JPH03212916A - 多層薄膜コンデンサ - Google Patents
多層薄膜コンデンサInfo
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- JPH03212916A JPH03212916A JP862690A JP862690A JPH03212916A JP H03212916 A JPH03212916 A JP H03212916A JP 862690 A JP862690 A JP 862690A JP 862690 A JP862690 A JP 862690A JP H03212916 A JPH03212916 A JP H03212916A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、小形、軽量、低コスト化を図った多層薄膜コ
ンデンサに関するものである。
ンデンサに関するものである。
従来の技術
近年、機器の小形・軽量化志向、高集積回路の採用によ
る電子回路の高密度化あるいは、自動挿入機の普及など
に伴い、電子部品に対する小形化の要請がますます強く
なってきている。その中にあって、コンデンサも同様に
小形化へと種々の開発が試みられている。周知のように
コンデンサの単位体積当たりの静電容量は、誘電体の誘
電率に比例し、誘電体の厚さの自乗に反比例する。従っ
て、コンデンサの小形化を図るためには、誘電体の誘電
率を大きくするか、または誘電体の厚さを薄くすること
によシ大幅な小形化が可能となることかう多層薄膜コン
デンサについては既に多くの検討が行われている。この
種の多層薄膜コンデンサの薄膜積層法および積層構造は
、誘電体層と電極層とを交互に真空蒸着、スパッタリン
グ等の薄膜形成工法により積層した後、電極層からの引
出端子となる外部電極を導電ペーストを焼付けて形成さ
れている。
る電子回路の高密度化あるいは、自動挿入機の普及など
に伴い、電子部品に対する小形化の要請がますます強く
なってきている。その中にあって、コンデンサも同様に
小形化へと種々の開発が試みられている。周知のように
コンデンサの単位体積当たりの静電容量は、誘電体の誘
電率に比例し、誘電体の厚さの自乗に反比例する。従っ
て、コンデンサの小形化を図るためには、誘電体の誘電
率を大きくするか、または誘電体の厚さを薄くすること
によシ大幅な小形化が可能となることかう多層薄膜コン
デンサについては既に多くの検討が行われている。この
種の多層薄膜コンデンサの薄膜積層法および積層構造は
、誘電体層と電極層とを交互に真空蒸着、スパッタリン
グ等の薄膜形成工法により積層した後、電極層からの引
出端子となる外部電極を導電ペーストを焼付けて形成さ
れている。
ところで、従来の多層薄膜コンデンサでは、内部電極層
からの引出端子となる外部電極は、銀・パラジウム合金
等の微粉末からなる導電ペーストを塗布し、これを高温
にて焼付は処理することにより形成されていた。ここで
用いられている導電ペーストとしては高温での焼付けに
耐え得るように主として貴金属材料が用いられており、
このため極めて高価である。また、これらの外部電極は
導電ペーストの塗布から焼付は処理まで多くの工程を経
て形成されており、コンデンサのコストダウンの阻害要
因となっている。更に外部電極の形成には、高温での焼
付は処理が必要であるため、この高温に耐え得ない材料
、例えばアルミニウム等の金属材料や有機系の誘電体材
料等の応用が不可となっておシ、有用かつ廉価な材料の
導入を妨げる要因となっていた。そのため最近では、減
圧プラズマ溶射法により外部電極を形成する方法が検討
されてい乞。
からの引出端子となる外部電極は、銀・パラジウム合金
等の微粉末からなる導電ペーストを塗布し、これを高温
にて焼付は処理することにより形成されていた。ここで
用いられている導電ペーストとしては高温での焼付けに
耐え得るように主として貴金属材料が用いられており、
このため極めて高価である。また、これらの外部電極は
導電ペーストの塗布から焼付は処理まで多くの工程を経
て形成されており、コンデンサのコストダウンの阻害要
因となっている。更に外部電極の形成には、高温での焼
付は処理が必要であるため、この高温に耐え得ない材料
、例えばアルミニウム等の金属材料や有機系の誘電体材
料等の応用が不可となっておシ、有用かつ廉価な材料の
導入を妨げる要因となっていた。そのため最近では、減
圧プラズマ溶射法により外部電極を形成する方法が検討
されてい乞。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、減圧プラズマ溶射法で外部電極を形成す
る場合、絶縁基板と減圧プラズマ溶射法による金層薄膜
との付着力にバラツキが大きく、外部電極の剥離、カケ
等の不良が多発し、製品歩留の低下の原因となっていた
。
る場合、絶縁基板と減圧プラズマ溶射法による金層薄膜
との付着力にバラツキが大きく、外部電極の剥離、カケ
等の不良が多発し、製品歩留の低下の原因となっていた
。
本発明は、このような従来の多層薄膜コンデンサにおけ
る外部電極の形成に関わる問題点を解決し、絶縁基板と
外部電極層の付着力を安定させ製品歩留の向上を図るこ
とを目的とする。
る外部電極の形成に関わる問題点を解決し、絶縁基板と
外部電極層の付着力を安定させ製品歩留の向上を図るこ
とを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明の多層薄膜コンデンサは、絶縁基板の片面または
両面に3層以上の内部電極層と2層以上の誘電体層を交
互に積層すると共に、内部電極層を誘電体層に対して1
層毎に絶縁基板の両端方向に位置をずらせて配設し、か
つ、各内部電極層の一端部または他端部を外方に延長し
て、これら延長部分の端部を除く内部電極層と誘電体層
との積層部分より構成される薄膜積層部の外面を保護被
膜により被膜した多層薄膜コンデンサ素子の保護被膜に
被覆されていない前記内部電極層の延長部分端部を含む
絶縁基板の両端部の表面の平均中心線粗さ共RaをO,
OSμm以上とし、この部分に減圧プラズマ溶射法によ
り外部電極層を形成したことを特徴とするものである。
両面に3層以上の内部電極層と2層以上の誘電体層を交
互に積層すると共に、内部電極層を誘電体層に対して1
層毎に絶縁基板の両端方向に位置をずらせて配設し、か
つ、各内部電極層の一端部または他端部を外方に延長し
て、これら延長部分の端部を除く内部電極層と誘電体層
との積層部分より構成される薄膜積層部の外面を保護被
膜により被膜した多層薄膜コンデンサ素子の保護被膜に
被覆されていない前記内部電極層の延長部分端部を含む
絶縁基板の両端部の表面の平均中心線粗さ共RaをO,
OSμm以上とし、この部分に減圧プラズマ溶射法によ
り外部電極層を形成したことを特徴とするものである。
作用
上記した構成によシ、多層薄膜コンデンサ素子の絶縁基
板と減圧プラズマ溶射による外部電極層の付着力を安定
させることが可能となシ、多層薄膜コンデンサの製品歩
留の向上が図れる。
板と減圧プラズマ溶射による外部電極層の付着力を安定
させることが可能となシ、多層薄膜コンデンサの製品歩
留の向上が図れる。
実施例
以下に本発明について、図面を参照して具体的に説明す
る。
る。
図面は、本実施例に係る多層薄膜コンデンサの素子断面
を示すものである。図において、絶縁基板1の一面上に
は3層の内部電極層2と2層の誘電体層3が交互に積層
されている。内部電極層2ばそれぞれ誘電体層3に対し
て1層毎に絶縁基板1の両端方向に位置をずらせて配設
されて、隣合う内部電極層2と誘電体層3’i挾んで対
向している。このうち、絶縁基板1に接する下層の内部
電極層2は絶縁基板1の一端側外方に延長され、この延
長部分が上層の内部電極層2の延長部分と重合接合され
ており、また、中層の内部電極層2は絶縁基板1の他端
側方向に延長されて、この延長部分が絶縁基板1上に接
している。
を示すものである。図において、絶縁基板1の一面上に
は3層の内部電極層2と2層の誘電体層3が交互に積層
されている。内部電極層2ばそれぞれ誘電体層3に対し
て1層毎に絶縁基板1の両端方向に位置をずらせて配設
されて、隣合う内部電極層2と誘電体層3’i挾んで対
向している。このうち、絶縁基板1に接する下層の内部
電極層2は絶縁基板1の一端側外方に延長され、この延
長部分が上層の内部電極層2の延長部分と重合接合され
ており、また、中層の内部電極層2は絶縁基板1の他端
側方向に延長されて、この延長部分が絶縁基板1上に接
している。
これら内部電極層2の延長部分の端部を除く内部電極層
2と誘電体層3との積層部分により薄膜積層部人が構成
され、この薄膜積層部ムの外面およびその周辺の絶縁基
板1部分を全面的に被覆するように保護被膜4を形成し
、更に、この保護被膜4に被覆されていない各内部電極
層2の延長部分端部を含む絶縁基板1の両端部の面粗さ
をR&=O,OSμm以上とし、この部分にそれぞれ減
圧プラズマ溶射法により外部電極6を形成しである。
2と誘電体層3との積層部分により薄膜積層部人が構成
され、この薄膜積層部ムの外面およびその周辺の絶縁基
板1部分を全面的に被覆するように保護被膜4を形成し
、更に、この保護被膜4に被覆されていない各内部電極
層2の延長部分端部を含む絶縁基板1の両端部の面粗さ
をR&=O,OSμm以上とし、この部分にそれぞれ減
圧プラズマ溶射法により外部電極6を形成しである。
なお、前記絶縁基板1の構成材料としては、表面実装時
の高温に耐えるものであれば、アμミナ等の無機系材料
、ポリイミドフィルム等の有機系材料のいずれの材料で
も使用できる。内部電極材料としては、アルミニウム、
ニッケル、銅、錫。
の高温に耐えるものであれば、アμミナ等の無機系材料
、ポリイミドフィルム等の有機系材料のいずれの材料で
も使用できる。内部電極材料としては、アルミニウム、
ニッケル、銅、錫。
亜鉛、銀、金、白金、パラジウム等の金属材料。
またはこれらの合金の使用が可能である。誘電体3の材
料としては、基板材料と同様に、表面実装時の高温に耐
えるものであれば、無機系、有機系のいずれの材料でも
応用可能である。保護被膜4に用いられる材料としては
、プラズマCvDにより形成される窒化シリコン等の無
機薄膜やエポギシ樹脂等の有機膜の応用が可能である。
料としては、基板材料と同様に、表面実装時の高温に耐
えるものであれば、無機系、有機系のいずれの材料でも
応用可能である。保護被膜4に用いられる材料としては
、プラズマCvDにより形成される窒化シリコン等の無
機薄膜やエポギシ樹脂等の有機膜の応用が可能である。
特に耐熱性および防湿性に優れた特性を示す窒化シリコ
ン薄膜の応用により良好々結果が得られる。外部電極5
に用いられる材料としては、銅、チタン、錫亜鉛等の減
圧プラズマ溶射法で溶射可能な金属材料、またはこれら
の合金の使用が可能である。
ン薄膜の応用により良好々結果が得られる。外部電極5
に用いられる材料としては、銅、チタン、錫亜鉛等の減
圧プラズマ溶射法で溶射可能な金属材料、またはこれら
の合金の使用が可能である。
次に、本発明をより明確にするため、以下に具体例を掲
げ説明する。
げ説明する。
グレーズドアルミナ基板上に内部電極層2としてアルミ
ニウム膜を、誘電体層3としてポリュリア薄膜を用いて
積層した後、窒化シリコンから成る保護被膜4を施した
多層薄膜コンデンサ素子の保護被膜に被覆されていない
前記内部電極層の延長部分端部を含む絶縁基板の両端部
をブラヌト処理により表面の平均中心線粗さRa’i0
.05μmとし、この部分に減圧プラズマ溶射法により
外部電極層を形成した。前記多層薄膜コンデンサ30個
について外部電極をテープけがし試験したところ、剥離
の確認されたものけ0個であった。
ニウム膜を、誘電体層3としてポリュリア薄膜を用いて
積層した後、窒化シリコンから成る保護被膜4を施した
多層薄膜コンデンサ素子の保護被膜に被覆されていない
前記内部電極層の延長部分端部を含む絶縁基板の両端部
をブラヌト処理により表面の平均中心線粗さRa’i0
.05μmとし、この部分に減圧プラズマ溶射法により
外部電極層を形成した。前記多層薄膜コンデンサ30個
について外部電極をテープけがし試験したところ、剥離
の確認されたものけ0個であった。
比較例
実施例と同様に多層薄膜コンデンサ素子を作製し、この
多層薄膜コンデンサ素子の保護被膜に被覆されていない
内部電極層の延長部分端部を含む絶縁基板の両端部(平
均中心線粗さRa0.005μm)の部分に減圧プラズ
マ溶射法によシ外部電極層を形成した。この多層薄膜コ
ンデンサ素子30個について外部電極をテープはがし試
験したところ、17個について剥離が確認された。
多層薄膜コンデンサ素子の保護被膜に被覆されていない
内部電極層の延長部分端部を含む絶縁基板の両端部(平
均中心線粗さRa0.005μm)の部分に減圧プラズ
マ溶射法によシ外部電極層を形成した。この多層薄膜コ
ンデンサ素子30個について外部電極をテープはがし試
験したところ、17個について剥離が確認された。
発明の効果
以上のように本発明の多層薄膜コンデンサは、従来の多
層薄膜コンデンサに比べ、絶縁基板と外部tW層の付着
力を安定させ、製品歩留の向上が図れるものである。
層薄膜コンデンサに比べ、絶縁基板と外部tW層の付着
力を安定させ、製品歩留の向上が図れるものである。
図面は本発明の一実施例に係る多層薄膜コンデンサの断
面図である。 1・・・・・・絶縁基板、2・・・・・・内部電極層、
3・・・・・・誘電体層、4・・・・・・保護被膜、5
・・・・・・外部電極。
面図である。 1・・・・・・絶縁基板、2・・・・・・内部電極層、
3・・・・・・誘電体層、4・・・・・・保護被膜、5
・・・・・・外部電極。
Claims (1)
- 絶縁基板の片面または両面に3層以上の内部電極層と
2層以上の誘電体層を交互に積層すると共に、内部電極
層を誘電体層に対して1層毎に絶縁基板の両端方向に位
置をずらせて配設し、かつ各内部電極層の一端部または
他端部を外方に延長して、これら延長部分の端部を除く
内部電極層と誘電体層との積層部分より構成される薄膜
積層部の外面を保護被膜により被覆した多層薄膜コンデ
ンサ素子の保護被膜に被覆されていない前記内部電極層
の延長部分端部を含む絶縁基板の両端部の表面の平均中
心線粗さRaを0.05μm以上とし、この部分に減圧
プラズマ溶射法により外部電極層を形成したことを特徴
とする多層薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP862690A JPH03212916A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 多層薄膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP862690A JPH03212916A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 多層薄膜コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03212916A true JPH03212916A (ja) | 1991-09-18 |
Family
ID=11698162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP862690A Pending JPH03212916A (ja) | 1990-01-18 | 1990-01-18 | 多層薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03212916A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004038548A1 (de) * | 2004-08-06 | 2006-03-16 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines Maskenblank für photolithographische Anwendungen und Maskenblank |
-
1990
- 1990-01-18 JP JP862690A patent/JPH03212916A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004038548A1 (de) * | 2004-08-06 | 2006-03-16 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung eines Maskenblank für photolithographische Anwendungen und Maskenblank |
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