JPH02222124A - 多層薄膜コンデンサ - Google Patents
多層薄膜コンデンサInfo
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- JPH02222124A JPH02222124A JP4224289A JP4224289A JPH02222124A JP H02222124 A JPH02222124 A JP H02222124A JP 4224289 A JP4224289 A JP 4224289A JP 4224289 A JP4224289 A JP 4224289A JP H02222124 A JPH02222124 A JP H02222124A
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Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
産業上の利用分野
木光明(J、各種電子機器などに用いる多層薄膜コンデ
ン1)に関Jるものである。。 従来の技術 近年、電子機器の小形化、高密度実装化の要望にともな
い、部品メーカーの小形化対応は急速に進んでいる。こ
うした中で、コンf゛ンリも例外ではなく、小形化に向
ン1)に関Jるものである。。 従来の技術 近年、電子機器の小形化、高密度実装化の要望にともな
い、部品メーカーの小形化対応は急速に進んでいる。こ
うした中で、コンf゛ンリも例外ではなく、小形化に向
【ノて種々の聞yhが試みられている。二Jンデン4j
の単位体積当りの静電容量は、誘電体の誘電率に比例し
、誘電体の厚いの自乗に反比例する。したがって■1ン
デンリーの小形化は、誘電体の誘電率を大きくJるか、
または誘電体の厚さを薄くでることにより可能となる。 特に、誘電体の厚さを薄< t1″ることにより大幅な
小形化が実現てさ−ることがら、多層薄膜」ンデンリに
ついては既に多くの検問が行われており、多層薄膜:】
ンデンリ−の肋膜積層方法d5よびv1層構造は公知で
ある(たとえば、特開昭55−91112号公報、特開
昭56−144523号公報参照)。!Jなりち、誘電
体層と内部電極層とを交互に薄膜形成71]法により形
成・積苦し!ζ後、内部電極層からの引き出し端子とな
る外部電極を導電ペーストを焼き付けて形成した多層M
映ロンテンリが一般的に知られている。 発明が解決し、J:うとする課題 従来の多層A9膜」ンjンリてCま、内部電極層からの
電極引き出し端子となる外部電極は、銀・パラジウム合
金などの微粉末からなる導電ペースj〜を塗布し、これ
を高温にて焼き+Jcノ処哩処理ことにより形成されで
いる。ぞのため、々電ペース1〜は高温での焼きイ・」
のに耐え1qる必要かあり、Ir1としては主に白金i
u li+が用いられてd5す、極めて高価である。 しかもこれらの外部電極は塗布から焼きイ」()処理J
、て多くの1稈を経て形成されており、二1ンデ゛ンサ
の」ストタウンの阻害要因となっている。さらに外部電
極の形成には高温での焼さ″(d−L)処理が必要て゛
あるため、この高温に耐え得ない月利、たとえば゛アル
ミニウムなどの金属材料や有機系の誘電(A材料などの
使用が困難であり、有用かつ安価な月利の導入を妖【)
る要因どなっている。 木光明は、上記のような多層ai IIA ]コンテン
リにJ[プる外部電極の形成にかかる諸課題を解決し、
″]ンデンリの大幅な小形、軒昂、低コスi〜化を実現
した多層計Hφ二」ンランリを提供Jることを1m的と
するものである。 課題を解決−づるための手段 上記課題を解決ケるためにAX5で明の多層itt’W
−二1ンデン−りは、絶縁基板と、この絶縁基板の少な
くとも片面に3層以]−の内部電極層と2層以上の誘電
体層とを少なくとし1層1fつ交互に、かつ内部電極層
は1層ごとに」−下で絶縁基板の互いに反対側の端部方
向に延長して積層した薄膜積層部と、前記内部電PA層
の絶縁基板の端部方向へ延長した端部を除く薄膜積層部
Jりよびその周辺の絶縁基板を覆う保護被膜と、前記内
部電極層の絶縁基板の端部方向へ延長した端部を含む絶
縁基板の両端部に減1「プラズン溶射法にJ、つで形成
した外部電極とを備えたものである。1 作用 上記構成にJ、す、−」ンデンリの大幅な小形、軒品、
低−1ス1〜化が可能となることを伺認した。!、lな
わも、減nゾノス、/溶射〃、(外部電極を形成−する
ことにより、従来の導電ベースhを用いる方法と異なり
、品温での焼き(=J 4−J処理が不要なため、電極
4Aお1として銅、ニッケルなどの卑金属月利の使mが
可tIシどなるとと6に、有機系の誘;を体4層判の々
入も可能どなり、これによって白金属拐第31からなる
高価な導電ペーストを用いる従来の方法に比べ、有用か
つ安価な材料の々人により1判ニー1ス1−の大幅な低
減を図ることがでさ、ま〕J減圧ブラスン溶射〃、によ
る外部ffi極の形成に際し−では、導電ペーストを用
いる従来の方法とWなり、前後の処理工程を必要としな
いため大幅な]ニ数削減が可能となる。 実施例 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 第1図(よ本発明の一実施例の多層薄膜コンテン1)を
示J概略断面図である。第1図にd5いて、絶縁基板1
の上面に、3層の内部電極層2A、2B。 2Cと2層の誘電体層3A、3)3とを1層ずつ交互に
、かつ内部電極層2A、2+’3.2Cを1層ことに上
下で絶縁基板1の77いに反対側の端部方向に延長して
積層した薄膜積層部1を形成し、J、た保護被膜5を内
部電極層2A、2B、2Cの絶縁基板1の端部方向へ延
長した各端部を除く薄膜積層部/lおよびその周辺の絶
縁基板1を覆うにうにして形成し、さらに前記内部電極
層2A、2B。 2Cの絶縁基板1の端部方向へ延長した各端部を含む絶
縁基板1の両端部に、減圧プラズマ溶射法によって外部
電i6A、6Bを形成している。 絶縁基板1の材料としては、表面実装時の高温に耐える
ものであれば、1フルミノ゛なとの無僚系、ポリイミド
などの有機系のいずれの材料でも使用可能である。内部
電極層2A、28.2Cの材料としては、アルミニウム
、ニッケル、銅、錫、亜鉛、金、白金、銀、パラジウム
などの金属月利よたはこれらの合金の使用が可能である
。誘電体層3A、3[3の材料としては、絶縁基板1の
月利と同様に、表面実装時の高温に耐えるものであれば
、無機糸、有機系のいずれの月別でも使用可能である。 保護被膜5の材料として(J、プラズマCV DにJ、
り形成される窒化シリコンなどの無機7i?膜や1ポー
1シ樹脂などの右11膜の使用が可((Kである3゜特
に、耐熱性J> 、Iひ防湿性に優れたqSf性を示刀
窒化シリ−」ン幼膜の応用により良好な結果が得られる
。外部電極6A、6B川の拐オニ1どしては、銅、ッケ
ル、アルミニウム、金、白金、銀、パラジウムなどの金
属+A利またはこれらの金属を主成分とダる合金月別の
使用が可能である。さらに外部電極6A、6Bについて
は、前記拐わ1のゴニに半11層を形成することにより
、表面実装時の半Eft (f(ノ性の敗色を図ること
が(8る。 双ト、本発明の貝体的イ1実施例について説明Jる。 実施例1 ガラスからイ>る絶縁基板1の十に、内部電極2A、2
8.2Cとし−(アルミニウム股を、誘電体層3A、]
3どしてブタン酸スi〜ロンヂウム薄膜を用いて、第1
図に示づ怖漬に積層し−(幼膜積層部4を形成し7j後
、窒化シリ=Iンからなる保護液n!!5を形成し、ざ
らに両端部に減圧ブラスマ溶射法により銅合金からなる
外部電極6A、6[3を形成して、多層薄膜11ンゲ゛
ンリを得た。 実施例2 ポリイミドからなる絶縁基板1の上に、内部電極層2A
、28.2Cと(7てアルミニウム合金膜を、g電体M
3A、3日としてポリアミド薄膜を用いて、第1図に示
J構造に積層して薄膜積層部ぺを形成した後、窒化シリ
ニIンからなる保護被膜5を形成し、さらに両端部に減
圧プラズマ溶射法によりニッケル合金からなる外部電極
6Δ、6Bを形成して、多層#膜」ンデンリを17だ。 上記実施例1 d5よび実施例2の多相薄膜コンデンサ
は、いずれ−し従来の導電ベース1へを用いた外部電極
形成法においては使用不可能であった材料を使用したも
のであり、月別コスト2I3よび工数の大幅な低減を実
現したものである。 発明の効果 以上のように本光明の多層薄膜コンデンサは、従来の導
電ペーストを焼き付(プて形成する外部電極形成方法で
は使用不可能であった材料が使用可能であるとともに、
材料コストならびに工数の大幅な削減がnf能となり、
■1ンj−ンリの小形、軽量、低−」ス]〜化を実現づ
ることがでS′、その産業性は人なるものである。
の単位体積当りの静電容量は、誘電体の誘電率に比例し
、誘電体の厚いの自乗に反比例する。したがって■1ン
デンリーの小形化は、誘電体の誘電率を大きくJるか、
または誘電体の厚さを薄くでることにより可能となる。 特に、誘電体の厚さを薄< t1″ることにより大幅な
小形化が実現てさ−ることがら、多層薄膜」ンデンリに
ついては既に多くの検問が行われており、多層薄膜:】
ンデンリ−の肋膜積層方法d5よびv1層構造は公知で
ある(たとえば、特開昭55−91112号公報、特開
昭56−144523号公報参照)。!Jなりち、誘電
体層と内部電極層とを交互に薄膜形成71]法により形
成・積苦し!ζ後、内部電極層からの引き出し端子とな
る外部電極を導電ペーストを焼き付けて形成した多層M
映ロンテンリが一般的に知られている。 発明が解決し、J:うとする課題 従来の多層A9膜」ンjンリてCま、内部電極層からの
電極引き出し端子となる外部電極は、銀・パラジウム合
金などの微粉末からなる導電ペースj〜を塗布し、これ
を高温にて焼き+Jcノ処哩処理ことにより形成されで
いる。ぞのため、々電ペース1〜は高温での焼きイ・」
のに耐え1qる必要かあり、Ir1としては主に白金i
u li+が用いられてd5す、極めて高価である。 しかもこれらの外部電極は塗布から焼きイ」()処理J
、て多くの1稈を経て形成されており、二1ンデ゛ンサ
の」ストタウンの阻害要因となっている。さらに外部電
極の形成には高温での焼さ″(d−L)処理が必要て゛
あるため、この高温に耐え得ない月利、たとえば゛アル
ミニウムなどの金属材料や有機系の誘電(A材料などの
使用が困難であり、有用かつ安価な月利の導入を妖【)
る要因どなっている。 木光明は、上記のような多層ai IIA ]コンテン
リにJ[プる外部電極の形成にかかる諸課題を解決し、
″]ンデンリの大幅な小形、軒昂、低コスi〜化を実現
した多層計Hφ二」ンランリを提供Jることを1m的と
するものである。 課題を解決−づるための手段 上記課題を解決ケるためにAX5で明の多層itt’W
−二1ンデン−りは、絶縁基板と、この絶縁基板の少な
くとも片面に3層以]−の内部電極層と2層以上の誘電
体層とを少なくとし1層1fつ交互に、かつ内部電極層
は1層ごとに」−下で絶縁基板の互いに反対側の端部方
向に延長して積層した薄膜積層部と、前記内部電PA層
の絶縁基板の端部方向へ延長した端部を除く薄膜積層部
Jりよびその周辺の絶縁基板を覆う保護被膜と、前記内
部電極層の絶縁基板の端部方向へ延長した端部を含む絶
縁基板の両端部に減1「プラズン溶射法にJ、つで形成
した外部電極とを備えたものである。1 作用 上記構成にJ、す、−」ンデンリの大幅な小形、軒品、
低−1ス1〜化が可能となることを伺認した。!、lな
わも、減nゾノス、/溶射〃、(外部電極を形成−する
ことにより、従来の導電ベースhを用いる方法と異なり
、品温での焼き(=J 4−J処理が不要なため、電極
4Aお1として銅、ニッケルなどの卑金属月利の使mが
可tIシどなるとと6に、有機系の誘;を体4層判の々
入も可能どなり、これによって白金属拐第31からなる
高価な導電ペーストを用いる従来の方法に比べ、有用か
つ安価な材料の々人により1判ニー1ス1−の大幅な低
減を図ることがでさ、ま〕J減圧ブラスン溶射〃、によ
る外部ffi極の形成に際し−では、導電ペーストを用
いる従来の方法とWなり、前後の処理工程を必要としな
いため大幅な]ニ数削減が可能となる。 実施例 以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。 第1図(よ本発明の一実施例の多層薄膜コンテン1)を
示J概略断面図である。第1図にd5いて、絶縁基板1
の上面に、3層の内部電極層2A、2B。 2Cと2層の誘電体層3A、3)3とを1層ずつ交互に
、かつ内部電極層2A、2+’3.2Cを1層ことに上
下で絶縁基板1の77いに反対側の端部方向に延長して
積層した薄膜積層部1を形成し、J、た保護被膜5を内
部電極層2A、2B、2Cの絶縁基板1の端部方向へ延
長した各端部を除く薄膜積層部/lおよびその周辺の絶
縁基板1を覆うにうにして形成し、さらに前記内部電極
層2A、2B。 2Cの絶縁基板1の端部方向へ延長した各端部を含む絶
縁基板1の両端部に、減圧プラズマ溶射法によって外部
電i6A、6Bを形成している。 絶縁基板1の材料としては、表面実装時の高温に耐える
ものであれば、1フルミノ゛なとの無僚系、ポリイミド
などの有機系のいずれの材料でも使用可能である。内部
電極層2A、28.2Cの材料としては、アルミニウム
、ニッケル、銅、錫、亜鉛、金、白金、銀、パラジウム
などの金属月利よたはこれらの合金の使用が可能である
。誘電体層3A、3[3の材料としては、絶縁基板1の
月利と同様に、表面実装時の高温に耐えるものであれば
、無機糸、有機系のいずれの月別でも使用可能である。 保護被膜5の材料として(J、プラズマCV DにJ、
り形成される窒化シリコンなどの無機7i?膜や1ポー
1シ樹脂などの右11膜の使用が可((Kである3゜特
に、耐熱性J> 、Iひ防湿性に優れたqSf性を示刀
窒化シリ−」ン幼膜の応用により良好な結果が得られる
。外部電極6A、6B川の拐オニ1どしては、銅、ッケ
ル、アルミニウム、金、白金、銀、パラジウムなどの金
属+A利またはこれらの金属を主成分とダる合金月別の
使用が可能である。さらに外部電極6A、6Bについて
は、前記拐わ1のゴニに半11層を形成することにより
、表面実装時の半Eft (f(ノ性の敗色を図ること
が(8る。 双ト、本発明の貝体的イ1実施例について説明Jる。 実施例1 ガラスからイ>る絶縁基板1の十に、内部電極2A、2
8.2Cとし−(アルミニウム股を、誘電体層3A、]
3どしてブタン酸スi〜ロンヂウム薄膜を用いて、第1
図に示づ怖漬に積層し−(幼膜積層部4を形成し7j後
、窒化シリ=Iンからなる保護液n!!5を形成し、ざ
らに両端部に減圧ブラスマ溶射法により銅合金からなる
外部電極6A、6[3を形成して、多層薄膜11ンゲ゛
ンリを得た。 実施例2 ポリイミドからなる絶縁基板1の上に、内部電極層2A
、28.2Cと(7てアルミニウム合金膜を、g電体M
3A、3日としてポリアミド薄膜を用いて、第1図に示
J構造に積層して薄膜積層部ぺを形成した後、窒化シリ
ニIンからなる保護被膜5を形成し、さらに両端部に減
圧プラズマ溶射法によりニッケル合金からなる外部電極
6Δ、6Bを形成して、多層#膜」ンデンリを17だ。 上記実施例1 d5よび実施例2の多相薄膜コンデンサ
は、いずれ−し従来の導電ベース1へを用いた外部電極
形成法においては使用不可能であった材料を使用したも
のであり、月別コスト2I3よび工数の大幅な低減を実
現したものである。 発明の効果 以上のように本光明の多層薄膜コンデンサは、従来の導
電ペーストを焼き付(プて形成する外部電極形成方法で
は使用不可能であった材料が使用可能であるとともに、
材料コストならびに工数の大幅な削減がnf能となり、
■1ンj−ンリの小形、軽量、低−」ス]〜化を実現づ
ることがでS′、その産業性は人なるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の多層薄膜コンデンサの概略
断面図である。 1・・・絶縁基板、2A、2B、2C・・・内部電極層
、3A、3B・・・誘電体層、4・・・薄膜積層部、5
・・・保護被膜、6A、6B・・・外部電極、5代理人
森 本 義 弘 A
断面図である。 1・・・絶縁基板、2A、2B、2C・・・内部電極層
、3A、3B・・・誘電体層、4・・・薄膜積層部、5
・・・保護被膜、6A、6B・・・外部電極、5代理人
森 本 義 弘 A
Claims (1)
- 1.絶縁基板と、この絶縁基板の少なくとも片面に3層
以上の内部電極層と2層以上の誘電体層とを少なくとも
1層ずつ交互に、かつ内部電極層は1層ごとに上下で絶
縁基板の互いに反対側の端部方向に延長して積層した薄
膜積層部と、前記内部電極層の絶縁基板の端部方向へ延
長した端部を除く薄膜積層部およびその周辺の絶縁基板
を覆う保護被膜と、前記内部電極層の絶縁基板の端部方
向へ延長した端部を含む絶縁基板の両端部に減圧プラズ
マ溶射法によって形成した外部電極とを備えたことを特
徴とする多層薄膜コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4224289A JPH02222124A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 多層薄膜コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4224289A JPH02222124A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 多層薄膜コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02222124A true JPH02222124A (ja) | 1990-09-04 |
Family
ID=12630558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4224289A Pending JPH02222124A (ja) | 1989-02-22 | 1989-02-22 | 多層薄膜コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02222124A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5576925A (en) * | 1994-12-27 | 1996-11-19 | General Electric Company | Flexible multilayer thin film capacitors |
-
1989
- 1989-02-22 JP JP4224289A patent/JPH02222124A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5576925A (en) * | 1994-12-27 | 1996-11-19 | General Electric Company | Flexible multilayer thin film capacitors |
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