JP2015025894A - フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 - Google Patents
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前記マスクパターンと導通する導電膜が設けられ、
前記膜面側からフォトマスクの側面部に達することを特徴とする。
前記導電膜上にマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
を含むことを特徴とする。
図1は、フォトマスク10を裏面保持式の近接露光装置に載置し、露光基板100に対向させた状態の断面図を示している。但し、露光装置は基板保持部21のみが示されている。基板保持部21がフォトマスク10を裏面で保持する機構は、真空吸着方式や静電チャック方式など、公知の方式を用いることができる。
図2(A)〜図3(F)は、第1の実施形態で説明したフォトマスク10の製造方法を示す工程断面図である。まず、図2(A)に示すように、透明基板1の一主面上に導電膜2を成膜する。このとき、導電膜2が膜面側だけでなく透明基板1の側面部LSや裏面側周縁部BEにも同時に(又は順次に)、導電膜2を堆積する。
図6は、静電破壊の実験に用いたマスクパターンを示す図である。図6に示すように、上記フォトマスクのテスト用基板として、膜面側の導電膜62上に基準となる一つの孤立パターンA1と、面積を異ならせた4つの矩形状の孤立パターンB1〜B4をそれぞれ形成し、さらに、静電破壊し易くするために、孤立パターンA1と孤立パターンB1〜B4との間に対向するラインパターンL1、L2を設けた。そして、膜面側を帯電させて各パターンの静電破壊試験を実施した。孤立パターンはクロム膜と酸化クロム膜の積層膜(膜厚250[nm])とし、下層には裏面側周縁部に達する導電膜62が設けられているものを用いた。
(1)面積比
テストパターンa A1:B1=1:2
テストパターンb A1:B2=1:3
テストパターンc A1:B3=1:4
テストパターンd A1:B4=1:5
(2)ラインパターン間隔D
D=2、4、6、8、10[μm](5種類)
(3)帯電量(印加電圧値V(絶対値))
V=1、2、3、4、5[kV](5段階)
比較のため、従来のフォトマスクとして上記条件において導電膜62が無い膜構成のフォトマスクを試作して、同様の静電破壊試験を実施した。
図5は、第3の実施形態のフォトマスク40を示す図である。フォトマスク40は、透明基板1の膜面側の表面及び側面に亘り連続した1つの導電膜42を有する。導電膜42は、上記導電膜2と同様の厚さ、透過率、材質及び膜構成である。このような構成により、膜面側と側面部とが導通している。
フォトマスクは高価なガラス基板等を用いるため、使用後は全てのマスクパターンを全て除去してガラス基板の状態に戻して再利用する。しかしながら、マスクパターン除去後、基板上にマスクパターンの形状等を反映した数ナノm程の微細な凹凸が形成され易かった。凹凸は物理的ないし化学的な研磨手段等によって除去されうるが、工程が増えるため、リサイクルコストの増大する要因となっていた。透明導電膜をマスクパターンの下層に設けた場合、十分な膜厚があればこのような凹凸はなくなるであろうが、露光光の波長に対して十分な透過率を確保する必要があるために膜厚はある程度の薄さに制限され、導電膜に金属酸化物や金属窒化物を用いた場合では、マスクパターン剥離後に形成される基板上の凹凸が完全には無くならなかった。
2 導電膜
2a、2b、2c 導電膜
3 パターン層
4 マスクパターン
5 感光性樹脂
10 フォトマスク
21 露光装置の基板保持部
22 導電性治具
30 フォトマスク
31 基板トレー
33 開口部
100 露光基板
Claims (6)
- フォトマスクであって、
マスクパターンが形成された膜面側に
前記マスクパターンと導通する導電膜が設けられ、
前記膜面側からフォトマスクの側面部に達することを特徴とするフォトマスク。 - 前記導電膜はさらに前記フォトマスクの裏面側の周縁部に達することを特徴とするフォトマスク。
- 前記導電膜は、金属酸化物又は金属窒化物で構成されることを特徴する請求項1又は請求項2に記載のフォトマスク。
- 前記導電膜は、ダイアモンドライクカーボンで構成されることを特徴する請求項1又は請求項2に記載のフォトマスク。
- 近接露光用フォトマスクを形成するための透明基板上の一主面及びその側面部に導電膜を形成して連続した1つの導電膜を形成する導電膜形成工程と、
前記導電膜上にマスクパターンを形成するマスクパターン形成工程と、
を含むフォトマスクの製造方法。 - 前記導電膜形成工程において、導電膜をさらに透明基板の裏面側周縁部にも形成する導電膜形成工程を含む請求項5記載のフォトマスクの製造方法。
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JP2013154412A JP2015025894A (ja) | 2013-07-25 | 2013-07-25 | フォトマスク及びフォトマスクの製造方法 |
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2013
- 2013-07-25 JP JP2013154412A patent/JP2015025894A/ja active Pending
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