JPS5831529A - 電子線露光装置用基板ホルダ− - Google Patents

電子線露光装置用基板ホルダ−

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Publication number
JPS5831529A
JPS5831529A JP12968381A JP12968381A JPS5831529A JP S5831529 A JPS5831529 A JP S5831529A JP 12968381 A JP12968381 A JP 12968381A JP 12968381 A JP12968381 A JP 12968381A JP S5831529 A JPS5831529 A JP S5831529A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
terminal
electron beam
voltage
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12968381A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Aoyanagi
孝 青柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS5831529A publication Critical patent/JPS5831529A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発W!Aa電子線露光装置において露光中に基板を保
持する基板ホルダーの改jLK関するものである。
一般に集積回路製造工11に用iられているホトリソグ
ラフィ用ホトマスクの基板は第1図に示すようにガラス
等の絶縁物基板1上にクロム等のメタル層2を形状し、
表面の反射率を低減する為の酸化り關ム等の酸化層3を
該メタル層2の上に形成した亀のが使用されている。
前記ホトマスク基板を用いた電子線露光方法によるホト
マスク製造は、皺ホトマスク基板表面に電子線レジスト
4を塗布し、該レジスト層に電子線を選択露光し、次に
現像、ポストベーク、エツチング工程を経てホトマスク
が製造される。このような方法ではホトマスク基板が絶
縁物である為照射された電子線ホトマスク基板上に帯電
し、電子線に影響を与え画質をそこなう結果となる。
そこで帯電を防止する為に前記ホトマスク基板のメタル
層を電気的に接地して、電荷を流出させる必要がある。
一般に前記メタル層を電気的に接地させる方法として、
第2図に示すように露光中に基板を保持する基板ホルダ
ー5に基板の表面に!する端子6を設け、誼端子6を電
気的アースに接地する方法がとられている。
しかし、前記基板ホルダーでは端子が表面に圧着して−
るだけである為、レジスト層4酸化層3等の絶縁層によ
りメタル層2と端子6との間に導通が取れず、帯電の原
因となっていた。
本発明社斯る点に鑑みなされたものであって、基板を電
気的に容易Kli地できる基板ホルダーを提供するもの
である。
本発明の特徴は基板上の電子線レジストを選択的に電子
線で照射する装置に用いられ、腋基板を保持する事を目
的とし、鉄基板の−1平面に接し、かつ電気的に接地で
きる端子と、前記基板の−1平面に接し、前記端子との
間に電圧を印加できる端子とを有する電子線露光装置基
板ホルダーにある。
以下図面を用iて本発明の詳細な説明する。
第3図は本発明による基板ホルダー5に電子線レジスト
4を塗布し九ホトマスク基板1を装填した概念図である
。端子6は基板ホルダー5に電気的に導通がとられてお
シ基板10費面に圧着されている。端子8は基板ホルダ
ーに電気的に絶縁さこの状態では端子6と基板のメタル
層2とは電気的に絶縁されておシ、露光に適さない。端
子4と基板のメタル層2との間゛に導通をとる為には、
本発明による端子8と端子60間に直流電圧9を印圧す
る事によ〕行なわる。印加された電圧は主に酸化層3、
レジスト層4の絶縁層にかかる。これらの層は一般に数
100〜数1000人であるため数十ボルトの電圧で絶
縁破壊を起し容易に端子6とメタル層2との導通がとれ
る。電圧の印加は露光装置内でも、装置外でも行なえる
事は言うまでもない。
本発明は以上の説明から明らかな如〈従来困難であった
絶縁層を通しての基板のアースへの導通が容易に行なえ
るように1電子iin光法に与える寄与は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1riAa一般的なホトマスク基板に電子線レジスト
を塗布した状態を示す断面図である。第2図は従来の電
子線露光用基板ホルダーにホトマスク基板実装した状態
を示す断面図である。第3図嬬本発明の実施例の電子線
露光用基板ホルダーにホトマスク基板を実装し良状態を
示す断面図である冑、図において、l紘ガラス基板、2
はメタル層、3は酸化層、4は電子線レジスト層、5は
基板ホルダー、6はアース端子、7は電子線、8は電圧
印加用端子、9は基板ホルダーに印加する直流電源であ
る。 第 11D 第2図 第 3 区

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基板上の電子線レジストを選択的に電子線で照射する装
    置に用いられ、賦基板を保持する電子線露光装置用基板
    ホルダーにお−て、該基板の一主平面に接しかつ電気的
    に接地できる端子と、前記基板の一主平面に接し前記端
    子との間に電圧を印加できる端子とを有する事を特徴と
    する電子線露光装置用基板ホルダー。
JP12968381A 1981-08-19 1981-08-19 電子線露光装置用基板ホルダ− Pending JPS5831529A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60213023A (ja) * 1984-04-09 1985-10-25 Fujitsu Ltd 半導体基板の露光方法
JPS6390130A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Hitachi Ltd 電子線描画装置
FR2677043A1 (fr) * 1991-05-29 1992-12-04 Solems Sa Procede, dispositif et appareil pour traiter un substrat par un plasma basse pression.
JP2010074094A (ja) * 2008-09-22 2010-04-02 Nuflare Technology Inc 基板カバー

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