JP2006054359A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体装置は、少なくとも2つの半導体チップ16,20が接着剤層18を介して積層され、フィラー24入りのモールド樹脂22によって封止されている半導体装置において、モールド樹脂22に含まれるフィラー24の大きさは接着剤層18の厚さよりも大きい構成とする。また、接着剤層の面積は上側の半導体チップの下面の面積より大きい構成とする。
【選択図】 図1
Description
このような、積層型半導体装置においては、半導体チップは接着剤層を介して積層され、モールド樹脂で封止されている。最近はその情報量の多さよりメモリ容量の増大のため、3つ以上の半導体チップを積層してモールド樹脂で封止した半導体装置も開発されている。
12 基板
14 接着剤層
16 下側半導体チップ
18 接着剤層
20 上側半導体チップ
22 モールド樹脂
24 フィラー
26 金属バンプ
Claims (4)
- 少なくとも2つの半導体チップが接着剤層を介して積層され、フィラー入りのモールド樹脂によって封止されている半導体装置において、モールド樹脂に含まれるフィラーの大きさは接着剤層の厚さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
- 少なくとも2つの半導体チップが接着剤層を介して積層され、フィラー入りのモールド樹脂によって封止されている半導体装置において、接着剤層の面積は上側の半導体チップの下面の面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1又は2に記載の半導体装置において、前記接着剤層はフィルムタイプの接着剤からなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1に記載の半導体装置において、前記モールド樹脂に含まれるフィラーの大きさは30〜75μmであり、前記接着剤層の厚さは25μmであることを特徴とする半導体装置。
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