JPH021851A - 電子線露光用マスクブランク - Google Patents
電子線露光用マスクブランクInfo
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- JPH021851A JPH021851A JP63142979A JP14297988A JPH021851A JP H021851 A JPH021851 A JP H021851A JP 63142979 A JP63142979 A JP 63142979A JP 14297988 A JP14297988 A JP 14297988A JP H021851 A JPH021851 A JP H021851A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子線露光用マスクブランクに関する。
こ従来の技術〕
従来の電子線露光用マスクブランク（以下単にマスクブ
ランクという）は第４図に示すように、ガラス板２上に
遮光金属膜としてクロム膜３をスパッタ法により形成し
、その表面の反射率を低減する為に、例えば酸化クロム
膜４をスパッタ法により形成したものが使用されている
。
ランクという）は第４図に示すように、ガラス板２上に
遮光金属膜としてクロム膜３をスパッタ法により形成し
、その表面の反射率を低減する為に、例えば酸化クロム
膜４をスパッタ法により形成したものが使用されている
。
上述した従来のマスクブランクＩＢを用いた電子線露光
方法によるホトマスクの製造は、マスクブランクＩＢの
表面に電子線レジス）・（以下単にレジストという）５
を塗布し、そのレジス）・５に電子線を選択露光し、次
に現像、ボストベーク及びエツチング工程を経て製造さ
れる。しかしながら、このような従来の方法では、マス
クブランクＩＢが絶縁物である為、照射された電子は、
マスクブランクＩＢ上に帯電して電子線に影響を与え、
画質をそこなう結果となる。そこで帯電を防止する為に
、マスクブランクの遮光金属膜としてのクロム膜３を電
気的に接地して、電荷を流出させる必要がある。
方法によるホトマスクの製造は、マスクブランクＩＢの
表面に電子線レジス）・（以下単にレジストという）５
を塗布し、そのレジス）・５に電子線を選択露光し、次
に現像、ボストベーク及びエツチング工程を経て製造さ
れる。しかしながら、このような従来の方法では、マス
クブランクＩＢが絶縁物である為、照射された電子は、
マスクブランクＩＢ上に帯電して電子線に影響を与え、
画質をそこなう結果となる。そこで帯電を防止する為に
、マスクブランクの遮光金属膜としてのクロム膜３を電
気的に接地して、電荷を流出させる必要がある。
一般に遮光金属膜を電気的に接地させる方法としては、
マスクブランクを保持するブランクホルダーに、マスク
ブランクの表面に接する端子を設け、その端子を電気的
アースに接続する方法がとられている。
マスクブランクを保持するブランクホルダーに、マスク
ブランクの表面に接する端子を設け、その端子を電気的
アースに接続する方法がとられている。
しかしながら、ブランクホルダーに設けられた端子は、
単にマスクブランクの表面を圧着しているだけである為
、レジストや金属酸化膜等の絶縁層により遮光金属膜と
端子との間に十分な導通か取れないため、帯電の原因と
なっていた。
単にマスクブランクの表面を圧着しているだけである為
、レジストや金属酸化膜等の絶縁層により遮光金属膜と
端子との間に十分な導通か取れないため、帯電の原因と
なっていた。
本発明の目的は、帯電の生じることのない電子線露光用
マスクブランクを提供することにある。
マスクブランクを提供することにある。
本発明の電子線露光用マスクブランクは、透明絶縁板と
該透明絶縁板上に順次形成された金属遮光膜と金罵酸化
膜とからなる電子線露光用マスクブランクであって、前
記金属遮光膜の端部に接地用端子を接触させるための露
出部を設けるか、または金属遮光膜を透明絶縁板の裏面
に形成された接地用金属膜に接続したものである。
該透明絶縁板上に順次形成された金属遮光膜と金罵酸化
膜とからなる電子線露光用マスクブランクであって、前
記金属遮光膜の端部に接地用端子を接触させるための露
出部を設けるか、または金属遮光膜を透明絶縁板の裏面
に形成された接地用金属膜に接続したものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ −Ａ ’線断面図である。
及びＡ −Ａ ’線断面図である。
第１図においてマスクブランク１は、透明絶縁板である
ガラス板２とこの上゛にスパッタ法により形成された遮
光金属膜としてのクロム膜３と、表面の反射率を低減す
る為の酸化クロム膜４とから暢成されている。そして、
特にパターンを形成させる有効エリア９の外部の一部に
酸化クロム膜４のない端子接触用の露出部１０が設けら
れている。
ガラス板２とこの上゛にスパッタ法により形成された遮
光金属膜としてのクロム膜３と、表面の反射率を低減す
る為の酸化クロム膜４とから暢成されている。そして、
特にパターンを形成させる有効エリア９の外部の一部に
酸化クロム膜４のない端子接触用の露出部１０が設けら
れている。
このようにＦす成されたマスクブランク］上にレジスト
５を塗布したのち第２図に示すように、ブランクホルダ
ー〇にセットし、端子７分この露出部１０に圧着して接
触させる。Ｌ２．１子７はブランクホルダー６を介して
アース８に接続され電気的に導通が収られている。従っ
てこの状ｊｆ３で電子線を用いてホトマスクの製造を行
っても、電子は帯電することはないため、高精度のパタ
ーンを描画することができる。
５を塗布したのち第２図に示すように、ブランクホルダ
ー〇にセットし、端子７分この露出部１０に圧着して接
触させる。Ｌ２．１子７はブランクホルダー６を介して
アース８に接続され電気的に導通が収られている。従っ
てこの状ｊｆ３で電子線を用いてホトマスクの製造を行
っても、電子は帯電することはないため、高精度のパタ
ーンを描画することができる。
第３図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図
及びＢ−Ｂ’線断面図である。
及びＢ−Ｂ’線断面図である。
水弟２の実施例においては、ガラス板２上の酸化クロム
膜４は表面だけでなく、側面から有効エリア９外に位置
する裏面の一部まで連続して形成しである。そして表面
の反射率を低減する為の酸化クロム膜４は表面のみに形
成しである。
膜４は表面だけでなく、側面から有効エリア９外に位置
する裏面の一部まで連続して形成しである。そして表面
の反射率を低減する為の酸化クロム膜４は表面のみに形
成しである。
このマスクブランクＩＡにレジストを塗布し、ブランク
ボルダ−にセットし、裏面のクロム膜３Ａにブランクホ
ルダーの突出部またはブランクホルタ−に接続された端
子を接触させて接地することにより、第１の実施例と同
様に電子線による帯電がなくなるため精度のよいパター
ンを描画することができる。
ボルダ−にセットし、裏面のクロム膜３Ａにブランクホ
ルダーの突出部またはブランクホルタ−に接続された端
子を接触させて接地することにより、第１の実施例と同
様に電子線による帯電がなくなるため精度のよいパター
ンを描画することができる。
更に水弟２の実施例では、端子等との接触部かマスクブ
ランクＩＡの裏面に形成されている為、レジストを破壊
する必要がないので、ごみの発生がなく、また確実に接
地することが出きるという利点がある。
ランクＩＡの裏面に形成されている為、レジストを破壊
する必要がないので、ごみの発生がなく、また確実に接
地することが出きるという利点がある。
尚、上記第２の実施例においては、クロム膜をガラス板
の表面から側面及び裏面に連続して形成した場合につい
て説明したが、ガラス板の側面と裏面の膜は導電性ペー
スト等を塗布して形成してもよい。
の表面から側面及び裏面に連続して形成した場合につい
て説明したが、ガラス板の側面と裏面の膜は導電性ペー
スト等を塗布して形成してもよい。
以上説明したように本発明は透明絶縁板上に形成された
金属遮光膜の端部に接地用端子を接触させるための露出
部を設けるか、または金属遮光膜を透明絶縁板の裏面に
形成された接地用金属膜に接続することにより、帯電か
防止できるため、高精度のパターン描画を行うことので
きろ電子線露光用マスクブランクが得られる。
金属遮光膜の端部に接地用端子を接触させるための露出
部を設けるか、または金属遮光膜を透明絶縁板の裏面に
形成された接地用金属膜に接続することにより、帯電か
防止できるため、高精度のパターン描画を行うことので
きろ電子線露光用マスクブランクが得られる。
第１図（ａ＞、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ′線断面図、第２図は本発明の第１の実施例
をフランクホルタ−にセットした場合の断面図、第３図
＜ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図及びＹ
３−Ｂ′線断面図、第４図は従来のマスクブランクの断
面図で、ろる。 １．１Ａ、ＩＢ・・マスクブランク、２・・・ガラス（
反、３，３Ａ・・・クロム膜、４・・・酸化クロム膜、
５・・レジスト、６・・・ブランクホルダー、７・・・
端子、８・・・アース、９・・・有効エリア、１０・・
・露、出部。 ？ ど）′ランフホル９−
及びＡ−Ａ′線断面図、第２図は本発明の第１の実施例
をフランクホルタ−にセットした場合の断面図、第３図
＜ａ）、（ｂ）は本発明の第２の実施例の平面図及びＹ
３−Ｂ′線断面図、第４図は従来のマスクブランクの断
面図で、ろる。 １．１Ａ、ＩＢ・・マスクブランク、２・・・ガラス（
反、３，３Ａ・・・クロム膜、４・・・酸化クロム膜、
５・・レジスト、６・・・ブランクホルダー、７・・・
端子、８・・・アース、９・・・有効エリア、１０・・
・露、出部。 ？ ど）′ランフホル９−
Claims (1)
- 透明絶縁板と該透明絶縁板上に順次形成された金属遮光
膜と金属酸化膜とからなる電子線露光用マスクブランク
において、前記金属遮光膜の端部に接地用端子を接触さ
せるための露出部を設けるか、または金属遮光膜を前記
透明絶縁板の裏面に形成された接地用金属膜に接続した
ことを特徴とする電子線露光用マスクブランク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142979A JPH021851A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 電子線露光用マスクブランク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63142979A JPH021851A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 電子線露光用マスクブランク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH021851A true JPH021851A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15328108
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63142979A Pending JPH021851A (ja) | 1988-06-09 | 1988-06-09 | 電子線露光用マスクブランク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH021851A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04216550A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 露光用マスクの製造方法 |
| JP2006049910A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Schott Ag | フォトリトグラフィー処理用マスクブランクの製造方法及びマスクブランク |
-
1988
- 1988-06-09 JP JP63142979A patent/JPH021851A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04216550A (ja) * | 1990-12-18 | 1992-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | 露光用マスクの製造方法 |
| JP2006049910A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Schott Ag | フォトリトグラフィー処理用マスクブランクの製造方法及びマスクブランク |
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