JP2006049910A - フォトリトグラフィー処理用マスクブランクの製造方法及びマスクブランク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前面4及び背面3を有する基板2を供する工程と、基板背面上へ導電性層5を蒸着する工程と、基板前面上へ少なくとも第一層6及び第二層9から成るコーティングを蒸着する工程と、前面4上の少なくとも1つの所定の位置に取扱い部分が形成され、取り扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いてマスクブランク1を取り扱えるように設計され、第一層6は、マスクブランク1がその前面から取り扱われる時に、機械的クランプ手段あるいは取扱い装置によって第一層6が圧迫されるように、取扱い部分のそれぞれにおいて露出される構成とする。
【選択図】図1
Description
前面及び背面を有する基板を供する工程と、
前記基板背面上へ導電性層を蒸着する工程と、
前記基板前面上へ少なくとも第一層及び第二層から成るコーティングを蒸着する工程と、
前記コーティングをフォトリトグラフィー処理のため構造化する工程から構成されるフォトリトグラフィー処理、特にEUVリトグラフィー処理に用いられるマスクブランクの製造方法であって、
前記前面上の少なくとも1つの所定の位置に取扱い部分が形成され、前記取扱い部分にはフォトリトグラフィー処理のための構造化が為されておらず、また前記取扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いて取扱えるように設計され、
前記第一層は、前記マスクブランクがその前面から取扱われる時に、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置によって前記第一層が圧迫されるように、前記取扱い部分のそれぞれに露出されることを特徴とする前記マスクブランク製造方法が提供される。
図面中の同一符号は同一あるいは本質的に同じ方式で作用する構成要素あるいは構成要素群を示す。
図6に示すように、マスク基板が同一静電チャックあるいは異なる静電チャックで基板背面から保持される時に、前記吸収層をマスク基板前面上へ蒸着することも勿論可能である。
2:基板
3:背面
4:前面
5:導電性背面コーティング
6:Si/Mo多層状層
7:基板2側壁上Si/Mo多層状層
8:接触点
9:緩衝層
10:吸収層
11:基板2側壁上緩衝層
15:基板2縁部
16:緩衝層9中の切欠き
20:パターン部分
21:無構造化部分
22:取扱い部分
22a:マスクブランク1角部に近接した取扱い部分
22b:中央取扱い部分
22c:さらに別の取扱い部分
Claims (31)
- 前面(4)及び背面(3)を有する基板(2)を供する工程と、
前記基板背面上へ導電性層(5)を蒸着する工程と、
前記基板前面上へ少なくとも第一層(6)及び第二層(9)から成るコーティングを蒸着する工程と、
前記コーティング(6,9)をフォトリトグラフィー処理のため構造化する工程から構成される、フォトリトグラフィー処理、特にEUVリトグラフィー処理において用いるマスクブランク(1)の製造方法であって、
前記前面(4)上の少なくとも1つの所定の位置に取扱い部分(22;22a−22c)が形成され、前記取扱い部分にはフォトリトグラフィー処理のための構造化が為されておらず、また前記取り扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いてマスクブランク(1)を取り扱えるように設計され、及び
前記第一層(6)は、前記マスクブランク(1)がその前面から取り扱われる時に、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記第一層(6)に当接されるように前記取扱い部分(22;22a−22c)のそれぞれにおいて露出されることを特徴とする前記製造方法。 - 前記コーティング(6,9)が、基板(2)側壁の少なくとも一部も被覆されるように蒸着され、及び前記コーティング(6,9)が導電性であることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記コーティング(6,9)がさらに前記基板(2)背面上の前記導電性コーティング(5)と接触するように蒸着されることを特徴とする請求項2項記載の方法。
- 前記基板(2)が前記導電性層(5)を蒸着するために機械的クランプ手段あるいは取扱い装置によって保持され、及び前記基板が静電チャックによって保持されている間に前記第一層(6)が前記基板前面上へ蒸着されるように、前記基板がその前面上への前記第一層(6)の蒸着に先立って静電チャックへ移されることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記コーティング(6,9)の表面がSiまたはSiO2から成ることを特徴とする請求項4項記載の方法。
- 前記第一層がSi/Moの多層から形成されることを特徴とする請求項5項記載の方法。
- 前記第一層(6)上へ応力補正層(9)がさらに形成され、前記応力補正層が前記第二層を形成することを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載の方法。
- 前記応力補正層がCrまたはSiO2から成ることを特徴とする請求項7項記載の方法。
- 前記応力補正層(9)で前記基板(2)側壁が取り巻かれるように前記応力補正層が形成されることを特徴とする請求項7または8に記載の方法。
- フォトリトグラフィー処理のために用いられる放射線を弱めあるいは吸収するため、前記マスクブランク(1)前面上へ吸収層(10)がさらに蒸着されることを特徴とする請求項4〜9のいずれかに記載の方法。
- 前記応力補正層(9)及び前記吸収層(10)の蒸着に先立って前記基板(2)が機械的クランプ手段あるいは取扱い装置へ移され、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が基板背面(3)から基板(2)を保持し、前記応力補正層(9)及び前記吸収層(10)がそれぞれ所定の取扱い部分(22)に少なくとも1個の開口部を有して形成され、かつ前記取扱い部分の下方に位置する前記第一層(6)が露出されるように、前記基板(2)の前面(4)上の少なくとも一部分がマスクされることを特徴とする請求項4〜10のいずれかに記載の方法。
- 前記吸収層(10)の蒸着に先立って前記基板(2)が機械的クランプ手段あるいは取扱い装置へ移され、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記背面(3)から前記基板(2)を保持し、前記吸収層(10)がそれぞれ所定の取扱い部分(22)に少なくとも1個の開口部を有して形成され、かつ前記取扱い部分の下方に位置する前記第一層(6)が露出されるように、前記基板(2)の前記前面(4)上の少なくとも一部分がマスクされることを特徴とする請求項4〜10のいずれかに記載の方法。
- 前記吸収層(10)がCr、TaN、あるいはドープされたTaNから成ることを特徴とする請求項10〜12のいずれかに記載の方法。
- 前記吸収層(10)がイオンビーム補助スパッタリングによって形成されることを特徴とする請求項10〜13のいずれかに記載の方法。
- 前記基板背面(3)上への前記導電性層(5)の蒸着に先立って応力補正層が最初に処理されることを特徴とする請求項1〜14のいずれかに記載の方法。
- 前記応力補正層がその組成として、
タンタルを含量として45〜65原子%の範囲内、好ましくは47〜62原子%の範囲内、及び、
窒素を含量として35〜55原子%の範囲内、好ましくは38〜50原子%の範囲内で含み、
前記応力補正層の厚さが172nm〜178nmの範囲内、好ましくは175nmであることを特徴とする請求項15項記載の方法。 - 前記導電性層(5)がその組成として、
クロムを含量として88%〜90原子%の範囲内、好ましくは88.5〜89.5原子%の範囲内、
窒素を含量として9〜11.5原子%の範囲内、好ましくは9〜11.5原子%の範囲内、及び
炭素を含量として0.7〜0.9原子%の範囲内で、また好ましくは0.8原子%含み、
前記導電性層(5)の厚さが58nm〜62nmの範囲内、好ましくは60nmであることを特徴とする請求項1〜16のいずれかに記載の方法。 - 前面(4)及び背面(3)を有する基板(2)、
マスクブランク(1)を静電チャックを用いて保持できるように、前記基板背面上へ蒸着される導電性層(5)、及び
前記基板(2)の前面上へ蒸着されるコーティング(6,9)から構成されるフォトリトグラフィー処理、特にEUVリトグラフィー処理に用いるマスクブランクであって、
前記前面上の少なくとも1つの所定位置に取扱い部分(22;22a−22c)がそれぞれ設けられ、前記取扱い部分がフォトリトグラフィー処理のために構造化されていないかあるいは設けられておらず、及び前記取扱い部分が機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いて前記マスクブランク(1)を取り扱うように設計されており、
前記コーティングが少なくとも第一層(6)及び第二層(9)から構成され、マスクブランク(1)がその前面から取り扱われる場合、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記第一層(6)に当接するように、前記第一層(6)が前記それぞれの取扱い部分(22;22a−22c)において露出されることを特徴とする前記マスクブランク。 - 前記コーティング(6,9)によって前記基板(2)の側壁の少なくとも一部がさらに被覆され、前記コーティング(6,9)が導電性であることを特徴とする請求項18項記載のマスクブランク。
- 前記コーティング(6,9)が前記基板背面上において前記導電性層(5)とさらに接触することを特徴とする請求項19項記載のマスクブランク。
- 前記コーティング(6,9)の表面がSiまたはSiO2から成ることを特徴とする請求項20項記載のマスクブランク。
- 前記コーティングがSi/Moの多層から成る多層状層(6)に形成されていることを特徴とする請求項21項記載のマスクブランク。
- 前記コーティングに応力補正層(9)がさらに含まれることを特徴とする請求項20〜22のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記応力補正層にCrあるいはSiO2が含まれることを特徴とする請求項23項記載のマスクブランク。
- 前記応力補正層(9)によって基板(2)側壁が取り巻かれていることを特徴とする請求項23または24に記載のマスクブランク。
- 前記取扱い部分(22)の下方に位置する前記第一層(6)が露出されるように、前記応力補正層(9)が所定の取扱い部分(22)のそれぞれに形成される少なくとも1個の開口部を有することを特徴とする請求項23〜25のいずれかに記載のマスクブランク。
- フォトリトグラフィー処理のために用いられる放射線を弱めあるいは吸収するため、マスクブランク前面上へ吸収層(10)がさらに蒸着されることを特徴とする請求項19〜26のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記吸収層(10)がCr、TaN、またはドープされたTaNから成ることを特徴とする請求項27項記載のマスクブランク。
- 前記導電性層(5)と前記基板背面(3)との間に応力補正層が設けられることを特徴とする請求項18〜28のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記応力補正層がその組成として、
タンタルを含量として45〜65原子%の範囲内、好ましくは47〜62原子%の範囲内、及び、
窒素を含量として35〜55原子%の範囲内、好ましくは38〜50原子%の範囲内で含み、
前記応力補正層の厚さが172nm〜178nmの範囲内、好ましくは175nmであることを特徴とする請求項29項記載のマスクブランク。 - 前記導電性層(5)がその組成として、
クロムを含量として88%〜90原子%の範囲内、好ましくは88.5〜89.5原子%の範囲内、
窒素を含量として9〜11.5原子%の範囲内、好ましくは9.5〜11原子%の範囲内、及び
炭素を含量として0.7〜0.9原子%の範囲内で、また好ましくは0.8原子%含み、
前記導電性層(5)の厚さが58nm〜62nmの範囲内、好ましくは60nmであることを特徴とする請求項18〜30のいずれかに記載のマスクブランク。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008072706A1 (ja) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Asahi Glass Company, Limited | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板 |
JP2009071126A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線用反射型フォトマスク及び半導体素子の製造方法 |
JP2012069925A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Uv又はeuvリソグラフィ用の光学素子 |
JP2015025894A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
US8967608B2 (en) | 2011-01-18 | 2015-03-03 | Asahi Glass Company, Limited | Glass substrate-holding tool and method for producing an EUV mask blank by employing the same |
JPWO2014021235A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2016-07-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP2017219841A (ja) * | 2016-06-03 | 2017-12-14 | カール ツアイス メディテック アクチエンゲゼルシャフト | 光学要素を製造する方法 |
JP2020021898A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、およびインプリントモールドの製造方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101396849B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2014-05-19 | 주식회사 에스앤에스텍 | 후면 적층막을 가지는 블랭크 마스크 및 포토마스크와 그제조방법 |
US8658333B2 (en) * | 2012-06-04 | 2014-02-25 | Nanya Technology Corporation | Reflective mask |
KR20140016662A (ko) | 2012-07-30 | 2014-02-10 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 극자외선 리소그래피용 마스크 및 그 제조방법, 마스크 정렬도 에러 보정방법 |
US11294271B2 (en) | 2020-04-30 | 2022-04-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Mask for extreme ultraviolet photolithography |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61151333U (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-18 | ||
JPS6370524A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布方法 |
JPH01142636A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Hoya Corp | 露光方法並びにこの露光方法に使用するフォトマスクブランク及びフォトマスクブランクの保持具 |
JPH021851A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-01-08 | Nec Corp | 電子線露光用マスクブランク |
JPH0440456A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-10 | Matsushita Electron Corp | フォトマスクの製造方法 |
JPH09306808A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Toshiba Mach Co Ltd | マスクブランク導通機構 |
JPH11149152A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 接地方法およびフォトマスクブランクス |
JP2002222764A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-08-09 | Hoya Corp | 多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法 |
JP2003501823A (ja) * | 1999-06-07 | 2003-01-14 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 反射マスク基板のコーティング |
US20040041102A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Frank-Michael Kamm | Method and configuration for compensating for unevenness in the surface of a substrate |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03212916A (ja) * | 1990-01-18 | 1991-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層薄膜コンデンサ |
JP3193863B2 (ja) * | 1996-01-31 | 2001-07-30 | ホーヤ株式会社 | 転写マスクの製造方法 |
JP2001291661A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Fujitsu Ltd | 反射型マスク製造方法 |
US6737201B2 (en) * | 2000-11-22 | 2004-05-18 | Hoya Corporation | Substrate with multilayer film, reflection type mask blank for exposure, reflection type mask for exposure and production method thereof as well as production method of semiconductor device |
US6803156B2 (en) * | 2001-08-01 | 2004-10-12 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Electrostatic damage (ESD) protected photomask |
DE10317792A1 (de) * | 2003-04-16 | 2004-11-11 | Schott Glas | Maskenrohling zur Verwendung in der EUV-Lithographie und Verfahren zu dessen Herstellung |
-
2004
- 2004-08-06 DE DE102004038548A patent/DE102004038548A1/de not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-08-03 JP JP2005224943A patent/JP2006049910A/ja active Pending
- 2005-08-05 KR KR1020050071635A patent/KR20060050241A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-08-08 TW TW094126829A patent/TW200628969A/zh unknown
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61151333U (ja) * | 1985-03-12 | 1986-09-18 | ||
JPS6370524A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布方法 |
JPH01142636A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-05 | Hoya Corp | 露光方法並びにこの露光方法に使用するフォトマスクブランク及びフォトマスクブランクの保持具 |
JPH021851A (ja) * | 1988-06-09 | 1990-01-08 | Nec Corp | 電子線露光用マスクブランク |
JPH0440456A (ja) * | 1990-06-06 | 1992-02-10 | Matsushita Electron Corp | フォトマスクの製造方法 |
JPH09306808A (ja) * | 1996-05-14 | 1997-11-28 | Toshiba Mach Co Ltd | マスクブランク導通機構 |
JPH11149152A (ja) * | 1997-11-17 | 1999-06-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 接地方法およびフォトマスクブランクス |
JP2003501823A (ja) * | 1999-06-07 | 2003-01-14 | ザ、リージェンツ、オブ、ザ、ユニバーシティ、オブ、カリフォルニア | 反射マスク基板のコーティング |
JP2002222764A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-08-09 | Hoya Corp | 多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法 |
US20040041102A1 (en) * | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Frank-Michael Kamm | Method and configuration for compensating for unevenness in the surface of a substrate |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI412066B (zh) * | 2006-12-15 | 2013-10-11 | Asahi Glass Co Ltd | A reflective mask substrate for EUV microfilm, and a substrate having a functional film attached to the mask substrate |
WO2008072706A1 (ja) * | 2006-12-15 | 2008-06-19 | Asahi Glass Company, Limited | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板 |
JPWO2008072706A1 (ja) * | 2006-12-15 | 2010-04-02 | 旭硝子株式会社 | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板 |
US8003282B2 (en) | 2006-12-15 | 2011-08-23 | Asahi Glass Company, Limited | Reflective mask blank for EUV lithography, and substrate with functional film for the mask blank |
KR101585696B1 (ko) | 2006-12-15 | 2016-01-14 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, 및 그 마스크 블랭크용의 기능막이 형성된 기판 |
JP2012178577A (ja) * | 2006-12-15 | 2012-09-13 | Asahi Glass Co Ltd | Euvリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板 |
JP2009071126A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Toppan Printing Co Ltd | 極端紫外線用反射型フォトマスク及び半導体素子の製造方法 |
JP2012069925A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-04-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Uv又はeuvリソグラフィ用の光学素子 |
US8967608B2 (en) | 2011-01-18 | 2015-03-03 | Asahi Glass Company, Limited | Glass substrate-holding tool and method for producing an EUV mask blank by employing the same |
JPWO2014021235A1 (ja) * | 2012-07-31 | 2016-07-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク及びその製造方法、反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP2015025894A (ja) * | 2013-07-25 | 2015-02-05 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
JP2017219841A (ja) * | 2016-06-03 | 2017-12-14 | カール ツアイス メディテック アクチエンゲゼルシャフト | 光学要素を製造する方法 |
US11474281B2 (en) | 2016-06-03 | 2022-10-18 | Carl Zeiss Meditec Ag | Optical element and method of making an optical element |
JP2020021898A (ja) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | Hoya株式会社 | マスクブランク、およびインプリントモールドの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20060050241A (ko) | 2006-05-19 |
DE102004038548A1 (de) | 2006-03-16 |
TW200628969A (en) | 2006-08-16 |
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