JP2007259700A - 圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミックス組成物及び圧電モータ - Google Patents

圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミックス組成物及び圧電モータ Download PDF

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Abstract

【課題】Q値が高いと共に、共振周波数の温度変化が小さい圧電/電歪素子を提供することにある。
【解決手段】圧電/電歪体12と、この圧電/電歪体12上に設けられた一対以上の電極とからなる圧電/電歪素子11であって、共振周波数の温度変化率が−40℃から+80℃の温度範囲において、±1%未満であることを特徴とする。これにより、Q値が高いと共に、共振周波数の温度変化が小さい圧電/電歪素子を提供できる。また、本発明の圧電/電歪セラミック組成物及び圧電モータによれば、焼成時における圧電/電歪体からのPbの蒸発を低減させるとともに、さらに、1050℃以下で焼成ができることから、圧電/電歪特性の劣化抑止、および安価な電極材料を用いることが可能である。
【選択図】図1

Description

本発明は、圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミック組成物及び圧電モータに関する。
従来、圧電/電歪材料は超音波モータや、圧電トランス、発音体、アクチュエータ、センサ等に使用されている。これら用途においては、圧電/電歪材料の特性改善として組成や微構造の検討がなされてきた。そして、特性改善により装置や素子の小型化、エネルギー変換効率の向上等がなされてきた。
圧電/電歪材料としては、いわゆるPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)を主成分とした材料(以下、PZT系圧電/電歪材料と称する)が各種用いられているが、超音波モータや圧電トランス等の用途には、機械的品質係数の大きな材料が好ましいことがわかっている。そのため、PZT系圧電/電歪材料についてMnやCoを添加することにより特性改善が図られている。
しかし、PZT系圧電材料は、焼成のために1250℃程度の高温が必要であり、その焼成途中の1000℃付近からPbが蒸発することが知られている。このような圧電/電歪体からのPbの蒸発が起きると、焼成後に得られる圧電/電歪体においてはPb不足によって引き起こされる組成ずれによる圧電特性、具体的には電気機械結合係数や、比誘電率、機械的品質係数、弾性コンプライアンスの劣化が生じたり、特性ばらつきが生じたりする、といった問題が生じる場合もある。また、1250℃程度の焼成が必要な場合、圧電/電歪層間に形成する電極層は、その温度での焼成に耐えられる電極材料が必要となり、このため、高価な白金や白金を主成分とした電極材料を使うこととなるが、これは圧電/電歪素子のコスト高要因となっている。
また、圧電/電歪材料を共振子として使用する場合、共振周波数と駆動周波数のずれが大きくなると、変位が急激に低下するという問題があり、特に、室温では大きな変位が得られていたとしても、温度変化に対する共振周波数の変化が大きい場合には、共振子の温度が低下したり上昇したりすると、変位の低下が大きくなり問題となっていた。
上記問題は超音波モータについても例外ではなく、例えば、非特許文献1に開示された超音波モータは、一次縦、二次屈曲モードを使用したモータ素子であって、矩形の圧電層と、該圧電層を略二分割するように形成された電極層と、を交互に積層してなる圧電モータ素子に関するものであるが、この超音波モータの駆動モードについても、使用する圧電材料の共振周波数の温度変化が大きな場合には、変位の温度変化が大きくなるという問題を有していた。
この問題に対し、これまで圧電/電歪材料の共振周波数の温度変化率が小さな材料を用いて共振子を作製することで改善を試みており、圧電/電歪材料自体の共振周波数の温度変化率を考慮しない共振子に比べると、変位の低下量は小さくなった。しかし、未だ実用の観点からすると改善は不十分であった。
また、別の解決手段として、素子の共振周波数の温度変化をあらかじめ測定しておき、温度センサで素子の温度を測定して、測定温度に合わせて駆動周波数を制御する方法も考案されているが、温度センサが必要となりコストが高くなるという問題があった。
ACTUATOR2006予講集A1.1(Piezoelectric Ultrasonic Motors for Lens Positioning of Cellular Phone Camera Modules)
本発明は、このような従来技術の課題を解決するためになされたものであって、圧電/電歪素子とした場合に、Q値が高い圧電/電歪素子であって、かつ、共振周波数の温度変化が小さい圧電/電歪素子を提供することにある。また、本発明の圧電/電歪セラミック組成物及び圧電モータによれば、焼成時における圧電/電歪体からのPbの蒸発を低減させることによる、圧電/電歪特性の劣化抑止、および安価な電極材料を用いることが可能である。
上記課題を解決するため、本発明によって以下の圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミックス組成物及び圧電モータが提供される。
[1] 圧電/電歪体と、前記圧電/電歪体上に設けられた一対以上の電極とからなる圧電/電歪素子であって、前記圧電/電歪体に使用している圧電/電歪材料の共振周波数の温度変化率と、電極材料の共振周波数の温度変化率とが、−40℃から+80℃の温度範囲において、正負の符号が異なることを特徴とする圧電/電歪素子。
[2] 前記電極材料が金属材料からなり、前記圧電/電歪体に使用している圧電/電歪材料のヤング率の温度変化率と、前記金属材料のヤング率の温度変化率とが、−40℃から+80℃の温度範囲において、正負の符号が異なることを特徴とする[1]に記載の圧電/電歪素子。
[3] 圧電/電歪層と内部電極層とが、交互に、複数、積層されてなる柱状積層体と、その柱状積層体の周面に設けられ、前記内部電極層のうち、極性の同じものを、それぞれ接続する一対の側面電極と、を有する[1]又は[2]に記載の圧電/電歪素子。
[4] 前記圧電/電歪素子において、前記内部電極層に使用している金属材料のヤング率の温度変化率が、温度範囲において、−8.0%以上−1.0%以下であることを特徴とする[1]〜[3]のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
[5] 前記圧電/電歪素子において、前記圧電/電歪材料のヤング率の温度変化率が、−40℃から+80℃の温度範囲において、0%より大きく4.0%以下であることを特徴とする[1]〜[4]のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
[6] 前記圧電/電歪材料が、正方晶を主相とすることを特徴とする[1]〜[5]のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
[7] 前記[1]〜[6]のいずれかに記載の前記圧電/電歪体が、PbをPbO換算で65質量%以上70質量%以下含み、TiをTiO換算で7.0質量%以上16.0質量%以下含み、ZrをZrO換算で10.5質量%以上24.5質量%以下含み、SbをSb換算で0.65質量%以上1.05質量%以下含み、NbをNb換算で0.5質量%以上0.8質量%以下含み、CuをCuO換算で0.3質量%以上0.7質量%以下含み、WをWO換算で0.6質量%以上1.5質量%以下含み、MnをMnO換算で0.3質量%以上0.7質量%以下含み、CuとWのモル比が1.5:1以上2.5:1以下であることを特徴とする圧電/電歪セラミック組成物。
[8] 前記圧電/電歪セラミック組成物を主成分とする圧電/電歪体と、この圧電/電歪体上に設けられた一対以上の電極とからなることを特徴とする前記[1]〜[7]のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
[9] 圧電/電歪層と内部電極層とが、交互に、複数、積層されてなる柱状積層体と、その柱状積層体の周面に設けられ、前記内部電極層のうち、極性の同じものを、それぞれ接続する一対の側面電極と、を有する圧電/電歪素子であって、前記圧電/電歪層のヤング率に対する、前記内部電極層のヤング率の比率(電極層のヤング率÷圧電/電歪層のヤング率)が0.75以上1.30以下であることを特徴とする前記[1]〜[8]のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
[10] 前記圧電/電歪層のヤング率が60GPa以上100GPa以下であることを特徴とする前記[1]〜[9]のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
[11] 前記圧電/電歪層中にAgを含むことを特徴とする前記[1]〜[10]のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
[12] 前記圧電/電歪層中一次縦−二次屈曲振動モードを利用した定在波型圧電モータであることを特徴とする前記[1]〜[11]のいずれかに記載の圧電モータ。
[13] 前記[12]の圧電モータであって、一次縦共振周波数および二次屈曲共振周波数の温度変化が、−40℃から80℃の温度範囲において1.0%以内であることを特徴とする[12]に記載の圧電モータ。
本発明の圧電/電歪素子によれば、Q値が高いと共に、共振周波数の温度変化が小さい圧電/電歪素子を提供できる。また、本発明の圧電/電歪セラミック組成物及び圧電モータによれば、焼成時における圧電/電歪体からのPbの蒸発を低減させるとともに、さらに、1050℃以下で焼成ができることから、圧電/電歪特性の劣化抑止、および安価な電極材料を用いることが可能である。
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照しながら具体的に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜設計の変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。
[1]本発明の圧電/電歪素子の構成:
本発明の圧電素子11は、図1及び図2に示すように、圧電体と、この圧電体上に設けられた一対以上の電極(第一電極3、第二電極4)とから概ね構成される。ここで、図1は本発明の圧電素子の一実施形態を模式的に示す斜視図であり、図2は図1で示した圧電素子の構成をわかりやすく説明するために、各層で分解した分解斜視図である。以下、圧電/電歪素子について説明するが、主に圧電素子について説明する。電歪素子については、電圧を加えると微小に伸縮する素子として圧電素子と基本的構成が同様であることから、圧電素子を電歪素子と置き換えて、圧電素子の説明として参照されることを望む。
より具体的には、圧電/電歪素子11は、圧電体からなる圧電層1と圧電層2が少なくとも交互に1層以上積層されて形成されている。図1では、5層の圧電層1と5層の圧電層2が交互に積層されている。しかし、図1で示した交互に5層組み合わせられて積層形成された圧電/電歪素子は一例に過ぎず、これに限定する趣旨ではない。交互に圧電層1と圧電層2が、多層組み合わせられて圧電/電歪素子を形成する場合を含む趣旨である。ここで、図2で示すように、圧電体からなる圧電層1の上面及びその下面には、第一電極3と第二電極4が形成され、その下側に形成される圧電層2には、共通電極5が形成されている。さらに、その圧電層2の下側に位置する圧電層1の上面には、上述と同じ構成、すなわち、上面及び下面に第一電極3と第二電極4が形成された圧電層1が形成される。このように交互に、圧電層1と圧電層2とが順次積層される。また、圧電/電歪素子11は、積層厚み方向の側面に、圧電層1で隔離された複数の第一電極3、複数の第二電極4、複数の共通電極5が形成され、さらに、電気的に接続する側面電極6が形成されている。
本発明の圧電素子11は、共振周波数の温度変化率が−40℃から+80℃の温度範囲において、±1%未満であることを特徴とする。このような所望の温度範囲において、共振周波数の温度変化率の数値が±1%未満であれば、圧電/電歪材料を共振子として使用する場合、共振子の共振周波数の温度変化を制御でき、Q値が高いと共に、共振周波数の温度変化が小さい圧電/電歪素子を提供できる。
また、上述の圧電/電歪素子においては、圧電/電歪体に使用している圧電/電歪材料の共振周波数の温度変化率と、電極材料の共振周波数の温度変化率とが、正負の符号が異なることが、より好ましい。なお、ここで『正負の符号が異なる』ということは、例えば温度上昇に伴って温度変化率(例えば、後述する「ヤング率」も同様)が増加する圧電/電歪材料と、温度上昇に伴って温度変化率(例えば、後述する「ヤング率」も同様)が減少する電極材料の組み合わせのように、温度変化率(例えば、後述する「ヤング率」も同様)の増減が逆であることを指す。圧電/電歪材料の共振周波数の温度変化率と電極材料の共振周波数の温度変化率との、それぞれの温度変化を相殺しやすく、圧電/電歪素子として見た場合に、共振周波数の温度変化を小さくすることが可能であるから、より好ましい。
また、上述の圧電/電歪素子においては、電極材料が金属材料からなり、前記圧電/電歪体に使用している圧電/電歪材料のヤング率の温度変化率と、前記金属材料のヤング率の温度変化率とが、−40℃から+80℃の温度範囲において、正負の符号が異なることが、好ましい。圧電/電歪材料だけで改善を図ろうとすると、共振周波数の温度特性を満足させることが出来ても、その他の特性を低下させる場合もある。しかし、本発明のように、圧電/電歪素子を構成する各材料のヤング率の温度変化を制御して、共振子の共振周波数の温度変化を制御できるようし、圧電/電歪材料と内部電極層のヤング率の変化を相殺し、圧電/電歪素子として見た場合に、共振周波数の温度変化を小さくすることが可能となるため、より好ましい。
なお、上述の電極として用いる金属材料は、温度上昇に伴ってヤング率が低下するため、圧電/電歪材料として温度上昇に伴ってヤング率が増加するものを選定することが好ましい。
また、圧電/電歪層と内部電極層とが、交互に、複数、積層されてなる柱状積層体と、その柱状積層体の周面に設けられ、前記内部電極層のうち、極性の同じものを、それぞれ接続する一対の側面電極と、を有する圧電/電歪素子として構成することが好ましい。
さらに、この内部電極層に使用している金属材料のヤング率の温度変化率は、温度範囲において、−8.0%以上−1.0%以下であることが好ましく、更に好ましいのは、−40℃から+80℃の温度範囲において、−4.0%以上から−1.0%以下であることがより好ましく、−3.0%以上から−1.5%以下であることが更に好ましい。
また、前記圧電/電歪素子において、前記圧電/電歪材料のヤング率の温度変化率が、−40℃〜+80℃の温度範囲において、0%より大きく4.0%以下であることが好ましく、0.3%以上3.0%以下であることがより好ましく、0.5%以上2.5%以下であることが更に好ましい。
また、前記圧電/電歪材料が、正方晶を主相とすることが好ましい。
[1−1]圧電/電歪セラミック組成物:
また、前記圧電/電歪体が、PbをPbO換算で65質量%以上70質量%以下含み、TiをTiO換算で7.0質量%以上16.0質量%以下含み、ZrをZrO換算で10.5質量%以上24.5質量%以下含み、SbをSb換算で0.65質量%以上1.05質量%以下含み、NbをNb換算で0.5質量%以上0.8質量%以下含み、CuをCuO換算で0.3質量%以上0.7質量%以下含み、WをWO換算で0.6質量%以上1.5質量%以下含み、MnをMnO換算で0.3質量%以上0.7質量%以下含み、CuとWのモル比が1.5:1以上2.5:1以下である圧電/電歪セラミック組成物からなることが好ましく、より好ましいのは、上記圧電/電歪セラミック組成物を主成分とする圧電/電歪体と、この圧電/電歪体上に設けられた一対以上の電極とから圧電/電歪素子が構成されることである。この圧電/電歪セラミック組成物、或いは、上記圧電/電歪セラミック組成物を主成分とする圧電/電歪体は、焼成温度が1050度以下であっても、十分に緻密化し高い特性を有し、更に、この圧電/電歪セラミック組成物を用いて作製した圧電/電歪素子では、共振周波数の温度変化率が小さいという特性を有している。
また、上記圧電/電歪素子は、圧電/電歪層と内部電極層とが、交互に、複数、積層されてなる柱状積層体と、その柱状積層体の周面に設けられ、前記内部電極層のうち、極性の同じものを、それぞれ接続する一対の側面電極と、を有する圧電/電歪素子であって、前記圧電/電歪層のヤング率に対する、前記内部電極層のヤング率の比率(電極層のヤング率÷圧電/電歪層のヤング率)が0.75以上1.30以下であることが好ましく、圧電セラミック層のヤング率に対する、圧電セラミック層に挟まれる電極層のヤング率の比率が0.80以上1.25以下であることがより好ましく、0.85以上1.20以下であることが更に好ましい。
また、圧電/電歪層のヤング率が60GPa以上100GPa以下であることが好ましい。圧電セラミック層ヤング率は、70GPa以上95GPa以下であることがより好ましく、80GPa以上90GPa以下であることが更に好ましい。
[1−1−1]圧電/電歪セラミック組成物の調製方法:
このような圧電/電歪セラミック組成物の調製方法としては、次のものがある。なお、
本実施形態の圧電/電歪セラミック組成物は、全原料をまとめて混合してなる混合原料を仮焼・粉砕して調製しても良いし、一部の原料を混合してなる混合原料を仮焼・粉砕した二次原料を数種類調製し、これら数種類の二次原料および原料を混合してなる混合原料を仮焼・粉砕して調製しても良い。以下、圧電/電歪セラミック組成物の調製方法について具体的に説明する。
第一の圧電/電歪セラミック組成物の調製方法としては、次のような調製方法がある。まず、Pb、Sb、Nb、Zr、Ti、Mn、Cu、Wの各元素単体、これら各元素の酸化物(PbO、Pb、Sb、Nb、TiO、ZrO、MnO、MnO、CuO、CuO、WO等)、炭酸塩(MnCO等)、又はこれら各元素を複数種含有する化合物(SbNbO等)等を、各元素の含有率が所望の組成割合になるように混合する。この混合方法としては、一般的な方法を用いればよく、例えばボールミルを挙げることができる。具体的には、ボールミル装置内に所定量の各種原料、玉石、水を入れ、所定時間だけ回転させて混合スラリーを調製する。その後、得られた混合スラリーに含まれる水分を、蒸発させて乾燥する、或いは、ろ過する等して除去することにより混合原料を得ることができる。得られた混合原料を500〜1000℃で仮焼した後、ボールミル、アトライタ、ビーズミル等の一般的な粉砕装置を用いて粉砕すれば、粒子状の圧電/電歪セラミック組成物とすることができる。
第二の圧電/電歪セラミック組成物の調製方法としては、次のような調製方法がある。Pb、Sb、Nb、Zr、Ti、Mnの各元素単体、これら各元素の酸化物(PbO、Pb、Sb、Nb、TiO、ZrO、MnO、MnO等)、炭酸塩(MnCO等)、又はこれら各元素を複数種含有する化合物(SbNbO等)等を、各元素の含有率が所望の組成割合になるように混合する。この混合方法としては、一般的な方法を用いればよく、例えばボールミルを挙げることができる。具体的には、ボールミル装置内に所定量の各種原料、玉石、水を入れ、所定時間だけ回転させて混合スラリーを調製する。その後、得られた混合スラリーに含まれる水分を、蒸発させて乾燥する、或いは、ろ過する等して除去することにより混合原料を得ることができる。得られた混合原料を750〜1300℃で仮焼した後、ボールミル、アトライタ、ビーズミル等の一般的な粉砕装置を用いて粉砕すれば、二次原料とすることができる。
次いで、Pb、Cu、Wの各元素単体、これら各元素の酸化物(PbO、Pb、CuO、CuO、WO等)等を、各元素の含有率が所望の組成割合になるように混合する。混合方法としては、前記同様に一般的な方法を用いればよく、例えばボールミルを挙げることができる。具体的には、ボールミル装置内に所定量の各種原料、玉石、水を入れ、所定時間だけ回転させて混合スラリーを調製する。その後、得られた混合スラリーに含まれる水分を、蒸発させて乾燥する、ろ過する等して除去することにより混合原料を得ることができる。得られた混合原料を500〜1000℃で仮焼した後、ボールミル、アトライタ、ビーズミル等の一般的な粉砕装置を用いて粉砕すれば、二次原料とすることができる。
上記で得られた2種類の二次原料を、更に各元素の含有率が所望の組成割合になるように混合する。混合方法としては、前記同様に一般的な方法を用いればよく、例えばボールミルを挙げることができる。具体的には、ボールミル装置内に所定量の各種原料、玉石、水を入れ、所定時間だけ回転させて混合スラリーを調製する。その後、得られた混合スラリーに含まれる水分を、蒸発させて乾燥する、ろ過する等して除去することにより混合原料を得ることができる。得られた混合原料を500〜1000℃で仮焼した後、ボールミル、アトライタ、ビーズミル等の一般的な粉砕装置を用いて粉砕すれば、粒子状の圧電/電歪セラミック組成物とすることができる。
[1−1-2]粒子状の圧電/電歪セラミック組成物:
上記の第一及び第二の圧電/電歪セラミック組成物の調製方法によって作製した粒子状の圧電/電歪セラミック組成物の平均粒子径は0.03〜1.0μmであることが好ましく、0.05〜0.5μmであることが更に好ましい。
なお、上述の粒子径の調整は、粉砕して得られた圧電/電歪セラミック組成物の粉末を400〜750℃で熱処理することにより行ってもよい。この際には、微細な粒子ほど他の粒子と一体化して粒子径の揃った粉末となり、粒子径が揃った圧電/電歪層とすることができるため好ましい。また、圧電/電歪セラミック組成物は、例えば、アルコキシド法や共沈法等によって調製してもよい。
[1-2]圧電/電歪層の形成方法:
本実施形態の圧電/電歪層を形成するための方法としては、圧電/ 電歪セラミック組成物に可塑剤や分散剤や溶媒等を加えて、ボールミル等の一般的な混合装置を用いてスラリー化した後、ドクターブレード等の一般的なシート成形機によりシート状に成形することができる。その後、切断し、所望の寸法の圧電/電歪層を形成する。
[1−3]第一電極、第二電極、共通電極の形成方法:
上記圧電/電歪層間に第一電極、第二電極、共通電極を形成するには、前記で所望の寸法にて作製した圧電/電歪層上に、例えばスクリーン印刷のような一般的な膜形成装置を用いて形成し、これらを順次積層し、加圧一体化する工程を経た後、電気炉等の加熱装置により焼成する。
[1−4]その他の圧電/電歪層:
また、上記圧電/電歪層中にAgを含むことが好ましい。
[1−5]定在波型圧電モータ:
更に、上記圧電/電歪層中一次縦−二次屈曲振動モードを利用した定在波型圧電モータであることも望ましい実施形態の一つである。
更に、上記圧電モータであって、一次縦共振周波数および二次屈曲共振周波数の温度変化が、−40℃から80℃の温度範囲において1.0%以内であることが好ましく、より好ましいのは0.8%以内であること、更に、0.6%以内であることが好ましい。
以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
(実施例1)
PbOを68.5質量%、TiOを11.7質量%、ZrOを17.5質量%、Sbを0.90質量%、Nbを0.82質量%、MnCOをMnO換算で0.60質量%となるように、各原料を量り取り、所定量の水と共にボールミルにて24時間の混合を行った。その後、調製スラリーを熱風乾燥機内に入れて蒸発・乾燥させた。得られた混合原料は、マグネシアのサヤ内に入れマグネシアの蓋をして、電気炉中で1000℃に加熱し仮焼・合成を行う。得られた仮焼物は、再度、所定量の水と共にボールミルにて所定時間の粉砕を行い、熱風乾燥機内にて蒸発・乾燥させ第一の二次原料とした。
次いで、PbOを53.3質量%、CuOを19.0質量%、WOを27.7質量%となるように各原料を量り取り、所定量の水と共にボールミルにて24時間の混合を行った。その後、調製スラリーを熱風乾燥機内に入れて蒸発・乾燥させた。得られた混合原料は、マグネシアのサヤ内に入れマグネシアの蓋をして、電気炉中で800℃に加熱し仮焼・合成を行う。得られた仮焼物は、再度、所定量の水と共にボールミルにて所定時間の粉砕を行い、熱風乾燥機内にて蒸発・乾燥させ第二の二次原料とした。
前記で調製した、第一の二次原料を97.4質量%、第二の二次原料を2.6質量%、で量り取り、所定量の水と共にボールミルにて24時間の混合を行った。その後、調製スラリーを熱風乾燥機内に入れて蒸発・乾燥させた。得られた混合原料は、マグネシアのサヤ内に入れマグネシアの蓋をして、電気炉中で800℃に加熱し仮焼・合成を行う。得られた仮焼物は、再度、所定量の水と共にボールミルにて所定時間の粉砕を行い、熱風乾燥機内にて蒸発・乾燥させ圧電セラミック組成物とした。
このようにして作製した圧電セラミック組成物粉末を、直径20mm、厚み7mmの円板形状に圧粉成形した後、マグネシアサヤ中に入れて、電気炉にて950℃で3時間保持して圧電セラミックバルクを作製した。得られた圧電セラミックバルクを12mm×3mm×1mmの形状に加工し、12mm×3mmの二面にAgペーストを塗布・熱処理して試験片を作製した。試験片は140℃のシリコンオイル中で、3kV/mmの電界を、15分間印加することで分極処理を行った。
この分極処理を行った試験片のヤング率は、EMAS6100に従って弾性コンプライアンスを測定し、その逆数として求めた。また、ヤング率の温度変化率を測定する場合は、恒温槽内で−40℃から80℃までの所定の温度で弾性コンプライアンスを測定し、その逆数として求めた。その結果、−40℃では83.4GPa、80℃では84.7GPaと、正の傾きを持っていることを確認した。
また、Ag−Pd電極材料のヤング率の温度変化は、所定温度において曲げ法によりヤング率を測定した。結果、−40℃では65.9GPa、80℃では64.6GPaと負の傾きを持っていることを確認した。
(実施例2)
PbOを68.5質量%、TiOを11.7質量%、ZrOを17.5質量%、Sbを0.90質量%、Nbを0.82質量%、MnCOをMnO換算で0.60質量%となるように、各原料を量り取り、所定量の水と共にボールミルにて24時間の混合を行った。その後、調製スラリーを熱風乾燥機内に入れて蒸発・乾燥させた。得られた混合原料は、マグネシアのサヤ内に入れマグネシアの蓋をして、電気炉中で1000℃に加熱し仮焼・合成を行う。得られた仮焼物は、再度、所定量の水と共にボールミルにて所定時間の粉砕を行い、熱風乾燥機内にて蒸発・乾燥させ第一の二次原料とした。
次いで、PbOを53.3質量%、CuOを19.0質量%、WOを27.7質量%となるように各原料を量り取り、所定量の水と共にボールミルにて24時間の混合を行った。その後、調製スラリーを熱風乾燥機内に入れて蒸発・乾燥させた。得られた混合原料は、マグネシアのサヤ内に入れマグネシアの蓋をして、電気炉中で800℃に加熱し仮焼・合成を行う。得られた仮焼物は、再度、所定量の水と共にボールミルにて所定時間の粉砕を行い、熱風乾燥機内にて蒸発・乾燥させ第二の二次原料とした。
前記で調製した、第一の二次原料を97.4質量%、第二の二次原料を2.6質量%、で量り取り、所定量の水と共にボールミルにて24時間の混合を行った。その後、調製スラリーを熱風乾燥機内に入れて蒸発・乾燥させた。得られた混合原料は、マグネシアのサヤ内に入れマグネシアの蓋をして、電気炉中で800℃に加熱し仮焼・合成を行う。得られた仮焼物は、再度、所定量の水と共にボールミルにて所定時間の粉砕を行い、熱風乾燥機内にて蒸発・乾燥させ圧電セラミック組成物とした。
こうして得られた圧電セラミック組成物を分散材、可塑剤、溶媒と共に混合してスラリーを調製し、ドクターブレード法にて圧電セラミックシートを成形した。圧電セラミックシートの厚みは、焼成後に40μmとなるように調製した。圧電セラミックシート上に70wt%Ag−30wt%Pd電極材料ペーストを所定形状で印刷形成したものを所定順序で36層分を積層してグリーンシート積層体を作製した。電極材料の厚みは、焼成後に1.5μmとなるように調製した。得られたグリーンシート積層体を電気炉中で900℃で焼成した後、長さ5.0mm×幅1.5mm×厚み1.5mmの寸法となるように機械加工した後、70wt%Ag−30wt%Pd電極材料ペーストにより側面電極を形成し、圧電素子とした。
(実施例3、4、比較例1、2)
各原料を下記の表1に示した割合となるように量り取り、実施例2と同様な方法にて圧電素子を作製した。
Figure 2007259700
(評価)
上記実施例及び比較例における、Q値、MnO量、共振周波数の温度変化率の数値を下記の表2に示した。なお、Q値、共振周波数の温度変化率の数値は、次式を用いて算出した。
Q値:(素子の共振周波数)/(共振周波数の半値幅)
共振周波数の温度変化率:(fmax−fmin)/f20
fmax:−40℃から80℃における最大の共振周波数
fmin:−40℃から80℃における最小の共振周波数
20:20℃における共振周波数
Figure 2007259700
実施例1〜3および比較例1〜3の圧電素子についてQ値を測定したところ、実施例のQ値はいずれも650を超えているのに対し、比較例1のQ値は31であった。また、比較例2では焼成後でも圧電層が緻密化していないために、Q値の測定ができなかった。実施例2に使用した圧電セラミック材料のヤング率は84.1GPaであり、電極に使用した70wt%Ag−30wt%Pd合金のヤング率は65.3GPaであった。従って、圧電セラミック材料のヤング率に対する、電極材料のヤング率の比率は0.78であった。これらの結果により、Q値が高いと共に、共振周波数の温度変化が小さい圧電/電歪素子が可能となることがわかる。
本発明は、超音波モータや、圧電トランス、発音体、アクチュエータ、センサ等の圧電/電歪素子、圧電/電歪セラミックス組成物及び圧電モータ等に利用できる。そして、本発明の圧電/電歪素子によれば、Q値が高いと共に、共振周波数の温度変化が小さい圧電/電歪素子を提供できる。
本発明の圧電/電歪素子の一実施形態を模式的に示す斜視図であって、概略斜視図である。 本発明の圧電/電歪素子の一実施形態を模式的に示す斜視図であって、図1の概略斜視図で示した圧電/電歪素子の構成をわかりやすく説明するために、各層で分解した、分解斜視図である。
符号の説明
1,2:圧電/電歪層、3:第一電極、4:第二電極、5:共通電極、6:側面電極。

Claims (13)

  1. 圧電/電歪体と、前記圧電/電歪体上に設けられた一対以上の電極とからなる圧電/電歪素子であって、
    前記圧電/電歪体に使用している圧電/電歪材料の共振周波数の温度変化率と、電極材料の共振周波数の温度変化率とが、−40℃から+80℃の温度範囲において、正負の符号が異なることを特徴とする圧電/電歪素子。
  2. 前記電極材料が金属材料からなり、前記圧電/電歪体に使用している圧電/電歪材料のヤング率の温度変化率と、前記金属材料のヤング率の温度変化率とが、−40℃から+80℃の温度範囲において、正負の符号が異なることを特徴とする請求項1に記載の圧電/電歪素子。
  3. 圧電/電歪層と内部電極層とが、交互に、複数、積層されてなる柱状積層体と、その柱状積層体の周面に設けられ、前記内部電極層のうち、極性の同じものを、それぞれ接続する一対の側面電極と、を有する請求項1又は2に記載の圧電/電歪素子。
  4. 前記圧電/電歪素子において、前記内部電極層に使用している金属材料のヤング率の温度変化率が、温度範囲において、−8.0%以上−1.0%以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
  5. 前記圧電/電歪素子において、前記圧電/電歪材料のヤング率の温度変化率が、−40℃から+80℃の温度範囲において、0%より大きく4.0%以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
  6. 前記圧電/電歪材料が、正方晶を主相とすることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
  7. 前記請求項1〜6のいずれかに記載の前記圧電/電歪体が、PbをPbO換算で65質量%以上70質量%以下含み、TiをTiO換算で7.0質量%以上16.0質量%以下含み、ZrをZrO換算で10.5質量%以上24.5質量%以下含み、SbをSb換算で0.65質量%以上1.05質量%以下含み、NbをNb換算で0.5質量%以上0.8質量%以下含み、CuをCuO換算で0.3質量%以上0.7質量%以下含み、WをWO換算で0.6質量%以上1.5質量%以下含み、MnをMnO換算で0.3質量%以上0.7質量%以下含み、CuとWのモル比が1.5:1以上2.5:1以下であることを特徴とする圧電/電歪セラミック組成物。
  8. 前記圧電/電歪セラミック組成物を主成分とする圧電/電歪体と、この圧電/電歪体上に設けられた一対以上の電極とからなることを特徴とする前記請求項1〜7のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
  9. 圧電/電歪層と内部電極層とが、交互に、複数、積層されてなる柱状積層体と、その柱状積層体の周面に設けられ、前記内部電極層のうち、極性の同じものを、それぞれ接続する一対の側面電極と、を有する圧電/電歪素子であって、前記圧電/電歪層のヤング率に対する、前記内部電極層のヤング率の比率(電極層のヤング率÷圧電/電歪層のヤング率)が0.75以上1.30以下であることを特徴とする前記請求項1〜8のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
  10. 前記圧電/電歪層のヤング率が60GPa以上100GPa以下であることを特徴とする前記請求項1〜9のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
  11. 前記圧電/電歪層中にAgを含むことを特徴とする前記請求項1〜10のいずれかに記載の圧電/電歪素子。
  12. 前記圧電/電歪層中一次縦−二次屈曲振動モードを利用した定在波型圧電モータであることを特徴とする前記請求項1〜11のいずれかに記載の圧電モータ。
  13. 前記請求項12の圧電モータであって、一次縦共振周波数および二次屈曲共振周波数の温度変化が、−40℃から80℃の温度範囲において1.0%以内であることを特徴とする請求項12に記載の圧電モータ。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011004679A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 日本碍子株式会社 圧電体/電歪体、圧電/電歪セラミックス組成物、圧電素子/電歪素子及び圧電モータ
KR20140075004A (ko) * 2011-10-20 2014-06-18 캐논 가부시끼가이샤 먼지 제거 디바이스 및 촬상 디바이스

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01200681A (ja) * 1988-02-05 1989-08-11 Mitsui Toatsu Chem Inc 電歪材料
JPH0570225A (ja) * 1991-09-09 1993-03-23 Hitachi Metals Ltd 圧電磁器組成物
JPH0672717A (ja) * 1992-08-24 1994-03-15 Honda Motor Co Ltd 圧電電歪材料
JPH07241090A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 超音波モータ
JPH10271857A (ja) * 1997-01-23 1998-10-09 Nikon Corp 振動アクチュエータとその製造方法
JP2004111851A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Canon Inc 圧電体素子の製造方法、圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド
JP2004161519A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Murata Mfg Co Ltd 圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電素子
WO2005043756A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-12 Agilent Technologies, Inc. Temperature-compensated film bulk acoustic resonator (fbar) devices
JP2006108639A (ja) * 2004-09-13 2006-04-20 Denso Corp 圧電アクチュエータ
JP2006188414A (ja) * 2004-12-07 2006-07-20 Murata Mfg Co Ltd 圧電磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品
JP2006269983A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Tdk Corp 積層型圧電素子及びその製造方法
WO2007066453A1 (ja) * 2005-12-08 2007-06-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層型圧電素子およびその製造方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01200681A (ja) * 1988-02-05 1989-08-11 Mitsui Toatsu Chem Inc 電歪材料
JPH0570225A (ja) * 1991-09-09 1993-03-23 Hitachi Metals Ltd 圧電磁器組成物
JPH0672717A (ja) * 1992-08-24 1994-03-15 Honda Motor Co Ltd 圧電電歪材料
JPH07241090A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Nikon Corp 超音波モータ
JPH10271857A (ja) * 1997-01-23 1998-10-09 Nikon Corp 振動アクチュエータとその製造方法
JP2004111851A (ja) * 2002-09-20 2004-04-08 Canon Inc 圧電体素子の製造方法、圧電体素子、インクジェット式記録ヘッド
JP2004161519A (ja) * 2002-11-12 2004-06-10 Murata Mfg Co Ltd 圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電素子
WO2005043756A1 (en) * 2003-10-30 2005-05-12 Agilent Technologies, Inc. Temperature-compensated film bulk acoustic resonator (fbar) devices
JP2006108639A (ja) * 2004-09-13 2006-04-20 Denso Corp 圧電アクチュエータ
JP2006188414A (ja) * 2004-12-07 2006-07-20 Murata Mfg Co Ltd 圧電磁器組成物、及び圧電セラミック電子部品
JP2006269983A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Tdk Corp 積層型圧電素子及びその製造方法
WO2007066453A1 (ja) * 2005-12-08 2007-06-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. 積層型圧電素子およびその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011004679A1 (ja) * 2009-07-10 2011-01-13 日本碍子株式会社 圧電体/電歪体、圧電/電歪セラミックス組成物、圧電素子/電歪素子及び圧電モータ
CN102471169A (zh) * 2009-07-10 2012-05-23 日本碍子株式会社 压电体/电致伸缩体、压电/电致伸缩陶瓷组合物、压电元件/电致伸缩元件以及压电电动机
US8456066B2 (en) 2009-07-10 2013-06-04 Ngk Insulators, Ltd. Piezoelectric / electrostrictive material, piezoelectric / electrostrictive ceramic composition, piezoelectric / electrostrictive element, and piezoelectric motor
JP5815404B2 (ja) * 2009-07-10 2015-11-17 日本碍子株式会社 圧電体/電歪体、圧電/電歪セラミックス組成物、圧電素子/電歪素子及び圧電モータ
KR20140075004A (ko) * 2011-10-20 2014-06-18 캐논 가부시끼가이샤 먼지 제거 디바이스 및 촬상 디바이스
EP2584622A3 (en) * 2011-10-20 2014-12-31 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric device, dust removing apparatus, and imaging apparatus
US9095882B2 (en) 2011-10-20 2015-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Piezoelectric device, dust removing apparatus, and imaging apparatus
US9252685B2 (en) 2011-10-20 2016-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Dust removing device and imaging device
KR101654681B1 (ko) * 2011-10-20 2016-09-07 캐논 가부시끼가이샤 먼지 제거 디바이스 및 촬상 디바이스

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