WO2008072706A1 - Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板 - Google Patents

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mask blank
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Kazuyuki Hayashi
Kazuo Kadowaki
Takashi Sugiyama
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Asahi Glass Company, Limited
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Definitions

  • the present invention relates to a reflective mask blank for EUV (Extreme Ultra Violet) lithography (hereinafter referred to as “EUV mask blank” in the present specification) used for semiconductor manufacturing and the like, and the mask.
  • EUV mask blank Extreme Ultra Violet
  • the present invention relates to a substrate with a functional film used for manufacturing a blank. Background art
  • EUV light means a light beam having a wavelength in the soft X-ray region or the vacuum ultraviolet region, specifically a light beam having a wavelength of about 10 to 20 nm, particularly about 13.5 nm ⁇ 0.3 nm. To do.
  • EUV optical lithography uses a reflective optical system, that is, a reflective photomask and a mirror.
  • a mask blank is a laminated body before patterning for manufacturing a photomask.
  • a mask blank for a reflective photomask has a structure in which a reflective layer that reflects EUV light and an absorption layer that absorbs EUV light are formed in this order on a glass substrate or the like.
  • the reflective layer by alternately laminating high refractive layers and low refractive layers, the light reflectivity when irradiating the layer surface with light rays, more specifically, when irradiating the layer surface with EUV light is used.
  • High light reflectance A multilayer reflective film is usually used.
  • the absorption layer a material having a high absorption coefficient for EUV light, specifically, for example, a material mainly composed of Cr or Ta is used.
  • the multilayer reflective film and the absorption layer are formed using an ion beam sputtering method or a magnetron sputtering method.
  • the substrate is supported by a support means.
  • a mechanical chuck and an electrostatic chuck are preferred.
  • An electrostatic chuck is preferably used because of the problem of force generation.
  • an electrostatic chuck is used as a substrate support means during the mask patterning process or during mask handling during exposure.
  • Patent Document 1 describes a material other than ordinary Cr, such as Si, Mo, oxychromium nitride (CrON), TaSi, as a layer for promoting electrostatic chucking of a substrate.
  • a mask substrate having a backside coating (conductive film) of a material having a higher dielectric constant and higher conductivity than a glass substrate is described.
  • the mask substrate described in Patent Document 1 has a conductive film formed on the entire surface of one side including the chamfered surface and the side surface of the substrate. Therefore, in particular, the chamfered surface and the side surface of the substrate are warped of the substrate during electrostatic chucking and the robot in a situation where the film adhesion force is particularly weak due to the formation of a conductive film on the chamfered surface and the side surface. Film peeling easily occurs due to contact of the arm end effector.
  • Patent Document 2 discloses a substrate with a multilayer reflective film that suppresses generation of particles due to film peeling or abnormal discharge of the conductive film during electrostatic chucking of the substrate provided with the conductive film. Discloses a high-quality reflective mask blank for exposure with few surface defects due to particles and a high-quality reflective mask for exposure without pattern defects due to particles.
  • the material for forming the conductive film has a different composition in the film thickness direction of the conductive film.
  • the side contains nitrogen (N), and the surface side of the conductive film contains at least one of oxygen (O) and carbon (C).
  • the reason for configuring the conductive film in this way is that nitrogen (N) is contained on the substrate side of the conductive film, thereby improving the adhesion of the conductive film to the substrate and preventing the conductive film from peeling off, Further, it is described that the adhesion force between the electrostatic chuck and the substrate can be increased because the film stress of the conductive film is reduced.
  • At least one of oxygen (O) and carbon (C) is included on the surface side of the conductive film! /.
  • the adhesion force between the chuck and the substrate is increased, and the rubbing that occurs between the electrostatic chuck and the substrate can be prevented.
  • oxygen (O) is included, the surface roughness of the conductive film becomes moderately rough (the surface roughness increases), thereby improving the adhesion between the electrostatic chuck and the substrate.
  • the specific resistance of the conductive film can be reduced, so that the adhesion between the electrostatic chuck and the substrate is improved.
  • the metal material contained in the conductive film Force S Chrome (Cr), Tantalum (Ta), Molybdenum (Mo), and Silicon (Si) Force is considered to be at least one kind of material selected, and among these, chromium (Cr) is preferred.
  • the conductive film is a material containing chromium (Cr)
  • the nitrogen (N) content on the substrate side of the conductive film is preferably 1 to 60 at%.
  • the preferable content of nitrogen (N) is 40 to 60 at%.
  • the oxygen (O) content on the surface side of the conductive film is preferably 0.;! To 50 at%, and the carbon (C) content is preferably 0 ;! to 10 at%.
  • Patent Document 1 Special Table 2003—501823
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2005-210093
  • the present inventors have improved the adhesion between the electrostatic chuck and the substrate with the conductive film in order to prevent the generation of particles during film formation, particularly the generation of particles due to the friction between the electrostatic chuck and the substrate.
  • it is effective to lower the sheet resistance of the conductive film and to reduce the surface roughness of the conductive film.
  • the sheet resistance of the conductive film is set to a specific numerical value or less. It was found that it is effective to make the surface roughness below a specific value.
  • the surface of the conductive film contains at least one of oxygen (O) and carbon (C) so that the surface of the conductive film is appropriately roughened.
  • O oxygen
  • C carbon
  • the nitrogen (N) content is 40 to 60 at%, so the sheet resistance of the conductive film is not sufficiently low, and the chucking force by the electrostatic chuck is sufficient. It cannot be increased. As a result, the adhesion of the substrate with the conductive film to the electrostatic chuck cannot be sufficiently increased.
  • the present invention has been made based on the above knowledge, and by improving the adhesion between the electrostatic chuck and the conductive film-carrying substrate, the generation of particles during film formation, particularly the electrostatic chuck. It is an object of the present invention to provide a substrate with a conductive film for EUV mask blank in which generation of particles due to rubbing between the substrate and the substrate is prevented.
  • Another object of the present invention is to provide a substrate with a multilayer reflective film of EUV mask blank using the substrate with conductive film, and an EUV mask blank.
  • the present invention provides a substrate with a conductive film used for manufacturing a reflective mask blank for EUV lithography, wherein the conductive film contains chromium (Cr) and nitrogen (N).
  • the average concentration of N in the conductive film is 0.3 lat% or more and less than 40 at%, the crystalline state of at least the surface of the conductive film is amorphous, and the sheet resistance value of the conductive film is 27 ⁇ / port.
  • the conductive film-attached substrate, wherein the conductive film has a surface roughness (rms) of 0.5 nm or less hereinafter referred to as “the conductive film-attached substrate of the present invention” in the present specification). I will provide a.
  • the conductive film is further made of Al, Ag, B, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Nb, Si, Ta, Ti, Zn, and Zr.
  • a total of at least one element selected from the group consisting of 1 to 20 at% (average concentration) may be contained.
  • the conductive film preferably has an average concentration of oxygen (O) of 15 at% or less and an average concentration of carbon (C) of 10 at% or less.
  • the conductive film preferably has a thickness of 50 to 200 nm.
  • the conductive film has a low N concentration on the substrate side, and the N concentration in the conductive film is increased in the thickness direction of the conductive film so that the N concentration on the surface side is high. It may be a gradient composition film along.
  • the present invention provides a multilayer of a reflective mask blank for EUV lithography in which a multilayer reflective film is formed on the opposite side of the surface provided with the conductive film of the substrate with a conductive film of the present invention.
  • a substrate with a reflective film hereinafter referred to as “the substrate with a multilayer reflective film of the present invention” in the present specification.
  • the present invention provides an EUV mask blank (hereinafter referred to as "the EUV mask blank of the present invention") in which an absorption layer is formed on the multilayer reflective film of the multilayer reflective film-coated substrate of the present invention. ).
  • the present invention also provides a reflective mask for EUV lithography (hereinafter referred to as "the EUV mask of the present invention") patterned with the EUV mask blank of the present invention.
  • the EUV mask of the present invention a reflective mask for EUV lithography
  • the conductive film-attached substrate of the present invention also improves adhesion with the electrostatic chuck due to the small surface roughness of the conductive film surface. Further, since the sheet resistance of the conductive film is low, the chucking force by the electrostatic chuck is improved. As a result, when the conductive film-coated substrate is fixed to an electrostatic chuck and used for manufacturing an EUV mask blank, the adhesion with the electrostatic chuck is improved. As described above, by improving the adhesion with the electrostatic chuck, it is possible to prevent generation of particles due to rubbing between the electrostatic chuck and the substrate.
  • the good adhesion to the electrostatic chuck improves the thermal conductivity from the conductive film-coated substrate to the electrostatic chuck, and the substrate cooling during the mask patterning process or during exposure. Performance is improved.
  • the crystalline state of at least the surface of the conductive film is amorphous, the change in the stress in the conductive film with time is small because the conductive film is oxidized. As a result, pattern accuracy is unlikely to deteriorate, and the lifetime of the mask is expected to be extended.
  • the sheet resistance of the conductive film is lowered and the surface is not roughened.
  • the adhesion to the electrostatic chuck is improved, and the generation of particles due to the friction between the electrostatic chuck and the substrate is prevented.
  • particles on the electrostatic chuck are prevented from adhering to the conductive film during the electrostatic chuck.
  • the conductive film-attached substrate of the present invention in which the conductive film is a gradient composition film has a high N concentration on the surface side of the conductive film. As a result, deterioration of pattern accuracy is unlikely to occur, and the lifetime as a mask is expected to be extended. On the other hand, since the N concentration on the substrate side of the conductive film is low, the adhesion of the conductive film to the substrate is expected to be further improved.
  • FIG. 1 is a schematic view of a substrate with a conductive film of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic view of a substrate with a multilayer reflective film of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of an EUV mask blank of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic view of a substrate with a conductive film of the present invention.
  • a conductive film 2 is formed on one surface of a substrate 1 for film formation.
  • the substrate 1 is fixed to the electrostatic chuck via the conductive film 2.
  • the multilayer reflection film and the absorption layer are formed on the opposite side (film formation surface) of the surface of the substrate 1 on which the conductive film 2 is formed.
  • the conductive film 2 is formed on the back side with respect to the film formation surface of the substrate 1.
  • the conductive film 2 contains chromium (Cr) and nitrogen (N), and the average concentration of N in the conductive film 2 is not less than 0.3 lat% and less than 40 at%. At least the surface crystal state of the film 2 is amorphous, the sheet resistance value of the conductive film 2 is 27 ⁇ / port or less, and the surface roughness (rms) of the conductive film 2 is 0.5 nm or less.
  • the N concentration of the conductive film 2 means the atomic concentration of N present in the conductive film 2.
  • the N concentration of the conductive film 2 can be measured by, for example, an X-ray photoelectron spectrometer.
  • the conductive film 2 when it is the average concentration of N in the conductive film 2, the conductive film 2 as a whole is considered. If the average concentration of N is not less than 0.3 lat% and less than 40 at%, the concentration of N may not be not less than 0.3 lat% and less than 40 at% in all parts of the conductive film 2. For example, when the conductive film 2 is viewed as a whole, as long as the average concentration of N is not less than 0.3 lat% and less than 40 at%, the conductive film 2 may have a portion where the N concentration is less than 0.3 lat%. Furthermore, the conductive film 2 does not contain N! /, There may be a part.
  • the average concentration of N in the conductive film 2 can be estimated by the force S by sputtering the film from the surface using an X-ray photoelectron spectrometer and measuring the profile in the depth direction.
  • the average concentration of N in the conductive film 2 is in the above range, Cr and N form a compound (CrN) in the conductive film 2, and the crystalline state of at least the surface of the conductive film 2 is amorphous. Become. When the crystalline state of at least the surface of the conductive film 2 is amorphous, the surface roughness of the surface of the conductive film 2 is reduced. As a result, adhesion with the electrostatic chuck is improved, and generation of particles due to friction between the electrostatic chuck and the conductive film is prevented.
  • the phrase “crystalline state is amorphous” includes a microcrystalline structure in addition to an amorphous structure having no crystal structure. It can be confirmed by the X-ray diffraction (XRD) method that the crystalline state of the conductive film 2 is amorphous, that is, an amorphous structure or a microcrystalline structure. If the crystalline state of the conductive film 2 is an amorphous structure or a microcrystalline structure, no sharp peak is observed in the diffraction peak obtained by XRD measurement.
  • XRD X-ray diffraction
  • the surface of the conductive film 2 is excellent in smoothness.
  • the conductive film 2 need not be amorphous as long as the crystal state of the entire conductive film 2 is at least as long as the crystal state of the surface is amorphous.
  • the crystalline state of the conductive film 2 on the substrate 1 side may not be amorphous.
  • the surface of the conductive film 2 is the surface of the conductive film 2 in FIG. 1, that is, the side in contact with the substrate 1 of the conductive film 2. This surface (the surface on the substrate 1 side) is the surface on the back surface side that comes into contact with the electrostatic chuck when the conductive film-coated substrate is fixed with an electrostatic chuck.
  • Conductive film 2 has an amorphous crystalline state of at least a 10 nm film thickness from the surface. It is more preferable that the crystalline state from the surface where the film thickness is 30 nm to the surface is amorphous. In addition, when the total film thickness of the conductive film 2 is L (nm), it is preferable that the crystalline state of at least 0.05 L from the surface is preferably amorphous. Is more preferably amorphous.
  • the average concentration of N in the conductive film 2 is less than 0.3 lat%, the crystalline state of at least the surface of the conductive film 2 does not become amorphous. That is, since the crystal state of the surface of the conductive film 2 becomes crystalline, that is, a state having a crystal structure, the surface roughness of the surface of the conductive film 2 is increased. As a result, the adhesiveness with the electrostatic chuck is lowered, and particles are easily generated due to friction between the electrostatic chuck and the conductive film. In addition, if the average concentration of N in the conductive film 2 is less than 0.1 at%, the surface hardness of the conductive film 2 decreases, and this also causes particles due to friction between the electrostatic chuck and the conductive film. Will occur. Further, when the average concentration of N in the conductive film 2 is less than 0.3 lat%, the chemical durability of the conductive film 2 tends to be lowered.
  • the crystalline state of the surface of the conductive film 2 does not become amorphous. That is, since the crystalline state of the surface of the conductive film 2 becomes crystalline, the surface roughness of the surface of the conductive film 2 increases.
  • the average concentration of N in the conductive film 2 is 40 at% or more, the sheet resistance of the conductive film 2 increases and the chucking force due to the electrostatic chuck decreases, so that the adhesion with the electrostatic chuck is reduced. And the particles tend to be generated by rubbing between the electrostatic chuck and the conductive film.
  • the present inventors have a crystalline state on the surface of the conductive film 2, but the average concentration of N is further increased. As a result, it was found that the crystalline state of the conductive film 2 became amorphous. However, in this case, since the film quality becomes rough, the surface roughness of the surface of the conductive film 2 increases. In addition, since the sheet resistance value in this case further increases, it is not preferable as a conductive film.
  • the average concentration of N in the conductive film 2 is more preferably 10 at% or more and less than 40 at%, and further preferably 15 to 36 at%.
  • the conductive film 2 is a flat surface of oxygen (O).
  • the average concentration is preferably 15 at% or less, more preferably 10 at% or less, and further preferably 5 at% or less.
  • the conductive film 2 preferably has an average concentration of carbon (C) of 10 at% or less, preferably 5 at% or less, and more preferably 3 at% or less.
  • C average concentration of carbon
  • the average concentration of O and C in the conductive film 2 can be measured by, for example, an X-ray photoelectron spectrometer.
  • the sheet resistance of the conductive film is lowered.
  • the adhesion with the electrostatic chuck is improved, and particles are prevented from being generated due to friction between the electrostatic chuck and the substrate.
  • Conductive film 2 is selected from the group consisting of Al, Ag, B, Co, Cu, Fe, Hf, In, Mo, Ni, Nb, Si, Ta, Ti, Zn and Zr in addition to Cr and N At least one element (hereinafter referred to as “other element” in the present specification). By containing these elements, it is expected that the crystalline state of at least the surface of the conductive film 2 becomes more amorphous, and the surface roughness of the surface of the conductive film 2 becomes smaller.
  • a more preferred additive element is Ta or Mo from the viewpoint of chemical resistance.
  • the average concentration of other elements is set in a range that does not adversely affect the characteristics of the conductive film 2. From this viewpoint, the average concentration of other elements in the conductive film 2 is set to 20 at% or less in total. The average concentration of other elements in the conductive film 2 is preferably 18 at% or less in total, and more preferably 15 at% or less.
  • the conductive film 2 has a sheet resistance of 27 ⁇ / mouth or less due to the above configuration.
  • the sheet resistance of the conductive film 2 is more preferably 25 ⁇ / port or less, and further preferably 23 ⁇ / port or less, more preferably 20 ⁇ / port or less.
  • the sheet resistance of the conductive film 2 is typically 3 ⁇ / mouth or more, particularly 5 ⁇ / mouth or more. Is preferred.
  • the surface roughness of the surface of the conductive film 2 is small, ie, rms (square root roughness) is 0.5 nm or less. Since the surface roughness of the conductive film 2 is small, the adhesion with the electrostatic chuck is improved, and generation of particles due to friction between the electrostatic chuck and the conductive film is prevented.
  • the surface roughness of the conductive film 2 is more preferably 0.4 nm or less in terms of rms, and even more preferably 0.3 nm or less.
  • the surface roughness of the conductive film 2 is typically preferably 0. Olnm or more.
  • the conductive film 2 preferably has a surface hardness of 7.5 GPa or more. If the surface hardness of the conductive film 2 is 7.5 GPa or more, the conductive film 2 is excellent in surface hardness. When the conductive film-coated substrate is fixed to an electrostatic chuck and used for manufacturing an EUV mask blank, Excellent in preventing particles from being generated by rubbing between the electric chuck and the conductive film.
  • the method for measuring the surface hardness of the conductive film 2 is not particularly limited, and is a known method, specifically, for example, a Vickers hardness test, a Rockwell hardness test, a Brinell hardness test, a nanoindentation test, or the like. Can be used. Among these, the nanoindentation test is widely used when measuring the surface hardness of a thin film. In the examples described later, the surface hardness of the conductive film 2 was measured by a nanoindentation test.
  • the surface hardness of the conductive film 2 is more preferably 12 GPa or more, particularly preferably 15 GPa or more.
  • the hardness of the conductive film is within the hardness plus or minus 4.5 GPa of the electrostatic chuck to be used.
  • the average concentration of N is not less than 0.3 lat% and less than 40 at%.
  • the conductive film 2 has a portion where the N concentration is less than lat%. May be present There may be parts that do not contain N. That is, in the conductive film 2, N may be unevenly distributed at a specific portion. For example, N may be unevenly distributed on the surface side of the conductive film 2. In this case, the N concentration on the substrate 1 side of the conductive film 2 is decreasing, and the N concentration on the surface side is increasing. On the contrary, N may be unevenly distributed on the substrate side of the conductive film 2. in this case The N concentration on the substrate 1 side of the conductive film 2 is increasing, and the N concentration on the surface side is decreasing.
  • the effect of the conductive film 2 containing N that is, the crystalline state of at least the surface of the conductive film 2 becomes amorphous, and the surface roughness of the surface of the conductive film 2
  • the conductive film 2 has an N concentration in the conductive film 2 such that the N concentration on the substrate side is low and the N concentration on the substrate 1 side is high.
  • a gradient composition film that varies along the thickness direction of the conductive film 2 (hereinafter referred to as “gradient composition film” in the present specification) is preferable.
  • gradient composition film that varies along the thickness direction of the conductive film 2
  • the following effects are expected in addition to the effects described above.
  • the N concentration on the surface side of the conductive film 2 is high, the conductive film is oxidized, and the change with time in the stress in the conductive film is reduced. As a result, pattern accuracy is less likely to deteriorate, and the lifetime of the mask is prolonged.
  • the N concentration in the conductive film 2 is low so that the N concentration on the substrate 1 side is low and the N concentration on the surface side is high. It includes a wide range of conductive films having a structure in which N is unevenly distributed on the surface side of the conductive film having a structure continuously changing along the direction (hereinafter also referred to as “a narrowly-graded composition film”). Therefore, the conductive film may have a structure in which a plurality of layers having different N concentrations are stacked (hereinafter also referred to as “laminated structure conductive film”).
  • the layers are laminated so that the substrate side layer is a layer having a low N concentration and the surface side layer is a layer having a high N concentration.
  • the number of layers in the stacked conductive film may be two layers or three or more layers.
  • the gradient composition film When viewed as the entire conductive film 2, the gradient composition film has a portion not containing N on the substrate 1 side as long as the average concentration of N is not less than 0.3 lat% and less than 40 at%. Also good.
  • the narrowly graded composition film has the following structure.
  • the portion of conductive film 2 other than the vicinity of substrate 1 contains N.
  • the N concentration in the conductive film 2 continuously changes along the thickness direction of the conductive film 2. • When the conductive film 2 is viewed as a whole, the average concentration of N is 0.3 lat% or more and less than 40 at%. Further, when the conductive film 2 has a laminated structure (two layers), the following structure is obtained.
  • the layer on the substrate 1 side of the conductive film 2 does not contain N.
  • the surface layer of the conductive film 2 contains N.
  • the average concentration of N is 0.3 lat% or more and less than 40 at%. Further, when the conductive film 2 has a laminated structure of three or more layers, the following structure is obtained.
  • the layer on the most substrate 1 side of conductive film 2 does not contain N.
  • the layer containing B is laminated so that the N concentration increases from the substrate 1 side to the surface side.
  • the average concentration of N is 0.3 lat% or more and less than 40 at%.
  • the N concentration in the portion from the surface on the substrate 1 side to the film thickness of 5 nm is 15 at% or less. If the N concentration in the vicinity of the substrate is 15 at% or less, the adhesion to the substrate 1 is excellent. It is more preferable that the N concentration in the vicinity of the substrate is 10 at% or less, and it is particularly preferable that the vicinity of the substrate in which the N concentration is more preferably 5 at% or less does not substantially contain N.
  • the above-mentioned substrate vicinity portion is preferably 0.05 L from the surface on the substrate 1 side.
  • the N concentration in the portion from the surface to at least 5 nm in thickness is not less than 0.3 lat% and less than 40 at%. Is preferred. If the N concentration in the vicinity of the surface is 0.3 lat% or more and less than 40 at%, the surface roughness of the surface of the conductive film 2 becomes small.
  • the N concentration in the vicinity of the surface is preferably 10 at% or more and less than 40 at%, more preferably 15 to 35 at%.
  • the portion near the surface of the gradient composition film is a portion having a thickness of at least 50 nm from the surface, more preferably a portion having a thickness of 90 nm.
  • the film thickness L of the conductive film 2 is preferably 50 to 200 nm.
  • the film thickness L of the conductive film 2 is less than 50 nm, since the film thickness of the conductive film 2 is small, there is a possibility that the chucking force is insufficient when the substrate with the conductive film is fixed to the electrostatic chuck.
  • the substrate 1 may break down.
  • the film thickness L of the conductive film 2 exceeds 200 nm, it no longer contributes to the improvement of the chucking force, the time required for forming the conductive film 2 increases, and the cost required for forming the conductive film 2 increases. Moreover, since the film thickness of the conductive film 2 becomes larger than necessary, the possibility of film peeling increases.
  • the film thickness of the conductive film 2 is more preferably 50 to 150 nm, more preferably 50 to! OOnm, and even more preferably 60 to! OOnm.
  • the conductive film 2 is formed by a known film formation method, for example, a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method; a CVD method; a vacuum evaporation method; Can be used.
  • a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method
  • CVD method a vacuum evaporation method
  • Can be used a known film formation method
  • the conductive film may be formed by magnetron sputtering using a Cr target as a target and a mixed gas of Ar and N as a sputtering gas.
  • the target is a compound target of Cr and another element, or a combination of a Cr target and a target of another element, and sputtering is performed.
  • a conductive film may be formed by performing a magnetron sputtering method using a mixed gas of Ar and N as a gas.
  • the magnetron sputtering method is performed using a Cr target as a target and Ar gas as a sputtering gas.
  • the upper layer may be formed by changing the sputtering gas to a mixed gas of Ar and N and performing the magnetron sputtering method.
  • the target is a Cr target
  • the conductive film is formed by performing magnetron sputtering while adjusting the ratio of N in the sputtering gas (mixed gas of Ar and N). do it.
  • the formation of the conductive film is an environment in which oxygen-containing gas (for example, O, CO, CO, H 0, NO, etc.) is not substantially present.
  • oxygen-containing gas for example, O, CO, CO, H 0, NO, etc.
  • the total partial pressure of gas containing oxygen atoms is 1 X 10- 4 Pa or less, preferably at 1 X 10- 5 Pa or less environment.
  • Target Cr target.
  • Sputtering gas A mixed gas of Ar and N (N gas concentration 3 ⁇ 45vol%, preferably 5 ⁇ 40vol%, more preferably (or 10 ⁇ 35vol 0/0 gas pressure 1.0 10 1-50 10 1? and, preferably (or 1. 0 ⁇ 10- 1 ⁇ 40 X 10- 1 Pa, more preferably 1. 0 X 10- 1 ⁇ 30 X 10- 1 Pa.).
  • Input power 30 ⁇ ; 1000W, preferred ⁇ is 50 ⁇ 750W, more preferred ⁇ is 80 ⁇ 500W.
  • Deposition rate 2.0 ⁇ 60 to 60 nm / min, preferably 3.5 to 45 nm / min, more preferably 5 to 30 nm / min.
  • a pattern is formed on an EUV mask blank, that is, in a mask patterning process, in order to form a fine pattern, a pattern is usually formed using an electron beam drawing technique.
  • a resist for electron beam lithography is applied to the surface of the absorbing layer of the EUV master blank, and baking is performed, for example, baking at 200 ° C. I do.
  • a resist pattern is formed by irradiating the resist surface with an electron beam using an electron beam drawing apparatus and then developing.
  • the mask patterned by the above procedure is subjected to an exposure process using EUV light. These procedures are performed with the EUV mask blank (or patterned mask) fixed to the electrostatic chuck.
  • the substrate temperature rises during the pattern formation and exposure with EUV light.
  • An increase in the temperature of the substrate is not preferable because it may adversely affect pattern accuracy. For this reason, it has been studied to cool the substrate during pattern formation.
  • Various methods can be used to cool the substrate. For example, a method of cooling the substrate by circulating a liquid or gas inside the electrostatic chuck, or a gas flowing through the gap between the pin chuck and the substrate. Base There is a way to cool the board. In these methods, from the viewpoint of the cooling efficiency of the substrate, it is preferable that the thermal conductivity at the contact portion between the conductive film 2 and the electrostatic chuck is high and the adhesiveness is high.
  • the substrate 1 for film formation is required to satisfy the characteristics as a substrate for EUV mask blank. Therefore, the substrate 1 is in the low thermal expansion coefficient (specifically, thermal expansion coefficient at 20 ° C is 0 ⁇ 0. 1 X 10- 7 / ° more preferably it is preferred instrument is a C 0 ⁇ 0. 05 X 10- 7 / ° C, more preferably has a 0 ⁇ 0 ⁇ 03 X 10- 7 / ° C), lubricity flat, used in flatness, and cleaning, etc. of the mask blank or a photomask after formation of a pattern Those with excellent resistance to cleaning fluids are preferred.
  • thermal expansion coefficient at 20 ° C is 0 ⁇ 0. 1 X 10- 7 / ° more preferably it is preferred instrument is a C 0 ⁇ 0. 05 X 10- 7 / ° C, more preferably has a 0 ⁇ 0 ⁇ 03 X 10- 7 / ° C
  • lubricity flat used in flatness, and cleaning, etc. of the
  • glass having a low thermal expansion coefficient for example, SiO—TiO-based glass or the like is used, but is not limited thereto.
  • SiO—TiO-based glass for example, SiO—TiO-based glass or the like is used, but is not limited thereto.
  • Substrate 1 has a smooth surface with a surface roughness (rms) of 0.15 nm or less, preferably 0.12 nm or less, and a flatness of lOOnm or less, preferably 80 nm or less after pattern formation.
  • the photomask is suitable because high reflectance and transfer accuracy can be obtained.
  • the size and thickness of the substrate 1 are appropriately determined according to the design value of the mask. In the examples, SiO—Ti 2 O-based glass having an outer diameter of 6 inches (152.4 mm) square and a thickness of 0.25 inches (6.3 mm) was used.
  • FIG. 2 is a schematic view of the multilayer reflective film-coated substrate of the present invention.
  • a multilayer reflective film 3 is formed on the opposite side of the surface of the substrate 1 where the conductive film 2 is formed.
  • the substrate 1 and the conductive film 2 are the same as those shown in FIG. 1 (the substrate with the conductive film of the present invention).
  • the substrate with a multilayer reflective film of the present invention is formed on the film-forming surface of the substrate 1 by using a sputtering method such as a magnetron sputtering method or an ion beam sputtering method after fixing the substrate with a conductive film of the present invention to an electrostatic chuck. It is obtained by forming the multilayer reflective film 3.
  • the multilayer reflective film 3 formed on the film-forming surface of the substrate 1 is not particularly limited as long as it has desired characteristics as a multilayer reflective film of the EUV mask blank.
  • the characteristic particularly required for the multilayer reflective film 3 is a film having a high EUV light reflectance.
  • the EU When the surface of the multilayer reflective film is irradiated with light in the wavelength region of V light, the maximum value of the light reflectance near the wavelength of 13.5 nm is preferably 60% or more, more preferably 65% or more. I like it.
  • the multilayer reflective film 3 that satisfies the above characteristics includes Si / Mo multilayer reflective films in which Si films and Mo films are alternately laminated, Be / Mo multilayer reflective films in which Be and Mo films are alternately laminated, Si Si compound / Mo compound multilayer reflective film, Si film, Mo film, and Ru film laminated in this order, Si / Mo / Ru multilayer reflective film, Si film, Ru Examples thereof include a Si / Ru / Mo / Ru multilayer reflective film in which a film, a Mo film, and a Ru film are laminated in this order.
  • the procedure for depositing the multilayer reflective film 3 on the deposition surface of the substrate 1 may be a procedure that is normally performed when the multilayer reflective film is deposited by sputtering.
  • Si target is used as the target and Ar gas is used as the sputtering gas (with a gas pressure of 1 ⁇ 3 X 10 ⁇ 2 to 2 ⁇ 7 X 10- 2 Pa, rather preferably uses a 1. 5 X 10- 2 ⁇ 2 5 X 10- 2 Pa), Ionkaro speed voltage power 300 to;.
  • a Si film is formed to a thickness of 0.03—0.30 nm / sec, preferably (0.05 to 0.25 nm / sec and a thickness of 4.5 nm.
  • a target using Mo target using an Ar gas (gas pressure 1 ⁇ 3 X 10- 2 ⁇ 2 7 X 10- 2 Pa.), Ionkaro speed voltage 300 to; 1500V, deposition rate 0.1 03 It is preferable to form a Mo film so that the thickness is 2.3 nm at 30 nm / sec.This is one period, and Si / Mo is laminated by stacking 40-50 periods of Si film and Mo film.
  • a multilayer reflective film is formed. The. Time of forming the multi-layer reflection film 3, in order to obtain a uniform film, Shi preferred to form a film while rotating the substrate 1 using a rotating body les, which are.
  • the uppermost layer of the multilayer reflective film 3 is preferably made of a material that is difficult to oxidize in order to prevent the surface of the multilayer reflective film 3 from being oxidized.
  • the layer of material that is not easily oxidized functions as a cap layer of the multilayer reflective film 3.
  • a Si layer can be exemplified as a specific example of a layer of a material that hardly functions to be oxidized and functions as a cap layer.
  • the multilayer reflective film is a Si / Mo film
  • the top layer can be made to function as a cap layer by forming the top layer as a Si layer. In that case, the thickness of the cap layer is ll ⁇ 2nm. It is preferable.
  • the substrate with a multilayer reflective film of the present invention uses the substrate with a conductive film of the present invention, when the multilayer reflective film is formed by fixing the substrate with a conductive film to an electrostatic chuck, Particles are prevented from being generated by rubbing between the chuck and the conductive film. For this reason, it is an excellent substrate with a multilayer reflective film with extremely few surface defects due to the partition.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of the EUV mask blank of the present invention.
  • an absorption layer 4 is provided on the multilayer reflective film 3.
  • the substrate 1, the conductive film 2, and the multilayer reflective film 3 are the same as those shown in FIG. 2 (the substrate with the multilayer reflective film of the present invention).
  • the EUV mask blank of the present invention can be obtained by depositing the absorption layer 4 on the multilayer reflective film 3 by using the method of fixing the multilayer reflective film-coated substrate of the present invention to an electrostatic chuck.
  • the constituent material of the absorption layer 4 formed on the multilayer reflective film 3 is a material having a high absorption coefficient for EUV light, specifically, Cr Ta or these. And nitrides thereof. Among them, TaN is preferable because it tends to be amorphous and has excellent surface smoothness and low surface roughness.
  • the thickness of the absorption layer 4 is preferably 50 to;! OOnm is preferably 55 90 nm, more preferably than force S.
  • the film formation method of the absorption layer 4 is not particularly limited as long as it is a sputtering method, and may be any of the magnetron sputtering method or the ion beam sputtering method! /.
  • a TaN layer is formed as an absorption layer using the ion beam sputtering method
  • a Ta target is used as the target
  • N gas is used as the sputtering gas
  • the gas pressure is 1 ⁇ 3 X 10— 2 2. 7 X 10- 2 Pa, preferably using a 1. 5 X 10- 2 2. 5 X 10- 2 Pa
  • a buffer layer may exist between the multilayer reflective film 3 and the absorption layer 4.
  • the material constituting the noffer layer include Cr, Al, Ru, Ta or nitrides thereof, SiO, SiN, and AlO. Buffer layer should be 10-60nm thick
  • it is more preferably 20 to 50 nm.
  • the EUV mask blank of the present invention uses the substrate with a multilayer reflective film of the present invention, the multilayer reflective film has very few surface defects due to particles.
  • the absorption layer is formed by fixing the multilayer reflective film-coated substrate to the electrostatic chuck, generation of particles due to friction between the electrostatic chuck and the conductive film is prevented. For this reason, the absorber layer also has very few surface defects due to particles.
  • a SiO TiO glass substrate (outer diameter 6 inches (152.4 mm) square, thickness 6.3 mm) was used as the substrate 1 for film formation.
  • the thermal expansion coefficient of the glass substrate is 0. 02 X 10- 7 / ° C (the value at 20 ° C. Or less the same.), And a Young's modulus of 67 GPa.
  • This glass substrate was polished to form a smooth surface with a surface roughness (rms) of 0.15 nm or less and a flatness of lOOnm or less.
  • a conductive film 2 was formed on the surface of the substrate 1 by using a magnetron sputtering method. Specifically, after the film formation chamber in one of the following vacuum 1 X 10- 4 Pa, using a Cr target, it performs magnetron sputtering in a mixed gas atmosphere of Ar and N, the conductive thick 70Ita m Membrane 2 was formed.
  • the conditions for forming the conductive film 2 are as follows.
  • Sputtering gas Ar and N mixed gas (Ar: 70vol%, N: 30vol%, gas pressure: 0.3Pa)
  • Input power 150W Deposition rate: 0 l lnm / sec
  • the average concentrations of Cr, N, O and C in the conductive film 2 were measured using an X-ray photoelectron spectrometer.
  • the average concentration of C is Oat%.
  • the crystalline state of the conductive film 2 was confirmed with an X-ray diffractometer (X-Ray Diffractmeter) (manufactured by RIGAKU). Since no sharp peak was observed in the obtained diffraction peak, it was confirmed that the crystalline state of the conductive film 2 was an amorphous structure or a microcrystalline structure.
  • the sheet resistance of the conductive film 2 was measured using a four-probe measuring instrument.
  • the sheet resistance value of the conductive film 2 was 20 ⁇ / mouth.
  • the surface roughness was measured in dynamic force mode using an atomic force microscope (SII, SPI-3800).
  • the surface roughness measurement area was 1 j m X l ju m, and SI-DF40 (manufactured by SII) was used as the cantilever.
  • the surface roughness (rms) of the conductive film 2 was 0.3 nm.
  • a multilayer reflection film (Si / Mo multilayer reflection film) was formed on the opposite side (film formation surface) of the substrate 1 to the conductive film 2 by ion beam sputtering.
  • the Si / Mo multilayer reflective film having a total film thickness of 272 nm ((4.5 + 2.3) X 40) is obtained by repeating the 40 cycles of alternately forming the Si film and the Mo film. A film was formed.
  • a Si layer was deposited as a cap layer to a thickness of 11. Onm.
  • the deposition conditions for the Si film and the Mo film are as follows.
  • Si target (boron doped)
  • Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0 ⁇ 02Pa)
  • Sputtering gas Ar gas (gas pressure 0 ⁇ 02Pa)
  • the number of particles in the multilayer reflective film formed by the above procedure was measured using a defect inspection apparatus. As a result, the number of particles was 1.5 / cm 2 , and it was confirmed that almost no particles were generated when the multilayer reflective film was formed. The number of particles was measured with a size of 0.15 mm or more.
  • a TaN layer is formed as an absorbing layer for EUV light by using an ion beam sputtering method.
  • An EU V mask blank was obtained.
  • the film forming conditions were as follows.
  • Target Ta target
  • Sputtering gas N gas (gas pressure 0 ⁇ 02Pa)
  • the number of particles on the surface of the absorption layer of the EUV mask blank obtained by the above procedure is 2.0 / cm 2 when measured by the same procedure as above, and the EUV mask blank has few surface defects due to particles. confirmed.
  • Example 2 This example is the same as Example 1 except that the N concentration (average concentration) of the conductive film 2 formed on the glass substrate is 19 at%.
  • the conditions for forming the conductive film 2 are as follows.
  • Sputtering gas Ar mixed gas of N (Ar: 90 vol 0/0, N: 10 vol 0/0, gas pressure: 0 ⁇ 3 Pa) input power: 150 W
  • a Mo / Si multilayer reflective film was formed on the film formation surface of the substrate 1 in the same procedure as in Example 1, and the number of particles in the multilayer reflective film was measured using a defect inspection apparatus. As a result, the number of partitions was 1.5 / cm 2 , and it was confirmed that almost no particles were generated when the multilayer reflective film was formed.
  • Comparative Example 1 is the same as Example 1 except that the N concentration (average concentration) of the conductive film 2 formed on the glass substrate is more than 40 at% (42.5 at%).
  • the conditions for forming the conductive film 2 are as follows.
  • Sputtering gas Ar and N mixed gas (Ar: 60 vol%, N: 40 vol%, gas pressure: 0.3 Pa)
  • the crystalline state of the conductive film 2 was confirmed using an X-ray diffractometer, a sharp peak was observed in the obtained diffraction peak, confirming that the conductive film 2 had a crystalline structure.
  • the sheet resistance of the conductive film 2 was measured in the same manner as in Example 1, it was 57 ⁇ / mouth.
  • the surface roughness (rms) of the conductive film 2 measured by the same method as in Example 1 was 0.52 nm.
  • the Mo / Si multilayer reflection was formed on the film formation surface of the substrate 1 in the same manner as in Example 1.
  • a film was formed, and the number of particles in the multilayer reflective film was measured using a defect inspection apparatus. As a result, the number of partitions was 10 / cm 2 or more, and it was confirmed that the multilayer reflective film had very many surface defects due to particles.
  • a TaN layer was formed on the Mo / Si multilayer reflective film to obtain an EUV mask blank.
  • the number of particles on the TaN layer surface of the obtained EUV mask blank was measured, it was 100 / cm 2 or more, and it was confirmed that the EUV mask blank had very many surface defects due to particles.
  • Comparative Example 2 is the same as Example 1 except that the conductive film 2 formed on the glass substrate does not contain N.
  • the conditions for forming the conductive film 2 are as follows.
  • Sputtering gas Ar gas (gas pressure: 0.3 Pa)
  • the average concentration of Cr, N, O and C in the conductive film 2 was measured in the same procedure as in Example 1 to It was confirmed that the electromembrane 2 did not contain N.
  • the average concentration of O was 5.lat% and the average concentration of C was Oat%.
  • a Mo / Si multilayer reflective film was formed on the film formation surface of the substrate 1 in the same procedure as in Example 1, and the number of particles in the multilayer reflective film was measured using a defect inspection apparatus. As a result, the number of partitions was 15 / cm 2 or more, and it was confirmed that the multilayer reflective film had very many surface defects due to particles.
  • a TaN layer was formed on the Mo / Si multilayer reflective film to obtain an EUV mask blank.
  • the number of particles on the TaN layer surface of the obtained EUV mask blank was measured, it was 100 / cm 2 or more, and it was confirmed that the EUV mask blank had very many surface defects due to particles.
  • Comparative Example 3 is the same as Example 1 except that the conductive film 2 is formed under the following conditions.
  • Sputtering gas Ar and NO mixed gas (Ar: 88vol%, NO: 12at%, gas pressure: 0 ⁇ 3Pa)
  • a Mo / Si multilayer reflective film was formed on the film formation surface of the substrate 1 in the same procedure as in Example 1, and the number of particles in the multilayer reflective film was measured using a defect inspection apparatus. As a result, the number of partitions was 10 / cm 2 , and it was confirmed that almost no particles were generated when the multilayer reflective film was formed.
  • a TaN layer was formed on the Mo / Si multilayer reflective film to obtain an EUV mask blank.
  • the number of particles on the TaN layer surface of the obtained EUV mask blank was measured, it was 100 / cm 2 , confirming that the EUV mask blank had few surface defects due to particles.
  • Comparative Example 4 is the same as Example 1 except that the N concentration (average concentration) of the conductive film 2 formed on the glass substrate is more than 40 at% (44.0 at%).
  • the conditions for forming the conductive film 2 are as follows.
  • Sputtering gas Ar and N mixed gas (Ar: 50vol%, N: 50vol%, gas pressure: 0 ⁇ 3Pa)
  • the sheet resistance of the conductive film 2 measured by the same method as in Example 1 was 589 ⁇ / mouth.
  • the surface roughness (rms) of the conductive film 2 was measured in the same manner as in Example 1, it was 0.39 nm.
  • a Mo / Si multilayer reflective film was formed on the film formation surface of the substrate 1 in the same procedure as in Example 1, and the number of particles in the multilayer reflective film was measured using a defect inspection apparatus. As a result, the number of partitions was 15 / cm 2 or more, and it was confirmed that the multilayer reflective film had very many surface defects due to particles.
  • a TaN layer was formed on the Mo / Si multilayer reflective film to obtain an EUV mask blank.
  • the number of particles on the TaN layer surface of the obtained EUV mask blank was measured, it was 100 / cm 2 or more, and it was confirmed that the EUV mask blank had very many surface defects due to particles.
  • Comparative Example 5 is the same as Example 1 except that the N concentration (average concentration) of the conductive film 2 formed on the glass substrate is more than 40 at% (45. lat%).
  • the conditions for forming the conductive film 2 are as follows.
  • Sputtering gas Ar and N mixed gas (Ar: 25vol%, N: 75vol%, gas pressure: 0.3Pa)
  • a Mo / Si multilayer reflective film was formed on the film formation surface of the substrate 1 in the same procedure as in Example 1, and The number of particles in the layer reflective film was measured using a defect inspection apparatus. As a result, the number of partitions was 20 pieces / cm 2 or more, and it was confirmed that the multilayer reflective film had a large number of surface defects due to particles.
  • a TaN layer was formed on the Mo / Si multilayer reflective film to obtain an EUV mask blank.
  • the number of particles on the TaN layer surface of the obtained EUV mask blank was measured, it was 100 / cm 2 or more, and it was confirmed that the EUV mask blank had very many surface defects due to particles.
  • Comparative Example 6 is the same as Example 1 except that the N concentration (average concentration) of the conductive film 2 formed on the glass substrate is more than 40 at% (47 at%).
  • the conditions for forming the conductive film 2 are as follows.
  • Sputtering gas N gas (gas pressure: 0.3 Pa)
  • a Mo / Si multilayer reflective film was formed on the film formation surface of the substrate 1 in the same procedure as in Example 1, and the number of particles in the multilayer reflective film was measured using a defect inspection apparatus.
  • the party The number of ital is 20 pieces / cm 2 or more, and it was confirmed that this is a multilayer reflective film with many surface defects caused by particles.
  • a TaN layer was formed on the Mo / Si multilayer reflective film to obtain an EUV mask blank.
  • the number of particles on the TaN layer surface of the obtained EUV mask blank was measured, it was 100 / cm 2 or more, and it was confirmed that the EUV mask blank had very many surface defects due to particles.
  • a substrate with a conductive film for an EUV mask blank in which generation of particles due to friction between the electrostatic chuck and the substrate is prevented by improving adhesion between the electrostatic chuck and the substrate with a conductive film. Therefore, it is possible to provide an EUV mask blank with a long lifetime that is unlikely to deteriorate pattern accuracy.
  • These are useful in the photolithography method using EUV light as a fine pattern transfer technology necessary for forming an integrated circuit consisting of fine patterns on a Si substrate or the like.

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Abstract

　静電チャックと基板との擦れによるパーティクルの発生が防止されたＥＵＶマスクブランク用の導電膜付基板、該導電膜付基板を用いた多層反射膜付基板およびＥＵＶマスクブランクの提供。 　ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であって、前記導電膜はクロム（Ｃｒ）および窒素（Ｎ）を含有し、前記導電膜におけるＮの平均濃度が０．１ａｔ％以上４０ａｔ％未満であり、前記導電膜の少なくとも表面の結晶状態がアモルファスであり、前記導電膜のシート抵抗値が２７Ω／□以下であり、前記導電膜の表面粗さ（ｒｍｓ）が０．５ｎｍ以下であることを特徴とする導電膜付基板。

Description

明 細 書
EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機 能膜付基板
技術分野
[0001] 本発明は、半導体製造等に使用される EUV(Extreme Ultra Violet :極端紫外 )リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「EUVマスクブラン ク」という。）、および該マスクブランクの製造に使用される機能膜付基板に関する。 背景技術
[0002] 従来、半導体産業において、 Si基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成 する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソ グラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方 で、従来の光露光の露光限界に近づいてきた。光露光の場合、パターンの解像限界 は露光波長の 1/2程度であり、液浸法を用いても露光波長の 1/4程度と言われて おり、 ArFレーザ（193nm)の液浸法を用いても 45nm程度が限界と予想される。そ こで 45nm以下の露光技術として、 ArFレーザよりさらに短波長の EUV光を用いた 露光技術である EUVリソグラフィが有望視されている。本明細書において、 EUV光 とは、軟 X線領域または真空紫外線領域の波長の光線を意味し、具体的には波長 1 0〜20nm程度、特に 13. 5nm± 0. 3nm程度の光線を意味する。
[0003] EUV光は、あらゆる物質に対して吸収されやすぐかつ屈折率が 1に近いため、従 来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用するこ とができない。このため、 EUV光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォ トマスクとミラーとが用いられる。
[0004] マスクブランクは、フォトマスク製造用のパターユング前の積層体である。反射型フ オトマスク用のマスクブランクの場合、ガラス製等の基板上に EUV光を反射する反射 層と、 EUV光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。反射層と しては、高屈折層と低屈折層とを交互に積層することで、光線を層表面に照射した際 の光線反射率、より具体的には EUV光を層表面に照射した際の光線反射率が高め られた多層反射膜が通常使用される。吸収層には、 EUV光に対する吸収係数の高 い材料、具体的にはたとえば、 Crや Taを主成分とする材料が用いられる。
[0005] 多層反射膜および吸収層は、イオンビームスパッタリング法やマグネトロンスパッタリ ング法を用いて成膜される。多層反射膜および吸収層を成膜する際、基板は支持手 段によって支持される。基板の支持手段として、機械的チャックおよび静電チャックが ある力 発塵性の問題から、静電チャックが好ましく用いられる。また、マスクパター二 ングプロセス時、あるいは露光時のマスクハンドリングの際にも、基板の支持手段とし て静電チャックが用いられる。しかし、ガラス基板のように、誘電率および導電率の低 い基板の場合、例えばシリコンウェハの場合と同程度のチャック力を得るには、高電 圧を印加する必要があるため、絶縁破壊を生じる危険性がある。
このような問題を解消するため、特許文献 1には、基板の静電チヤッキングを促進 する層として、通常の Cr以外の材料、例えば Si, Mo,ォキシ窒化クロム（CrON)、 T aSiのような、ガラス基板よりも高い誘電率および高い導電率の物質の裏面コーティン グ (導電膜)を有するマスク基板が記載されて!、る。
[0006] しかしながら、特許文献 1に記載のマスク基板は、ガラス基板に対する CrON膜の 付着力が弱いので、多層反射膜や吸収層を成膜する際に、ガラス基板と CrON膜と の間で膜剥れが生じてパーティクルが発生するという問題を有している。特に、静電 チャックと CrON膜と、の境界近傍では、基板回転による静電チャックとの境界近傍 に加わる力が原因で、膜剥れが発生しやすい。
また特許文献 1に記載のマスク基板は、基板の面取面と側面を含む片面全面に導 電膜が形成されている。そのため、とりわけ基板の面取面と側面は、面取面と側面に 導電膜が斜めに形成されることによる膜付着力が特に弱い状況において、静電チヤ ック時の基板の反りや、ロボットアームのエンドェフエクタの接触などにより、膜剥れが 発生しやすい。
また特許文献 1に記載のマスク基板では、 CrONの導電膜の表面には酸素（O)や 炭素（C)が多く含まれているので、成膜条件によっては多層反射膜や吸収体膜の成 膜時に異常放電が起きることがある。
[0007] このような静電チャック時 (成膜時)などに導電膜の膜剥れや、成膜時の異常放電 によるパーティクルが発生すると、製品（多層反射膜付き基板、露光用反射型マスク ブランク、露光用反射型マスク）における欠陥が多ぐ高品質の製品が得られない。 従来の露光用透過型マスクを用いたパターン転写の場合には、露光光の波長が紫 外域（157〜248nm程度）で比較的長いため、マスク面に凹凸欠陥が生じても、これ が重大な欠陥とまではなりにくぐそのため従来では成膜時のパーティクルの発生は 課題としては格別認識されていなかった。し力もながら、 EUV光のような短波長の光 を露光光として用いる場合には、マスク面上の微細な凹凸欠陥があっても、転写像へ の影響が大きくなるため、パーティクルの発生は無視できない。
[0008] 上記の問題点を解決するため、特許文献 2は、導電膜を設けた基板の静電チャック 時の導電膜の膜剥れや異常放電によるパーティクルの発生を抑制した多層反射膜 付き基板、パーティクルによる表面欠陥の少ない高品質の露光用反射型マスクブラ ンク、およびパーティクルによるパターン欠陥のない高品質の露光用反射型マスクを 開示している。
特許文献 2に記載の多層反射膜付き基板では、上記の問題点を解決するため、導 電膜を形成する材料を、導電膜の膜厚方向で組成が異なっており、導電膜のうち基 板側には、窒素（N)を含み、導電膜のうち表面側には、酸素（O)および炭素（C)の 少なくとも何れか一方を含む構成としている。導電膜をこのように構成する理由として 、導電膜の基板側に窒素（N)が含まれていることにより、基板に対する導電膜の密 着力が向上して導電膜の膜剥れを防止し、さらに導電膜の膜応力が低減されるので 、静電チャックと基板との密着力を大きくすることができると記載されている。一方、導 電膜の表面側に、酸素（O)および炭素（C)の少なくとも何れか一方が含まれて!/、る ことにより、導電膜表面が適度に荒れ、静電チャック時の静電チャックと基板との密着 力が大きくなり、静電チャックと基板との間で発生する擦れを防止できるとしている。 なお、酸素（O)を含む場合、導電膜表面の表面粗さが適度に荒れる（表面粗さが大 きくなる）ことにより、静電チャックと基板との密着力が向上しており、炭素（C)を含む 場合、導電膜の比抵抗を低減することができるので、静電チャックと基板との密着力 が向上すると記載されている。
[0009] なお、特許文献 2に記載の多層反射膜付き基板では、導電膜に含まれる金属材料 力 Sクロム（Cr)、タンタル (Ta)、モリブデン (Mo)、および珪素（Si)力も選ばれる少なく とも一種の材料であるとされており、これらの中でもクロム（Cr)が好ましいとされてい る。導電膜がクロム（Cr)を含む材料である場合、導電膜の基板側における窒素 (N) の含有量は l〜60at%が好ましいと記載されている。但し、 CrNの場合、窒素（N)の 好ましい含有量は 40〜60at%であると記載されている。一方、導電膜の表面側にお ける酸素（O)の含有量は 0. ；!〜 50at%が好ましいとされており、炭素（C)の含有量 は 0· ；!〜 10at%が好ましいとされている。
[0010] 特許文献 1 :特表 2003— 501823号公報
特許文献 2：特開 2005— 210093号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0011] 本発明者らは、成膜時のパーティクルの発生、特に、静電チャックと基板との擦れ によるパーティクルの発生を防止するには、静電チャックと導電膜付基板の密着性を 向上させるのが有効であり、そのためには導電膜のシート抵抗を低くすること、および 導電膜の表面粗さを小さくすること、好ましくは、導電膜のシート抵抗を特定の数値 以下とし、導電膜の表面粗さを特定の数値以下とすることが有効であることを見出し た。
特許文献 2に記載の多層反射膜付き基板では、導電膜の表面側に酸素（O)およ び炭素（C)の少なくとも何れか一方を含むことにより導電膜表面を適度に荒れた状 態とすることで静電チャック時の静電チャックと基板との密着力が大きくなり、静電チ ャックと基板との間で発生する擦れを防止できるとされている。しかし、仮に擦れが生 じてしまった場合、表面粗さが大きいと、逆に膜剥がれや膜の削れが生じやすぐパ 一ティクル発生の原因となるという問題がある。また、表面粗さが大きい場合、静電チ ャック時に静電チャック上のパーティクル（静電チャック材料、成膜中の膜材料である Mo, Si等）が導電膜に付着しやすぐまた洗浄しにくいため、それが後工程 (搬送、 洗浄、検査）で落下し、新たな欠陥となるという問題がある。
また、導電膜の基板側が CrNである場合、窒素（N)の含有量が 40〜60at%であ るため、導電膜のシート抵抗が十分低くならず、静電チャックによるチャック力を十分 高めることができない。この結果、静電チャックに対する導電膜付基板の密着性を十 分高めることができない。
[0012] 本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、静電チャックと導電膜付基 板の密着性を向上させることにより、成膜時のパーティクルの発生、特に、静電チヤッ クと基板との擦れによるパーティクルの発生が防止された EUVマスクブランク用の導 電膜付基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、該導電膜付基板を用いた EUVマスクブランクの多層反射膜付基 板、および EUVマスクブランクを提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
[0013] 上記目的を達成するため、本発明は、 EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの 製造に使用される導電膜付基板であって、前記導電膜はクロム（Cr)および窒素 (N) を含有し、前記導電膜における Nの平均濃度が 0. lat%以上 40at%未満であり、前 記導電膜の少なくとも表面の結晶状態がアモルファスであり、前記導電膜のシート抵 抗値が 27 Ω /口以下であり、前記導電膜の表面粗さ（rms)が 0. 5nm以下であるこ とを特徴とする導電膜付基板 (以下、本明細書において、「本発明の導電膜付基板」 という。）を提供する。
[0014] 本発明の導電膜付基板において、前記導電膜は、さらに Al、 Ag、 B、 Co、 Cu、 Fe 、 Hf、 In、 Mo、 Ni、 Nb、 Si、 Ta、 Ti、 Znおよび Zrからなる群から選択される少なくと も 1つの元素を合計で l〜20at% (平均濃度)含有してもよい。
[0015] 本発明の導電膜付基板において、前記導電膜は、酸素（O)の平均濃度が 15at% 以下であり、炭素（C)の平均濃度が 10at%以下であることが好ましい。
また、本発明の導電膜付基板において、前記導電膜の厚さが 50〜200nmである ことが好ましい。
[0016] 本発明の導電膜付基板において、前記導電膜は、基板側における N濃度が低ぐ 表面側における N濃度が高くなるように、導電膜中の N濃度が該導電膜の厚さ方向 に沿って傾斜組成膜であってもよレ、。
[0017] また、本発明は、本発明の導電膜付基板の前記導電膜が設けられた面に対して、 反対側に多層反射膜を形成してなる EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの多層 反射膜付基板 (以下、本明細書において、「本発明の多層反射膜付基板」という。）を 提供する。
[0018] また、本発明は、本発明の多層反射膜付基板の多層反射膜上に吸収層を形成し てなる EUVマスクブランク（以下、本明細書において、「本発明の EUVマスクブラン ク」という。）を提供する。
[0019] また、本発明は、本発明の EUVマスクブランクをパターユングした EUVリソグラフィ 用反射型マスク（以下、本明細書において、「本発明の EUVマスク」という。）を提供 する。
発明の効果
[0020] 本発明の導電膜付基板は、また、導電膜表面の表面粗さが小さいことにより、静電 チャックとの密着性を向上する。また、導電膜のシート抵抗が低いことにより、静電チ ャックによるチャック力が向上する。この結果、該導電膜付基板を静電チャックに固定 して EUVマスクブランクの製造に使用した際に、静電チャックとの密着性が向上する 。このように、静電チャックとの密着性が向上することにより、静電チャックと基板との 擦れによるパーティクルが発生することが防止される。
[0021] また、静電チャックとの密着性が良好であることにより、導電膜付基板から静電チヤ ックへの熱伝導性が向上し、マスクパターユングプロセス時、あるいは露光時の基板 冷却性能が向上する。
また、導電膜の少なくとも表面の結晶状態がアモルファスであるため、導電膜が酸 化されに《導電膜中の応力の経時変化が小さい。その結果、パターン精度の悪化 が起こりにくくなり、マスクとしての寿命が長くなることが期待される。
[0022] また、導電膜において、酸素の平均濃度が 15at%以下であり、炭素の平均濃度が lOat以下であると、導電膜のシート抵抗が低くなり、さらに表面の荒れも生じない。こ れらにより、静電チャックとの密着性が向上し、静電チャックと基板との擦れによるパ 一ティクルが発生することが防止される。また、静電チャック時に静電チャック上のパ 一ティクルが導電膜に付着することも防止される。
[0023] 導電膜が傾斜組成膜である本発明の導電膜付基板は、導電膜の表面側における N濃度が高いため、導電膜が酸化されに《導電膜中の応力の経時変化が小さい。 その結果、パターン精度の悪化が起こりにくくなり、マスクとしての寿命が長くなること が期待される。一方、導電膜の基板側における N濃度が低いため、基板に対する導 電膜の密着性がさらに向上することが期待される。
図面の簡単な説明
[0024] [図 1]図 1は、本発明の導電膜付基板の模式図である。
[図 2]図 2は、本発明の多層反射膜付基板の模式図である。
[図 3]図 3は、本発明の EUVマスクブランクの模式図である。
符号の説明
[0025] 1：基板
2 :導電膜
3 :多層反射膜
4 :吸収層
発明を実施するための最良の形態
[0026] 以下、図面を参照して本発明を説明する。
図 1は、本発明の導電膜付基板の模式図である。図 1において、成膜用の基板 1の 一方の面には導電膜 2が形成されている。基板 1に多層反射膜および吸収層を成膜 する際、基板 1は導電膜 2を介して静電チャックに固定される。後で述べるように、多 層反射膜および吸収層は、基板 1の導電膜 2が形成されている面に対して反対側（ 成膜面）に成膜される。要するに、導電膜 2は、基板 1の成膜面に対して裏面側に形 成されている。
[0027] 本発明の導電膜付基板において、導電膜 2はクロム（Cr)および窒素（N)を含有し 、導電膜 2における Nの平均濃度が 0. lat%以上 40at%未満であり、導電膜 2の少 なくとも表面の結晶状態がアモルファスであり、導電膜 2のシート抵抗値が 27 Ω /口 以下であり、導電膜 2の表面粗さ（rms)が 0. 5nm以下であることを特徴とする。 本明細書において、導電膜 2の N濃度といった場合、導電膜 2中に存在する Nの原 子濃度を意味する。導電膜 2の N濃度は、例えば、 X線光電子分光装置 (X-ray Ph otoelectron Spectrometer)によって測定することカできる。
[0028] ここで、導電膜 2における Nの平均濃度であるといった場合、導電膜 2全体としてみ た場合に、 Nの平均濃度が 0. lat%以上 40at%未満であればよぐ導電膜 2の全て の部位で Nの濃度が 0. lat%以上 40at%未満ではなくてもよい。例えば、導電膜 2 全体としてみた場合に、 Nの平均濃度が 0. lat%以上 40at%未満である限り、導電 膜 2には N濃度が 0. lat%未満の部分が存在してもよぐさらに導電膜 2中には Nを 含まな!/、部分が存在してもよレ、。
なお、導電膜 2の Nの平均濃度は X線光電子分光装置（X-ray Photoelectron Spectrometer)によって、膜を表面からスパッタし、深さ方向のプロファイルを測定 することで見積あること力 Sでさる。
[0029] 導電膜 2における Nの平均濃度が上記範囲であることにより、導電膜 2中で Crと Nと が化合物（CrN)を形成して、導電膜 2の少なくとも表面の結晶状態がアモルファスと なる。導電膜 2の少なくとも表面の結晶状態がアモルファスとなることにより、導電膜 2 表面の表面粗さが小さくなる。この結果、静電チャックとの密着性が向上し、静電チヤ ックと導電膜との擦れによるパーティクルの発生が防止される。
本明細書において、「結晶状態がアモルファスである」と言った場合、全く結晶構造 を持たないアモルファス構造となっているもの以外に、微結晶構造のものを含む。導 電膜 2の結晶状態がアモルファスであること、すなわち、アモルファス構造であること、 または微結晶構造であることは、 X線回折 (XRD)法によって確認すること力 Sできる。 導電膜 2の結晶状態がアモルファス構造である力、、または微結晶構造であれば、 XR D測定により得られる回折ピークにシャープなピークが見られない。
[0030] 導電膜 2の少なくとも表面の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であれ ば、導電膜 2の表面は平滑性に優れている。なお、導電膜 2は、少なくとも表面の結 晶状態がアモルファスであればよぐ導電膜 2全体の結晶状態がアモルファスではな くてもよい。例えば、導電膜 2の基板 1側の結晶状態はアモルファスではなくてもよい なお、導電膜 2の表面とは、図 1における導電膜 2の表面、すなわち、導電膜 2の基 板 1と接する側の面（基板 1側の面）とは裏面側にあって、導電膜付基板を静電チヤッ クで固定する際に、静電チャックと接する側の面のことを指す。
導電膜 2は、少なくとも表面から膜厚 10nmの部分の結晶状態がアモルファスであ ることが好ましぐ表面から膜厚 30nmの部分の結晶状態がアモルファスであることが より好ましい。また、導電膜 2の全膜厚を L (nm)とした場合、少なくとも表面から 0. 05 Lの部分の結晶状態がアモルファスであることが好ましぐ表面から 0. 1Lの部分の結 晶状態がアモルファスであることがより好ましい。
[0031] 導電膜 2における Nの平均濃度が 0. lat%未満だと、導電膜 2の少なくとも表面の 結晶状態がアモルファスとならない。すなわち、導電膜 2の表面の結晶状態が、結晶 性、すなわち、結晶構造を有する状態となるため、導電膜 2の表面の表面粗さが大き くなる。この結果、静電チャックとの密着性が低下し、静電チャックと導電膜との擦れ によりパーティクルが発生しやすくなる。また、導電膜 2における Nの平均濃度が 0. 1 at%未満だと、導電膜 2の表面硬度が低下するので、このことによつても、静電チヤッ クと導電膜との擦れによりパーティクルが発生する。また、導電膜 2における Nの平均 濃度が 0. lat%未満だと、導電膜 2の化学的耐久性が低下しやすくなる。
一方、導電膜 2における Nの平均濃度が 40at%以上の場合も、導電膜 2の少なくと も表面の結晶状態がアモルファスとならない。すなわち、導電膜 2の表面の結晶状態 が結晶性となるため、導電膜 2の表面の表面粗さが大きくなる。また、導電膜 2におけ る Nの平均濃度が 40at%以上の場合、導電膜 2のシート抵抗が増加して、静電チヤ ックによるチャック力が低下するので、静電チャックとの密着性が低下し、静電チヤッ クと導電膜との擦れによりパーティクルが発生しやすくなる。
[0032] なお、本発明者らは、導電膜 2における Nの平均濃度を 40at%以上とした場合、導 電膜 2の表面の結晶状態が結晶性となるが、さらに Nの平均濃度を高めていくと、導 電膜 2の結晶状態がアモルファスとなることを見出した。但し、この場合、膜質が粗と なるため、導電膜 2の表面の表面粗さが大きくなる。加えて、この場合のシート抵抗値 はさらに増加するため、導電膜として好ましくない。
[0033] 導電膜 2における Nの平均濃度は 10at%以上 40at%未満であることがより好ましく 、 15〜36at%であることがさらに好ましい。
[0034] 導電膜付基板において、通常、 Crの場合、酸化され易い金属のため、意図的に酸 素や炭素を用いない成膜 (アルゴンのみでの成膜）においても、不可避的に膜中に 酸素原子や炭素原子を含んだ状態になる。本発明では、導電膜 2が酸素（O)の平 均濃度が 15at%以下であることが好ましぐ 10at%以下、さらには 5at%以下である ことが好ましい。また、導電膜 2が炭素（C)の平均濃度が 10at%以下であることが好 ましぐ 5at%以下、さらには 3at%以下であることが好ましい。ここで、導電膜 2は酸 素の平均濃度および炭素の平均濃度のいずれもが上記範囲を満たすことが好まし い。
なお、導電膜 2における Oおよび Cの平均濃度は、例えば、 X線光電子分光装置（ X-ray Photoelectron Spectrometer)によって測定することカできる。
導電膜 2において、 Oの平均濃度が 15at%以下となり、かつ Cの平均濃度が 10at %以下となることにより、導電膜のシート抵抗が低くなる。それにより、静電チャックと の密着性が向上し、静電チャックと基板との擦れによるパーティクルが発生することが 防止されるとレ、う利点を有する。
[0035] 導電膜 2は Crおよび Nに加えて、 Al、 Ag、 B、 Co、 Cu、 Fe、 Hf、 In、 Mo、 Ni、 Nb 、 Si、 Ta、 Ti、 Znおよび Zrからなる群から選択される少なくとも 1つの元素（以下、本 明細書において「他の元素」という。）を含有してもよい。これらの元素を含有すること により、導電膜 2の少なくとも表面の結晶状態がよりアモルファス化しやすくなる、導電 膜 2の表面の表面粗さがより小さくなる、などの効果が期待される。さらに好ましい添 加元素は、耐薬品性の点から Taまたは Moである。
これら他の元素は、導電膜 2中に 1種のみ含有させてもよぐ 2種以上含有させても よい。いずれの場合においても、他の元素の平均濃度は、導電膜 2の特性に悪影響 が生じない範囲とする。この観点から、導電膜 2における他の元素の平均濃度は、合 計で 20at%以下とする。導電膜 2における他の元素の平均濃度は、好ましくは合計 で 18 at %以下であり、より好ましくは 15at %以下である。
[0036] 導電膜 2は、上記の構成であることによりシート抵抗が低ぐ 27 Ω /口以下である。
導電膜 2のシート抵抗が低いことにより、静電チャックによるチャック力が高められる。 この結果、静電チャックとの密着性が向上し、静電チャックと導電膜との擦れによるパ 一ティクルの発生が防止される。導電膜 2のシート抵抗は 25 Ω /口以下であることが より好ましく、 23 Ω /口以下、 20 Ω /口以下であることがさらに好ましい。また、導電 膜 2のシート抵抗は、典型的には、 3 Ω /口以上が好ましぐ特に 5 Ω /口以上である のが好ましい。
[0037] 導電膜 2は、上記構成であることにより、導電膜 2の表面の表面粗さが小さぐ rms ( 二乗平方根粗さ）で 0. 5nm以下である。導電膜 2の表面粗さが小さいことにより、静 電チャックとの密着性が向上し、静電チャックと導電膜との擦れによるパーティクルの 発生が防止される。導電膜 2の表面粗さは、 rmsで 0. 4nm以下であることがより好ま しぐ 0. 3nm以下であることがさらに好ましい。導電膜 2の表面粗さは、典型的には、 0. Olnm以上であるのが好ましい。
[0038] 導電膜 2は、表面硬度が 7. 5GPa以上であることが好ましい。導電膜 2の表面硬度 が 7. 5GPa以上であれば、導電膜 2が表面硬度に優れており、導電膜付基板を静電 チャックに固定して EUVマスクブランクの製造に使用した際に、静電チャックと導電 膜との擦れによってパーティクルが発生することを防止する効果に優れて!/、る。ここで 、導電膜 2の表面硬度の測定方法は特に限定されず、公知の方法、具体的には例え ば、ビッカース硬さ試験、ロックウェル硬さ試験、ブリネル硬さ試験、ナノインデンテ一 シヨン試験等を用いることができる。これらの中でも、ナノインデンテーション試験は、 薄膜の表面硬度を測定する際に広く使用される。なお、後述する実施例では、ナノィ ンデンテーシヨン試験により導電膜 2の表面硬度を測定した。
導電膜 2の表面硬度は、 12GPa以上、特には 15GPa以上であることがより好ましい
〇
さらに、使用する静電チャックの硬度と、導電膜の硬度との差が少ないほうが、より 効果的に擦れによるパーティクルの発生を防止することが可能である。よって、導電 膜の硬度は、使用する静電チャックの硬度プラスマイナス 4· 5GPa以内に収まって いることが好ましい。
[0039] 上記したように、導電膜 2全体としてみた場合に、 Nの平均濃度は 0. lat%以上 40 at%未満であればよぐ導電膜 2には N濃度が lat%未満の部分が存在してもよぐ Nを含まない部分が存在してもよい。すなわち、導電膜 2において、 Nは特定の部位 に偏在していてもよい。例えば、導電膜 2の表面側に Nが偏在していてもよい。この場 合、導電膜 2の基板 1側における N濃度が低くなつており、表面側における N濃度が 高くなつている。その反対に、導電膜 2の基板側に Nが偏在していてもよい。この場合 、導電膜 2の基板 1側における N濃度が高くなつており、表面側における N濃度が低 くなつている。
[0040] 但し、本発明の導電膜付基板において、導電膜 2が Nを含有することによる効果、 すなわち、導電膜 2の少なくとも表面の結晶状態がアモルファスとなり、導電膜 2の表 面の表面粗さが小さくなる効果をより効果的に発揮させるためには、導電膜 2は、基 板側における N濃度が低ぐ基板 1側における N濃度が高くなるように、導電膜 2中の N濃度が該導電膜 2の厚さ方向に沿って変化した傾斜組成膜 (以下、本明細書にお いて、「傾斜組成膜」という。）であることが好ましい。なお、このような傾斜組成膜とし た場合、上記した効果に加えて以下の効果が期待される。
導電膜 2の表面側における N濃度が高いため、導電膜が酸化されに《なり、導電 膜中の応力の経時変化が小さくなる。その結果、パターン精度の悪化が起こりにくく なり、マスクとしての寿命が長くなる。
一方、導電膜の基板側における N濃度が低いため、導電膜の基板との密着性がさ らに向上することが期待される。
[0041] 本明細書において、「傾斜組成膜」といった場合、基板 1側における N濃度が低ぐ 表面側における N濃度が高くなるように、導電膜 2中の N濃度が該導電膜 2の厚さ方 向に沿って連続的に変化した構造の導電膜 (以下、「狭義の傾斜組成膜」ともいう。 ) だけではなぐ表面側に Nが偏在した構造の導電膜を広く含む。したがって、 N濃度 が異なる複数の層が積層した構造の導電膜 (以下、「積層構造の導電膜」ともいう。 ) であってもよい。但し、この場合、基板側の層が N濃度の低い層、表面側の層が N濃 度の高い層となるように積層されている。なお、積層構造の導電膜において、層数は 特に限定されない。したがって、 2層であってもよぐ 3層以上であってもよい。
[0042] なお、導電膜 2全体としてみた場合に、 Nの平均濃度が 0. lat%以上 40at%未満 である限り、傾斜組成膜は、基板 1側に Nを含まない部分を有していてもよい。この場 合、狭義の傾斜組成膜は、以下の構造となる。
•導電膜 2の基板 1付近の部分は Nを含有しない。
•導電膜 2の基板 1付近以外の部分は Nを含有する。
•導電膜 2中の N濃度は、導電膜 2の厚さ方向に沿って連続的に変化する。 •導電膜 2全体としてみた場合、 Nの平均濃度が 0. lat%以上 40at%未満である。 また、導電膜 2が積層構造 (2層）である場合、以下の構造となる。
•導電膜 2の基板 1側の層は Nを含有しない。
•導電膜 2の表面側の層は Nを含有する。
•導電膜 2全体としてみた場合、 Nの平均濃度が 0. lat%以上 40at%未満である。 また、導電膜 2が 3層以上の積層構造である場合、以下の構造となる。
•導電膜 2の最も基板 1側の層は Nを含有しない。
•導電膜 2の最も基板 1側の層以外の層は Nを含有する。
•Bを含有する層は、基板 1側から表面側へと N濃度が高くなるように積層されてい
•導電膜 2全体としてみた場合、 Nの平均濃度が 0. lat%以上 40at%未満である。
[0043] 傾斜組成膜において、基板 1側の面から膜厚 5nmまでの部分（以下、本明細書に おいて、「基板近傍部分」という。）のN濃度が 15at%以下であることが好ましい。基 板近傍部分の N濃度が 15at%以下であれば、基板 1との密着性に優れている。基板 近傍部分の N濃度が 10at%以下であることがより好ましぐ 5at%以下であることがさ らに好ましぐ基板近傍部分が実質的に Nを含有しないことが特に好ましい。
また、導電膜 2の全膜厚を L (nm)とした場合、上記した基板近傍部分は基板 1側の 面から 0. 05Lの部分であることが好ましい。
[0044] 傾斜組成膜において、表面から少なくとも膜厚 5nmまでの部分（以下、本明細書に おいて、「表面近傍部分」という。）の N濃度が 0. lat%以上 40at%未満であることが 好ましい。表面近傍部分の N濃度が 0. lat%以上 40at%未満であれば、導電膜 2 の表面の表面粗さが小さくなる。表面近傍部分の N濃度が 10at%以上 40at%未満 であること力 り好ましく、 15〜35at%であることがさらに好ましい。
傾斜組成膜にぉレ、て、表面近傍部分は表面から少なくとも膜厚 50nmまでの部分 であること力 S好ましく、膜厚 90nmまでの部分であることがさらに好ましい。
また、導電膜 2の全膜厚を L (nm)とした場合、上記した表面近傍部分は表面から 少なくとも 0. 05Lの部分であることが好ましぐ表面から少なくとも 0. 1Lの部分である ことがさらに好ましい。 [0045] 本発明の導電膜付基板において、導電膜 2の膜厚 Lは、 50〜200nmであることが 好ましい。導電膜 2の膜厚 Lが 50nm未満であると、導電膜 2の膜厚が少ないため、 導電膜付基板を静電チャックに固定した際にチャック力が不足するおそれがある。ま た、導電膜付基板を静電チャックに固定し、高電圧を引加した際に基板 1が絶縁破 壊するおそれがある。
導電膜 2の膜厚 Lが 200nm超である場合、チャック力の向上にはもはや寄与せず 、導電膜 2の形成に要する時間が増加し、導電膜 2の形成に要するコストが増加する 。また、導電膜 2の膜厚が必要以上に大きくなるため、膜剥れが発生するおそれが増 加する。
導電膜 2の膜厚は、 50〜； 150nmであることがより好ましぐ 50〜； !OOnmであること 力さらに好ましぐ 60〜； !OOnmであることが特に好ましい。
[0046] 本発明の導電膜付基板において、導電膜 2は、公知の成膜方法、例えば、マグネト ロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法などのスパッタリング法； CVD法； 真空蒸着法；電解メツキ法などを用いて形成することができる。例えば、 Crおよび Nの みを含有する導電膜 2を形成する場合、ターゲットを Crターゲットとし、スパッタガスを Arと Nの混合ガスとして、マグネトロンスパッタリング法を用いて導電膜を成膜すれ ばよい。
また、 Crおよび Nに加えて他の元素を含有する導電膜 2を形成する場合、ターゲッ トを Crと他の元素との化合物ターゲット、または Crターゲットと他の元素のターゲットと の併用とし、スパッタガスを Arと Nの混合ガスとして、マグネトロンスパッタリング法を 実施して、導電膜を成膜すればよい。
また、積層構造 (2層構造、下層は Nを含有せず、上層は Nを含有する）の導電膜を 形成する場合、ターゲットを Crターゲットとし、スパッタガスを Arガスとして、マグネトロ ンスパッタリング法を実施して、下層を成膜した後、スパッタガスを Arと Nの混合ガス に変えて、マグネトロンスパッタリング法を実施して、上層を成膜すればよい。
また、狭義の傾斜組成膜を形成する場合、ターゲットを Crターゲットとし、スパッタガ ス (Arと Nの混合ガス）における Nの割合を調節しながら、マグネトロンスパッタリング 法を実施して、導電膜を成膜すればよい。 なお、形成される導電膜に酸素原子が含有しないよう、導電膜の形成は酸素原子 を含有するガス（例えば、 O、 CO、 CO、 H 0、 NO等）が実質的に存在しない環境 、具体的には、酸素原子を含有するガスの合計分圧が 1 X 10— 4Pa以下、好ましくは 1 X 10— 5Pa以下の環境で実施する。
[0047] 上記した方法で Crおよび Nのみを含有する導電膜 2を形成するには、具体的には 以下の成膜条件で実施すればょレ、。
ターゲット： Crターゲット。
スパッタガス： Arと Nの混合ガス（Nガス濃度 3〜45vol%、好ましくは 5〜40vol% 、より好ましく (ま 10〜35vol0/0。ガス圧 1. 0 10—1〜50 10—1?&、好ましく(ま1. 0 Χ 10―1〜 40 X 10— 1Pa、より好ましくは 1. 0 X 10―1〜 30 X 10— 1Pa。）。
投入電力： 30〜； 1000W、好まし <は 50〜750W、より好まし <は 80〜500W。 成膜速度： 2· 0〜60nm/min、好ましくは 3. 5〜45nm/min、より好ましくは 5〜 30nm/ min。
[0048] EUVマスクブランクにパターン形成する際、すなわち、マスクパターユングプロセス の際、微細なパターンを形成するために、通常は電子ビーム描画技術を用いてバタ ーン形成を行う。
電子ビーム描画技術を用いたパターン形成をするためには、まず始めに、 EUVマ スタブランクの吸収層表面に電子ビーム描画用のレジストを塗布し、ベーキング処理 、たとえば 200°Cでべ一キング処理を行う。次に、レジスト表面上に電子ビーム描画 装置を用いて電子ビームを照射し、その後、現像することでレジストパターンを形成 する。上記手順でパターン形成されたマスクは、 EUV光を用いた露光プロセスに供 される。これらの手順は、 EUVマスクブランクほたはパターン形成されたマスク）を静 電チャックに固定した状態で実施される。
上記のパターン形成や EUV光による露光の際、基板の温度が上昇する。基板の 温度上昇はパターン精度に悪影響を及ぼすおそれがあることから好ましくない。この ため、パターン形成の際に基板を冷却することが検討されている。基板の冷却方法と しては、様々な方法が考えられる力 例えば、静電チャック内部に液体や気体を流通 させて基板を冷却する方法、ピンチャックと基板との空隙部分に気体を流通させて基 板を冷却する方法がある。これらの方法において、基板の冷却効率という点から、導 電膜 2と静電チャックとの密着性が高ぐ両者の接触部での熱伝導性が高いことが好 ましい。
[0049] 本発明の導電膜付基板において、成膜用の基板 1は、 EUVマスクブランク用の基 板としての特性を満たすことが要求される。そのため、基板 1は、低熱膨張係数 (具体 的には、 20°Cにおける熱膨張係数が 0 ± 0. 1 X 10— 7/°Cであることが好ましぐより 好ましくは 0 ± 0. 05 X 10— 7/°C、さらに好ましくは 0 ± 0· 03 X 10— 7/°C)を有し、平 滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に 用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましレ、。
基板 1としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えば SiO— TiO系 ガラス等を用いるが、これに限定されない。例えば、 /3石英固溶体を析出した結晶化 ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板を用いることもできる。
基板 1は、表面粗さ（rms)が 0. 15nm以下、好ましくは 0. 12nm以下の平滑な表 面と、 lOOnm以下、好ましくは 80nm以下の平坦度を有していることがパターン形成 後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好適である。 基板 1の大きさや厚みなどはマスクの設計値等により適宜決定されるものである。実 施例では外形 6インチ（152. 4mm)角で、厚さ 0. 25インチ（6. 3mm)の SiO—Ti O系ガラスを用いた。
[0050] 次に、本発明の多層反射膜付基板について説明する。図 2は、本発明の多層反射 膜付基板の模式図である。図 2において、基板 1の導電膜 2が形成された面に対して 反対側に多層反射膜 3が形成されている。ここで、基板 1および導電膜 2は、図 1に示 したものと同じ (本発明の導電膜付基板)である。
本発明の多層反射膜付基板は、本発明の導電膜付基板を静電チャックに固定した 後、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法といったスパッタリン グ法を用いて、基板 1の成膜面に多層反射膜 3を成膜することによって得られる。 基板 1の成膜面に成膜される多層反射膜 3は、 EUVマスクブランクの多層反射膜と して所望の特性を有するものである限り特に限定されない。ここで、多層反射膜 3に 特に要求される特性は、高 EUV光線反射率の膜であることである。具体的には、 EU V光の波長領域の光線を多層反射膜表面に照射した際に、波長 13. 5nm付近の光 線反射率の最大値が 60%以上であることが好ましぐ 65%以上であることがより好ま しい。
上記の特性を満たす多層反射膜 3としては、 Si膜と Mo膜とを交互に積層させた Si /Mo多層反射膜、 Beと Mo膜とを交互に積層させた Be/Mo多層反射膜、 Si化合 物と Mo化合物層とを交互に積層させた Si化合物 /Mo化合物多層反射膜、 Si膜、 Mo膜および Ru膜をこの順番に積層させた Si/Mo/Ru多層反射膜、 Si膜、 Ru膜 、 Mo膜および Ru膜をこの順番に積層させた Si/Ru/Mo/Ru多層反射膜が挙げ られる。
[0051] 基板 1の成膜面に多層反射膜 3を成膜する手順は、スパッタリング法を用いて多層 反射膜を成膜する際に通常実施される手順であってよい。例えば、イオンビームスパ ッタリング法を用いて Si/Mo多層反射膜を形成する場合、ターゲットとして Siターグ ットを用い、スパッタガスとして Arガス（ガス圧が 1 · 3 X 10— 2〜2· 7 X 10— 2Pa、好まし くは 1. 5 X 10— 2〜2. 5 X 10— 2Pa)を使用して、イオンカロ速電圧力 300〜； 1500V、好 ましく (ま 400〜； 1300V、成膜速度力 0. 03—0. 30nm/sec、好ましく (ま 0. 05—0. 25nm/secで、厚さ 4. 5nmとなるように Si膜を成膜する。次に、ターゲットとして Mo ターゲットを用い、スパッタガスとして Arガス（ガス圧 1 · 3 X 10— 2〜2. 7 X 10— 2Pa)を 使用して、イオンカロ速電圧 300〜； 1500V、成膜速度 0. 03—0. 30nm/secで厚さ 2. 3nmとなるように Mo膜を成膜することが好ましい。これを 1周期として、 Si膜およ び Mo膜を 40〜50周期積層させることにより Si/Mo多層反射膜が成膜される。多 層反射膜 3を成膜する際、均一な成膜を得るために、回転体を用いて基板 1を回転さ せながら成膜を行うことが好ましレ、。
[0052] 本発明の多層反射膜付基板は、多層反射膜 3の表面が酸化されるのを防止するた め、多層反射膜 3の最上層は酸化されにくい材料の層とすることが好ましい。酸化さ れにくい材料の層は多層反射膜 3のキャップ層として機能する。キャップ層として機能 する酸化されにくい材料の層の具体例としては、 Si層を例示することができる。多層 反射膜が Si/Mo膜である場合、最上層を Si層とすることによって、該最上層をキヤ ップ層として機能させることができる。その場合キャップ層の膜厚は、 l l ± 2nmであ ることが好ましい。
[0053] 本発明の多層反射膜付基板は、本発明の導電膜付基板を用いているため、導電 膜付基板を静電チャックに固定して多層反射膜を成膜する際に、静電チャックと導電 膜との擦れによってパーティクルが発生することが防止されている。このため、パーテ イタルによる表面欠陥が極めて少ない優れた多層反射膜付基板である。
[0054] 次に、本発明の EUVマスクブランクについて説明する。図 3は、本発明の EUVマス クブランクの模式図である。図 3において、多層反射膜 3上には吸収層 4が設けられ ている。ここで、基板 1、導電膜 2および多層反射膜 3は、図 2に示したものと同じ (本 発明の多層反射膜付基板)である。
本発明の EUVマスクブランクは、本発明の多層反射膜付基板を静電チャックに固 タリング法を用いて、多層反射膜 3上に吸収層 4を成膜することによって得られる。
[0055] 本発明の EUVマスクブランクにおいて、多層反射膜 3上に成膜される吸収層 4の構 成材料としては、 EUV光に対する吸収係数の高い材料、具体的には、 Cr Taまた はこれらの窒化物などが挙げられる。中でも、 TaNがアモルファスになりやすく表面 の平滑性に優れる、表面粗さが小さいという理由で好ましい。吸収層 4の厚さは、 50 〜； !OOnmであることが好ましぐ 55 90nmであること力 Sより好ましい。吸収層 4の成 膜方法は、スパッタリング法である限り特に限定されず、マグネトロンスパッタリング法 またはイオンビームスパッタリング法の!/、ずれであってもよ!/、。
[0056] イオンビームスパッタリング法を用いて、吸収層として TaN層を成膜する場合、ター ゲットとして Taターゲットを用い、スパッタガスとして Nガス（ガス圧は 1 · 3 X 10— 2 2. 7 X 10— 2Pa、好ましくは 1. 5 X 10— 2 2. 5 X 10— 2Pa)を使用して、イオンカロ速電圧 30 0〜； 1500V、好ましくは 400〜； 1300V、成膜速度 0. 01—0. 1 / sec、好ましくは 0. 05 0. 25nm/secで、厚さ 50〜； lOOnmとなるように成膜する。
スパッタリング法を用いて、吸収層 4を成膜する際、均一な成膜を得るために、回転 体を用いて基板 1を回転させながら成膜を行うことが好ましい。
[0057] 本発明の EUVマスクブランクにおいて、多層反射膜 3と、吸収層 4と、の間にバッフ ァ層が存在してもよい。 ノ ッファ層を構成する材料としては、たとえば、 Cr、 Al、 Ru、 Ta若しくはこれらの窒 化物、 SiO、 Si N、 Al Oなどが挙げられる。バッファ層は厚さ 10〜60nmであること
2 3 4 2 3
が好ましぐ特に 20〜50nmであることがより好ましい。
[0058] 本発明の EUVマスクブランクは、本発明の多層反射膜付基板を用いているため、 多層反射膜にパーティクルによる表面欠陥が極めて少ない。しかも、該多層反射膜 付基板を静電チャックに固定して吸収層を成膜する際に、静電チャックと導電膜との 擦れによってパーティクルが発生することが防止されている。このため、吸収層もパー ティクルによる表面欠陥が極めて少なレ、。
さらに、上記 EUVマスクブランクをパターユングすることで、表面欠陥の少ない EU Vマスクを形成することが可能である。欠陥を減少させることで、欠点の少ない露光を 行うことができ、生産性にも優れる。
実施例
[0059] 以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する力 これらに限定して解釈されるも のではない。
(実施例 1)
の开成，
本実施例では、成膜用の基板 1として、 SiO TiO系のガラス基板 (外形 6インチ（ 152. 4mm)角、厚さが 6. 3mm)を使用した。このガラス基板の熱膨張係数は 0. 02 X 10— 7/°C (20°Cにおける値。以下同じ。）であり、ヤング率は 67GPaである。このガ ラス基板を研磨により、表面粗さ（rms)が 0. 15nm以下の平滑な表面と lOOnm以下 の平坦度に形成した。
次に、基板 1の表面上に、マグネトロンスパッタリング法を用いて、導電膜 2を成膜し た。具体的には、成膜チャンバ一内を 1 X 10— 4Pa以下の真空にした後、 Crターゲット を用いて、 Arと Nの混合ガス雰囲気中でマグネトロンスパッタリングを行い、厚さ 70η mの導電膜 2を形成した。導電膜 2の成膜条件は以下の通りである。
ターゲッ卜： Crターゲッ卜
スパッタガス： Arと Nの混合ガス（Ar : 70vol%、 N ： 30vol%、ガス圧： 0. 3Pa) 投入電力： 150W 成膜速度： 0. l lnm/sec
膜厚： 70nm
の 成 , ネ斤
導電膜 2の Cr, N, Oおよび Cの平均濃度は、 X線光電子分光装置（X-ray Phot oelectron Spectrometer)を用いて測定した。導電膜 2の組成比（at%)は、 Cr : N : 0 = 62. 1 : 35. 9 : 2. 0であった。 Cの平均濃度は Oat%である。
の 曰曰白状
導電膜 2の結晶状態を、 X線回折装置（X— Ray Diffractmeter) (RIGAKU社 製）で確認した。得られる回折ピークにはシャープなピークが見られないことから、導 電膜 2の結晶状態がアモルファス構造または微結晶構造であることを確認した。
f fl草のシート t氏 t ^直
導電膜 2のシート抵抗は、四探針測定器を用いて測定した。導電膜 2のシート抵抗 値は、 20 Ω /口であった。
導電膜の表面粗さ（rms)
表面粗さは、原子間力顕微鏡（SII社製、 SPI— 3800)を用いて、 dynamic force modeで測定した。表面粗さの測定領域は 1 j m X l ju mであり、カンチレバーには 、 SI— DF40 (SII社製）を用いた。導電膜 2の表面粗さ（rms)は、 0. 3nmであった。
§ #^草の成,
次に、基板 1の導電膜 2に対して反対側（成膜面）に、イオンビームスパッタリング法 を用いて多層反射膜 (Si/Mo多層反射膜)を成膜した。具体的には、 Si膜および M o膜を交互に成膜することを 40周期繰り返すことにより、合計膜厚 272nm ( (4. 5 + 2 . 3) X 40)の Si/Mo多層反射膜を成膜した。最後にキャップ層として膜厚 11. Onm になるように Si層を成膜した。
なお、 Si膜および Mo膜の成膜条件は以下の通りである。
Si膜の成膜条件
ターゲット： Siターゲット（ホウ素ドープ）
スパッタガス： Arガス（ガス圧 0· 02Pa)
電圧： 700V 成膜速度： 0· 077nm/sec
膜厚： 4· 5nm
Mo膜の成膜条件
ターゲット： Moターゲット
スパッタガス： Arガス（ガス圧 0· 02Pa)
電圧： 700V
成膜速度： 0· 064nm/sec
膜厚： 2. 3nm
[0061] 表面欠陥の評価
上記手順で成膜される多層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測 定した。その結果、パーティクル個数は 1. 5個 /cm2であり、多層反射膜の成膜時に パーティクルがほとんど発生しないことが確認された。なお、パーティクル個数は、大 きさが 0. 15〃 m以上のものとして測定した。
[0062] 次に、上記手順で成膜される多層反射膜（Si/Mo多層反射膜）上に、 EUV光に 対する吸収層として、 TaN層をイオンビームスパッタリング法を用いて成膜して、 EU Vマスクブランクを得た。成膜条件は以下の通りであった。
TaN層の成膜条件
ターゲット： Taターゲット
スパッタガス： Nガス（ガス圧 0· 02Pa)
電圧： 700V
成膜速度： 0· 015nm/sec
膜厚： 70nm
上記手順で得られる EUVマスクブランクの吸収層表面のパーティクル個数につい ても上記と同様の手順で測定すると 2. 0個 /cm2であり、パーティクルによる表面欠 陥が少ない EUVマスクブランクであることが確認された。
[0063] (実施例 2)
本実施例は、ガラス基板上に形成される導電膜 2の N濃度（平均濃度）が 19at%で あること以外は実施例 1と同様である。 導電膜 2の成膜条件は以下の通りである。
ターゲッ卜： Crターゲッ卜
スパッタガス： Arと Nの混合ガス（Ar : 90体積0 /0、 N : 10体積0 /0、ガス圧： 0· 3Pa) 投入電力： 150W
成膜速度： 0. 14nm/sec
膜厚： 70nm
実施例 1と同様の手順で導電膜 2中の Cr, N, Oおよび Cの平均濃度を測定すると 、導電膜 2の組成比（at%)は、 Cr : N : 0 = 78. 6 : 19. 6 : 1. 8であった。 Cの平均濃 度は Oat%であった。
また、 X線回折装置を用いて導電膜 2の結晶状態を確認したところ、得られる回折 ピークにはシャープなピークが見られな!/、ことから、導電膜 2の結晶状態がァモルファ ス構造または微結晶構造であることを確認した。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の シート抵抗を測定すると 21 Ω /口であった。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の表 面粗さ（rms)を測定すると、 0. 14nmであった。
また、実施例 1と同様の手順で基板 1の成膜面に Mo/Si多層反射膜を成膜し、多 層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定した。その結果、パーテ イタル個数は 1. 5個 /cm2であり、多層反射膜の成膜時にパーティクルがほとんど発 生しないことが確認された。
次に、 Mo/Si多層反射膜上に TaN層を成膜して EUVマスクブランクを得た。得ら れた EUVマスクブランクについて TaN層表面のパーティクル個数を測定すると 2. 0 個/ cm2であり、パーティクルによる表面欠陥が少ない EUVマスクブランクであること が確認された。
(比較例 1)
比較例 1は、ガラス基板上に形成される導電膜 2の N濃度（平均濃度）が 40at%超（ 42. 5at%)であること以外は、実施例 1と同様である。導電膜 2の成膜条件は以下の 通りである。
ターゲッ卜： Crターゲッ卜
スパッタガス： Arと Nの混合ガス（Ar : 60vol%、 N： 40vol%、ガス圧： 0. 3Pa) 投入電力： 150W
成膜速度： 0· 10nm/sec
膜厚： 70nm
実施例 1と同様の手順で導電膜 2中の Cr, N, Oおよび Cの平均濃度を測定すると 、導電膜 2の組成比（at%)は、 Cr : N : 0 = 55. 4 : 42. 5 : 2. 1であった。 Cの平均濃 度は Oat%であった。
また、導電膜 2の結晶状態を X線回折装置を用いて確認すると、得られる回折ピー クにシャープなピークが見られることから、導電膜 2が結晶構造であることが確認され た。実施例 1と同様の方法で導電膜 2のシート抵抗を測定すると 57 Ω /口であった。 実施例 1と同様の方法で導電膜 2の表面粗さ（rms)を測定すると、 0. 52nmであった また、実施例 1と同様の手順で基板 1の成膜面に Mo/Si多層反射膜を成膜し、多 層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定した。その結果、パーテ イタル個数は 10個 /cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い多 層反射膜であることが確認された。
次に、 Mo/Si多層反射膜上に TaN層を成膜して EUVマスクブランクを得た。得ら れた EUVマスクブランクについて TaN層表面のパーティクル個数を測定すると 100 個/ cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い EUVマスクブランク であることが確認された。
(比較例 2)
比較例 2は、ガラス基板上に形成される導電膜 2が Nを含有しないこと以外は、実施 例 1と同様である。導電膜 2の成膜条件は以下の通りである。
ターゲッ卜： Crターゲッ卜
スパッタガス： Arガス（ガス圧： 0. 3Pa)
投入電力： 150W
成膜速度： 0. 4nm/sec
膜厚： 70nm
実施例 1と同様の手順で導電膜 2中の Cr, N, Oおよび Cの平均濃度を測定し、導 電膜 2が Nを含有しないことを確認した。なお、導電膜 2において、 Oの平均濃度は 5 . lat%であり、 Cの平均濃度は Oat%であった。
また、導電膜 2の結晶状態を X線回折装置を用いて確認すると、得られる回折ピー クにシャープなピークが見られることから、導電膜 2が結晶構造であることが確認され た。実施例 1と同様の方法で導電膜 2のシート抵抗を測定すると 5. 5 Ω /口であった 。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の表面粗さ（rms)を測定すると、 0. 71nmであつ た。
また、実施例 1と同様の手順で基板 1の成膜面に Mo/Si多層反射膜を成膜し、多 層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定した。その結果、パーテ イタル個数は 15個 /cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い多 層反射膜であることが確認された。
次に、 Mo/Si多層反射膜上に TaN層を成膜して EUVマスクブランクを得た。得ら れた EUVマスクブランクについて TaN層表面のパーティクル個数を測定すると 100 個/ cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い EUVマスクブランク であることが確認された。
(比較例 3)
比較例 3は、導電膜 2の成膜条件が下記条件であること以外は実施例 1と同様であ ターゲッ卜： Crターゲッ卜
スパッタガス： Arと NOの混合ガス（Ar : 88vol%、 NO : 12at%、ガス圧： 0· 3Pa) 投入電力： 150W
成膜速度： 0. 09nm/min
膜厚： 70nm
実施例 1と同様の手順で導電膜 2中の Cr, N, Oおよび Cの平均濃度を測定すると 、導電膜 2の組成比（at%)は、 Cr : N : 0 = 30 : 28 : 42であった。 Cの平均濃度は Oat %であった。
また、 X線回折装置を用いて導電膜 2の結晶状態を確認したところ、得られる回折 ピークにはシャープなピークが見られな!/、ことから、導電膜 2の結晶状態がァモルファ ス構造または微結晶構造であることを確認した。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の シート抵抗を測定すると 30 Ω /口であった。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の表 面粗さ（rms)を測定すると、 0. 60nmであった。
また、実施例 1と同様の手順で基板 1の成膜面に Mo/Si多層反射膜を成膜し、多 層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定した。その結果、パーテ イタル個数は 10個 /cm2であり、多層反射膜の成膜時にパーティクルがほとんど発 生しないことが確認された。
次に、 Mo/Si多層反射膜上に TaN層を成膜して EUVマスクブランクを得た。得ら れた EUVマスクブランクについて TaN層表面のパーティクル個数を測定すると 100 個/ cm2であり、パーティクルによる表面欠陥が少ない EUVマスクブランクであること が確認された。
(比較例 4)
比較例 4は、ガラス基板上に形成される導電膜 2の N濃度（平均濃度）が 40at%超（ 44. 0at%)であること以外は、実施例 1と同様である。導電膜 2の成膜条件は以下の 通りである。
ターゲッ卜： Crターゲッ卜
スパッタガス： Arと Nの混合ガス（Ar： 50vol%、 N ： 50vol%、ガス圧： 0· 3Pa) 投入電力： 150W
成膜速度： 0· 097nm/sec
膜厚： 70nm
実施例 1と同様の手順で導電膜 2中の Cr, N, Oおよび Cの平均濃度を測定すると 、導電膜 2の組成比（at%)は、 Cr : N : 0 = 52. 0 : 44. 0 : 4. 0であった。 Cの平均濃 度は 0at%であった。
また、 X線回折装置を用いて導電膜 2の結晶状態を確認したところ、得られる回折 ピークにはシャープなピークが見られな!/、ことから、導電膜 2の結晶状態がァモルファ ス構造または微結晶構造であることを確認した。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の シート抵抗を測定すると 589 Ω /口であった。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の表 面粗さ（rms)を測定すると、 0. 39nmであった。 また、実施例 1と同様の手順で基板 1の成膜面に Mo/Si多層反射膜を成膜し、多 層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定した。その結果、パーテ イタル個数は 15個 /cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い多 層反射膜であることが確認された。
次に、 Mo/Si多層反射膜上に TaN層を成膜して EUVマスクブランクを得た。得ら れた EUVマスクブランクについて TaN層表面のパーティクル個数を測定すると 100 個/ cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い EUVマスクブランク であることが確認された。
(比較例 5)
比較例 5は、ガラス基板上に形成される導電膜 2の N濃度（平均濃度）が 40at%超（ 45. lat%)であること以外は、実施例 1と同様である。導電膜 2の成膜条件は以下の 通りである。
ターゲッ卜： Crターゲッ卜
スパッタガス： Arと Nの混合ガス（Ar : 25vol%、 N ： 75vol%、ガス圧： 0. 3Pa) 投入電力： 150W
成膜速度： 0· 073nm/sec
膜厚： 70nm
実施例 1と同様の手順で導電膜 2中の Cr, N, Oおよび Cの平均濃度を測定すると 、導電膜 2の組成比（at%)は、 Cr : N : 0 = 52. 0 : 45. 1 : 2. 9であった。 Cの平均濃 度は 0at%であった。
また、 X線回折装置を用いて導電膜 2の結晶状態を確認したところ、得られる回折 ピークにはシャープなピークが見られな!/、ことから、導電膜 2の結晶状態がァモルファ ス構造または微結晶構造であることを確認した。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の シート抵抗を測定すると 1507 Ω /口であった。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の 表面粗さ（rms)を測定すると、 0. 49nmであった。導電膜 2の結晶状態はァモルファ ス構造または微結晶構造である力、膜質が粗となったことにより表面粗さが悪化した と考免られる。
また、実施例 1と同様の手順で基板 1の成膜面に Mo/Si多層反射膜を成膜し、多 層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定した。その結果、パーテ イタル個数は 20個 /cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い多 層反射膜であることが確認された。
次に、 Mo/Si多層反射膜上に TaN層を成膜して EUVマスクブランクを得た。得ら れた EUVマスクブランクについて TaN層表面のパーティクル個数を測定すると 100 個/ cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い EUVマスクブランク であることが確認された。
(比較例 6)
比較例 6は、ガラス基板上に形成される導電膜 2の N濃度（平均濃度）が 40at%超（ 47at%)であること以外は、実施例 1と同様である。導電膜 2の成膜条件は以下の通 りである。
ターゲッ卜： Crターゲッ卜
スパッタガス： Nガス（ガス圧：0· 3Pa)
投入電力： 150W
成膜速度： 0· 063nm/sec
膜厚： 70nm
実施例 1と同様の手順で導電膜 2中の Cr, N, Oおよび Cの平均濃度を測定すると 、導電膜 2の組成比（at%)は、 Cr : N : 0 = 51. 5 : 46. 8 : 1. 7であった。 Cの平均濃 度は 0at%であった。
また、 X線回折装置を用いて導電膜 2の結晶状態を確認したところ、得られる回折 ピークにはシャープなピークが見られな!/、ことから、導電膜 2の結晶状態がァモルファ ス構造または微結晶構造であることを確認した。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の シート抵抗を測定すると 614 Ω /口であった。実施例 1と同様の方法で導電膜 2の表 面粗さ（rms)を測定すると、 0. 81nmであった。導電膜 2の結晶状態はアモルファス 構造または微結晶構造である力 S、膜質が粗となったことにより表面粗さが悪化したと 考えられる。
また、実施例 1と同様の手順で基板 1の成膜面に Mo/Si多層反射膜を成膜し、多 層反射膜のパーティクル個数を欠陥検査装置を用いて測定した。その結果、パーテ イタル個数は 20個 /cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い多 層反射膜であることが確認された。
次に、 Mo/Si多層反射膜上に TaN層を成膜して EUVマスクブランクを得た。得ら れた EUVマスクブランクについて TaN層表面のパーティクル個数を測定すると 100 個/ cm2以上であり、パーティクルによる表面欠陥が非常に多い EUVマスクブランク であることが確認された。
産業上の利用可能性
本発明により、静電チャックと導電膜付基板の密着性を向上させることにより、静電 チャックと基板との擦れによるパーティクルの発生が防止された EUVマスクブランク 用の導電膜付基板を提供することが可能となり、パターン精度の悪化が起こりにくい 、寿命の長い EUVマスクブランクを提供できる。これらは、 Si基板等に微細なパター ンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術としての EUV 光を用いたフォトリソグラフィ法において有用である。 なお、 2006年 12月 15曰に出願された曰本特許出願 2006— 338576号の明細書 、特許請求の範囲、図面および要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の 開示として、取り入れるものである。

Claims

請求の範囲
[I] EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造に使用される導電膜付基板であつ て、前記導電膜はクロム（Cr)および窒素（N)を含有し、
前記導電膜における Nの平均濃度が 0. lat%以上 40at%未満であり、
前記導電膜の少なくとも表面の結晶状態がアモルファスであり、
前記導電膜のシート抵抗値が 27 Ω /口以下であり、
前記導電膜の表面粗さ（rms)が 0. 5nm以下であることを特徴とする導電膜付基板。
[2] 前記導電膜は、さらに Al、 Ag、 B、 Co、 Cu、 Fe、 Hf、 In、 Mo、 Ni、 Nb、 Si、 Ta、 T i、 Znおよび Zrからなる群力も選択される少なくとも 1つの元素を合計で l〜20at% ( 平均濃度)含有する、請求項 1に記載の導電膜付基板。
[3] 前記導電膜は、さらに Moおよび Taからなる群から選択される少なくとも 1つの元素 を合計で;!〜 20at% (平均濃度)含有する、請求項 1に記載の導電膜付基板。
[4] 前記導電膜のシート抵抗値が 27 Ω /口以下である、請求項 1ないし 3のいずれか に記載の導電膜付基板。
[5] 前記導電膜の表面粗さ（rms)が 0· 3nm以下である、請求項 1ないし 4のいずれか に記載の導電膜付基板。
[6] 前記導電膜は、少なくとも表面から膜厚 10nmの部分の結晶状態がアモルファスで ある、請求項 1な!、し 5の!/、ずれかに記載の導電膜付基板。
[7] 前記導電膜は、表面硬度が 7. 5GPa以上である、請求項 1ないし 6のいずれかに 記載の導電膜付基板。
[8] 前記導電膜の表面硬度は、使用する静電チャックの表面硬度プラスマイナス 4. 5G Pa以内に収まって!/、る請求項 1な!/、し 7の!/、ずれかに記載の導電膜付基板。
[9] 前記導電膜は、酸素（O)の平均濃度が 15at%以下であり、炭素（C)の平均濃度 力 SlOat%以下である、請求項 1ないし 8のいずれかに記載の導電膜付基板。
[10] 前記導電膜の厚さが 50〜200nmである、請求項 1ないし 9のいずれかに記載の導 電膜付基板。
[I I] 前記導電膜は、基板側における N濃度が低ぐ表面側における N濃度が高くなるよ うに、導電膜中の N濃度が該導電膜の厚さ方向に沿って傾斜組成膜である、請求項 1ないし 10のいずれかに記載の導電膜付基板。
[12] 請求項 1な!/、し 11の!/、ずれかに記載の導電膜付基板の前記導電膜が設けられた 面に対して、反対側に多層反射膜を形成してなる EUVリソグラフィ用反射型マスクブ ランクの多層反射膜付基板。
[13] 請求項 12に記載の多層反射膜付基板の多層反射膜上に吸収層を形成してなる E
UVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
[14] 請求項 13に記載の EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクをパターユングした E
UVリソグラフィ用反射型マスク。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012028631A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
JP2012049498A (ja) * 2010-07-28 2012-03-08 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、該マスクブランク用の機能膜付基板
WO2012105698A1 (ja) * 2011-02-04 2012-08-09 旭硝子株式会社 導電膜付基板、多層反射膜付基板、およびｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP2015015420A (ja) * 2013-07-08 2015-01-22 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
JP2015028999A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
US9618836B2 (en) 2014-04-22 2017-04-11 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for EUV lithography, substrate with funtion film for the mask blank, and methods for their production
KR20220024004A (ko) 2019-06-27 2022-03-03 호야 가부시키가이샤 박막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20220051172A (ko) 2019-08-30 2022-04-26 호야 가부시키가이샤 도전막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5348141B2 (ja) 2008-10-30 2013-11-20 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
JP5275275B2 (ja) 2010-02-25 2013-08-28 株式会社東芝 基板処理方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスクおよび半導体装置の製造方法
KR20130007537A (ko) 2010-03-02 2013-01-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
CN103443863B (zh) * 2011-03-23 2017-03-08 卡尔蔡司Smt有限责任公司 Euv反射镜布置、包括euv反射镜布置的光学系统以及操作包括euv反射镜布置的光学系统的方法
JP5497693B2 (ja) * 2011-06-10 2014-05-21 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスク基板、フォトマスク基板の製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
JP5816499B2 (ja) * 2011-09-12 2015-11-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Ｅｕｖマスクの製造方法
US9046781B2 (en) 2013-03-15 2015-06-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Structure and method for reflective-type mask
KR102107799B1 (ko) 2013-09-27 2020-05-07 호야 가부시키가이샤 도전막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 장치의 제조방법
KR101615890B1 (ko) * 2014-03-07 2016-04-27 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP6815995B2 (ja) 2015-06-17 2021-01-20 Hoya株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US10775693B2 (en) * 2016-12-07 2020-09-15 Fundacio Institut De Ciencies Fotoniques Transparent and electrically conductive coatings containing nitrides, borides or carbides
KR20190100251A (ko) 2017-01-17 2019-08-28 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6863169B2 (ja) * 2017-08-15 2021-04-21 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、および反射型マスク
SG11202005918UA (en) 2017-12-27 2020-07-29 Hoya Corp Substrate with conductive film, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method
JP6864952B2 (ja) * 2017-12-27 2021-04-28 Hoya株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US11119398B2 (en) * 2018-09-28 2021-09-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. EUV photo masks
US11249386B2 (en) 2018-10-26 2022-02-15 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask with backside coating
KR102285099B1 (ko) * 2020-01-08 2021-08-04 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크 및 포토마스크
KR102464780B1 (ko) * 2020-09-02 2022-11-09 주식회사 에스앤에스텍 도전막을 구비하는 블랭크마스크 및 이를 이용하여 제작된 포토마스크

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222764A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Hoya Corp 多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法
JP2004320035A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Carl-Zeiss-Stiftung Ｅｕｖリソグラフィに用いるマスクブランク及び製造方法
JP2005093723A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Kyocera Corp 静電チャック
JP2005210093A (ja) * 2003-12-25 2005-08-04 Hoya Corp 多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス及び露光用反射型マスク、並びにそれらの製造方法
JP2006049910A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Schott Ag フォトリトグラフィー処理用マスクブランクの製造方法及びマスクブランク
JP2006093454A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Hoya Corp 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡
JP2006324268A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｕｖ露光用マスクブランクスおよびその製造方法、ｅｕｖ露光用マスク
WO2007069417A1 (ja) * 2005-12-12 2007-06-21 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10198023A (ja) * 1997-01-09 1998-07-31 Nec Corp Ｘ線露光マスク及びその製造方法
KR100805360B1 (ko) 1999-06-07 2008-02-20 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 코팅층을 갖는 반사 마스크 기판
JP2001147516A (ja) * 2000-11-27 2001-05-29 Hoya Corp ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク
JP3683261B2 (ja) * 2003-03-03 2005-08-17 Ｈｏｙａ株式会社 擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス及びその製造方法、擬似欠陥を有する反射型マスク及びその製造方法、並びに擬似欠陥を有する反射型マスクブランクス又は反射型マスクの製造用基板
US7081956B1 (en) * 2003-12-04 2006-07-25 Advanced Micro Devices, Inc. Method and device for determining reflection lens pupil transmission distribution and illumination intensity distribution in reflective imaging system
US7230695B2 (en) * 2004-07-08 2007-06-12 Asahi Glass Company, Ltd. Defect repair device and defect repair method
KR20070054651A (ko) * 2004-09-17 2007-05-29 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크스 및 그 제조방법
JP2006267595A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Toshiba Corp マスクブランクスとその製造方法及び使用方法、並びにマスクとその製造方法及び使用方法
TWI417647B (zh) 2006-06-08 2013-12-01 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖ微影術用之反射性空白遮光罩及用於彼之具有功能性薄膜的基板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002222764A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Hoya Corp 多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法
JP2004320035A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Carl-Zeiss-Stiftung Ｅｕｖリソグラフィに用いるマスクブランク及び製造方法
JP2005093723A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Kyocera Corp 静電チャック
JP2005210093A (ja) * 2003-12-25 2005-08-04 Hoya Corp 多層反射膜付き基板、露光用反射型マスクブランクス及び露光用反射型マスク、並びにそれらの製造方法
JP2006049910A (ja) * 2004-08-06 2006-02-16 Schott Ag フォトリトグラフィー処理用マスクブランクの製造方法及びマスクブランク
JP2006093454A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Hoya Corp 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡
JP2006324268A (ja) * 2005-05-17 2006-11-30 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｕｖ露光用マスクブランクスおよびその製造方法、ｅｕｖ露光用マスク
WO2007069417A1 (ja) * 2005-12-12 2007-06-21 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の導電膜付基板

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012028631A (ja) * 2010-07-26 2012-02-09 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
JP2012049498A (ja) * 2010-07-28 2012-03-08 Asahi Glass Co Ltd Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、該マスクブランク用の機能膜付基板
WO2012105698A1 (ja) * 2011-02-04 2012-08-09 旭硝子株式会社 導電膜付基板、多層反射膜付基板、およびｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
US9086629B2 (en) 2011-02-04 2015-07-21 Asahi Glass Company, Limited Substrate with conductive film, substrate with multilayer reflective film and reflective mask blank for EUV lithography
JP5888247B2 (ja) * 2011-02-04 2016-03-16 旭硝子株式会社 導電膜付基板、多層反射膜付基板、およびｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク
KR101857844B1 (ko) 2011-02-04 2018-05-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 도전막이 형성된 기판, 다층 반사막이 형성된 기판, 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크
JP2015015420A (ja) * 2013-07-08 2015-01-22 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
JP2015028999A (ja) * 2013-07-30 2015-02-12 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク
US9618836B2 (en) 2014-04-22 2017-04-11 Asahi Glass Company, Limited Reflective mask blank for EUV lithography, substrate with funtion film for the mask blank, and methods for their production
KR20220024004A (ko) 2019-06-27 2022-03-03 호야 가부시키가이샤 박막 부착 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법
KR20220051172A (ko) 2019-08-30 2022-04-26 호야 가부시키가이샤 도전막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크, 그리고 반도체 디바이스의 제조 방법

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