JPH0512991A - プラズマデイスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

プラズマデイスプレイパネルの製造方法

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JPH0512991A
JPH0512991A JP3160295A JP16029591A JPH0512991A JP H0512991 A JPH0512991 A JP H0512991A JP 3160295 A JP3160295 A JP 3160295A JP 16029591 A JP16029591 A JP 16029591A JP H0512991 A JPH0512991 A JP H0512991A
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layer
exposure
electrode
etching
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JP3160295A
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Tetsuya Ogawa
哲也 小川
Masashi Amatsu
正史 天津
Kenji Horio
研二 堀尾
Teruo Kurai
輝夫 倉井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】本発明はAC(交流)駆動形式の面放電型のプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特に電極
を被覆する誘電体の形成方法に特徴を有し、広範囲に拡
がる安定した面放電の生じるPDPを容易に製造するこ
とを目的とする。 【構成】透明基板21上に断面形状が略台形状の一対の
電極X1,Y1を形成する電極形成工程と、電極X1,
Y1を含めて透明基板21の表面を一様に覆う絶縁体層
25aを形成する絶縁体層形成工程と、絶縁体層25a
上に、露光により可溶化するレジスト層41を形成する
レジスト層形成工程と、透明基板21の裏面から電極X
1,Y1を露光マスクとしてレジスト層41を露光する
露光工程と、露光により可溶化した部分を除いたレジス
ト層41を用いて、絶縁体層25aを部分的に薄くする
ようにエッチングするエッチング工程とを含み、電極X
1,Y1に対してセルフアライメントによって絶縁体を
設けるように構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、AC(交流)駆動形式
の面放電型のプラズマディスプレイパネルの製造方法に
関し、特に電極を被覆する誘電体の形成方法に特徴を有
する。
【0002】面放電型のプラズマディスプレイパネル
(PDP)は、駆動電圧の印加に際して対となる電極を
基板上に隣接配置したPDPであり、蛍光体による種々
の色の表示に適したPDPとして知られている。
【0003】
【従来の技術】図4は基本的な面放電型PDP10の構
造を示す要部断面図である。
【0004】PDP10は、放電空間30を設けて対向
配置されたガラス基板11,21、一方のガラス基板
(図では裏面側のガラス基板21)上に平面的に配置さ
れた一対の電極X,Y、AC駆動のための誘電体25
A、マトリクス表示に際して表示ドットを選択するため
のアドレス電極A、及び所定発光色の蛍光体18などか
ら構成されている。
【0005】蛍光体18は、放電時のイオン衝撃を避け
るために、電極X,Yと遠ざけるように表示面H側のガ
ラス基板11の内面上に設けられている。
【0006】電極X,Yに所定の駆動電圧を印加する
と、誘電体25Aの表面に沿って面放電が生じ、このと
き生じた紫外線によって蛍光体18が励起されて発光す
る。
【0007】なお、電極X,Yの一方とアドレス電極A
との間で放電(消去放電)を生じさせると、面放電によ
り誘電体25A内に蓄積した壁電荷が消失し、その後は
面放電が生じない。
【0008】さて、PDP10では、面放電が電極間隙
の上部及びその近傍の局部的な放電になり易い。つま
り、放電が電極対の両端側へ拡がりにくい。
【0009】局部的な放電は、特に誘電体25Aの劣化
を速める原因となる。
【0010】そこで、従来より、放電が拡がるように電
極X,Yを配置したPDPが提案されている。
【0011】図5は改良された面放電型PDP11の構
造を示す要部断面図である。
【0012】PDP11では、電極X,Yは、例えば断
面形状が半円状の突起体50の斜面上に設けることによ
って、それぞれの表面(上面)が互いに対向するように
ガラス基板21上に立体的に配置されている。そして、
誘電体25Bは、電極X,Yを被覆し且つ電極X,Yに
より挟まれる放電空間30bを設けるように形成されて
いる。
【0013】これにより、各電極X,Yの表面のほぼ全
域に対応した広範囲の放電を生じさせることができる。
【0014】このようなPDP11の製造に際しては、
突起体50及び電極X,Yが順に設けられ、その後に誘
電体25Bが形成される。
【0015】従来において、誘電体25Bの形成にあた
っては、まず、例えば低融点ガラスペーストをガラス基
板21上に塗布して焼成することによって、表面が平坦
な低融点ガラス層を形成し、その後に放電空間30bに
対応するマスクパターンを有した露光マスクを用いるフ
ォトリソグラフィ法によって、低融点ガラス層の一部を
除去していた。
【0016】
【発明が解決しようとする課題】従来では、誘電体25
Bの形成に際して、予め用意した露光マスクと電極X,
Yとの位置合わせを行わなければならず、そのためにフ
ォトリソグラフィ工程が複雑であるという問題があっ
た。
【0017】また、ガラス基板21の熱収縮などに起因
して、露光マスクと電極X,Yとの位置ズレが生じる場
合があり、各電極X,Yの互いの対向面を覆う誘電体2
5Bの厚さに差異が生じ易い、つまり、電極Xと電極Y
とを均等に誘電体25Bで被覆することが困難であると
いう問題もあった。
【0018】誘電体25Bの厚さに差異が生じると、電
極Xと電極Yとで壁電荷の蓄積条件が異なることにな
り、AC駆動による放電が不安定となる。
【0019】本発明は、上述の問題に鑑み、広範囲に拡
がる安定した面放電の生じるPDPを容易に得ることの
できる製造方法を提供することを目的としている。
【0020】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明に係る製
造方法は、上述の課題を解決するため、図1に示すよう
に、透明基板21上に断面形状が略台形状の一対の電極
X1,Y1(X2,Y2)を形成する電極形成工程と、
前記電極X1,Y1(X2,Y2)を含めて前記透明基
板21の表面を一様に覆う絶縁体層25aを形成する絶
縁体層形成工程と、前記絶縁体層25a上に、露光によ
り可溶化するレジスト層41を形成するレジスト層形成
工程と、前記透明基板21の裏面から前記電極X1,Y
1(X2,Y2)を露光マスクとして前記レジスト層4
1を露光する露光工程と、露光により可溶化した部分を
除いた前記レジスト層41を用いて、前記絶縁体層25
aを部分的に薄くするようにエッチングするエッチング
工程とを含む。
【0021】請求項2の発明に係る製造方法は、断面形
状が略台形状の一対の導電体X21,Y21を形成した
後に、当該導電体X21,Y21の表面を覆う導電膜X
22,Y22を形成することによって、2重構造の導体
として前記電極X2,Y2を形成する。
【0022】なお、本明細書において、「略台形状」と
は、上側から下側に向かって直線的に又は曲線的に拡が
った形状(台形、半円状なども含む)を総称したもので
ある。
【0023】
【作用】電極X1,Y1(X2,Y2)を露光マスクと
することにより、露光を受けずに非可溶状態のまま残っ
たレジスト層41(エッチングマスク)と電極X1,Y
1(X2,Y2)との配置関係は、セルフアライメント
によって定められる。
【0024】電極X1,Y1(X2,Y2)の断面形状
が略台形状であることから、エッチングマスクの幅は、
各電極X1,Y1(X2,Y2)の底部の長さに対応す
る。つまり、各電極X1,Y1(X2,Y2)の上部に
比べて幅広となる。
【0025】このようなエッチングマスクを用いて、透
明基板21を一様に覆う絶縁体層25aのエッチングが
行われる。
【0026】エッチングは、エッチング領域内の絶縁体
層25aが所定厚さまで薄くなった時点で終了され、こ
れにより、電極X1,Y1(X2,Y2)の全表面を被
覆する絶縁体(誘電体)が形成されるとともに、電極間
隙内に放電空間(ガス空間)が設けられる。
【0027】なお、電極X2,Y2は、断面形状が略台
形状の導電体X21,Y21とこれを覆う導電膜X2
2,Y22とからなる2重構造の導体として形成され
る。
【0028】
【実施例】図2は本発明に係る面放電型PDP1の構造
を示す断面図である。図2においては、図4及び図5と
同一の機能を有する構成要素には同一の符号を付しその
説明を省略する。
【0029】図2において、ガラス基板21上には、断
面形状が略台形状の一対の電極X1,Y1が設けられ、
これら電極X1,Y1を被覆し且つ電極間に放電空間3
0bを設けるように絶縁体25が設けられている。
【0030】PDP1では、電極X1,Y1の側面どう
しが放電空間30bを介して対向することから、図5に
示したPDP11と同様に面放電が広範囲に拡がる。
【0031】図1は本発明に係るPDP1の各製造段階
を示す断面図である。
【0032】まず、例えば銀ペーストを2〜3回程度重
ねてスクリーン印刷し、その後に焼成を行うことによっ
て、ガラス基板21上に所定の間隔を設けて隣接する一
対の電極X1,Y1を形成する〔図1(a)〕。
【0033】このように厚膜法によって形成した電極X
1,Y1は、図に示されるように、上端から下端に向か
うにつれて幅方向になだらかに拡がる斜面を有し、上述
したように断面形状が略台形状となる。なお、電極X
1,Y1の上端面の幅w1は50μm程度であり、下端
面の幅w2は70μm程度であり、また高さhは50μ
m程度である。
【0034】次に、電極X1,Y1を完全に覆うように
低融点ガラスペーストを塗布して焼成し、これにより表
面が平坦な絶縁体層25aを形成する〔図1(b)〕。
【0035】続いて、絶縁体層25aの全面に、スピン
塗布法又はスプレー塗布法などによってレジスト液を塗
布し、厚さ10μmのレジスト層41を形成する〔図1
(c)〕。
【0036】レジスト液としては、いわゆるポジ型のレ
ジスト液を用いる。つまり、レジスト層41は、紫外線
などの照射(露光)によって可溶化する。
【0037】そして、ガラス基板21の裏面側から全面
露光を行う。すなわちガラス基板21(厚さは2mm又
は3mm程度)を介してレジスト層41の露光を行う
〔図1(d)〕。
【0038】このとき、電極X1,Y1が露光マスクと
なり、図1(d)において、レジスト層41の内で電極
X1,Y1の下端面(底面)に対応する部分が非露光部
分となり、この部分では非可溶状態(現像により除去さ
れない状態)が保たれる。
【0039】露光により可溶化した部分を現像により取
り除いた後、残っているレジスト層41をエッチングマ
スクとして絶縁体層25aのエッチングを行う〔図1
(e)〕。エッチング手法としては、プラズマエッチン
グ法などのドライエッチング法を用いる。
【0040】このとき、エッチング領域において、絶縁
体層25aが所定の厚さで残るようにエッチング時間が
選定され、これにより、上述の絶縁体25が形成され
る。
【0041】その後、レジスト層41を除去したガラス
基板21と、別途にアドレス電極Aや蛍光体18を設け
たガラス基板11とを重ね合わせ、封止ガラスによる放
電空間30の密閉、放電ガスの充填などを経てPDP1
を完成する。
【0042】図3は本発明の他の実施例に係るPDP1
Bの製造段階の状態を示す要部断面図である。
【0043】PDP1Bの製造に際しては、ガラス基板
21上に、断面形状が略台形状の銀からなる導電体X2
1,Y21を厚膜法によって形成した後、導電体X2
1,Y21をメッキ用電極とした電解メッキ処理を行っ
て導電体X21,Y21をクロムなどのメッキ膜X2
2,Y22で被覆する。
【0044】つまり、導電体X21,Y21とメッキ膜
X22,Y22とからなる2重構造の電極X2,Y2を
形成する。
【0045】ここで、メッキ膜X22,Y22は、絶縁
体25との密着性を高めるために設けられ、導電体X2
1,Y21は、電極X2,Y2の導通性を確保するため
に設けられている。
【0046】上述の実施例によれば、電極X1,Y1又
は電極X2,Y2を被覆する絶縁体25を形成するため
の一連のフォトリソグラフィ工程において、電極X1,
Y1又は電極X2,Y2が露光マスクとされるので、パ
ターン露光用のフォトマスクを用意する必要がなく、マ
スク合わせも不要であり、製造工程の簡単化を図ること
ができる。加えて、電極に対して絶縁体25がセルフア
ライメントにより位置決めされることから、一対の電極
の互いの対向面を覆う絶縁体25の厚さを均等化するこ
とができ、これによって安定した放電を生じさせること
ができる。
【0047】上述の実施例において、電極X1,Y1を
銀ペーストに代えて金、ニッケル、クロムを主体とした
導体ペーストによって形成してもよい。また、絶縁体層
25aをウエットエッチング法を用いてエッチングする
こともできる。
【0048】上述の実施例においては、背面側のガラス
基板21に面放電用の電極X1,Y1を設けたPDP1
を例示したが、電極X1,Y1を表示面H側のガラス基
板11に設け、蛍光体18をガラス基板21に設けたP
DP、及び蛍光体18を設けないPDPにも本発明を適
用することができる。
【0049】
【発明の効果】本発明によれば、広範囲に拡がる安定し
た面放電の生じるプラズマディスプレイパネルを容易に
製造することができる。
【0050】請求項2の発明によれば、電極とこれを被
覆する誘電体との密着性を良好としてプラズマディスプ
レイパネルの信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るPDPの各製造段階を示す断面図
である。
【図2】本発明に係る面放電型PDPの構造を示す断面
図である。
【図3】本発明の他の実施例に係るPDPの製造段階の
状態を示す要部断面図である。
【図4】基本的な面放電型PDPの構造を示す要部断面
図である。
【図5】改良された面放電型PDPの構造を示す要部断
面図である。
【符号の説明】
1,1B PDP 21 ガラス基板(透明基板) X1,Y1 電極 25a 絶縁体層 41 レジスト層 X21,Y21 導電体 X22,Y22 メッキ膜(導電膜) X2,Y2 電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉井 輝夫 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透明基板(21)上に断面形状が略台形状
    の一対の電極(X1,X2)(Y1,Y2)を形成する
    電極形成工程と、 前記電極(X1,X2)(Y1,Y2)を含めて前記透
    明基板(21)の表面を一様に覆う絶縁体層(25a)
    を形成する絶縁体層形成工程と、 前記絶縁体層(25a)上に、露光により可溶化するレ
    ジスト層(41)を形成するレジスト層形成工程と、 前記透明基板(21)の裏面から前記電極(X1,X
    2)(Y1,Y2)を露光マスクとして前記レジスト層
    (41)を露光する露光工程と、 露光により可溶化した部分を除いた前記レジスト層(4
    1)を用いて、前記絶縁体層(25a)を部分的に薄く
    するようにエッチングするエッチング工程とを含むこと
    を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  2. 【請求項2】請求項1記載のプラズマディスプレイパネ
    ル(1B)の製造方法であって、 断面形状が略台形状の一対の導電体(X21)(Y2
    1)を形成した後に、当該導電体(X21)(Y21)
    の表面を覆う導電膜(X22)(Y22)を形成するこ
    とによって、2重構造の導体として前記電極(X2)
    (Y2)を形成することを特徴とするプラズマディスプ
    レイパネルの製造方法。
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