JPH04120713A - 多層薄膜コンデンサ - Google Patents
多層薄膜コンデンサInfo
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- JPH04120713A JPH04120713A JP24209890A JP24209890A JPH04120713A JP H04120713 A JPH04120713 A JP H04120713A JP 24209890 A JP24209890 A JP 24209890A JP 24209890 A JP24209890 A JP 24209890A JP H04120713 A JPH04120713 A JP H04120713A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、誘電体層と電極層を交互に積層した多層薄膜
コンデンサに関する。
コンデンサに関する。
従来の技術
近年、機器の小形・軽量化志向、高集積回路の採用によ
る電子回路の高密度化あるいは自動挿入機の普及などに
伴い電子部品に対する小形化の要請がますます強くなっ
てきている。その中にあって、コンデンサも同様に小形
化へと種々の開発が試みられている。
る電子回路の高密度化あるいは自動挿入機の普及などに
伴い電子部品に対する小形化の要請がますます強くなっ
てきている。その中にあって、コンデンサも同様に小形
化へと種々の開発が試みられている。
比例する。従ってコンデンサの小形化を図るためには、
誘電体の誘電率を大きくするが、誘電体の厚さを薄くす
ることによシ大幅な小形化が可能となることから多層薄
膜コンデンサについて多くの検討が行われている。
誘電体の誘電率を大きくするが、誘電体の厚さを薄くす
ることによシ大幅な小形化が可能となることから多層薄
膜コンデンサについて多くの検討が行われている。
この種の多層薄膜コンデンサの薄膜積層方法および積層
構造は、誘電体層と電極層とを交互に真空蒸着、スパッ
タリング等の薄膜形成方法によ多積層した後、電極層か
らの引き出し端子となる外部電極は、銀・パラジウム合
金等の微粉末からなる導電ペーストを塗布し、これを高
温にて焼付け処理することにより形成されている。
構造は、誘電体層と電極層とを交互に真空蒸着、スパッ
タリング等の薄膜形成方法によ多積層した後、電極層か
らの引き出し端子となる外部電極は、銀・パラジウム合
金等の微粉末からなる導電ペーストを塗布し、これを高
温にて焼付け処理することにより形成されている。
ところが、ここで用いられている導電ペーストは極めて
高価である。また、これらの外部電極に導電ペーストの
塗布から焼付は処理まで多くのユ程を経て形成されてお
シ、コンデンサのコストタウンの阻害要因となっている
。さらに、外部電柵の形成には、高温での焼付は処理が
必要である六め、この高温に耐え得ない材料、例えばア
ルミニウム等の金属材料や有機系の誘電体材料を用い々
コンデンサへは応用できない。
高価である。また、これらの外部電極に導電ペーストの
塗布から焼付は処理まで多くのユ程を経て形成されてお
シ、コンデンサのコストタウンの阻害要因となっている
。さらに、外部電柵の形成には、高温での焼付は処理が
必要である六め、この高温に耐え得ない材料、例えばア
ルミニウム等の金属材料や有機系の誘電体材料を用い々
コンデンサへは応用できない。
このため最近では、減圧プラズマ溶射法により外部電極
を形成する方法が検討されている。
を形成する方法が検討されている。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、減圧プラズマ溶射法で外部電極を形成し
た場合、はんだメツキ後の電極の表面粗さが粗いため、
はんだ回りが悪く、実装時にはんだ濡れ不良等の不良が
発止するという問題点を有していた。
た場合、はんだメツキ後の電極の表面粗さが粗いため、
はんだ回りが悪く、実装時にはんだ濡れ不良等の不良が
発止するという問題点を有していた。
本発明は、このような従来の多層薄膜コンデンサにおけ
る外部電極の形成に関わる問題点を解決し、減圧プラズ
マ溶射法により外部電極を形成する工法においても、実
装性に優れた多層薄膜コンデンサを実現することを目的
とする。
る外部電極の形成に関わる問題点を解決し、減圧プラズ
マ溶射法により外部電極を形成する工法においても、実
装性に優れた多層薄膜コンデンサを実現することを目的
とする。
課題を解決するための手段
上記の目的を達成するために本発明の多層薄膜コンデン
サは、絶縁基板の片面または両面に3層以上の内部電極
層と2層以上の誘電体層を交互に積層すると共に、内部
電極層を誘電体層に対して1層毎に?緑基板の両端方向
に位置ずれさせて配設し、かつ各内部電極層の一端部ま
たは他端部を外方に延長した延長部分により構成される
薄膜積層部の外面を保護被膜により被覆し、この保護被
覆に被覆されていない上記内部電極層の延長部分端部を
含む絶縁基板の両端部にそれぞれ減圧プラズマ溶射法を
用いて粒径6μm以下の銅粉末を溶射して外部電極を形
成するものである。
サは、絶縁基板の片面または両面に3層以上の内部電極
層と2層以上の誘電体層を交互に積層すると共に、内部
電極層を誘電体層に対して1層毎に?緑基板の両端方向
に位置ずれさせて配設し、かつ各内部電極層の一端部ま
たは他端部を外方に延長した延長部分により構成される
薄膜積層部の外面を保護被膜により被覆し、この保護被
覆に被覆されていない上記内部電極層の延長部分端部を
含む絶縁基板の両端部にそれぞれ減圧プラズマ溶射法を
用いて粒径6μm以下の銅粉末を溶射して外部電極を形
成するものである。
作 用
本発明は上記構成により、外部電極の電極表面を平滑化
することとなる。
することとなる。
実施例
以下、本発明の実施例を添付図面を参照しながら具体的
に説明する。
に説明する。
第1図は本発明に係る多層薄膜コンデンサの断面図であ
る。
る。
図において、絶縁基板1の一面上には、3層の内部電極
層2と2層の誘電体層3が交互に積層されている。内部
電極層2はそれぞれ誘電体層3に対して1層毎に絶縁基
板10両端方向に位置ずれさせて配設されて、隣合う内
部電極層2と誘電体層3を挟んで対向している。このう
ち、絶縁基板1に接する最下層の内部電極層2は絶縁基
板1の一端側外方に延長され、この延長部分が最上層の
内部電極層2の延長部分と重合接合されておシ、また中
層の内部電極層2は絶縁基板1の他端側外方に延長され
て、この延長部分が絶縁基板1上に接している。
層2と2層の誘電体層3が交互に積層されている。内部
電極層2はそれぞれ誘電体層3に対して1層毎に絶縁基
板10両端方向に位置ずれさせて配設されて、隣合う内
部電極層2と誘電体層3を挟んで対向している。このう
ち、絶縁基板1に接する最下層の内部電極層2は絶縁基
板1の一端側外方に延長され、この延長部分が最上層の
内部電極層2の延長部分と重合接合されておシ、また中
層の内部電極層2は絶縁基板1の他端側外方に延長され
て、この延長部分が絶縁基板1上に接している。
これら内部電極層2の延長部分の端部を除く内部電極層
2と誘電体層3との積層部分にょシ薄膜積層部Aが構成
され、この薄膜積層部Aの外面およびその周辺の絶縁基
板1部分を全面的に被覆するように保護被膜4を形成し
、さらにこの保護被膜4に被覆されていなり各内部電極
層2の延長部分端部を含む絶縁基板1の両端部には、そ
れぞれ減圧プラズマ溶射法により粒径6μm以下の銅を
溶射することにより外部電極6を形成しである。
2と誘電体層3との積層部分にょシ薄膜積層部Aが構成
され、この薄膜積層部Aの外面およびその周辺の絶縁基
板1部分を全面的に被覆するように保護被膜4を形成し
、さらにこの保護被膜4に被覆されていなり各内部電極
層2の延長部分端部を含む絶縁基板1の両端部には、そ
れぞれ減圧プラズマ溶射法により粒径6μm以下の銅を
溶射することにより外部電極6を形成しである。
さらにこの外部電極層6の表面に電気メツキ法によシは
んだ層6を形成しである。
んだ層6を形成しである。
なお、上記絶縁基板1の構成材料としては、表面実装時
の高温に耐えるものであれば、アルミナ等の無機系材料
、ポリイミドフィルム等の有機系のいずれの材料でも使
用できる。内部電極材料としては、アルミニウム、ニッ
ケル、銅、錫、亜鉛、銀。
の高温に耐えるものであれば、アルミナ等の無機系材料
、ポリイミドフィルム等の有機系のいずれの材料でも使
用できる。内部電極材料としては、アルミニウム、ニッ
ケル、銅、錫、亜鉛、銀。
金、白金、パラジウム等の金属材料またはこれらの合金
の使用が可能である。誘電体層3の材料としては、基板
材料と同様に、表面実装時の高温に耐えるものであれば
、無機系、有機系のいずれの材料でも応用可能である。
の使用が可能である。誘電体層3の材料としては、基板
材料と同様に、表面実装時の高温に耐えるものであれば
、無機系、有機系のいずれの材料でも応用可能である。
保護被覆4に用いられる材料としては、プラズマCVD
により形成される窒化シリコン等の無機薄膜やエポキシ
樹脂等の有機膜の応用が可能である。特に、耐熱性およ
び防湿性に優れた特性を示す窒化シリコン薄膜の応用に
より良好な結果が得られる。
により形成される窒化シリコン等の無機薄膜やエポキシ
樹脂等の有機膜の応用が可能である。特に、耐熱性およ
び防湿性に優れた特性を示す窒化シリコン薄膜の応用に
より良好な結果が得られる。
次に、本発明をよシ明確にするため、以下に実施例を掲
げる。
げる。
実施例1
アルミナ基板1上に、内部電極層2としてアルミニウム
膜を、誘電体層3としてポリュリア薄膜を用いて積層し
た後、窒化シリコンからなる保護被膜4を施し、その上
に粒径が1〜2μmの銅粉末を減圧プラズマ溶射法を用
いて外部電極層5を形成した。この外部電極層5の表面
に電気メツキ法を用いてはんだ層6を形成した。
膜を、誘電体層3としてポリュリア薄膜を用いて積層し
た後、窒化シリコンからなる保護被膜4を施し、その上
に粒径が1〜2μmの銅粉末を減圧プラズマ溶射法を用
いて外部電極層5を形成した。この外部電極層5の表面
に電気メツキ法を用いてはんだ層6を形成した。
実施例2
粒径が1〜5μmの銅粉末を減圧プラズマ溶射法を用い
て外部電極層5を形成した以外は実施例1と同じ構成と
した。
て外部電極層5を形成した以外は実施例1と同じ構成と
した。
比較例1
粒径が5μmを超え10μm以下の銅粉末を用いて減圧
プラズマ溶射法によシ外部電極層5を形成した以外は実
施例1と同じ構成とした。
プラズマ溶射法によシ外部電極層5を形成した以外は実
施例1と同じ構成とした。
比較例2
粒径が10〜20μmの銅粉末を用いて減圧プラズマ溶
射法によ)外部電極層6を形成した以外な実施例1と同
じ構成とした。
射法によ)外部電極層6を形成した以外な実施例1と同
じ構成とした。
上記実施例1.実施例2.比較例1.比較例2較例1に
ついては、5個のはんだ濡れの不良が発生した。比較例
2については12個のはんだ濡れの不良が発生した。実
施例1.実施例2については不良の発生は0個であった
。なお、はんだ濡れの評価は電極表面積の95%以上が
新しいはんだで覆われたものを良品とした。
ついては、5個のはんだ濡れの不良が発生した。比較例
2については12個のはんだ濡れの不良が発生した。実
施例1.実施例2については不良の発生は0個であった
。なお、はんだ濡れの評価は電極表面積の95%以上が
新しいはんだで覆われたものを良品とした。
発明の効果
以上のように本発明は、粒径5μm以下の銅粉末を減圧
プラズマ溶射法により溶射して外部電極を形成すること
によυ、表面実装性に優れた外部電極を得ることができ
、コンデンサの小形、 軽を低コスト化が図れ、産業利
用上の効果は大なるものでおる。
プラズマ溶射法により溶射して外部電極を形成すること
によυ、表面実装性に優れた外部電極を得ることができ
、コンデンサの小形、 軽を低コスト化が図れ、産業利
用上の効果は大なるものでおる。
第1図は本発明の実施例に保る多層薄膜コンデンサの断
面図である。 1・・・・・・絶縁基板、2・・・・・内部電極層、3
・・・誘電体層、4・・・・・・保護被膜、5・・・・
・・外部電極、6・・・・・・はんだ層。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか2名化嗜基
叛 円 s1覗r−11 を食型」本27g! イ→r 項 才9之 用叱 クト t15 mき、@L 1よ ん r=’ 4
面図である。 1・・・・・・絶縁基板、2・・・・・内部電極層、3
・・・誘電体層、4・・・・・・保護被膜、5・・・・
・・外部電極、6・・・・・・はんだ層。 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか2名化嗜基
叛 円 s1覗r−11 を食型」本27g! イ→r 項 才9之 用叱 クト t15 mき、@L 1よ ん r=’ 4
Claims (1)
- 絶縁基板の片面または両面に3層以上の内部電極層と
2層以上の誘電体層を交互に積層すると共に、内部電極
層を誘電体層に対して1層毎に絶縁基板の両端方向に位
置ずれさせて配設し、かつ各内部電極層の一端部または
他端部を外方に延長した延長部分の端部を除く内部電極
層と誘電体層との積層部分より構成される薄膜積層部の
外面を保護被膜により被覆し、この保護被膜に被覆され
ていない前記内部電極層の延長部分端部を含む絶縁基板
の両端部にそれぞれ減圧プラズマ溶射法を用いて粒径5
μm以下の銅粉末を溶射して外部電極を形成したことを
特徴とする多層薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24209890A JPH04120713A (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 多層薄膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24209890A JPH04120713A (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 多層薄膜コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04120713A true JPH04120713A (ja) | 1992-04-21 |
Family
ID=17084275
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24209890A Pending JPH04120713A (ja) | 1990-09-11 | 1990-09-11 | 多層薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04120713A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008251974A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 薄膜部品及び製造方法 |
-
1990
- 1990-09-11 JP JP24209890A patent/JPH04120713A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008251974A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Tdk Corp | 薄膜部品及び製造方法 |
US7683269B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-03-23 | Tdk Corporation | Thin film device and method for manufacturing the same |
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