JP2006072308A - 有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、有機電界発光素子の単位画素領域上のデータラインまたはデータライン及び電源供給ラインを、絶縁膜をエッチングして形成したトレンチ上に形成して画素電極である第1電極を、クロス・トークのような不良発生なくデータラインまたはデータライン及び電源供給ラインの上部にオーバーラップするように形成する。
【選択図】図6
Description
綜合すれば、従来工程ではソース/ドレイン領域及びキャパシターの下部電極107上にコンタクトホール110のみをエッチングしたが、本願発明でコンタクトホール110を形成する工程でデータラインまたは電源供給ライン領域にトレンチ111、112も同時に形成することができる。即ち、従来工程であるコンタクトホールエッチング工程を利用してトレンチ111、112を形成することができる。この時、トレンチ111、112はマスクの形状またはコンタクトホールエッチング工程を調節することで、希望する幅、長さまたは深さで形成することができる。図に示したトレンチ111、112は最小限の大きさのみを図示したが、必要によってはさらに長く、さらに広く形成することができる。
112、309:電源供給ライン用トレンチ
115:データライン
116:電源供給ライン
120:第1電極
306:データライン及び電源供給ライン用トレンチ
Claims (28)
- 基板と、
前記基板上に形成された複数個の単位画素領域と、
前記それぞれの単位画素領域上に形成された複数個の薄膜トランジスタ、スキャンライン、データライン、絶縁膜、第1電極、少なくとも有機発光層を含む有機膜層及び第2電極と、を含み、
前記データラインの所定領域は前記絶縁膜上に形成されたトレンチ内部に形成されて、前記第1電極の所定領域が前記データラインの所定領域とオーバーラップするように形成される有機電界発光素子。 - 前記基板上の所定領域に形成されたキャパシター及び電源供給ラインをさらに含む請求項1に記載の有機電界発光素子。
- 前記スキャンライン、データライン及びキャパシターの下部電極は前記薄膜トランジスタのうちいずれか一つと電気的に連結されて、前記キャパシターの上部電極、電源供給ライン及び第1電極は前記薄膜トランジスタのうち他のいずれか一つと電気的に連結されて、前記キャパシターの上部電極は電源供給ラインと電気的に連結されている請求項1または2に記載の有機電界発光素子。
- 基板と、
前記基板上に形成された複数個の単位画素領域と、
前記それぞれの単位画素領域上に形成された複数個の薄膜トランジスタ、スキャンライン、データライン、電源供給ライン、絶縁膜、第1電極、少なくとも有機発光層を含む有機膜層及び第2電極と、を含み、
前記n番目単位画素領域の電源供給ラインの所定領域またはn+1番目単位画素領域のデータラインの所定領域のうちいずれか一つ以上は前記絶縁膜上に形成されたトレンチ内部に形成されて、前記第1電極の所定領域が前記データラインの所定領域及び電源供給ラインの所定領域とオーバーラップするように形成される有機電界発光素子。 - 前記単位画素領域の所定領域に形成されたキャパシターをさらに含む請求項4に記載の有機電界発光素子。
- 前記スキャンライン、データライン及びキャパシターの下部電極は前記薄膜トランジスタのうちいずれか一つと電気的に連結されて、前記キャパシターの上部電極、電源供給ライン及び第1電極は前記薄膜トランジスタのうち他のいずれか一つと電気的に連結されて、前記キャパシターの上部電極は電源供給ラインと電気的に連結されている請求項4または5に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極下部に平坦化層及びパッシベーション層をさらに含む請求項1または4に記載の有機電界発光素子。
- 前記平坦化層及びパッシベーション層の厚さ合計は2.3μm未満である請求項7に記載の有機電界発光素子。
- 前記データラインと前記第1電極との間の距離が2.3μm以上である請求項1または4に記載の有機電界発光素子。
- 前記トレンチは前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極用コンタクトホールを形成する時同時に形成される請求項1または4に記載の有機電界発光素子。
- 前記絶縁膜は層間絶縁膜、ゲート絶縁膜またはバッファー層のうちいずれか一つ以上である請求項1または4に記載の有機電界発光素子。
- 前記層間絶縁膜の厚さは2000ないし6000Åであって、ゲート絶縁膜の厚さは500ないし2000Åであって、バッファー層の厚さは1000ないし6000Åである請求項11に記載の有機電界発光素子。
- 前記トレンチの深さは6000ないし8000Åである請求項1または4に記載の有機電界発光素子。
- 前記トレンチは平坦化層とパッシベーション層との厚さの合計からデータラインまたは電源供給ラインの厚さを引いた値が2.3μm以上になる深さを有する請求項1または4に記載の有機電界発光素子。
- 基板を準備することと、
前記基板上にバッファー層、第1半導体層、第2半導体層、ゲート絶縁膜、スキャンライン、第1ゲート電極、第2ゲート電極及びキャパシターの下部電極を形成することと、
前記基板上に層間絶縁膜を形成することと、
前記基板上に第1ソース/ドレイン電極コンタクトホール、及び第2ソース/ドレイン電極コンタクトホールを形成し、前記基板上の領域のうち、データラインが形成される所定領域にトレンチを形成することと、
前記基板上に形成されたトレンチ内にデータラインを形成して、前記基板の所定領域にキャパシターの上部電極、第1ソース/ドレイン電極、第2ソース/ドレイン電極及び電源供給ラインを形成することと、
前記基板上にパッシベーション膜及び平坦化膜を形成することと、
前記平坦化膜及びパッシベーション膜の所定領域をエッチングして第2ソース/ドレイン電極の所定領域を露出させるビアホールを形成することと、
前記基板上に前記ビアホールを介して前記第2ソース/ドレイン電極とコンタクトし、前記データラインとオーバーラップする第1電極を形成することと、
前記基板上に単位画素定義膜、少なくとも有機発光層を含む有機膜及び第2電極を形成することと、からなる有機電界発光素子製造方法。 - 基板を準備することと、
前記基板上にバッファー層、第1半導体層、第2半導体層、ゲート絶縁膜、スキャンライン、第1ゲート電極、第2ゲート電極及びキャパシターの下部電極を形成することと、
前記基板上に層間絶縁膜を形成することと、
前記基板上に第1ソース/ドレイン電極コンタクトホール、及び第2ソース/ドレイン電極コンタクトホールを形成し、前記基板上の領域のうち、データラインと前記データラインに隣接する電源供給ラインとが形成される所定領域にトレンチを形成することと、
前記基板上に形成されたトレンチ内にデータライン及び前記データラインに隣接する電源供給ラインを形成して、前記基板の所定領域にキャパシターの上部電極、第1ソース/ドレイン電極及び第2ソース/ドレイン電極を形成することと、
前記基板上にパッシベーション膜及び平坦化膜を形成することと、
前記平坦化膜及びパッシベーション膜の所定領域をエッチングして第2ソース/ドレイン電極の所定領域を露出させるビアホールを形成することと、
前記基板上に前記ビアホールを介して前記第2ソース/ドレイン電極とコンタクトし、前記データラインと電源供給ラインとにオーバーラップする第1電極を形成することと、
前記基板上に単位画素定義膜、少なくとも有機発光層を含む有機膜及び第2電極を形成することと、からなる有機電界発光素子製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成されたスキャンライン、データライン及び電源供給ラインにより定義される複数個の単位領域と、
前記単位領域内に形成された複数個の薄膜トランジスタ及び複数個のキャパシターと、
前記単位領域内の一つの薄膜トランジスタと連結された第1電極と、
前記第1電極上に形成された少なくとも有機発光層を含む有機膜及び第2電極と、を含み、
前記データライン及び電源供給ラインの所定領域は絶縁膜をエッチングして形成されたトレンチ内部に形成されていて、
前記第1電極は一つの単位領域内に形成されたり、2個の単位領域にかけて形成されており、前記データライン及び電源供給ラインにオーバーラップする有機電界発光素子。 - 前記データライン及び電源供給ラインの所定領域は前記第1電極とオーバーラップするデータラインと電源供給ラインの領域よりは大きい領域である請求項17に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極は赤色、緑色及び青色の単位画素のうちいずれか一つの画素電極である請求項17に記載の有機電界発光素子。
- 前記絶縁膜は層間絶縁膜、ゲート絶縁膜またはバッファー層のうちいずれか一つ以上である請求項17に記載の有機電界発光素子。
- 前記層間絶縁膜の厚さは2000ないし6000Åであって、ゲート絶縁膜の厚さは500ないし2000Åであって、バッファー層の厚さは1000ないし6000Åである請求項20に記載の有機電界発光素子。
- 前記第1電極下部に平坦化層及びパッシベーション層をさらに含む請求項17に記載の有機電界発光素子。
- 前記平坦化層及びパッシベーション層の厚さ合計は2.3μm未満である請求項22に記載の有機電界発光素子。
- 前記データラインと前記第1電極との間の距離が2.3μm以上である請求項17に記載の有機電界発光素子。
- 前記トレンチは前記薄膜トランジスタのソース/ドレイン電極用コンタクトホールを形成する時同時に形成される請求項17に記載の有機電界発光素子。
- 前記トレンチの深さは6000ないし8000Åである請求項17に記載の有機電界発光素子。
- 前記トレンチは平坦化層とパッシベーション層との厚さの合計からデータラインまたは電源供給ラインの厚さを引いた値が2.3μm以上になる深さを有する請求項17に記載の有機電界発光素子。
- 基板を準備することと、
前記基板上にバッファー層を形成することと、
前記バッファー層上に半導体層及びゲート絶縁膜を形成することと、
前記基板上にゲート電極、スキャンライン、キャパシターの下部電極及び層間絶縁膜を形成することと、
前記層間絶縁膜、ゲート絶縁膜またはバッファー層のうちいずれか一つ以上をエッチングすることで、前記基板上にソース/ドレイン電極コンタクトホール及びトレンチを形成することと、
前記基板上にソース/ドレイン電極、キャパシターの上部電極を形成し、前記トレンチ内に所定領域が形成されるようにデータライン及び電源供給ラインを形成することと、
前記基板上にパッシベーション層及び平坦化層を形成することと、
前記平坦化層及びパッシベーション層の所定領域をエッチングすることで、ソース/ドレイン電極の所定領域を露出させるビアホールを形成することと、
前記基板上に第1電極形成物質を形成することと、
前記第1電極形成物質をパターニングすることで、前記ビアホールにより露出したソース/ドレイン電極の所定領域と連結され、前記スキャンライン、データライン及び電源供給ラインにより定義される一つの単位領域または二つ以上の単位領域にかけて第1電極を形成することと、
前記第1電極上に少なくとも有機発光層を含む有機膜及び第2電極を形成することと、からなる有機電界発光素子製造方法。
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