JPH04371952A - ハードマスク - Google Patents
ハードマスクInfo
- Publication number
- JPH04371952A JPH04371952A JP3149081A JP14908191A JPH04371952A JP H04371952 A JPH04371952 A JP H04371952A JP 3149081 A JP3149081 A JP 3149081A JP 14908191 A JP14908191 A JP 14908191A JP H04371952 A JPH04371952 A JP H04371952A
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- JP
- Japan
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- film
- chromium
- hard mask
- cassette
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路の製造に
用いられるハードマスクに関する。
用いられるハードマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のハードマスクは、図４（ａ），（
ｂ）に示すように、ガラス基板１上に、金属膜としての
クロム膜２が遮光膜として形成され、その上にウェハー
転写時の多重反射によるパターン精度の劣化を防ぐ反射
防止膜として、例えば酸化クロム膜３が全面に形成され
た構造となっていた。素子パターンはこれらクロム膜２
と酸化クロム膜３をパターニングして形成される。
ｂ）に示すように、ガラス基板１上に、金属膜としての
クロム膜２が遮光膜として形成され、その上にウェハー
転写時の多重反射によるパターン精度の劣化を防ぐ反射
防止膜として、例えば酸化クロム膜３が全面に形成され
た構造となっていた。素子パターンはこれらクロム膜２
と酸化クロム膜３をパターニングして形成される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】素子パターンが形成さ
れたこの従来のハードマスクを用いて、ウェハー上にパ
ターンを形成するには、一般に電子ビーム露光装置が用
いられる。この場合図５に示す様なカセット７に、電子
ビームレジスト層４が塗布されたハードマスク１０Ａを
挿入する。カセット７には、プレートとの導通（アース
）を取るために、通常、導通ピン６が設けられている。 この導通が充分取れない場合、電子ビームの照射により
、ハードマスク１０Ａがマイナスに帯電し、電子ビーム
が容易に０．２μｍ以上ずれてしまう。
れたこの従来のハードマスクを用いて、ウェハー上にパ
ターンを形成するには、一般に電子ビーム露光装置が用
いられる。この場合図５に示す様なカセット７に、電子
ビームレジスト層４が塗布されたハードマスク１０Ａを
挿入する。カセット７には、プレートとの導通（アース
）を取るために、通常、導通ピン６が設けられている。 この導通が充分取れない場合、電子ビームの照射により
、ハードマスク１０Ａがマイナスに帯電し、電子ビーム
が容易に０．２μｍ以上ずれてしまう。
【０００４】導通ピン６は、図６に示すように、導体で
あるクロム膜２に接触させる必要があるが、上層の酸化
クロム膜３は比較的硬いため、導通ピン６を強く下へ押
し付けなければならない。そのため、導通ピン６の先端
の形状が劣化し、数百回の使用で導通が取れなくなると
いう問題点があった。
あるクロム膜２に接触させる必要があるが、上層の酸化
クロム膜３は比較的硬いため、導通ピン６を強く下へ押
し付けなければならない。そのため、導通ピン６の先端
の形状が劣化し、数百回の使用で導通が取れなくなると
いう問題点があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のハードマスクは
、透明基板の周辺部における金属膜の少くとも一部を露
出させ、導通ピンとの接触を良好にしたものである。
、透明基板の周辺部における金属膜の少くとも一部を露
出させ、導通ピンとの接触を良好にしたものである。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ線断面図である。
。図１（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
Ａ−Ａ線断面図である。
【０００７】ハードマスク１０は、ガラス基板１上にク
ロム膜２を形成し、その上に酸化クロム膜３を形成する
が、酸化クロム膜３を蒸着形成する際にガラス基板１の
サイズより小さいサイズの窓を持つホルダーでカバーす
ることにより、外側をクロム膜２の単層に、内側をクロ
ム膜２と酸化クロム膜３との２層構造にしたものである
。図２はこのハードマスクに、電子ビームレジスト膜４
を塗布した後、プレベークを行い、電子ビーム露光装置
用のカセット７に、本ハードマスク１０を挿入した所を
示している。
ロム膜２を形成し、その上に酸化クロム膜３を形成する
が、酸化クロム膜３を蒸着形成する際にガラス基板１の
サイズより小さいサイズの窓を持つホルダーでカバーす
ることにより、外側をクロム膜２の単層に、内側をクロ
ム膜２と酸化クロム膜３との２層構造にしたものである
。図２はこのハードマスクに、電子ビームレジスト膜４
を塗布した後、プレベークを行い、電子ビーム露光装置
用のカセット７に、本ハードマスク１０を挿入した所を
示している。
【０００８】このように構成された本実施例によれば、
図３に示すようにカセット７の金属性の導通ピン６は、
高分子ポリマーである電子ビームレジスト膜４を、簡単
に突き破り、下層のクロム膜２へ接触もしくは侵入し、
容易に導通を取ることができる。
図３に示すようにカセット７の金属性の導通ピン６は、
高分子ポリマーである電子ビームレジスト膜４を、簡単
に突き破り、下層のクロム膜２へ接触もしくは侵入し、
容易に導通を取ることができる。
【０００９】従来のクロムと酸化クロムの２層構造膜で
は、導通ピンとクロム膜間が１０４ 〜１０５ Ω程度
の抵抗状態であったが、本実施例では１０２ 〜１０３
Ω程度と抵抗が減少し、ハードマスクとカセットとの
導通が改善された。
は、導通ピンとクロム膜間が１０４ 〜１０５ Ω程度
の抵抗状態であったが、本実施例では１０２ 〜１０３
Ω程度と抵抗が減少し、ハードマスクとカセットとの
導通が改善された。
【００１０】上記実施例においては、ガラス基板１の周
囲全体のクロム膜２を露出した場合について説明したが
、ガラス基板１の周囲の一辺のみのクロム膜２を露出し
てもよい。この場合も図２，図３で説明したように、導
通ピン６とクロム膜２との導通を容易にとることができ
る。この場合は、酸化クロム膜３を蒸着する際に、基板
サイズと同じサイズの窓を持つホルダーをずらすだけで
形成できる。更にマスク製造プロセス中におけるマスク
の上下左右を簡単に識別できるという利点を有する。 またクロム膜と酸化クロム膜の代りにタンタル膜と酸化
タンタル膜を用いてもよい。
囲全体のクロム膜２を露出した場合について説明したが
、ガラス基板１の周囲の一辺のみのクロム膜２を露出し
てもよい。この場合も図２，図３で説明したように、導
通ピン６とクロム膜２との導通を容易にとることができ
る。この場合は、酸化クロム膜３を蒸着する際に、基板
サイズと同じサイズの窓を持つホルダーをずらすだけで
形成できる。更にマスク製造プロセス中におけるマスク
の上下左右を簡単に識別できるという利点を有する。 またクロム膜と酸化クロム膜の代りにタンタル膜と酸化
タンタル膜を用いてもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、透明基板
周辺部の少くとも一部の金属膜を露出するように反射防
止膜を選択的に形成したので、カセットの導通ピンとの
導通が取れやすくなると共に、導通ピンの寿命も長くな
るという効果を有する。
周辺部の少くとも一部の金属膜を露出するように反射防
止膜を選択的に形成したので、カセットの導通ピンとの
導通が取れやすくなると共に、導通ピンの寿命も長くな
るという効果を有する。
【図１】本発明の一実施例の平面図およびＡ−Ａ線断面
図。
図。
【図２】実施例をカセットに挿入した場合の平面図。
【図３】実施例をカセットに挿入した場合の導通ピン近
傍の断面図。
傍の断面図。
【図４】従来例の平面図およびＢ−Ｂ線断面図。
【図５】従来例をカセットに挿入した場合の平面図。
【図６】従来例をカセットに挿入した場合の導通ピン近
傍の断面図。
傍の断面図。
１ ガラス基板
２ クロム膜
３ 酸化クロム膜
４ 電子ビームレジスト膜
６ 導通ピン
７ カセット
１０，１０Ａ ハードマスク
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上に形成された金属膜とこの
金属膜上に形成された反射防止膜とを有するハードマス
クにおいて、前記金属膜は前記透明基板の周辺部の少く
とも一部分において露出していることを特徴とするハー
ドマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149081A JPH04371952A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | ハードマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3149081A JPH04371952A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | ハードマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04371952A true JPH04371952A (ja) | 1992-12-24 |
Family
ID=15467283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3149081A Pending JPH04371952A (ja) | 1991-06-21 | 1991-06-21 | ハードマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04371952A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6146794A (en) * | 1997-08-22 | 2000-11-14 | Nec Corporation | Electron beam antistatic method using conductive pins for charge disipation |
| JP2012238014A (ja) * | 2012-07-20 | 2012-12-06 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| KR20160110174A (ko) * | 2015-03-13 | 2016-09-21 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3149081A patent/JPH04371952A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6146794A (en) * | 1997-08-22 | 2000-11-14 | Nec Corporation | Electron beam antistatic method using conductive pins for charge disipation |
| JP2012238014A (ja) * | 2012-07-20 | 2012-12-06 | Hoya Corp | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| KR20160110174A (ko) * | 2015-03-13 | 2016-09-21 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 마스크 블랭크 및 그의 제조 방법 |
| JP2016170320A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 信越化学工業株式会社 | マスクブランクス及びその製造方法 |
| US10488750B2 (en) | 2015-03-13 | 2019-11-26 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Mask blank and making method |
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