換水で洗浄した。得られたNaNbO3粉末は、擬立方{100}面を発達面とし、粒径が10〜30μmであり、かつアスペクト比が10〜20程度の板状粉末であった。
(2){Li0.07(K0.43Na0.57)0.93}{Nb0.84Ta0.09Sb0.07}O3組成を有する結晶配向セラミックスの作製
純度99.99%以上のNa2CO3粉末、K2CO3粉末、Li2CO3粉末、Nb25粉末、Ta25粉末、Sb25粉末を{Li0.07(K0.43Na0.57)0.93}{Nb0.84Ta0.09Sb0.07}O3の化学量論組成1molから、NaNbO3を0.05mol差し引いた組成となるように秤量し、有機溶剤を媒体としてZrボールで20時間の湿式混合を行った。その後、750℃で5Hr仮焼し、さらに有機溶剤を媒体としてZrボールで20時間の湿式粉砕を行うことで平均粒径が約0.5μmの仮焼物粉体を得た。
この仮焼物粉体と前記板状のNaNbO3とを{Li0.07(K0.43Na0.57)0.93}{Nb0.84Ta0.09Sb0.07}O3組成になるように、仮焼物粉体:NaNbO3=0.95mol:0.05molの比率に秤量し、有機溶剤を媒体にして、Zrボールで20時間の湿式混合を行うことで粉砕スラリーを得た。その後、スラリーに対してバインダ(ポリビニルブチラール)及び可塑剤(フタル酸ジブチル)を加えた後、さらに2時間混合した。
次に、テープ成形装置を用いて、混合したスラリーを厚さ約100μmのテープ状に成形した。さらに、このテープを積層、圧着及び圧延することにより、厚さ1.5mmの板状成形体を得た。次いで、得られた板状成形体を、大気中において、加熱温度:600℃、加熱時間:5時間、昇温速度:50℃/hr、冷却速度:炉冷の条件下で脱脂を行った。さらに、脱脂後の板状成形体に圧力:300MPaでCIP処理を施した後、酸素中、1110℃で5時間焼結を行った。このようにして、圧電セラミックス(結晶配向圧電セラミックス)を作製した。
得られた圧電セラミックスについて、焼結体密度、及びテープ面と平行な面についてのロットゲーリング法による擬立方{100}面の平均配向度F(100)を上記の数1の式を用いて算出した。
さらに、得られた圧電セラミックスから研削、研磨、加工により、図18に示すごとく、その上下面がテープ面に対して平行である厚さ0.485mm、直径11mmの円盤状試料の圧電セラミックス21を作製し、その上下面にAu焼付電極ペースト(住友金属鉱山(株)製 ALP3057)を印刷・乾燥したのち、メッシュベルト炉を用い850℃×10minの焼付を行い、圧電セラミックス21に厚さ0.01mmの電極20を形成した。さらに、印刷により不可避に形成された電極外周部の数マイクロメートルの盛り上り部を除去する目的で、得られた円板状試料を円筒研削により直径8.5mmに加工した。その後、上下方向に分極処理を施して、圧電セラミックス21に全面電極210が形成された圧電素子(単板)20を得た。
得られた圧電素子20から、共振周波数(Fr)、圧電特性であるヤング率(Y11 E)、圧電歪み定数(d31)、電気機械結合係数(kp)、機械的品質係数(Qm)、及び誘電特性である比誘電率(ε33 t/ε0)、誘電損失(tanδ)を、室温(温度25℃)において共振反共振法により測定した。また、電極形成前の焼結体において、アルキメデス法により見かけ密度、開気孔率、嵩密度を測定した。
また、同様に、第1の結晶相転移温度(キュリー温度)と第2の結晶相転移温度を、比誘電率の温度特性を測定することにより求めた。なお、第2の結晶相転移温度が0℃以下の場合には、第2の結晶相転移温度より高温側の比誘電率の変動幅が非常に小さくなるため、比誘電率のピーク位置を特定が確認できない場合は、比誘電率が屈曲する温度を第2の結晶相転移温度とした。
次に、上記にて得られた圧電セラミックスを用いて積層型の圧電素子を作製し、該圧電素子を用いて圧電アクチュエータを構成し、その評価を行った。
図19に示すごとく、まず上記のようにして得られた圧電素子20と、後述の外部電極に接続するための突起を有する厚み0.02mm、直径8.4mmのSUS製の内部電極板22(23)とを交互に積層した。このとき、内部電極板22(23)の突起が積層方向に交互に異なる方向に配置し、かつ、一層おきには同じ方向に揃うように内部電極板22(23)を配置した。このようにして、合計40枚の圧電セラミックス21と、合計41枚の内部電極板とを交互に積層し、さらにその積層体の上下面に厚み2mm、直径8.5mmのアルミナ板(絶縁板)を積層して、図17に示すごとく、積層型の圧電素子2を作製した。
その後、短冊状のSUS製の外部電極25,26を、圧電素子が電気的に並列接続となるように上記内部電極板22,23の突起に溶接し、さらに、リード端子61,62を準備し、外部電極25,26とリード端子61,62とを電気的に接続した。
また、内部電極板22,23の突起と、反対極性の内部電極板22,23及び反対極性の圧電素子のAu電極間との絶縁を確保するために、積層体側面の同一極電極板の突起間に櫛歯状の樹脂製絶縁部材(図示略)を挿入配置し、その上からシリコーングリースを塗布し、さらに積層体を絶縁チューブからなる保持部材4で被覆して積層型の圧電素子2とした。
その後、積層型の圧電素子2のAu電極と電極板の密着性を向上させる目的で、室温(温度25℃)で積層方向に150MPaの圧縮応力を30秒間印加した(加圧エージング)。さらに、室温(温度25℃)で積層方向に30MPaの圧縮応力を印加した状態で、電界強度0−1500V/mmの振幅のsin波を周波数40Hzで30分間印加した(電圧エージング)。その後、図16に示すごとく、積層型の圧電素子2を、治具8に固定し、圧電素子2の積層方向に、バネ定数2.9N/μmの皿バネ85をプリセット荷重16.4MPaで圧接した。このようにして、図16に示すごとく圧電アクチュエータ11を作製した。
次いで、得られた圧電アクチュエータについて、印加電圧:485、728、970V(電界強度が0−1000V/mm、0−1500V/mm、0−2000V/mm)の一定振幅の台形波駆動を行い、動的歪量D33の温度特性を−40〜160℃の温度範囲で測定した。
動的歪量D33の測定は、周波数0.5Hzならびに10Hz、電圧立上げ時間は150μs、電圧立ち下げ時間は150μs、デューティー比は50:50の台形波駆動条件下で観測される変位を静電容量式の変位センサで測定し、式A2により求めた。
また、測定した値から、−30〜80℃の温度範囲における変動幅ならびに−30〜160℃の温度範囲における変動幅を求めた。ここで、変動幅とは(最大値−最小値)/2を基準値とした値とした。
本実施例で得られた圧電セラミックス(結晶配向セラミックス)は十分に緻密化しており、嵩密度は、4.72g/cm3であった。また、擬立方{100}面は、テープ面に対して平行に配向しており、ロットゲーリング法による擬立方{100}面の平均配向度は、88.5%に達した。
さらに、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは376kHz、ヤング率Y11 Eは103.0GPa、圧電歪み定数d31は86.5pm/V、電気機械結合係数kpは48.8%、機械的品質係数Qmは18.2、比誘電率ε33 t/ε0は1042、誘電損失tanδは6.4%であった。また、比誘電率の温度特性より求めた第1の結晶相転移温度(キュリー温度)は282℃、第2の結晶相転移温度は−30℃であった。
以上の結果を表1に示す。
次に、本実施例で得られた圧電アクチュエータの駆動周波数0.5Hzで測定された動的歪量D33の温度特性を表2、図1および表7に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が−30℃の場合であり、D33=303pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1500V/mmの場合であり、変動幅は±3.8%であった。
−30〜160℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が−30℃の場合であり、D33=303pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が2000V/mmの場合であり、変動幅は±7.7%であった。
(実施例2)
脱脂後の板状成形体の焼成温度を1105℃とした以外は、実施例1と同一の手順に従い、{Li0.07(K0.45Na0.55)0.93}{Nb0.82Ta0.10Sb0.08}O3組成を有する結晶配向セラミックスを作製した。得られた結晶配向セラミックス(圧電セラミックス)について、実施例1と同一の条件下で、焼結体密度、平均配向度及び圧電特性を評価した。また、実施例1と同一の手順で、圧電素子40枚の積層アクチュエータを作製し、アクチュエータ特性を評価した。
本実施例で得られた結晶配向セラミックスは十分に緻密化しており、嵩密度は、4.72g/cm3であった。また、擬立方{100}面は、テープ面に対して平行に配向しており、ロットゲーリング法による擬立方{100}面の平均配向度は、94.6%に達した。さらに、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは374kHz、ヤング率Y11 Eは102.5GPa、圧電歪み定数d31は88.1pm/V、電気機械結合係数kpは48.9%、機械的品質係数Qmは16.6、比誘電率ε33 t/ε0は1071、誘電損失tanδは4.7%であった。また、比誘電率の温度特性より求めた第1の結晶相転移温度(キュリー温度)は256℃、第2の結晶相転移温度は−35℃であった。
以上の結果を表1に示す。
次に、本実施例で得られた圧電アクチュエータの駆動周波数0.5Hzで測定された動的歪量D33の温度特性を表3、図2および表7に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が20℃の場合であり、D33=355pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1000V/mmの場合であり、変動幅は±8.0%であった。
−30〜160℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が20℃の場合であり、D33=355pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が2000V/mmの場合であり、変動幅は±13.8%であった。
(実施例3)
脱脂後の板状成形体の焼成温度を1105℃とした以外は、実施例1と同一の手順に従い、{Li0.065(K0.45Na0.55)0.935}{Nb0.83Ta0.09Sb0.08}O3組成を有する結晶配向セラミックスを作製した。得られた結晶配向セラミックスについて、実施例1と同一の条件下で、焼結体密度、平均配向度及び圧電特性を評価した。また、実施例1と同一の手順で、圧電素子40枚を積層してなる圧電アクチュエータを作製し、そのアクチュエータ特性を評価した。
本実施例で得られた結晶配向セラミックスは十分に緻密化しており、嵩密度は、4.71g/cm3であった。また、擬立方{100}面は、テープ面に対して平行に配向しており、ロットゲーリング法による擬立方{100}面の平均配向度は、93.9%に達した。さらに、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは371kHz、ヤング率Y11 Eは100.2GPa、圧電歪み定数d31は95.2pm/V、電気機械結合係数kpは50.4%、機械的品質係数Qmは15.9、比誘電率ε33 t/ε0は1155、誘電損失tanδは5.2%であった。また、比誘電率の温度特性より求めた第1の結晶相転移温度(キュリー温度)は261℃、第2の結晶相転移温度は−12℃であった。
以上の結果を表1に示す。
次に、本実施例で得られたアクチュエータの駆動周波数0.5Hzで測定された動的歪量D33の温度特性を表4、図3および表7に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が80℃の場合であり、D33=347pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1500V/mmの場合であり、変動幅は±5.6%であった。
−30〜160℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が80℃の場合であり、D33=347pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1500V/mmの場合であり、変動幅は±11.5%であった。
(実施例4)
実施例1と同一組成の結晶配向セラミックスを、実施例1とは異なる手順で作製した実施例について記載する。
実施例1で作製したNaNbO3板状粉末、並びに、非板状のNaNbO3粉末、KNbO3粉末、KTaO3粉末、LiSbO3粉末及びNaSbO3粉末を、{Li0.07(K0.43Na0.57)0.93}{Nb0.84Ta0.09Sb0.07}O3組成となるように秤量し、有機溶剤を溶媒として20時間の湿式混合を行った。
得られるスラリーに対してバインダ(ポリビニルブチラール)及び可塑剤(フタル酸ジブチル)を加えた後、さらに2時間混合した。
なお、NaNbO3板状粉末の配合量は、出発原料から合成される第1のKNN系固溶体(ABO3)のAサイト元素の5at%がNaNbO3板状粉末から供給される量とした。また、非板状のNaNbO3粉末、KNbO3粉末、KTaO3粉末、LiSbO3粉末及びNaSbO3粉末は、純度99.9%のK2CO3粉末、Na2CO3粉末、Nb25粉末、Ta25粉末及び/又はSb25粉末を所定量含む混合物を750℃で5時間加熱し、反応物をボールミル粉砕する固相法により作製した。
次に、テープ成形装置を用いて、混合したスラリーを厚さ約100μmのテープ状に成形した。さらに、このテープを積層、圧着及び圧延することにより、厚さ1.5mmの板状成形体を得た。次いで、得られた板状成形体を、大気中において、加熱温度:600℃、加熱時間:5時間、昇温速度:50℃/hr、冷却速度:炉冷の条件下で脱脂を行った。さらに、脱脂後の板状成形体に圧力:300MPaでCIP処理を施した後、酸素中において、焼成温度:1130℃、加熱時間:5時間、昇・降温速度:200℃/hrの条件下で、加熱時間中に35kg/cm2(3.42MPa)の圧力を印加するホットプレス焼結を行った。このようにして圧電セラミックス(結晶配向圧電セラミックス)を作製した。
本実施例で得られた結晶配向セラミックスは十分に緻密化しており、嵩密度は、4.78g/cm3であった。また、擬立方{100}面は、テープ面に対して平行に配向しており、ロットゲーリング法による擬立方{100}面の平均配向度は、96%に達した。さらに、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは362kHz、ヤング率Y11 Eは96.6GPa、圧電歪み定数d31は96.5pm/V、電気機械結合係数kpは51.9%、機械的品質係数Qmは15.2、比誘電率ε33 t/ε0は1079、誘電損失tanδは4.7%であった。また、比誘電率の温度特性より求めた第1の結晶相転移温度(キュリー温度)は279℃、第2の結晶相転移温度は−28℃であった。
以上の結果を表1に示す。
次に、本実施例で得られたアクチュエータの駆動周波数0.5Hzで測定された動的歪量D33の温度特性を表5、図4および表7に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が50℃の場合であり、D33=427pm/V、動的歪量D33変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1000V/mmの場合であり、変動幅は±7.2%であった。
−30〜160℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が50℃の場合であり、D33=427pm/V、の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が2000V/mmの場合であり、動的歪量D33変動幅は±9.4%であった。
(実施例5)
本実施例は、実施例3の組成物である{Li0.065(K0.45Na0.55)0.935}{Nb0.83Ta0.09Sb0.08}O31molに対してMnを0.0005molを外添加した組成を有する圧電セラミックス(結晶配向圧電セラミックス)を作製し、該圧電セラミックスを用いて圧電アクチュエータを作製した。
まず、純度99.99%以上のNa2CO3粉末、K2CO3粉末、Li2CO3粉末、Nb25粉末、Ta25粉末、Sb25粉末、およびMnO2粉末を、{Li0.07(K0.43Na0.57)0.93}{Nb0.84Ta0.09Sb0.07}O31mol+Mn0.0005molの組成から、NaNbO3を0.05mol差し引いた組成を秤量し、有機溶剤を媒体としてZrボールで20時間の湿式混合を行った。その後、750℃で5Hr仮焼し、さらに有機溶剤を媒体としてZrボールで20時間の湿式粉砕を行うことで平均粒径が約0.5μmの仮焼物粉体を得た。
以降の手順は、脱脂後の板状成形体の焼成温度を1105℃とした以外は、実施例1と同一の手順に従い、{Li0.065(K0.45Na0.55)0.935}{Nb0.83Ta0.09Sb0.08}O31mol+Mn0.0005molの組成を有する結晶配向セラミックスを作製した。
得られた結晶配向セラミックスについて、実施例1と同一の条件下で、焼結体密度、平均配向度及び圧電特性を評価した。また、実施例1と同一の手順で、圧電素子40枚の積層アクチュエータを作製し,動的歪量D33の温度特性を評価した。
本実施例で得られた結晶配向セラミックスは十分に緻密化しており、嵩密度は、4.71g/cm3であった。また、擬立方{100}面は、テープ面に対して平行に配向しており、ロットゲーリング法による擬立方{100}面の平均配向度は、89.6%に達した。さらに、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは368kHz、ヤング率Y11 Eは98.7GPa、圧電歪み定数d31は99.1pm/V、電気機械結合係数kpは52.0%、機械的品質係数Qmは20.3、比誘電率ε33 t/ε0は1159、誘電損失tanδは2.7%であった。これにより、Mnを添加は、Qmの上昇と、tanδの低下に効果があることがわかった。
また、比誘電率の温度特性より求めた第1の結晶相転移温度(キュリー温度)は263℃、第2の結晶相転移温度は−15℃であった。
以上の結果を表1に示す。
次に、本実施例で得られたアクチュエータの駆動周波数0.5Hzで測定された動的歪量D33の温度特性を表6、図5および表7に示す。
−30〜80℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が50℃、ならびに80℃の場合であり、D33=355pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1000V/mmの場合であり、変動幅は±10.4%であった。
−30〜160℃の温度範囲における動的歪量D33の最小値は、駆動電界振幅が1000V/mmで温度が50℃、ならびに80℃の場合であり、D33=355pm/V、動的歪量D33の変動幅の最大値は、駆動電界振幅が1000V/mmの場合であり、変動幅は±11.8%であった。
次に、実施例1〜5の比較対象として、代表的な圧電セラミックスであるPZTセラミックスの単板を作製し、実施例1〜5と同様にその評価を行った(比較例1〜5)。
(比較例1)
比較例1は、自動車用燃料噴射弁用の積層アクチュエータに適した、ソフト系とハード系の中間的な特性(セミハード)の正方晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。ここで、ソフト系とはQmが100以下の材料のことであり、ハード系とはQmが1000以上の材料のことである。
本例の圧電セラミックスの作製にあたっては、まず、PbO粉末、ZrO2粉末、TiO2粉末、SrCO3粉末、Y23粉末、Nb25粉末、Mn23粉末を、(Pb0.92Sr0.09){(Zr0.543Ti0.457)0.985(Y0.5Nb0.5)0.01Mn0.05}O3組成となるように秤量し、水を媒体としてZrボールで湿式混合を行った。その後、790℃で7Hr仮焼し、さらに、有機溶剤を媒体としてZrボールで湿式粉砕を行うことで平均粒径が約0.7μmの仮焼物粉体のスラリーを得た。
このスラリーに対してバインダ(ポリビニルブチラール)及び可塑剤(フタル酸ジブチル)を加えたあとZrボールで20時間混合した。
次に、テープ成形装置を用いて、混合したスラリーを厚さ約100μmのテープ状に成形した。さらに、このテープを積層、熱圧着ことにより、厚さ1.2mmの板状成形体を得た。次いで、得られた板状成形体を、大気中において脱脂を行った。さらに、脱脂後の板状成形体をアルミナこう鉢中のMgO板上に配置して大気中、1170℃で2時間焼結を行った。
以降の手順は、電極材料としてAgペーストを用いて、焼付を行ったこと以外は実施例1と同じである。
本比較例の圧電セラミックスの嵩密度は、7.60g/cm3であった。また、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは255kHz、ヤング率Y11 Eは76.5GPa、圧電歪み定数d31は158.0pm/V、電気機械結合係数kpは60.2%、機械的品質係数Qmは540、比誘電率ε33 t/ε0は1701、誘電損失tanδは0.2%であった。
以上の結果を表1に示す。
(比較例2)
比較例2は、環境温度変化が小さい半導体製造装置などの位置決め用の積層アクチュエータに適した、ソフト系の菱面体晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。
本例の圧電セラミックスの作製にあたっては、まずPbO粉末、ZrO2粉末、TiO2粉末、SrCO3粉末、Y23粉末、Nb25粉末を、(Pb0.895Sr0.115){(Zr0.57Ti0.43)0.978(Y0.5Nb0.5)0.01Nb0.012}O3組成となるように秤量し、水を媒体としてのZrボールで湿式混合を20時間行った。その後、875℃で5Hr仮焼し、さらに、水を媒体としてZrボールで湿式粉砕を行った。
得られたスラリーに対して、バインダ(ポリビニルアルコール)を仮焼粉体に対して1wt%となるように添加した後、スプレードライヤで乾燥、造粒した。
次に、金型を用いた乾式プレス成形でφ15、厚さ2mmの成形体を得た。次いで、得られた円板状成形体を、大気中において脱脂を行った。さらに、脱脂後の板状成形体に圧力:200MPaでCIP処理を施した後、アルミナこう鉢中のMgO板上に配置して大気中、1260℃で2時間焼結を行った。
以降の手順は、比較例1と同じである。
本比較例の圧電セラミックスの嵩密度は、7.45g/cm3であった。また、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは229kHz、ヤング率Y11 Eは60.2GPa、圧電歪み定数d31は212.7pm/V、電気機械結合係数kpは67.3%、機械的品質係数Qmは47.5、比誘電率ε33 t/ε0は1943、誘電損失tanδは2.1%であった。以上の結果を表1に示す。
(比較例3)
比較例3は自動車用のノックセンサに適した、ソフト系の正方晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。
本例の圧電アクチュエータの作製にあたっては、PbO粉末、ZrO2粉末、TiO2粉末、SrTiO3粉末、Sb23粉末を、(Pb0.95Sr0.05){(Zr0.53Ti0.47)0.978Sb0.022}O3組成となるように秤量し、水を媒体としてのZrボールで湿式混合を20時間行った。その後、825℃で5Hr仮焼し、さらに、水を媒体としてZrボールで湿式粉砕を行った。
以降の手順は、焼結温度を1230℃としたこと以外は、比較例2と同一である。
本比較例の圧電セラミックスの嵩密度は、7.60であった。また、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは238kHz、ヤング率Y11 Eは66.5GPa、圧電歪み定数d31は203.4pm/V、電気機械結合係数kpは62.0%、機械的品質係数Qmは55.8、比誘電率ε33 t/ε0は2308、誘電損失tanδは1.4%であった。以上の結果を表1に示す。
(比較例4)
比較例4は高出力の超音波モータに適した、セミハード系の正方晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。
本例の圧電セラミックスの作製にあたっては、まずPbO粉末、ZrO2粉末、TiO2粉末、SrCO3粉末、Sb23粉末、MnCO3粉末を、(Pb0.965Sr0.05){(Zr0.5Ti0.50.96Sb0.03Mn0.01}O3組成となるように秤量し、水を媒体としてのZrボールで湿式混合を行った。その後、875℃で5Hr仮焼し、さらに、水を媒体としてのZrボールで湿式粉砕を行った。
以降の手順は、焼結温度を1230℃としたこと以外は、比較例2と同一である。
本比較例の圧電セラミックスの嵩密度は、7.76g/cm3であった。また、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは267kHz、ヤング率Y11 Eは85.7GPa、圧電歪み定数d31は136.9pm/V、電気機械結合係数kpは57.9%、機械的品質係数Qmは850、比誘電率ε33 t/ε0は1545、誘電損失tanδは0.2%であった。以上の結果を表1に示す。
(比較例5)
比較例5は高感度の角速度センサに適した、ハード系の正方晶のPZT材料からなる圧電セラミックスを用いた積層アクチュエータの例である。
本例の圧電セラミックスの作製にあたっては、まずPbO粉末、ZrO2粉末、TiO2粉末、ZnO粉末、MnCO3粉末、Nb25粉末を、Pb{(Zr0.5Ti0.5)0.98(Zn0.33Nb0.670.01Mn0.01}O3組成となるように秤量し、水を媒体としてZrボールで湿式混合を行った。その後、800℃で5Hr仮焼し、さらに、水を媒体としてZrボールで湿式粉砕を行った。
以降の手順は、焼結温度を1200℃としたこと以外は、比較例2と同一である。
本比較例の圧電セラミックスの嵩密度は、7.84であった。また、室温(温度25℃)における圧電特性を評価した結果、共振周波数Frは272kHz、ヤング率Y11 Eは89.8GPa、圧電歪み定数d31は103.6pm/V、電気機械結合係数kpは54.1%、機械的品質係数Qmは1230、比誘電率ε33 t/ε0は1061、誘電損失tanδは0.2%であった。
以上の結果を表1に示す。
(実施例6)動的歪量の下限値の規定
駆動電界強度を1000V/mmよりも小さくすると、動的歪量も小さくなる。
本実施例では、上記圧電アクチュエータの駆動電界強度を小さくした場合の動的歪量を求めた。
実施例1〜5で作製した圧電アクチュエータの駆動電界強度と20℃における動的歪量の関係を図6に示す。
図6から知られるごとく、圧電アクチュエータとして必要な駆動電界強度の下限値である100V/mmにおいて、動的歪量は250pm/V以上であることがわかった。
(実施例7)動的歪量の低電界での温特の規定
本実施例では、1000V/mmよりも低い駆動電界強度が小さく、動的歪量が小さい場合の変位の変動幅を求める。
このためには、アクチュエータへの印加電圧を下げて測定すべきであるが、本実施例で作製した、アクチュエータでは電界強度500V/mm未満においては、変位が小さく、測定精度が悪化する可能性がある。加えて、その温度特性評価はさらに困難である。
そこで、単板の圧電横歪定数d31の測定をすれば、変位の絶対値の推定は困難であるが、変位の温度特性の推定は可能であるため、本実施例では、共振−反共振法により、単板の圧電横歪定数d31の測定を実施した。
実施例5で作製した単板のd31の温度特性を測定値と、実施例5で示す1000〜2000V/mmの駆動電界強度における動的歪量とを、それぞれ、20℃の値で規格化して比較した結果を図7に示す。
−30〜80℃の温度範囲における単板のd31の変動幅は±7.8%であった。また、−30〜160℃の温度範囲における単板のd31の変動幅は、±9.2%であった。この値は、1000〜2000V/mmの駆動電界強度における動的歪量の変動幅と同等であった。
以上のことから、本発明のアクチュエータは、駆動電界強度を1000V/mmより小さくしても、−30〜160℃の広い温度範囲において、変位の変動幅が低減できることがわかった。
(実施例8)熱伝導率の規定
実施例2ならびに比較例1で得た焼結体の熱拡散率、比熱、熱伝導率の測定を行った結果を表8に示す。
熱拡散率の測定は、上記焼結体を、厚さ0.75mm、直径10mmの円盤状に研削加工した後、その両面にカーボンスプレーを1μm程度塗布して表面を黒化し、熱拡散率の測定用試料とした。
熱拡散率の測定方法はレーザーフラッシュ法とした。装置は真空理工(株)製TC−7000、測定温度は、25℃、120℃及び160℃、照射光はルビーレーザ光(励起電圧2.5kV、均一化フィルター、減光フィィルター1枚)である。また、熱拡散率の測定精度は±5%程度である。
比熱の測定は、上記焼結体から70〜90mgの試料片を採取し、測定用の試料とした。
比熱の測定方法はDSC法(DSC:示差走査熱量計)とした。装置はPerkin−Elmer DSC−7、測定温度は、25℃、120℃及び160℃、昇温速度は10℃min−1である。また、熱拡散率の測定精度は±1%程度である。
熱伝導率は、熱拡散率と熱容量(密度×比熱)の積として、式A3より求めた。
λ=αρCp・・・・・・(A3)
ここで、λ:熱伝導率[Wm-1-1]、α:熱拡散率[m2-1]、ρ:焼結体の嵩密度[kgm-3]、Cp:比熱[Jkg-1-1]である。
表7に示すように、実施例2の熱伝導率は、25℃、120℃、160℃のいずれの温度においても、2Wm-1-1を超え、比較例1よりも2倍近く大きな値であった。従って、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば放熱性の良好なアクチュエータを得ることができることがわかった。
(実施例9)熱膨張率の規定
実施例2ならびに比較例1で得た焼結体(圧電セラミックス)の線熱膨張率、熱膨張係数の測定を行った結果を表9に示す。また、25℃を基準温度とした線熱膨張率の温度特性を図8に示す。
線熱膨張率の測定は、巾5mm×厚さ1.5mm×長さ10mmに研削加工し、線熱膨張率の測定用試料とした。
線熱膨張率の測定方法はTMA法とした。装置は(株)島津製作所製 熱機械分析装置TMA−50、測定温度範囲は、−100℃〜500℃、昇温速度は2℃/min、測定雰囲気は大気で行った。
線熱膨張率は、基準温度(25℃)の試料長さL0とその温度変化量ΔLから、長さの変化率ΔL/L0と定義した。この線熱膨張率(ΔL/L0)温度曲線に基き、A4式により、線熱膨張係数βを求めた。ここで、βはdT=20℃で中心差分法により計算した。
なお、βはΔL/L0温度曲線の温度微分値に相当している。
β=(1/L0)・(dL/dT)・・・・・・・・A4
ここで、L0:基準温度(25℃)の試料長さ、dT:温度差(20℃)、dL:温度差dTでの膨張長さである。
表9ならびに図8に示すように、実施例2の熱膨張係数は−30℃〜160℃の温度範囲で4ppm/℃を超えた。一方、比較例1の熱膨張係数は100℃〜160℃の温度範囲で3ppm/℃未満であった。従って、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、圧電セラミックスと、それよりも熱膨張係数が大きな金属あるいは樹脂との間に発生する熱応力が小さいアクチュエータを得ることができることがわかった。
(実施例10)焦電係数の規定
実施例4ならびに比較例1で得た単板の分極量Prの変化量の温度特性を測定した結果を図9に示す。
分極量Prの温度特性の測定は、実施例4ならびに比較例1で得られた圧電素子そのものを測定用試料として行った。測定は、焦電電流法により、測定温度範囲−40℃〜200℃で行った。
まず、上記圧電素子を恒温槽内に設置し、温度25℃から−40℃まで2℃/minの速度で降温し、その後、−40℃〜200℃まで2℃/minの速度で昇温させた。この時に、圧電素子の上下電極面から流れ出る電流を、微小電流計にて約30秒間隔で測定し、同時に測定するときの温度と正確な時間も測定し、下式により分極量の変化量 ΔP[C/cm2] 、および測定時間間隔における温度変化量 ΔTを求めた。
ΔP={(I1+I2)/2}・(t1−t2)/S
ΔT=T1−T2
ここで、ΔP:分極量の変化量[μC/cm2]、(t1−t2):測定した時間間隔[s]、I1:時刻t1における電流[A]、T1:時刻t1における温度[℃]、I2:t2における電流[A]、T2:時刻t2における温度[℃]、S:圧電素子の片側の電極面積[cm2]である。これより、温度=(T1+T2)/2における、焦電係数を
焦電係数=ΔP/ΔT
により計算し、絶対値として焦電係数を求めた。
線熱膨張率の測定方法はTMA法とした。装置は(株)島津製作所製 熱機械分析装置TMA−50、測定温度範囲は、−100℃〜500℃、昇温速度は2℃/min、測定雰囲気は大気で行った。
−30℃〜160℃の温度範囲における、実施例4の単板の焦電係数は271μCm2-1であった。一方、比較例1の単板の焦電係数は581μCm2-1であり、実施例4の2倍以上であった。従って、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、環境温度変化による端子電圧の変化が小さい圧電アクチュエータを得ることができることがわかった。
(実施例11)破壊荷重の違い
実施例5ならびに比較例1で得た焼結体(圧電セラミックス)の破壊荷重を測定し、ワイブルプロットした結果を図10に示す。
図10においては、横軸は、破壊荷重F[N]の自然対数を示し、縦軸は破壊確率[%]を示す。
破壊荷重の測定は、上記焼結体を厚さ0.4mm×□7mm、かつ、4隅にC1mmの面取りがある形状に研削加工し、測定用試料とした。
破壊荷重の測定方法はオートグラフを用いた2軸曲げ試験法(Ball on Ring法)とした。Ringは外形6mm−内径4mmのSC211製であり、Ballは直径2mmのZrO2製であり、いずれも鏡面研磨してある。また、荷重速度は0.5mm/minとした。また、試料数は実施例5がN=26ヶ、比較例1がN=25ヶである。
実施例5の破壊荷重Fは、平均値11.7N(最大値12.9N、最小値9.9N)、ワイブル係数はm=17.7であった。一方、比較例1の破壊荷重は、平均値7.2N(最大値7.6N、最小値6.7N)、ワイブル係数はm=34.8であり、実施例の破壊荷重は比較例より2倍以上高いことがわかった。
従って、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、組付けや駆動による応力に対し、破壊しにくいアクチュエータを得ることができることがわかった。
(実施例12)Qmの温度特性
実施例4、実施例5、比較例2、比較例3で作製した圧電素子の機械的品質係数(Qm)の温度特性を測定した結果を図11に示す。
実施例4、実施例5ともに温度25℃(室温)近傍で最も低い値であり、温度25℃より高温側でも、温度25℃より低温側でも上昇した。
実施例4の−30〜80℃における最大値は、80℃において、32.6であった。また、80℃より高い温度範囲においてはさらに上昇し、100℃においては48.4、160℃においては73.4となった。
実施例5の、−30〜80℃における最大値は、80℃において、41.2であった。また、80℃より高い温度範囲においてはさらに上昇し、100℃においては81.6、160℃においては103.1となった。
一方、比較例2の−30〜80℃における最大値は、−30℃において、66.2であった。また、比較例3は−30℃において、61.1であった。
従って、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、−30〜80℃の温度範囲において、アクチュエータの振動系全体のQmも下げることが出来るため、共振点と共振点以外の音圧差の小さい圧電音響部品とすることができる。
(実施例13)tanδの温度特性
実施例5で作製した圧電素子の、ヤング率(Y11 E)、共振周波数(Fr)、誘電損失(tanδ)の温度依存性を測定した結果をそれぞれ図12、図13、図14に示す。
−30〜160℃の温度範囲において、ヤング率(Y11 E)は−10℃以下で低下するが、その最小値は−30℃において91GPaであった。共振周波数(Fr)は同様に−10℃以下で低下するが、その最小値は−30℃において、353kHzであり、比較例5の室温(温度25℃)の値より81kHzも大きな値であった。
以上のことから、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、−30〜160℃の温度範囲においても、共振周波数の高いアクチュエータが得られることがわかった。
また、誘電損失(tanδ)は、0〜−30℃の範囲において高く、約3%のほぼ一定の値となり、80〜160℃以上において低く、約1.2%の値であった。従って、本発明の結晶配向圧電セラミックスを用いれば、アクチュエータの駆動による自己発熱が問題となり易い高温領域では、誘電損失(tanδ)が低いため、発熱が小さいと推定される。
Figure 2006108639
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実施例1にかかる、圧電アクチュエータの動的歪量D33の温度依存性を示す線図。 実施例2にかかる、圧電アクチュエータの動的歪量D33の温度依存性を示す線図。 実施例3にかかる、圧電アクチュエータの動的歪量D33の温度依存性を示す線図。 実施例4にかかる、圧電アクチュエータの動的歪量D33の温度依存性を示す線図。 実施例5にかかる、圧電アクチュエータの動的歪量D33の温度依存性を示す線図。 実施例6にかかる、実施例1〜5にて得られた各圧電アクチュエータの駆動電界強度と動的歪量D33との関係を示す線図。 実施例7にかかる、実施例5で作製した単板のd31の温度特性を測定値と、実施例5で示す1000〜2000V/mmの駆動電界強度における動的歪量とを、それぞれ、20℃の値で規格化した結果を示す線図。 実施例9にかかる、実施例2及び比較例1にて作製した圧電セラミックスの線熱膨張率の温度依存性を示す線図。 実施例10にかかる、実施例4及び比較例1にて作製した圧電セラミックスの分極量Prの変化量の温度依存性を示す線図。 実施例11にかかる、実施例3及び比較例1にて作製した圧電セラミックスの破壊確率と、lnFとn関係をを示す線図。 実施例12にかかる、実施例4、実施例5、比較例2、及び比較例3で作製した圧電素子の機械的品質係数の温度依存性を示す線図。 実施例13にかかる、実施例5で作製した圧電素子におけるヤング率(Y11 E)の温度依存性を示す線図。 実施例13にかかる、実施例5で作製した圧電素子における共振周波数(Fr)の温度依存性を示す線図。 実施例13にかかる、実施例5で作製した圧電素子における誘電損失(tanδ)の温度依存性を示す線図。 本発明の圧電アクチュエータの構成の一例を示す説明図。 実施例1にかかる、圧電アクチュエータの構成の概略を示す説明図。 実施例1にかかる、積層型の圧電素子の構成を示す説明図。 実施例1にかかる、一枚の圧電セラミックスからなる圧電素子(単板)の構成を示す説明図。 実施例1にかかる、圧電素子(単板)と内部電極板とを積層する様子を示す説明図。
符号の説明
1 圧電アクチュエータ
2 圧電素子
21 圧電セラミックス
22,23 電極(内部電極板)
4 保持部材

Claims (11)

  1. 圧電セラミックスの表面に一対の電極を形成してなる圧電素子と、該圧電素子を保持する保持部材とを有する圧電アクチュエータであって、
    上記圧電セラミックスは、下記の要件(a)〜(e)の内、少なくとも一つ以上の要件を満足することを特徴とする圧電アクチュエータ。
    (a)嵩密度が5g/cm3以下であり、かつ共振−反共振法で求めたヤング率Y11 Eが90GPa以上であること
    (b)熱伝導率が2Wm-1-1以上であること
    (c)−30〜160℃という特定温度範囲において、熱膨張係数が3.0ppm/℃以上であること
    (d)−30〜160℃という特定温度範囲において、焦電係数が400μCm-2-1以下であること
    (e)−30〜80℃という温度範囲において、共振−反共振法で求めた機械的品質係数Qmが50以下であること
  2. 請求項1において、上記圧電アクチュエータは、該圧電アクチュエータを電界強度100V/mm以上の一定の振幅を有する電界駆動条件で駆動させた場合に、下記の要件(f)及び要件(g)を満足することを特徴とする圧電アクチュエータ。
    (f)上記圧電アクチュエータの電界印加方向の歪みを電界強度で除することによって算出される動的歪量D33が、温度−30〜80℃という特定温度範囲において250pm/V以上であること
    (g)下記の式(1)で表される上記動的歪量D33の温度変化による変動幅WD33が、温度−30〜80℃という特定温度範囲において±14%以内であること
    D33(%)=[{2×D33max/(D33max+D33min)}−1]×100・・・(1)
    (ただし、D33maxは、温度−30〜80℃における動的歪量の最大値、D33minは、温度−30〜80℃における動的歪量の最小値を表す)
  3. 請求項1又は2において、上記圧電アクチュエータは、該圧電アクチュエータを電界強度100V/mm以上の一定の振幅を有する電界駆動条件で駆動させた場合に、下記の要件(h)及び要件(i)を満足することを特徴とする圧電アクチュエータ。
    (h)上記圧電アクチュエータの電界印加方向の歪みを電界強度で除することによって算出される動的歪量D33が、温度−30〜160℃という特定温度範囲において250pm/V以上であること
    (i)下記の一般式(2)で表される上記動的歪量Lの温度変化による変動幅WD33が、温度−30〜160℃という特定温度範囲において±14%以内であること
    D33(%)=[{2×D33max/(D33max+D33min)}−1]×100・・・(2)
    (ただし、D33maxは、温度−30〜160℃における動的歪量の最大値、D33minは、温度−30〜80℃における動的歪量の最小値を表す)
  4. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記圧電アクチュエータは、燃料噴射弁であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
  5. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記圧電アクチュエータは、超音波ソナー、超音波モータ、圧電超音波振動子であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
  6. 請求項1〜3のいずれか一項において、上記圧電アクチュエータは、圧電発音部品であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
  7. 請求項1〜6のいずれか一項において、上記圧電素子は、上記圧電セラミックスと上記電極とを交互に積層してなる積層型圧電素子であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
  8. 請求項1〜7のいずれか一項において、上記圧電セラミックスは、鉛を含有しない圧電セラミックスからなることを特徴とする圧電アクチュエータ。
  9. 請求項1〜8のいずれか一項において、上記圧電セラミックスは、一般式:{Lix(K1-yNay)1-x}{Nb1-z-wTazSbw}O3(但し、0≦x≦0.2、0≦y≦1、0≦z≦0.4、0≦w≦0.2、x+z+w>0)で表される等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなると共に、該多結晶体を構成する各結晶粒の特定の結晶面が配向している結晶配向圧電セラミックスからなることを特徴とする圧電アクチュエータ。
  10. 請求項9において、上記結晶配向圧電セラミックスにおいては、上記一般式:{Lix(K1-yNay)1-x}{Nb1-z-wTazSbw}O3におけるx、y、及びzが、下記の式(3)及び式(4)の関係を満足することを特徴とする圧電アクチュエータ。
    9x−5z−17w≧−318 ・・・(3)
    −18.9x−3.9z−5.8w≦−130 ・・・(4)
  11. 請求項9又は10において、上記結晶配向圧電セラミックスは、ロットゲーリングによる擬立方{100}面の配向度が30%以上であり、かつ10〜160℃という温度範囲おいて、結晶系が正方晶であることを特徴とする圧電アクチュエータ。
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